发明创造名称：在功率晶体管中集成自举电路元件的系统和方法
外观设计名称：
决定号：180664
决定日：2019-06-11
委内编号：1F250968
优先权日：2012-12-18
申请（专利）号：201310696160.X
申请日：2013-12-18
复审请求人：英飞凌科技奥地利有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：吴海涛
合议组组长：车晓璐
参审员：田书凤
国际分类号：H01L25/16,H01L23/31,H01L21/50,H01L27/06,H01L21/8234
外观设计分类号：
法律依据：专利法第33条
决定要点：如果修改后的权利要求的内容不能够从原始提交的说明书和权利要求书中直接地、毫无疑义地确定，则该修改超出了原说明书和权利要求书记载的范围。
全文：
本复审请求审查决定涉及申请号为201310696160.X，名称为“在功率晶体管中集成自举电路元件的系统和方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为英飞凌科技奥地利有限公司，申请日为2013年12月18日，优先权日为2012年12月18日，公开日为2014年06月18日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年01月19日发出驳回决定，驳回了本申请。驳回决定认为权利要求1、12的修改不符合专利法第33条的规定，其具体理由是：修改后的权利要求1限定了技术特征“集成电路，其被布置在所述封装中并且包括浮动驱动器电路，至少一个晶体管器件和自举电路，所述浮动驱动器电路包括高侧部分和低侧部分”，即浮动驱动器电路、至少一个晶体管器件和自举电路为并列关系，然而，根据原始权利要求4的记载，所述至少一个晶体管器件是具有高侧部分和低侧部分的浮动驱动器电路的一部分，且根据说明书附图说明的记载，图1是根据实施例的包括自举电路的浮动驱动器电路的框图，由此可知，所述浮动驱动器电路包括高侧部分，低侧部分，至少一个晶体管器件和自举电路，即浮动驱动器电路与至少一个晶体管器件和自举电路为包含与被包含的关系；修改后的技术方案既未明确地记载在原说明书和权利要求书中，也不能由原说明书和权利要求书所记载的内容直接地、毫无疑义地确定，即修改超出了原说明书和权利要求书记载的范围，相同或类似的问题还存在于权利要求12中。因此，权利要求1、12的修改不符合专利法第33条的规定。驳回决定所依据的文本为：申请人于申请日2013年12月18日提交的说明书摘要、摘要附图、说明书第1-71段、说明书附图图1-10；于2017年11月20日提交的权利要求第1-26项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种半导体器件，包括：
封装；和
集成电路，其被布置在所述封装中并且包括浮动驱动器电路，至少一个晶体管器件和自举电路，所述浮动驱动器电路包括高侧部分和低侧部分，其中所述自举电路与所述高侧部分和所述低侧部分中的一个集成在相同的管芯上，并且与所述至少一个晶体管器件相耦合，并且其中所述自举电路包括基于半导体的自举电容器器件。
2. 权利要求1的半导体器件，其中所述至少一个晶体管器件包括功率晶体管器件。
3. 权利要求2的半导体器件，其中所述至少一个晶体管器件包括金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET器件的一个。
4. 权利要求3的半导体器件，其中所述高侧部分或所述低侧部分被集成在不同的管芯上。
5. 权利要求2的半导体器件，其中所述至少一个晶体管器件包括氮化镓（GaN）或碳化硅（SiC）中的至少一个。
6. 权利要求2的半导体器件，其中利用所述至少一个晶体管器件单片地形成所述自举电路。
7. 权利要求2的半导体器件，其中所述自举电容器器件包括在硅衬底中形成的沟槽，并且其中所述自举电容器器件的第一电极包括所述硅衬底并且所述自举电容器器件的第二电极包括在所述沟槽内并且通过介电层与所述沟槽分离的导电材料。
8. 权利要求2的半导体器件，其中所述自举电容器器件包括在硅衬底中形成的沟槽，并且其中掺杂阱围绕所述沟槽并且形成所述自举电容器器件的第一电极，并且所述自举电容器器件的第二电极包括在所述沟槽内并且通过介电层与所述沟槽分离的导电材料。
9. 权利要求1的半导体器件，其中所述自举电路包括自举二极管器件或自举晶体管器件中的一个。
10. 权利要求9的半导体器件，其中所述自举晶体管器件包括MOSFET器件。
11. 权利要求9的半导体器件，其中所述自举二极管器件包括肖特基二极管器件。
12. 一种集成电路，包括：
具有高侧部分和低侧部分的浮动驱动器电路；
半导体功率晶体管；和
包括半导体电容器的电路，其中所述包括半导体电容器的电路与所述高侧部分和所述低侧部分中的一个集成在相同的管芯上并与所述半导体功率晶体管相耦合。
13. 权利要求12的集成电路，其中所述包括半导体电容器的电路包括自举电路。
14. 权利要求12的集成电路，进一步包括其中设置所述半导体功率晶体管和所述包括半导体电容器的电路的封装。
15. 权利要求12的集成电路，其中所述半导体功率晶体管包括金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，氮化镓（GaN）晶体管，或碳化硅（SiC）晶体管中的一个。
16. 权利要求12的集成电路，其中所述半导体功率晶体管和所述包括半导体电容器的电路被单片地形成在硅衬底中，其中所述包括半导体电容器的电路的至少一个沟槽和所述半导体功率晶体管的至少一个沟槽在所述硅衬底中具有不同的深度，并且使用相同的硬掩模来执行所述包括半导体电容器的电路的所述至少一个沟槽和所述半导体功率晶体管的所述至少一个沟槽的蚀刻。
17. 权利要求12的集成电路，其中所述半导体功率晶体管和所述包括半导体电容器的电路被单片地形成在硅衬底中，并且其中氧化物层被形成在所述硅衬底上并且第一层被形成在所述氧化物层上，并且其中所述第一层的掺杂扩散到所述硅衬底中。
18. 权利要求17的集成电路，其中所述第一层包括多晶硅或者氧化物中的至少一个。
19. 一种用于形成集成电路的方法，包括：
在浮动驱动器电路中形成高侧部分和低侧部分；
在所述浮动驱动器电路中形成至少一个晶体管器件；和
在所述浮动驱动器电路中形成基于半导体的自举电容器元件，其中形成所述自举电容器包括将所述自举电容器元件与所述高侧部分和所述低侧部分中的一个集成在相同的管芯上，并且将所述自举电容器与所述至少一个晶体管器件相耦合。
20. 权利要求19的方法，其中形成至少一个晶体管器件包括形成至少一个功率晶体管器件。
21. 权利要求20的方法，其中所述至少一个功率晶体管器件包括金属氧化物硅场效应晶体管MOSFET器件，碳化硅（SiC）晶体管器件或氮化镓（GaN）晶体管器件中的至少一个。
22. 权利要求19的方法，其中利用所述至少一个晶体管器件单片地形成基于半导体的自举电容器元件进一步包括：
通过驱使第一类型的掺杂通过介电层并且进入到具有与所述第一类型不同的第二类型的掺杂的硅衬底中来形成所述自举电容器的阱，作为形成所述MOSFET器件的工艺的一部分。
23. 权利要求22的方法，进一步包括去除所述介电层。
24. 权利要求19的方法，其中形成基于半导体的自举电容器元件进一步包括利用所述至少一个晶体管器件单片地形成自举晶体管或自举二极管中的至少一个。
25. 权利要求19的方法，其中形成基于半导体的自举电容器元件进一步包括在硅衬底中蚀刻至少一个沟槽，并且其中形成至少一个晶体管器件进一步包括在所述硅衬底中蚀刻至少一个沟槽，其中所述自举电容器元件的至少一个沟槽和所述至少一个晶体管器件的所述至少一个沟槽被蚀刻到所述硅衬底的不同深度。
26. 权利要求25的方法，进一步包括使用相同的硬掩模来蚀刻所述自举电容器元件的所述至少一个沟槽和所述至少一个晶体管器件的所述至少一个沟槽。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年05月03日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书（包括26项权利要求），其修改为将独立权利要求1中的“浮动驱动器电路，至少一个晶体管器件”修改为“具有至少一个晶体管器件的浮动驱动器电路”，将独立权利要求12中的“具有高侧部分和低侧部分的浮动驱动器电路；半导体功率晶体管”修改为“具有半导体功率晶体管的浮动驱动器电路，所述浮动驱动器电路包括高侧部分和低侧部分”。复审请求人认为：驱动器电路104是浮动驱动器电路；浮动驱动器电路和自举电路是并列关系。复审请求人提出复审请求时新修改的权利要求1、12的内容如下：
“1. 一种半导体器件，包括：
封装；和
集成电路，其被布置在所述封装中并且包括具有至少一个晶体管器件的浮动驱动器电路和自举电路，所述浮动驱动器电路包括高侧部分和低侧部分，其中所述自举电路与所述高侧部分和所述低侧部分中的一个集成在相同的管芯上并且与所述至少一个晶体管器件相耦合，并且其中所述自举电路包括基于半导体的自举电容器器件。”
“12. 一种集成电路，包括：
具有半导体功率晶体管的浮动驱动器电路，所述浮动驱动器电路包括高侧部分和低侧部分；和
包括半导体电容器的电路，其中所述包括半导体电容器的电路与所述高侧部分和所述低侧部分中的一个集成在相同的管芯上并与所述半导体功率晶体管相耦合。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年05月11日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：本申请说明书中明确记载了电路100包括自举电路102、驱动器电路104、MOSFET电路106和输出电感器108和电容器109（参见说明书第38段，附图1），其中驱动器电路104可以包括高侧部分114和低侧部分115（参见说明书第38段），而在图2A中，示出了“高侧106a”、“低侧106b”、“驱动器104”和“自举102”四个不同的部分以各自独立存在的方式集成在一起，图2B示出了自举电路102和低侧106b进一步集成在一起，图2C示出了自举电路102和高侧106a进一步集成在一起，结合说明书第43段的描述可知，四者不属于相互包含的关系，且说明书第45段进一步记载了“在浮动驱动器实施例中，例如关于图1和2C讨论的其中自举部分102与高侧部分106a集成的实施例，自举部分102的集成在实施例中通常包括三个级：电容器级、二极管或晶体管级和其中高侧晶体管110与自举部分102耦合的电连接级”，由此可知，高侧106a指的是MOSFET电路106中的包含高侧晶体管110的部分，而低侧106b指的是MOSFET电路106中的包含低侧晶体管112的部分，此处的“高侧（电路/部分）106a”和“低侧（电路/部分）106b”明显区别于驱动器104中的“高侧部分114”和“低侧部分115”。然而，目前的权利要求中限定了“所述浮动驱动器电路包括高侧部分和低侧部分，其中所述自举电路与所述高侧部分和低侧部分中的一个集成在相同的管芯上”，由此可知，高侧部分和低侧部分可以分别对应驱动器电路104中的高侧部分114和低侧部分115，也可以分别对应MOSFET电路106的高侧部分106a和低侧部分106b，因此，原说明书和权利要求书中仅记载了自举电路与MOSFET电路中的高侧部分和低侧部分中的一个集成在相同的管芯上。此外，针对浮动驱动器电路和自举电路的关系，说明书第10段记载了“图1是根据实施例的包括自举电路的浮动驱动器电路的框图”、说明书第30段记载了“图7A是根据实施例的包括自举电路的浮动驱动器电路的框图”以及说明书第38段记载了“参照图1，描绘了浮动驱动器降压转换器电路100”，而修改后的权利要求1和12将浮动驱动器电路与自举电路以并列的方式进行表述，即将自举电路排除在浮动驱动器电路之外；在独立权利要求19中记载的“在所述浮动驱动器电路中形成基于半导体的自举电容器元件”也与其认为的浮动驱动器电路不包括自举电路是相矛盾的。综上，修改后权利要求1、12仍然不符合专利法第33条的规定，复审请求人的陈述意见不具有说服力，因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2018年09月29日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1、12中的“浮动驱动器电路”即为“浮动驱动器降压转换器电路100”，因此权利要求1中的“浮动驱动器电路”是包括“自举电路”，两者是从属的关系，而不是如权利要求1中所记载的两者是并列的技术特征；权利要求12中的“浮动驱动器电路”是包括“包括半导体电容器的电路”，两者是从属的关系，而不是如权利要求12中所记载的两者是并列的技术特征；而且权利要求1、12中的这种修改也不能从原说明书和权利要求书记载的信息中直接地、毫无疑义的确定出来。因此，权利要求1中的修改后的技术特征“包括具有至少一个晶体管器件的浮动驱动器电路和自举电路”，权利要求12中修改后的特征“具有半导体功率晶体管的浮动驱动器电路；和包括半导体电容器的电路”超出了原说明书和权利要求书记载的范围，不符合专利法第33条的规定。
复审请求人于2018年11月14日提交了复审无效宣告程序意见陈述书，对权利要求1、12、19进行了修改。复审请求人认为：从图2B和2C中可以清楚看出，自举电路102与高侧电路106a和低侧电路106b中的一个集成在相同的管芯上。从附图标记106a和106b中，本领域技术人员能够知晓高侧电路106a和低侧电路106b属于MOSFET电路106。这也可以从图1、2B和2C中的文字“高侧”和“低侧”中得到支持，高侧部分114和低侧部分115属于浮动驱动器电路104，因而它们中的任何一个都不能与驱动器电路104分开地与自举电路102集成。因此，技术特征“所述自举电路与所述高侧电路和所述低侧电路中的一个集成在相同的管芯上”中的高侧电路和低侧电路指示的是图2B和2C中示出的106a和106b。复审请求人于2018年11月14日提交复审程序意见陈述书时修改的权利要求1、12、19的内容如下：
“1. 一种半导体器件，包括：
封装；和
集成电路，其被布置在所述封装中并且包括自举电路、浮动驱动器电路、MOSFET电路以及输出电感器和电容器，所述MOSFET电路包括高侧电路和低侧电路，其中所述MOSFET电路的高侧电路和低侧电路包括至少一个晶体管器件，其中所述自举电路与所述高侧电路和所述低侧电路中的一个集成在相同的管芯上并且与所述至少一个晶体管器件相耦合，并且其中所述自举电路包括基于半导体的自举电容器器件。”
“12. 一种集成电路，包括：
MOSFET电路，所述MOSFET电路包括高侧电路和低侧电路，所述高侧电路和所述低侧电路具有至少一个晶体管器件；
浮动驱动器电路；和
包括半导体电容器的电路，其中所述包括半导体电容器的电路与所述高侧电路和所述低侧电路中的一个集成在相同的管芯上并与所述半导体功率晶体管相耦合。”
“19. 一种用于形成集成电路的方法，包括：
形成MOSFET电路，所述MOSFET电路包括高侧电路和低侧电路；
在所述高侧电路和所述低侧电路中形成至少一个晶体管器件；
形成浮动驱动器电路；和
形成基于半导体的自举电容器元件，其中形成所述自举电容器包括将所述自举电容器元件与所述高侧电路和所述低侧电路中的一个集成在相同的管芯上，并且将所述自举电容器与所述至少一个晶体管器件相耦合。”
合议组于2019年03月15日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1、12中的技术特征“MOSFET电路的高侧电路和低侧电路包括至少一个晶体管器件”，权利要求19中的技术特征“在所述高侧电路和所述低侧电路中形成至少一个晶体管器件”，上述内容没有在原说明书和权利要求中存在文字记载。并且，对本领域技术人员来说，虽然该MOSFET电路中存在MOSFET，但并不能确定该MOSFET的具体位置，是位于高侧电路、低侧电路或者是该MOSFET电路的其它部分，因此无法直接地、毫无疑义地确定出晶体管组件位于高侧电路和低侧电路中；同时对于晶体管组件的具体数量，本领域技术人员也无法直接地、毫无疑义地确定出其数量为“至少一个”。因此权利要求1、12、19中的上述记载超出了原说明书和权利要求书记载的范围，不符合专利法第33条的规定。
复审请求人于2019年04月30日提交了复审程序延长期限请求书，国家知识产权局于2019年05月10日发出延长期限审批通知书，同意其期限延长至2019年05月30日。
复审请求人于2019年05月30日提交了复审无效宣告程序意见陈述书，对权利要求1、12、19进行了修改。复审请求人认为：（包括在MOSFET电路106中的）晶体管110和112包括功率晶体管（参见第39段）。参见本申请的图1，晶体管110是示出为高侧，并且晶体管112被示出为低侧。换句话说，MOSFET电路包括高侧电路和低侧电路，并且高侧电路和低侧电路分别包含晶体管。因此，权利要求1和12中记载的技术特征“MOSFET电路的高侧电路和低侧电路包括至少一个晶体管器件”以及权利要求19中记载的技术特征“在所述高侧电路和所述低侧电路中形成至少一个晶体管器件”可以直接地、毫无疑义地从原说明书的以上公开内容中得出。复审请求人于2019年05月30日提交复审程序意见陈述书时修改的权利要求书的内容如下：
“1. 一种半导体器件，包括：
封装；和
集成电路，其被布置在所述封装中并且包括自举电路、浮动驱动器电路、MOSFET电路以及输出电感器和电容器，所述MOSFET电路包括高侧电路和低侧电路，其中所述MOSFET电路的高侧电路和低侧电路分别包括晶体管器件，其中所述自举电路与所述高侧电路和所述低侧电路中的一个集成在相同的管芯上并且与所述MOSFET电路的高侧电路和低侧电路的晶体管器件相耦合，并且其中所述自举电路包括基于半导体的自举电容器器件。
2. 权利要求1的半导体器件，其中所述至少一个晶体管器件包括功率晶体管器件。
3. 权利要求2的半导体器件，其中所述至少一个晶体管器件包括金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET器件的一个。
4. 权利要求3的半导体器件，其中所述高侧部分或所述低侧部分被集成在不同的管芯上。
5. 权利要求2的半导体器件，其中所述至少一个晶体管器件包括氮化镓（GaN）或碳化硅（SiC）中的至少一个。
6. 权利要求2的半导体器件，其中利用所述至少一个晶体管器件单片地形成所述自举电路。
7. 权利要求2的半导体器件，其中所述自举电容器器件包括在硅衬底中形成的沟槽，并且其中所述自举电容器器件的第一电极包括所述硅衬底并且所述自举电容器器件的第二电极包括在所述沟槽内并且通过介电层与所述沟槽分离的导电材料。
8. 权利要求2的半导体器件，其中所述自举电容器器件包括在硅衬底中形成的沟槽，并且其中掺杂阱围绕所述沟槽并且形成所述自举电容器器件的第一电极，并且所述自举电容器器件的第二电极包括在所述沟槽内并且通过介电层与所述沟槽分离的导电材料。
9. 权利要求1的半导体器件，其中所述自举电路包括自举二极管器件或自举晶体管器件中的一个。
10. 权利要求9的半导体器件，其中所述自举晶体管器件包括MOSFET器件。
11. 权利要求9的半导体器件，其中所述自举二极管器件包括肖特基二极管器件。
12. 一种集成电路，包括：
MOSFET电路，所述MOSFET电路包括高侧电路和低侧电路，所述MOSFET电路的所述高侧电路和所述低侧电路分别包括晶体管器件；
浮动驱动器电路；和
包括半导体电容器的电路，其中所述包括半导体电容器的电路与所述高侧电路和所述低侧电路中的一个集成在相同的管芯上并与所述MOSFET电路的高侧电路和低侧电路的晶体管器件相耦合。
13. 权利要求12的集成电路，其中所述包括半导体电容器的电路包括自举电路。
14. 权利要求12的集成电路，进一步包括其中设置所述半导体功率晶体管和所述包括半导体电容器的电路的封装。
15. 权利要求12的集成电路，其中所述半导体功率晶体管包括金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，氮化镓（GaN）晶体管，或碳化硅（SiC）晶体管中的一个。
16. 权利要求12的集成电路，其中所述半导体功率晶体管和所述包括半导体电容器的电路被单片地形成在硅衬底中，其中所述包括半导体电容器的电路的至少一个沟槽和所述半导体功率晶体管的至少一个沟槽在所述硅衬底中具有不同的深度，并且使用相同的硬掩模来执行所述包括半导体电容器的电路的所述至少一个沟槽和所述半导体功率晶体管的所述至少一个沟槽的蚀刻。
17. 权利要求12的集成电路，其中所述半导体功率晶体管和所述包括半导体电容器的电路被单片地形成在硅衬底中，并且其中氧化物层被形成在所述硅衬底上并且第一层被形成在所述氧化物层上，并且其中所述第一层的掺杂扩散到所述硅衬底中。
18. 权利要求17的集成电路，其中所述第一层包括多晶硅或者氧化物中的至少一个。
19. 一种用于形成集成电路的方法，包括：
形成MOSFET电路，所述MOSFET电路包括高侧电路和低侧电路；
在所述高侧电路和所述低侧电路中分别形成晶体管器件；
形成浮动驱动器电路；和
形成基于半导体的自举电容器元件，其中形成所述自举电容器包括将所述自举电容器元件与所述高侧电路和所述低侧电路中的一个集成在相同的管芯上，并且将所述自举电容器与所述MOSFET电路的高侧电路和低侧电路的晶体管器件相耦合。
20. 权利要求19的方法，其中形成至少一个晶体管器件包括形成至少一个功率晶体管器件。
21. 权利要求20的方法，其中所述至少一个功率晶体管器件包括金属氧化物硅场效应晶体管MOSFET器件，碳化硅（SiC）晶体管器件或氮化镓（GaN）晶体管器件中的至少一个。
22. 权利要求19的方法，其中利用所述至少一个晶体管器件单片地形成基于半导体的自举电容器元件进一步包括：
通过驱使第一类型的掺杂通过介电层并且进入到具有与所述第一类型不同的第二类型的掺杂的硅衬底中来形成所述自举电容器的阱，作为形成所述MOSFET器件的工艺的一部分。
23. 权利要求22的方法，进一步包括去除所述介电层。
24. 权利要求19的方法，其中形成基于半导体的自举电容器元件进一步包括利用所述至少一个晶体管器件单片地形成自举晶体管或自举二极管中的至少一个。
25. 权利要求19的方法，其中形成基于半导体的自举电容器元件进一步包括在硅衬底中蚀刻至少一个沟槽，并且其中形成至少一个晶体管器件进一步包括在所述硅衬底中蚀刻至少一个沟槽，其中所述自举电容器元件的至少一个沟槽和所述至少一个晶体管器件的所述至少一个沟槽被蚀刻到所述硅衬底的不同深度。
26. 权利要求25的方法，进一步包括使用相同的硬掩模来蚀刻所述自举电容器元件的所述至少一个沟槽和所述至少一个晶体管器件的所述至少一个沟槽。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在2019年05月30日提交了提交复审无效宣告程序意见陈述书时提交了权利要求书修改替换页（共包括权利要求第1-26项），经审查，其修改符合专利法实施细则第61条第1款的规定。因此，本复审请求审查决定依据的文本为：复审请求人于2019年05月30日提交的权利要求第1-26项；于申请日2013年12月18日提交的说明书摘要、摘要附图、说明书第1-71段、说明书附图图1-10。
具体理由的阐述
专利法第33条规定：申请人可以对其专利申请文件进行修改，但是，对发明和实用新型专利申请文件的修改不得超出原说明书和权利要求书记载的范围，对外观设计专利申请文件的修改不得超出原图片或者照片表示的范围。
如果修改后的权利要求的内容不能够从原始提交的说明书和权利要求书中直接地、毫无疑义地确定，则该修改超出了原说明书和权利要求书记载的范围。
2-1、权利要求1、12和19的修改不符合专利法第33条的规定。
权利要求1中修改后的技术特征“MOSFET电路的高侧电路和低侧电路分别包括晶体管器件”，权利要求12中修改后的技术特征“MOSFET电路的所述高侧电路和所述低侧电路分别包括晶体管器件”，权利要求19中修改后的技术特征“在所述高侧电路和所述低侧电路中分别形成晶体管器件”，上述内容没有在原说明书和权利要求中存在文字记载。并且，对本领域技术人员来说，虽然该MOSFET电路中存在MOSFET，但并不能确定该MOSFET的具体位置，是位于高侧电路、低侧电路或者是该MOSFET电路的其它部分，因此无法直接地、毫无疑义地确定出晶体管器件分别位于高侧电路和低侧电路中。因此权利要求1、12、19中的上述修改超出了原说明书和权利要求书记载的范围，不符合专利法第33条的规定。
3、针对于复审请求人在复审无效宣告程序意见陈述书中的意见，合议组认为：（1）在本申请的说明书第39段记载的内容是：“驱动器电路104的参考点被设置到高侧晶体管110的源极。这种驱动器电路104经常被称作浮动驱动器，其可以在许多实施方式中提供益处，包括用于驱动级的较低的击穿电压，BVDSS，以及对于高和低侧晶体管110和112两者使用单一电源的能力。在实施例中，晶体管110和112包括功率晶体管。”其中并没有记载“包括在MOSFET电路106中的晶体管110和112包括功率晶体管”的语句，并且也不能由上述记载的内容直接地、毫无疑义地推断出上述内容。（2）根据说明书第42段中的记载“自举电路102包括电容器，Cboost，和二极管，Dboost”，可以得出①：自举电路102具有Cboost和Dboost；根据说明书第42段中的记载“Cboost和Dboost与驱动器部分104和MOSFET部分106中的至少一个集成。在一个实施例中，Cboost和Dboost与在相同的封装120中的部分104和106集成”，并结合上述得出的第①点的内容可以得出②：自举电路102和MOSFET电路106集成；根据说明书第43段中的记载“在图2A中高侧电路106a，驱动器电路104，自举电路102和低侧电路106b被集成在封装120中……在图2B中，自举电路102和低侧电路106b被布置在相同的管芯122上。在图2C中，高侧电路106a和自举电路102被布置在相同的管芯124上”，并结合上述得出的第②点的内容可以得出③：MOSFET电路106中具有高侧电路106a和低侧电路106b。并且上述得出的第③点内容也可以从这三者的附图标记的序号上得到佐证。经过上述分析可以得出：MOSFET电路106中包括的是高侧电路106a和低侧电路106b，而不是高侧晶体管110和低侧晶体管112。综上，合议组对于复审请求人的上述意见不予支持。
在上述工作的基础上，合议组依法作出如下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年01月19日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人自收到本复审请求审查决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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