发明创造名称：高速放大器
外观设计名称：
决定号：184302
决定日：2019-07-01
委内编号：1F249538
优先权日：2013-08-28
申请（专利）号：201410428319.4
申请日：2014-08-28
复审请求人：美国亚德诺半导体公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：施岚
合议组组长：赵露泽
参审员：丁东霞
国际分类号：H03F3/45
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求所请求保护的技术方案相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，但该区别技术特征属于本领域解决相关技术问题的公知常识，该权利要求的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，则该权利要求相对于所引用的对比文件和公知常识的结合不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201410428319.4，名称为“高速放大器”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为美国亚德诺半导体公司，申请日为2014年08月28日，优先权日为2013年08月28日，公开日为2015年05月06日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年01月05日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-20不具备专利法第22条第3款规定的创造性。其中引用了四篇对比文件，即对比文件1：CN 1282142A，公开日：2001年01月31日；对比文件2：CN 101939907A，公开日：2011年01月05日；对比文件3：US 2008/0007357A1，公开日：2008年01月10日；对比文件4：CN 1282142A，公开日：2001年09月12日。驳回的具体理由为：（1）独立权利要求1、8、15与对比文件1的区别技术特征在于：电感网络的电感L基于所述电路的跨导gm对输出电容进行补偿，且电感L是根据L＝kC/gm2来确定的，其中k是常数。基于上述区别技术特征，上述权利要求实际解决的技术问题是：如何提高电路频率响应。部分区别技术特征被对比文件4所公开，且其在对比文件4 中所起作用与本申请中所起作用相同，其余部分区别技术特征是本领域技术人员容易想到，因此权利要求1、8、15相对于对比文件1 和对比文件4的结合不具备专利法第22 条第3 款规定的创造性；（2）从属权利要求2-4、9-11、16-18的附加技术特征或被对比文件1公开，或为本领域技术人员的惯用技术手段，因此也都不具备创造性。（3）从属权利要求5、12、19的附加技术特征被对比文件2所公开且作用相同；从属权利要求6、13、20的附加技术特征部分被对比文件3所公开且作用相同，其余部分是本领域的惯用技术手段，因此也都不具备创造性。（4）从属权利要求7、14的附加技术特征或被对比文件2公开，或为本领域技术人员的惯用技术手段，因此也都不具备创造性。
驳回决定所依据的文本为：申请日2014年08月28日提交的说明书附图图1-6、说明书摘要以及摘要附图；2015年02月11日提交的说明书第1-42段；2017年10月26日提交的权利要求第1-20项。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种电路，包括：
与输出节点直接连接的一个以上的晶体管；以及
电感网络，其连接到至少一个所述晶体管的源极节点，
其中所述电感网络的电感L基于所述电路的跨导gm和所述输出节点处的电容C，以及所述电感网络补偿所述输出节点的电容，
其中所述电感L是根据L＝kC/gm2来确定的，其中k是常数。
2. 如权利要求1所述的电路，其中所述一个以上的晶体管彼此串联连接以形成放大器。
3. 如权利要求1所述的电路，其中所述电感网络包括电感器。
4. 如权利要求1所述的电路，其中所述电感网络包括电感器，所述电感器在第一端子处与所述至少一个所述晶体管连接且在第二端子处与DC电压连接。
5. 如权利要求1所述的电路，其中所述电感网络包括电感器，所述电感器包括金属层和衬底。
6. 如权利要求1所述的电路，其中所述电感网络包括电感器，所述电感器具有在100皮亨和350皮亨之间的电容值。
7. 如权利要求1所述的电路，其中所述电感网络包括电感器，所述电感器具有手柄形状或螺旋形状。
8. 一种电路，包括：
与输出节点直接连接的一个以上的晶体管；以及
电感网络，其连接到至少一个所述晶体管的源极节点，
其中所述电感网络的电感L基于所述电路的跨导gm和所述输出节点处的电容C，以及所述电感网络增加了所述电路对AC输入信号的响应时间，
其中所述电感L是根据L＝kC/gm2来确定的，其中k是常数。
9. 如权利要求8所述的电路，其中所述一个以上的晶体管彼此串联连接以形成放大器。
10. 如权利要求8所述的电路，其中所述电感网络包括电感器。
11. 如权利要求8所述的电路，其中所述电感网络包括电感器，所述电感器在第一端子处与所述至少一个所述晶体管连接且在第二端子处与DC电压连接。
12. 如权利要求8所述的电路，其中所述电感网络包括电感器，所述电感器包括金属层和衬底。
13. 如权利要求8所述的电路，其中所述电感网络包括电感器，所述电感器具有在100皮亨与350皮亨之间的电容值。
14. 如权利要求8所述的电路，其中所述电感网络包括电感器，所述电感器具有手柄形状或螺旋形状。
15. 一种电路，包括：
与输出节点直接连接的一个以上的晶体管；以及
电感网络，其连接到至少一个所述晶体管的源极节点，
其中所述电感网络的电感L基于所述电路的跨导gm和所述输出节点处的电容C，以及所述电感网络增大所述电路的AC输入信号的非主导频率响应极点的频率，
其中所述电感L是根据L＝kC/gm2来确定的，其中k是常数。
16. 如权利要求15所述的电路，其中所述一个以上的晶体管彼此串联地连接以形成放大器。
17. 如权利要求15所述的电路，其中所述电感网络包括电感器。
18. 如权利要求15所述的电路，其中所述电感网络包括电感器，所述电感器在第一端子处与所述至少一个所述晶体管连接且在第二端子处与DC电压连接。
19. 如权利要求15所述的电路，其中所述电感网络包括电感器，所述电感器包括金属层和衬底。
20. 如权利要求15所述的电路，其中所述电感网络包括电感器，所述电感器具有在100皮亨与350皮亨之间的电容值。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年04月20日向国家知识产权局提出了复审请求，未修改申请文件。复审请求人认为：本申请中电感网络是电路的一部分，跨导gm和电容C是整个电路的特性，而不是电感网络中的某些部件的参数；对比文件4中的电压控制恒流源的跨导gm和MOSFET的跨导gm1都不对应于本申请权利要求1中的电路的跨导gm，且对比文件4中的电容器的电容也不对应于权利要求1所述的电路的输出节点处的电容C；对比文件4中由于L=C/(gm1·gm)，有源电感器的电感可以电气变化，例如可通过调节电压控制恒流源的跨导gm1或MOSFET的跨导gm，这与本申请所要解决的技术问题不相同。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年05月07日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为，对比文件4中公开了一种有源电感器，其相对于传统的电感器具有良好的频率特性（即对于电路具有补偿作用）且具有减小的尺寸；其电感值是根据该电路中的恒流源的跨导gm、MOS管的跨导gm1以及电容C确定的，计算公式为：Leq＝{C/(gm1·gm)}，从而对比文件4给出了根据电路中的跨导确定电感值以实现电路补偿的技术启示；进一步地，在这种技术启示的教导下，本领域技术人员将对比文件1的技术方案进行改进，根据对比文件1中的电路结构总体参数（跨导、电容等）来计算电感值，且本领域技术人员能够根据实际的电路结构参数进行等效，进而得到权利要求1中“L＝kC/gm2”的计算公式。本申请仍不具备创造性，因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年01月28日向复审请求人发出复审通知书，其中引用了驳回决定中的对比文件1-3，指出：权利要求1-20不具备专利法第22条第3款规定的创造性。针对复审请求人的意见陈述，合议组认为：对比文件1公开了电感电路能够关闭输出电容，并且电感电路、输出电容和电路的有效电阻(1/gm)形成并联电路，本领域技术人员熟知的是，当该RLC电路未达到谐振时，电路中存在谐波，从而造成电路的损耗，而当电路达到谐振时，能够消除噪声，补偿电容。本领域技术人员为了提高电路的频率响应，更好地补偿电路的输出电容，需要选取合理的电感值，根据RLC并联谐振电路的特性可知，RLC并联电路达成谐振的条件为L＝kC/gm2，这属于本领域的公知常识，也就是说，电感电路的取值应为能够使电路产生谐振的L＝kC/gm2。在此基础上，选取电感网络的电感L基于所述电路的跨导gm对输出电容进行补偿，且电感L是根据L＝kC/gm2来确定的，其中k是常数是本领域技术人员容易想到的。因此，在对比文件1公开了电感网络补偿输出节点的电容的基础上，结合本领域的公知常识得到权利要求1的技术方案是显而易见的。基于类似理由，其他独立权利要求也都不具备创造性。
复审请求人于2019年05月13日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文替换页（共20项权利要求），其中将说明书的内容“驱动器，连接到所述一个以上的晶体管的漏极节点”加入到独立权利要求1、8、15中形成新的权利要求1、8、15。复审请求人认为：对比文件1-4没有公开修改后权利要求1、8、15的技术特征“驱动器，连接到所述一个以上的晶体管的漏极节点”。2019年05月13日修改的权利要求1、8、15如下：
“1. 一种电路，包括：
与输出节点直接连接的一个以上的晶体管；
电感网络，其连接到至少一个所述晶体管的源极节点；以及
驱动器，连接到所述一个以上的晶体管的漏极节点，
其中所述电感网络的电感L基于所述电路的跨导gm和所述输出节点处的电容C，以及所述电感网络补偿所述输出节点的电容，
其中所述电感L是根据L＝kC/gm2来确定的，其中k是常数。”
“8. 一种电路，包括：
与输出节点直接连接的一个以上的晶体管；
电感网络，其连接到至少一个所述晶体管的源极节点；以及
驱动器，连接到所述一个以上的晶体管的漏极节点，
其中所述电感网络的电感L基于所述电路的跨导gm和所述输出节点处的电容C，以及所述电感网络增加了所述电路对AC输入信号的响应时间，
其中所述电感L是根据L＝kC/gm2来确定的，其中k是常数。”
“15. 一种电路，包括：
与输出节点直接连接的一个以上的晶体管；
电感网络，其连接到至少一个所述晶体管的源极节点；以及
驱动器，连接到所述一个以上的晶体管的漏极节点，
其中所述电感网络的电感L基于所述电路的跨导gm和所述输出节点处的电容C，以及所述电感网络增大所述电路的AC输入信号的非主导频率响应极点的频率，
其中所述电感L是根据L＝kC/gm2来确定的，其中k是常数。”
经过充分阅卷并合议，本案合议组认为事实已经清楚，可以做出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人于2019年05月13日提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，其中所作的修改符合专利法第33条及专利法实施细则第61条第1款的规定。本复审决定针对的审查文本为：复审请求人于2019年05月13日提交的权利要求第1-20项，申请日2014年08月28日提交的说明书附图图1-6、说明书摘要以及摘要附图；2015年02月11日提交的说明书第1-42段。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求所请求保护的技术方案相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，但该区别技术特征属于本领域解决相关技术问题的公知常识，该权利要求的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，则该权利要求相对于所引用的对比文件和公知常识的结合不具备创造性。
本复审决定所使用的对比文件与复审通知书所使用的对比文件相同，即：
对比文件1：CN 1282142A，公开日：2001年01月31日；
对比文件2：CN 101939907A，公开日：2011年01月05日；
对比文件3：US 2008/0007357A1，公开日：2008年01月10日。
对比文件1为与本申请最接近的现有技术。
权利要求1-20不具备专利法第22条第3款规定的创造性:
1、权利要求1请求保护一种电路。对比文件1公开了一种并联高压金属氧化物半导体场效应晶体管高功率稳态放大器，并具体公开了以下内容（参见说明书第5页倒数第2段-第6页第4段，图1）：图1公开了一个单端RF放大器电路（即一种电路），该放大器使用一单芯片或单管芯MOSFET功率晶体管Q1（即与输出节点直接连接的一个晶体管），RF输出网络具有一电感L1和电容C5，两者间的结点连接到源极S（即电感网络，其连接到所述晶体管的源极节点），该电感和电容组合L1-C6构成一谐振器以关闭晶体管Q1的输出电容（相当于所述电感网络的电感L和所述输出节点处的电容C，以及所述电感网络补偿所述输出的电容）。
由此可见，权利要求1请求保护的技术方案与对比文件1公开的技术内容相比，其区别技术特征在于：（1）电感网络的电感L基于所述电路的跨导gm对输出电容进行补偿，且电感L是根据L＝kC/gm2来确定的，其中k是常数；（2）驱动器，连接到所述一个以上的晶体管的漏极节点。基于上述区别技术特征可以确定，权利要求1实际解决的技术问题为如何更加有效地补偿输出节点处的电容以及如何驱动负载。
对于区别技术特征（1），对比文件1公开了电感电路能够关闭输出电容，并且电感电路、输出电容和电路的有效电阻(1/gm)形成并联电路，本领域技术人员熟知的是，当该RLC电路未达到谐振时，电路中存在谐波，从而造成电路的损耗，而当电路达到谐振时，能够消除噪声，补偿电容。本领域技术人员为了提高电路的频率响应，更好地补偿电路的输出电容，需要选取合理的电感值，根据RLC并联谐振电路的特性可知，RLC并联电路达成谐振的条件为L＝kC/gm2，这属于本领域的公知常识，也就是说，电感电路的取值应为能够使电路产生谐振的L＝kC/gm2。在此基础上，选取电感网络的电感L基于所述电路的跨导gm对输出电容进行补偿，且电感L是根据L＝kC/gm2来确定的，其中k是常数是本领域技术人员容易想到的；
对于区别技术特征（2），设置驱动器以驱动负载是本领域的公知常识，本领域技术人员可以根据具体负载需求、晶体管的不同类型以及不同的电路结构设置驱动器的连接位置，以驱动负载。因此，为了驱动连接到漏极节点的负载，驱动器连接到所述一个以上的晶体管的漏极节点是本领域技术人员的惯用技术手段。
因此，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求1请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，从而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2、权利要求2对权利要求1作进一步限定。其附加技术特征构成权利要求2与对比文件1的又一区别技术特征，基于该区别技术特征可以确定，权利要求2实际解决的又一技术问题为采用哪种电路结构。
然而，在宽带CMOS放大器的设计中，本领域技术人员通常采用共源共栅的电路结构，即多个晶体管串联连接形成放大器，从而上述区别技术特征属于本领域技术人员的惯用技术手段。因此，在其引用的权利要求1不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、权利要求3对权利要求1作进一步限定。权利要求3的附加技术特征被对比文件1所公开（参见说明书第6页第4段，图1）：RF输出网络包括一电感L（即所述电感网络包括电感器）。
因此，在其引用的权利要求1不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4、权利要求4对权利要求1作进一步限定，其附加技术特征被对比文件1所公开（参见说明书第6页第4段，图1）：RF输出网络具有一电感L1和电容C5，两者间的结点连接到源极S（即电感器在第一端子处与晶体管连接），从图1可以得到电感L1的另一端连接至NET-DC_FEED（相当于电感器在第二端子处与DC电压连接）。
因此，在其引用的权利要求1不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
5、权利要求5对权利要求1作进一步限定。其附加技术特征构成权利要求5与对比文件1的又一区别技术特征，基于该区别技术特征可以确定，权利要求5实际解决的又一技术问题为确定电感器的构成元素。
然而，对比文件2公开了一种具有制动电流路径的多重线性模式的低噪声放大器，并具体公开了以下内容（参见说明书第[0045]段，图5，图10）：图10为展示图5的两个源极退化电感器306和308的简化布局图，源极退化电感器306为集成的螺旋电感器，其一个引线连接到接地节点332且另一引线连接到主要FET 302的源极S1（隐含公开了电感器包括金属层和衬底）。由此可见，对比文件2公开的上述技术特征也是起到确定电感器构成元素的作用，从而对比文件2给出了将上述技术特征应用于对比文件1中以解决其技术问题的启示。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识得到权利要求5请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，该权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，从而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
6、权利要求6对权利要求1作进一步限定。其附加技术特征构成权利要求6与对比文件1的又一区别技术特征，基于该区别技术特征可以确定，权利要求6实际解决的又一技术问题是如何为电感器取值。
然而，对比文件3公开了一种高频稳定网络的微波器件以及单片集成电路，并具体公开了以下内容（参见说明书第[0011]段，图2）：源极电感Ls的取值在0.1nH和0.5nH之间。根据对比文件3公开的上述取值范围，本领域技术人员容易想到根据实际的电路参数进行选择，从而电感器具有在100皮亨和350皮亨之间的电感值属于本领域的常规技术选择，且没有预料不到的技术效果。
即在对比文件1的基础上结合对比文件3以及本领域的公知常识得到权利要求6请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，该权利要求请求保护的技术方案不具备突出的实质性特点和显著的进步，从而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
7、权利要求7对权利要求1作进一步限定，其附加技术特征构成权利要求7与对比文件1的又一区别技术特征，基于该区别技术特征可以确定，权利要求7实际解决的又一技术问题为采用哪种结构的电感器。
然而，对比文件2公开了一种具有制动电流路径的多重线性模式的低噪声放大器，并具体公开了以下内容（参见说明书第[0045]段，图5，图10）：图10为展示图5的两个源极退化电感器306和308的简化布局图，源极退化电感器306为集成的螺旋电感器（即电感器具有螺旋形状）。由此可见，对比文件2公开的上述技术特征也是起到确定电感器结构的作用，从而对比文件2给出了将上述技术特征应用于对比文件1中以解决其技术问题的启示。根据对比文件2公开的上述技术特征，本领域技术人员容易想到，在单片集成过程中，必须将电感集成在片内，集成电感通常采用的结构还包括：手柄形状、手指形状以及键合线结构等，因此电感器还具有手柄形状是本领域技术人员在对比文件2的基础上容易想到的。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识得到权利要求7请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，该权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，从而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
8、权利要求8请求保护一种电路。对比文件1公开了一种并联高压金属氧化物半导体场效应晶体管高功率稳态放大器，并具体公开了以下内容（参见说明书第5页倒数第2段-第6页第4段，图1）：图1公开了一个单端RF放大器电路（即一种电路），该放大器使用一单芯片或单管芯MOSFET功率晶体管Q1（即与输出节点直接连接的一个晶体管），RF输出网络具有一电感L1和电容C5，两者间的结点连接到源极S（即电感网络，其连接到所述晶体管的源极节点），该电感和电容组合L1-C6构成一谐振器以关闭晶体管Q1的输出电容（负载阻抗中的电感的电流不能突变，因此隐含公开了所述电感网络增加了所述电路对AC输入信号的响应时间）。
由此可见，权利要求8请求保护的技术方案与对比文件1公开的技术内容相比，其区别技术特征在于：（1）电感网络的电感L基于所述电路的跨导gm对输出电容进行补偿，且电感L是根据L＝kC/gm2来确定的，其中k是常数；（2）驱动器，连接到所述一个以上的晶体管的漏极节点。基于上述区别技术特征可以确定，权利要求8实际解决的技术问题为如何更加有效地补偿输出节点处的电容以及如何驱动负载。
对于区别技术特征（1），对比文件1公开了电感电路能够关闭输出电容，并且电感电路、输出电容和电路的有效电阻(1/gm)形成并联电路，本领域技术人员熟知的是，当该RLC电路未达到谐振时，电路中存在谐波，从而造成电路的损耗，而当电路达到谐振时，能够消除噪声，补偿电容。本领域技术人员为了提高电路的频率响应，更好地补偿电路的输出电容，需要选取合理的电感值，根据RLC并联谐振电路的特性可知，RLC并联电路达成谐振的条件为L＝kC/gm2，这属于本领域的公知常识，也就是说，电感电路的取值应为能够使电路产生谐振的L＝kC/gm2。在此基础上，选取电感网络的电感L基于所述电路的跨导gm对输出电容进行补偿，且电感L是根据L＝kC/gm2来确定的，其中k是常数是本领域技术人员容易想到的；
对于区别技术特征（2），设置驱动器以驱动负载是本领域的公知常识，本领域技术人员可以根据具体负载需求、晶体管的不同类型以及不同的电路结构设置驱动器的连接位置，以驱动负载。因此，为了驱动连接到漏极节点的负载，驱动器连接到所述一个以上的晶体管的漏极节点是本领域的惯用技术手段。
因此，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求8请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求8请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，从而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
9、权利要求9对权利要求8作进一步限定。其附加技术特征构成权利要求9与对比文件1的又一区别技术特征，基于该区别技术特征可以确定，权利要求9实际解决的又一技术问题为采用哪种电路结构。
然而，在宽带CMOS放大器的设计中，本领域技术人员通常采用共源共栅的电路结构，即多个晶体管串联连接形成放大器，从而上述区别技术特征属于本领域的惯用技术手段。因此，在其引用的权利要求8不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
10、权利要求10对权利要求8作进一步限定。权利要求10的附加技术特征被对比文件1所公开（参见说明书第6页第4段，图1）：RF输出网络包括一电感L（即所述电感网络包括电感器）。
因此，在其引用的权利要求8不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
11、权利要求11对权利要求8作进一步限定。权利要求11的附加技术特征被对比文件1所公开（参见说明书第6页第4段，图1）：RF输出网络具有一电感L1和电容C5，两者间的结点连接到源极S（即电感器在第一端子处与晶体管连接），从图1中得出电感L1的另一端连接至NET-DC_FEED（相当于电感器在第二端子处与DC电压连接）。
因此，在其引用的权利要求8不具备创造性的情况下，该权利要求11也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
12、权利要求12对权利要求8作进一步限定。其附加技术特征构成权利要求12与对比文件1的又一区别技术特征，基于该区别技术特征可以确定，权利要求12实际解决的又一技术问题为确定电感器的构成元素。
然而，对比文件2公开了一种具有制动电流路径的多重线性模式的低噪声放大器，并具体公开了以下内容（参见说明书第[0045]段，图5，图10）：图10为展示图5的两个源极退化电感器306和308的简化布局图，源极退化电感器306为集成的螺旋电感器，其一个引线连接到接地节点332且另一引线连接到主要FET 302的源极S1（隐含公开了电感器包括金属层和衬底）。由此可见，对比文件2公开的上述技术特征也是起到确定电感器组成的作用，从而对比文件2给出了将上述技术特征应用于对比文件1中以解决其技术问题的启示。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识得到权利要求12请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，该权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，从而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
13、权利要求13对权利要求8作进一步限定。其附加技术特征构成权利要求13与对比文件1的又一区别技术特征，基于该区别技术特征可以确定，权利要求13实际解决的技术问题是如何为电感器取值。
然而，对比文件3公开了一种高频稳定网络的微波器件以及单片集成电路，并具体公开了以下内容（参见说明书第[0011]段，图2）：源极电感Ls的取值在0.1nH和0.5nH之间。根据对比文件3公开的上述取值范围，本领域技术人员容易想到根据实际的电路参数进行选择，从而电感器具有在100皮亨和350皮亨之间的电感值属于本领域的常规技术选择，且没有预料不到的技术效果。
即在对比文件1的基础上结合对比文件3以及本领域的公知常识得到权利要求13请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，该权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，从而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
14、权利要求14对权利要求8作进一步限定，其附加技术特征构成权利要求14与对比文件1的又一区别技术特征，基于该区别技术特征可以确定，权利要求14实际解决的又一技术问题为采用哪种结构的电感器。
然而，对比文件2公开了一种具有制动电流路径的多重线性模式的低噪声放大器，并具体公开了以下内容（参见说明书第[0045]段，图5，图10）：图10为展示图5的两个源极退化电感器306和308的简化布局图，源极退化电感器306为集成的螺旋电感器（即电感器具有螺旋形状）。由此可见，对比文件2公开的上述技术特征也是起到确定电感器结构的作用，从而对比文件2给出了将上述技术特征应用于对比文件1中以解决其技术问题的启示。根据对比文件2公开的上述技术特征，本领域技术人员容易想到，在单片集成过程中，必须将电感集成在片内，集成电感通常采用的结构还包括：手柄形状、手指形状以及键合线结构等，因此电感器还具有手柄形状是本领域技术人员在对比文件2的基础上容易想到的。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识得到权利要求14请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，该权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，从而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
15、权利要求15请求保护一种电路。对比文件1公开了一种并联高压金属氧化物半导体场效应晶体管高功率稳态放大器，并具体公开了以下内容（参见说明书第5页倒数第2段-第6页第4段，图1）：图1公开了一个单端RF放大器电路（即一种电路），该放大器使用一单芯片或单管芯MOSFET功率晶体管Q1（即与输出节点直接连接的一个晶体管），RF输出网络具有一电感L1和电容C5，两者间的结点连接到源极S（即电感网络，其连接到所述晶体管的源极节点），该电感和电容组合L1-C6构成一谐振器以关闭晶体管Q1的输出电容（相当于电感网络能够补偿输出的电容，以得到良好的相位裕度，则隐含公开了所述电感网络增大所述电路的AC输入信号的非主导频率响应极点的频率）。
由此可见，权利要求15请求保护的技术方案与对比文件1公开的技术内容相比，其区别技术特征在于：（1）电感网络的电感L基于所述电路的跨导gm对输出电容进行补偿，且电感L是根据L＝kC/gm2来确定的，其中k是常数；（2）驱动器，连接到所述一个以上的晶体管的漏极节点。基于上述区别技术特征可以确定，权利要求15实际解决的技术问题为如何更加有效地补偿输出节点处的电容以及如何驱动负载。
对于区别技术特征（1），对比文件1公开了电感电路能够关闭输出电容，并且电感电路、输出电容和电路的有效电阻(1/gm)形成并联电路，本领域技术人员熟知的是，当该RLC电路未达到谐振时，电路中存在谐波，从而造成电路的损耗，而当电路达到谐振时，能够消除噪声，补偿电容。本领域技术人员为了提高电路的频率响应，更好地补偿电路的输出电容，需要选取合理的电感值，根据RLC并联谐振电路的特性可知，RLC并联电路达成谐振的条件为L＝kC/gm2，这属于本领域的公知常识，也就是说，电感电路的取值应为能够使电路产生谐振的L＝kC/gm2。在此基础上，选取电感网络的电感L基于所述电路的跨导gm对输出电容进行补偿，且电感L是根据L＝kC/gm2来确定的，其中k是常数是本领域技术人员容易想到的；
对于区别技术特征（2），设置驱动器以驱动负载是本领域的公知常识，本领域技术人员可以根据具体负载需求、晶体管的不同类型以及不同的电路结构设置驱动器的连接位置，以驱动负载。因此，为了驱动连接到漏极节点的负载，驱动器连接到所述一个以上的晶体管的漏极节点是本领域的惯用技术手段。
因此，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求15请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求15请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，从而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
16、权利要求16对权利要求15作进一步限定。其附加技术特征构成权利要求16与对比文件1的又一区别技术特征，基于该区别技术特征可以确定，权利要求16实际解决的又一技术问题为采用哪种电路结构。
然而，在宽带CMOS放大器的设计中，本领域技术人员通常采用共源共栅的电路结构，即多个晶体管串联连接形成放大器，从而上述区别技术特征属于本领域的惯用技术手段。因此，在其引用的权利要求15不具备创造性的情况下，权利要求16请求保护的技术方案不具备突出的实质性特点和显著的进步，从而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
17、权利要求17对权利要求15作进一步限定。权利要求17的附加技术特征被对比文件1所公开（参见说明书第6页第4段，图1）：RF输出网络包括一电感L（即所述电感网络包括电感器）。
因此，在其引用的权利要求15不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
18、权利要求18对权利要求15作进一步限定。权利要求18的附加技术特征被对比文件1所公开（参见说明书第6页第4段，图1）：RF输出网络具有一电感L1和电容C5，两者间的结点连接到源极S（即电感器在第一端子处与晶体管连接），从图1中得出电感L1的另一端连接至NET-DC_FEED（相当于电感器在第二端子处与DC电压连接）。
因此，在其引用的权利要求15不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
19、权利要求19对权利要求15作进一步限定。其附加技术特征构成权利要求19与对比文件1的又一区别技术特征，基于该区别技术特征可以确定，权利要求19实际解决的技术问题为确定电感器的构成元素。
然而，对比文件2公开了一种具有制动电流路径的多重线性模式的低噪声放大器，并具体公开了以下内容（参见说明书第[0045]段，图5，图10）：图10为展示图5的两个源极退化电感器306和308的简化布局图，源极退化电感器306为集成的螺旋电感器，其一个引线连接到接地节点332且另一引线连接到主要FET 302的源极S1（隐含公开了电感器包括金属层和衬底）。由此可见，对比文件2公开的上述技术特征也是起到确定电感器组成的作用，从而对比文件2给出了将上述技术特征应用于对比文件1中以解决其技术问题的启示。
即在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识得到权利要求19请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，该权利要求请求保护的技术方案不具备突出的实质性特点和显著的进步，从而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
20、权利要求20对权利要求15作进一步限定。其附加技术特征构成权利要求20与对比文件1的又一区别技术特征，基于该区别技术特征可以确定，权利要求20实际解决的技术问题为电感器如何取值。
然而，对比文件3公开了一种高频稳定网络的微波器件以及单片集成电路，并具体公开了以下内容（参见说明书第[0011]段，图2）：源极电感Ls的取值在0.1nH和0.5nH之间。根据对比文件3公开的上述取值范围，本领域技术人员容易想到根据实际的电路参数进行选择，从而电感器具有在100皮亨和350皮亨之间的电感值属于本领域的常规技术选择，且没有预料不到的技术效果。
即在对比文件1的基础上结合对比文件3以及本领域的公知常识得到权利要求20请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，该权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，从而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、关于复审请求人陈述意见的评述
针对复审请求人的意见陈述，合议组认为：设置驱动器以驱动负载是本领域的公知常识，本领域技术人员可以根据具体负载需求、晶体管的不同类型以及不同的电路结构设置驱动器的连接位置，以驱动负载。因此，为了驱动连接到漏接节点的负载，驱动器连接到所述一个以上的晶体管的漏极节点是本领域的惯用技术手段。
因此，对于复审请求人的意见陈述，合议组不予支持。
基于上述事实和理由，合议组依法作出如下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年01月05日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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