发明创造名称：三维空间封装结构及其制造方法
外观设计名称：
决定号：186296
决定日：2019-08-08
委内编号：1F260673
优先权日：2013-12-20
申请（专利）号：201410782796.0
申请日：2014-12-16
复审请求人：乾坤科技股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：王光军
合议组组长：武建刚
参审员：李元
国际分类号：H01L23/495，H01L23/367
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案相对于作为最接近的现有技术的对比文件存在区别技术特征，上述区别技术特征为本领域的公知常识，本领域技术人员在该最接近的现有技术的对比文件的基础上结合本领域的公知常识而得到该权利要求请求保护的技术方案是显而易见的，则该项权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201410782796.0，发明名称为“三维空间封装结构及其制造方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为乾坤科技股份有限公司，申请日为2014年12月16日，优先权日为2013年12月20日，公开日为2015年06月24日。
经实质审查，国家知识产权局发明专利实质审查部门于2018年05月30日发出驳回决定，以权利要求1-24不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由，驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：申请日2014年12月16日提交的说明书摘要、摘要附图、说明书第1-10页、说明书附图第1-17页以及2018年04月20日提交的权利要求第1-24项。
驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种三维空间封装结构，其特征在于，包含：
一基板，具有一上表面和一下表面；一复数个离散式导电元件，配置在该基板的该下表面上方，该复数个离散式导电元件包含离散式被动元件，其中第一离散式导电元件与第二离散式导电元件之间具有一水平间隙；以及
一连接结构，配置在该基板的该下表面上方，用以包覆该复数个离散式导电元件，其中该连接结构包含至少一绝缘层和被该至少一绝缘层所分离的复数个第一导电图案，其中一绝缘层配置在该基板下表面上以包覆该复数个离散式导电元件并形成位于该复数个离散式导电元件下方的一连续的实质水平面，所述绝缘层从所述实质水平的表面沿着朝向基板的方向延伸以填入该第一离散式导电元件与该第二离散式导电元件之间的该水平间隙，其中该复数个第一导电图案中的一导电图案配置在该连续的实质水平面上以电性连接该第一离散式导电元件与该第二离散式导电元件。
2. 根据权利要求1所述的三维空间封装结构，其特征在于，该复数个离散式导电元件的至少一接点配置在该实质水平面上。
3. 根据权利要求1所述的三维空间封装结构，其特征在于，该复数个离散式导电元件的多个接点配置在该实质水平面上。
4. 根据权利要求1所述的三维空间封装结构，其特征在于，该复数个第一导电图案包含配置在该连接结构的下表面上的至少一垫片，用以连接外部电路。
5. 根据权利要求1所述的三维空间封装结构，其特征在于，进一步包含一环氧模造物层，其中该环氧模造物层配置在该基板的该下表面上，其中该复数个离散式导电元件和复数个第二导电图案配置在该环氧模造物层上，其中该复数个第二导电图案电性连接该复数个第一导电图案。
6. 根据权利要求1所述的三维空间封装结构，其特征在于，该基板包含一凹洞，其中该复数个离散式导电元件中至少一个配置在该凹洞中。
7. 根据权利要求1所述的三维空间封装结构，其特征在于，进一步包含配置在该基板旁的多个导电元件。
8. 根据权利要求1所述的三维空间封装结构，其特征在于，该基板为一散热基板。
9. 根据权利要求1所述的三维空间封装结构，其特征在于，该复数个第一导 电图案配置在该复数个离散式导电元件上方以热连接该复数个离散式导电元件，以使由该复数个离散式导电元件所产生的热通过该复数个第一导电图案散逸至该三维空间封装结构的外部。
10. 根据权利要求1所述的三维空间封装结构，其特征在于，该基板为由一绝缘导热材料制成的一单一本体。
11. 根据权利要求1所述的三维空间封装结构，其特征在于，该基板为由一导电导热材料制成的一单一金属片材。
12. 根据权利要求1所述的三维空间封装结构，其特征在于，该基板包含：一载板，具有一第一表面和相对于该第一表面的一第二表面，其中该复数个离散式导电元件配置在该载板的该第一表面上方；以及一金属片材，配置在该载板的该第二表面上。
13. 根据权利要求12所述的三维空间封装结构，其特征在于，该载板具有连接该金属片材和该复数个离散式导电元件的复数个导孔图案。
14. 根据权利要求1所述的三维空间封装结构，其特征在于，该复数个第一导电图案包含配置在该复数个离散式导电元件上方的一屏蔽层。
15. 根据权利要求1所述的三维空间封装结构，其特征在于，进一步包含在该基板周围的一外壳以露出一第一部分的该基板的该上表面和一第二部分的该复数个第一导电图案。
16. 根据权利要求1所述的三维空间封装结构，其特征在于，进一步包含配置在该复数个第一导电图案上的复数个引脚。
17. 根据权利要求16所述的三维空间封装结构，其特征在于，该基板包含进一步包含在其中的复数个凹洞或贯穿开口，其中各个该引脚插入在对应的该凹洞或该贯穿开口中。
18. 根据权利要求1所述的三维空间封装结构，其特征在于，进一步包含配置在该基板的该上表面上方的一第一散热件。
19. 根据权利要求18所述的三维空间封装结构，其特征在于，进一步包含配置在该复数个第一导电图案上方的一第二散热件。
20. 根据权利要求19所述的三维空间封装结构，其特征在于，进一步包含配置在该复数个第一导电图案和该第二散热件之间的一导线架以形成一系统级封装结构或一双列直插式封装结构。
21. 一种制造三维空间封装结构的方法，其特征在于，包含：
提供具有一上表面和一下表面的一基板；在该基板的该下表面上方配置一复数个离散式导电元件，该复数个离散式导电元件包含离散式被动元件，其中第一离散式导电元件与第二离散式导电元件之间具有一水平间隙；以及
在该基板的该下表面上方配置一连接结构，用以包覆该复数个离散式导电元件，其中该连接结构包含至少一绝缘层和被该至少一绝缘层所分离的复数个第一导电图案，其中一绝缘层配置在该基板下表面上以包覆该复数个离散式导电元件并形成位于该复数个离散式导电元件下方的一连续的实质水平面，所述绝缘层从所述实质水平的表面沿着朝向基板的方向延伸以填入该第一离散式导电元件与该第二离散式导电元件之间的该水平间隙，其中该复数个第一导电图案中的一导电图案配置在该连续的实质水平面上以电性连接该第一离散式导电元件与该第二离散式导电元件。
22. 根据权利要求21所述的制造三维空间封装结构的方法，其特征在于，该至少一绝缘层包含一ABF层，其中该ABF层被压至该基板的该下表面，用以包覆该复数个离散式导电元件。
23. 根据权利要求21所述的制造三维空间封装结构的方法，其特征在于，该复数个导电图案凭借一薄膜制程形成在一绝缘层上，其中该绝缘层包覆该复数个离散式导电元件。
24. 根据权利要求22所述的制造三维空间封装结构的方法，其特征在于，该复数个导电图案凭借一薄膜制程形成在该ABF上。”
驳回决定中引用了如下对比文件：
对比文件2：US2012/0236519A1，公开日为2012年09月20日；
对比文件3：US2010/0059870A1，公开日为2010年03月11日；
对比文件4：CN103151316A，公开日为2013年06月12日。
驳回决定的理由是：1、独立权利要求1、21与对比文件4的区别技术特征在于：该复数个离散式导电元件包含离散式被动元件。上述区别技术特征属于本领域技术人员的常规选择，因而权利要求1、21不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2、从属权利要求2-20、22-24的附加技术特征或者被对比文件2-4公开，或者属于本领域的公知常识，因而权利要求2-20、22-24不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年09月13日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了修改后的权利要求书全文替换页（包括权利要求第1-24项）。具体修改内容如下：将权利要求1、21中的“包覆该复数个离散式导电元件”修改为“包覆所述包含离散式被动元件的该复数个离散式导电元件”，将权利要求23-24中的“导电图案”修改为“第一导电图案”，将权利要求24中的“ABF”修改为“ABF层”。
复审请求人提出复审请求时新修改的权利要求1、21、23-24内容如下：
“1. 一种三维空间封装结构，其特征在于，包含：
一基板，具有一上表面和一下表面；一复数个离散式导电元件，配置在该基板的该下表面上方，该复数个离散式导电元件包含离散式被动元件，其中第一离散式导电元件与第二离散式导电元件之间具有一水平间隙；以及
一连接结构，配置在该基板的该下表面上方，用以包覆所述包含离散式被动元件的该复数个离散式导电元件，其中该连接结构包含至少一绝缘层和被该至少一绝缘层所分离的复数个第一导电图案，其中一绝缘层配置在该基板下表面上以包覆所述包含离散式被动元件的该复数个离散式导电元件并形成位于该复数个离散式导电元件下方的一连续的实质水平面，所述绝缘层从所述实质水平的表面沿着朝向基板的方向延伸以填入该第一离散式导电元件与该第二离散式导电元件之间的该水平间隙，其中该复数个第一导电图案中的一导电图案配置在该连续的实质水平面上以电性连接该第一离散式导电元件与该第二离散式导电元件。”
“21. 一种制造三维空间封装结构的方法，其特征在于，包含：
提供具有一上表面和一下表面的一基板；在该基板的该下表面上方配置一复数个离散式导电元件，该复数个离散式导电元件包含离散式被动元件，其中第一离散式导电元件与第二离散式导电元件之间具有一水平间隙；以及
在该基板的该下表面上方配置一连接结构，用以包覆所述包含离散式被动元件的该复数个离散式导电元件，其中该连接结构包含至少一绝缘层和被该至少一绝缘层所分离的复数个第一导电图案，其中一绝缘层配置在该基板下表面上以包覆所述包含离散式被动元件的该复数个离散式导电元件并形成位于该复数个离散式导电元件下方的一连续的实质水平面，所述绝缘层从所述实质水平的表面沿着朝向基板的方向延伸以填入该第一离散式导电元件与该第二离散式导电元件之间的该水平间隙，其中该复数个第一导电图案中的一导电图案配置在该连续的实质水平面上以电性连接该第一离散式导电元件与该第二离散式导电元件。”
“23. 根据权利要求21所述的制造三维空间封装结构的方法，其特征在于，该复数个第一导电图案凭借一薄膜制程形成在一绝缘层上，其中该绝缘层包覆该复数个离散式导电元件。
24. 根据权利要求22所述的制造三维空间封装结构的方法，其特征在于，该复数个第一导电图案凭借一薄膜制程形成在该ABF层上。”
复审请求人认为：对比文件4将多个可重构算子阵列结构芯片互相连接并封装以形成一半导体装置，其只是针对多个晶片形成所想要的算子阵列结构，因而对比文件4的MCP封装中的算子阵列结构的多个晶片不可能包含离散式被动元件，且算子阵列结构的任一晶片也不可能被置换为被动元件。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年09月21日依法受理了该复审请求，并将本申请转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中认为：当面临封装结构需要被动元件时，本领域技术人员很容易想到使得导电元件包含被动元件。因而坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局依法成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年02月28日向复审请求人发出复审通知书。该复审通知书中指出：权利要求1-24在对比文件4和本领域的公知常识结合的基础上、或在对比文件4和对比文件2及本领域的公知常识结合的基础上、或在对比文件4和对比文件3及本领域的公知常识结合的基础上不具备专利法第22条第3款规定的创造性。针对复审请求人的意见陈述，复审通知书中指出：根据电路功能的实际需求，离散式被动元件经常用在包括集成电路在内的各种电路结构中，例如在需要较大电感或较大电容的电路中，离散式电感或电容与集成电路芯片通常并列封装。在集成电路需要较大的电感、较大的电容时，本领域技术人员容易想到仅需利用对比文件4的方法将需要连接的离散式被动元件的IO端子和芯片的IO端子连接在一起，其它IO端子引出并将两者进行并列封装即可将离散式被动元件简单连接到所需的电路中，因而本领域技术人员容易想到复数个离散式导电元件包含离散式被动元件，并且利用连接结构一并进行包覆。
针对复审通知书，复审请求人于2019年04月12日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文修改替换页（包括权利要求1-23）。具体修改内容如下：在权利要求1、21中增加特征“适用于电压调节器模块、动力模块、直流/直流转换器或负载端转换器的”和“其中该复数个第一导电图案包含一配置在该复数个离散式导电元件上方的屏蔽层”，删除权利要求14，并相应地修改权利要求的序号和引用关系。
修改后的权利要求1、20内容如下：
“1. 一种适用于电压调节器模块、动力模块、直流/直流转换器或负载端转换器的三维空间封装结构，其特征在于，包含：
一基板，具有一上表面和一下表面；一复数个离散式导电元件，配置在该基板的该下表面上方，该复数个离散式导电元件包含离散式被动元件，其中第一离散式导电元件与第二离散式导电元件之间具有一水平间隙；以及
一连接结构，配置在该基板的该下表面上方，用以包覆所述包含离散式被动元件的该复数个离散式导电元件，其中该连接结构包含至少一绝缘层和被该至少一绝缘层所分离的复数个第一导电图案，其中一绝缘层配置在该基板下表面上以包覆所述包含离散式被动元件的该复数个离散式导电元件并形成位于该复数个离散式导电元件下方的一连续的实质水平面，所述绝缘层从所述实质水平的表面沿着朝向基板的方向延伸以填入该第一离散式导电元件与该第二离散式导电元件之间的该水平间隙，其中该复数个第一导电图案中的一导电图案配置在该连续的实质水平面上以电性连接该第一离散式导电元件与该第二离散式导电元件，其中该复数个第一导电图案包含一配置在该复数个离散式导电元件上方的屏蔽层。”
“20. 一种制造适用于电压调节器模块、动力模块、直流/直流转换器或负载端转换器的三维空间封装结构的方法，其特征在于，包含：
提供具有一上表面和一下表面的一基板；在该基板的该下表面上方配置一复数个离散式导电元件，该复数个离散式导电元件包含离散式被动元件，其中第一离散式导电元件与第二离散式导电元件之间具有一水平间隙；以及
在该基板的该下表面上方配置一连接结构，用以包覆所述包含离散式被动元件的该复数个离散式导电元件，其中该连接结构包含至少一绝缘层和被该至少一绝缘层所分离的复数个第一导电图案，其中一绝缘层配置在该基板下表面上以包覆所述包含离散式被动元件的该复数个离散式导电元件并形成位于该复数个离散式导电元件下方的一连续的实质水平面，所述绝缘层从所述实质水平的表面沿着朝向基板的方向延伸以填入该第一离散式导电元件与该第二离散式导电元件之间的该水平间隙，其中该复数个第一导电图案中的一导电图案配置在该连续的实质水平面上以电性连接该第一离散式导电元件与该第二离散式导电元件，其中该复数个第一导电图案包含一配置在该复数个离散式导电元件上方的屏蔽层。”
复审请求人认为：（1）对比文件4的算子阵列结构模块与权利要求1的电压调节器模块、动力模块、直流/直流转换器或负载端转换器的概念不同，前者主要是基于算子阵列数位电路的概念，后者主要基于电源类比电路的概念，因此本领域技术人员不会联想到权利要求1中的适用于电压调节器模块、动力模块、直流/直流转换器或负载端转换器的三维空间封装结构。（2）对比文件4将多个晶片互相连接并封装以形成一算子阵列结构模块，以使得封装后的算子阵列结构模块可以通过该多个晶片的未被连接的IO再与其它相同的半导体装置互相连接以形成更大的晶片的算子阵列结构，对于本领域技术人员而言，算子阵列结构的任一晶片不可能被置换为被动元件。对比文件4未提及被动元件，且如果外加一被动元件至封装后的算子阵列结构模块以与该封装后的模块的未被连接的IO连接，将使得该封装后的模块的多个未被连接的IO的电路不一致，而无法再串接多个封装后的算子阵列结构模块以再扩展算子阵列结构的规模。（3）对比文件4未公开算子阵列结构的内部电路结构，本领域技术人员不会联想到复数个第一导电图案包含一配置在复数个离散式导电元件上方的屏蔽层。
在上述程序的基础上，经审查，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人在2019年04月12日提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，所作的修改符合专利法实施细则第61条第1款以及专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所依据的审查文本为：申请日2014年12月16日提交的说明书摘要、摘要附图、说明书第1-10页、说明书附图第1-17页；2019年04月12日提交的权利要求第1-23项。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案相对于作为最接近的现有技术的对比文件存在区别技术特征，上述区别技术特征为本领域的公知常识，本领域技术人员在该最接近的现有技术的对比文件的基础上结合本领域的公知常识而得到该权利要求请求保护的技术方案是显而易见的，则该项权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
本复审请求审查决定在评价创造性时所引用的对比文件与驳回决定和复审通知书中引用的对比文件相同，即：
对比文件2：US2012/0236519A1，公开日为2012年09月20日；
对比文件3：US2010/0059870A1，公开日为2010年03月11日；
对比文件4：CN103151316A，公开日为2013年06月12日。
2.1、权利要求1-23不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求1请求保护一种三维空间封装结构。对比文件4公开了一种三维空间封装结构，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第[0020]-[0038]段及附图1-8）：在以凸点801为底部时，该三维空间封装结构包含基板301，具有一上表面和一下表面；一复数个可重构算子阵列结构芯片302（相当于离散式导电元件），配置在该基板301的该下表面上方，其中左侧芯片302（相当于第一离散式导电元件）与右侧芯片302（相当于第二离散式导电元件）之间具有一水平间隙；以及一连接结构，配置在该基板301的该下表面上方，用以包覆该复数个芯片302，其中该连接结构包含绝缘氧化物403和/或602（相当于绝缘层）和被该绝缘氧化物403和/或602所分离的复数个第一导电图案501和/或701，其中绝缘氧化物403配置在该基板301下表面上以包覆该芯片302并形成位于该复数个芯片302下方的一连续的实质水平面（图4-7所示），所述绝缘氧化物403从所述实质水平的表面沿着朝向基板301的方向延伸以填入该左侧芯片302与右侧芯片302之间的该水平间隙，其中该复数个第一导电图案501中的一导电图案电性连接该左侧芯片302与该右侧芯片302（图5所示），该导电图案的一部分配置在该连续的实质水平面上。
权利要求1请求保护的技术方案与对比文件4公开的内容相比，区别技术特征是：三维空间封装结构为适用于电压调节器模块、动力模块、直流/直流转换器或负载端转换器的三维空间封装结构，该复数个离散式导电元件包含离散式被动元件，并且也被连接结构包覆，电性连接两离散式导电元件的导电图案配置在连续的实质水平面上，其中该复数个第一导电图案包含一配置在该复数个离散式导电元件上方的屏蔽层。
基于上述区别技术特征，权利要求1实际解决的技术问题是：如何选择合适的导电元件及如何连接导电元件。
电压调节器模块、动力模块、直流/直流转换器或负载端转换器的电路结构是本领域公知的电路结构，本领域技术人员容易想到将对比文件4的三维封装结构用于上述电路结构并采用相应的合适的芯片并不需要付出创造性劳动；根据电路功能的实际需求，离散式被动元件经常用在包括集成电路在内的各种电路结构中，例如在需要较大电感或较大电容的电路中，离散式电感或电容与集成电路芯片通常并列封装，对比文件4已经公开了将多个可重构算子阵列结构芯片的临近IO端子相连和单个芯片的未连接IO端子作为阵列结构的IO端子引出的封装结构，在集成电路需要离散式的电阻、电感、电容等被动元件，例如较大的电感、较大的电容时，本领域技术人员容易想到仅需利用对比文件4的封装方法将需要连接的离散式被动元件的IO端子和芯片的IO端子连接在一起，其它IO端子引出并将两者进行并列封装即可将离散式被动元件简单连接到所需的电路中，因而本领域技术人员容易想到复数个离散式导电元件包含离散式被动元件，并且利用连接结构一并进行包覆；连接两导电元件的导电图案配置在连续的实质水平面是本领域的惯用技术手段，在对比文件4已经公开了电性连接两离散式导电元件的导电图案的一部分配置在连续的实质水平面上的基础上，本领域技术人员容易想到将该导电图案的全部配置在连续的实质水平面上以连接导电元件。电磁屏蔽是本领域的公知需求，为了避免电磁干扰，本领域的技术人员都容易想到设置电磁屏蔽层，所设置的位置则是本领域技术人员根据实际需要可以合理设定的。
因而，在对比文件4的基础上结合本领域的公知常识以获得权利要求1请求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，因此权利要求1不具备突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2-3是权利要求1的从属权利要求。对比文件4还公开了（参见说明书第[0020]-[0038]段及附图1-8）：该复数个芯片302的多个接点配置在该实质水平面上。因此当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
权利要求4是权利要求1的从属权利要求。对比文件4还公开了（参见说明书第[0020]-[0038]段及附图1-8）：导电图案还包括配置在该连接结构下表面上的导电图案701，用以连接外部电路。根据实际需要使得复数个第一导电图案包含配置在连接结构的下表面上的至少一垫片是本领域技术人员的常规选择。因此当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
权利要求5是权利要求1的从属权利要求。根据实际需要使得封装结构进一步包括配置在基板下表面上的环氧模造物层，且复数个离散式导电元件和复数个第二导电图案配置在该环氧模造物层上以及该复数个第二导电图案电性连接复数个第一导电图案是本领域技术人员的常规选择。因此当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
权利要求6是权利要求1的从属权利要求。对比文件2公开了一种电子封装结构，并具体公开了（参见说明书第[0023]-[0029]段及附图3A）：第二电子元件320的本体322（即基板）包含一凹洞322a，第一电子元件310（相当于导电元件）配置在该凹洞322a中。上述技术特征在对比文件2中所起的作用与其在本申请中相同，都是为了进一步降低封装高度，因此对比文件2给出了将上述技术特征应用于对比文件4中的技术启示。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求6也不具备创造性。
权利要求7是权利要求1的从属权利要求。根据实际需要使得封装结构进一步包含配置在基板旁的多个导电元件是本领域技术人员的常规选择。因此当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
权利要求8、12是权利要求1的从属权利要求。对比文件3公开了一种芯片封装结构，并具体公开了（参见说明书第[0023]-[0032]段及附图2）：在基板210的上表面上方具有散热元件240（即基板为一散热基板），基板210具有一第一表面和相对于该第一表面的一第二表面，其中复数个离散式导电晶片220配置在该基板210的该第一表面上方，一铜材质的导热板C（即金属片材）配置在该基板210的该第二表面上（即基板210作为载板与铜材质的导热板C形成复合基板），并且基板210可为覆铜陶瓷基板、覆铝陶瓷基板。上述技术特征在对比文件3中所起的作用与其在本申请中相同，都是为了实现散热，因此对比文件3给出了将上述技术特征应用于对比文件4中的技术启示。因此当其引用的权利要求不具备创造性时，上述权利要求也不具备创造性。
权利要求9是权利要求1的从属权利要求。对比文件4还公开了（参见说明书第[0020]-[0038]段及附图1-8）：该复数个导电图案501和701配置在该复数个离散式芯片302上，导电图案501和701为金属铝（由于金属能够实现较好的散热，本领域技术人员可以直接、毫无疑义的确定导电图案501和701热连接芯片302，以使由芯片302所产生的热通过导电图案散逸到封装结构的外部）。因此当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
权利要求10-11是权利要求1的从属权利要求。为了实现更好的散热使得基板为由一绝缘导热材料制成的一单一本体或为由一导电导热材料制成的一单一金属片材均是本领域技术人员的常规选择。因此当其引用的权利要求不具备创造性时，上述权利要求也不具备创造性。
权利要求13是权利要求12的从属权利要求。为了提高散热能力使得载板具有连接金属片材和复数个离散式导电元件的复数个导孔图案是本领域的惯用技术手段。因此当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
权利要求14是权利要求1的从属权利要求。根据实际需要使得封装结构进一步包含在基板周围的一外壳以露出一第一部分的该基板的上表面和一第二部分的复数个第一导电图案是本领域技术人员的常规选择。因此当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
权利要求15是权利要求1的从属权利要求。对比文件4已经公开了（参见说明书第[0020]-[0038]段及附图1-8）：包含配置在复数个第一导电图案501和701上的复数个凸点801（即引脚）。因此当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
权利要求16是权利要求15的从属权利要求。为了实现电性连接使得基板包含在其中的复数个凹洞或贯穿开口以使得各个引脚插入在对应的该凹洞或贯穿开口中是本领域的惯用技术手段。因此当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
权利要求17是权利要求1的从属权利要求。对比文件3公开了一种芯片封装结构，并具体公开了（参见说明书第[0023]-[0024]段及附图2）：在基板210的上表面上方具有散热件240。因此当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
权利要求18是权利要求17的从属权利要求。为了提高散热性能在复数个第一导电图案上方配置第二散热件是本领域技术人员的常规选择。因此当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
权利要求19是权利要求18的从属权利要求。根据实际需要使得封装结构进一步包含配置在复数个第一导电图案和该第二散热件之间的一导线架以形成一系统级封装结构或一双列直插式封装结构是本领域的惯用技术手段。因此当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
权利要求20请求保护一种制造三维空间封装结构的方法。对比文件4公开了一种制造三维空间封装结构的方法，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第[0020]-[0038]段及附图1-8）：在以凸点801为底部时，提供具有一上表面和一下表面的基板301；在该基板301的该下表面上方配置一复数个可重构算子阵列结构芯片302（相当于离散式导电元件），其中左侧芯片302（相当于第一离散式导电元件）与右侧芯片302（相当于第二离散式导电元件）之间具有一水平间隙；以及在该基板301的该下表面上方配置一连接结构，用以包覆该复数个芯片302，其中该连接结构包含绝缘氧化物403和/或602（相当于绝缘层）和被该绝缘氧化物403和/或602所分离的复数个导电图案501和/或701，其中绝缘氧化物403配置在该基板301下表面上以包覆该芯片302并形成位于该芯片302下方的一连续的实质水平面，所述绝缘氧化物403从所述实质水平的表面沿着朝向基板301的方向延伸以填入该左侧芯片302与右侧芯片302之间的该水平间隙，其中该复数个第一导电图案501中的一导电图案电性连接该左侧芯片302与该右侧芯片302，该导电图案部分配置在该连续的实质水平面上。
权利要求20所要保护的技术方案与对比文件4公开的内容相比，区别技术特征是：三维空间封装结构为适用于电压调节器模块、动力模块、直流/直流转换器或负载端转换器的三维空间封装结构，该复数个离散式导电元件包含离散式被动元件，并且也被连接结构包覆；电性连接两离散式导电元件的导电图案配置在连续的实质水平面上，其中该复数个第一导电图案包含一配置在该复数个离散式导电元件上方的屏蔽层。
基于上述区别技术特征，权利要求20实际解决的技术问题是：如何选择合适的导电元件及如何连接导电元件。
电压调节器模块、动力模块、直流/直流转换器或负载端转换器的电路结构是本领域公知的电路结构，本领域技术人员容易想到将对比文件4的三维封装结构用于上述电路并采用相应的合适的芯片并不需要付出创造性劳动；根据电路功能的实际需求，离散式被动元件经常用在包括集成电路在内的各种电路结构中，例如在需要电感较大的电路中，离散式电感与集成电路芯片通常并列封装。对比文件4已经公开了将多个可重构算子阵列结构芯片的临近IO端子相连和单个芯片的未连接IO端子作为阵列结构的IO端子引出的封装结构，在集成电路需要离散式的电阻、电感、电容等被动元件，例如较大的电感、较大的电容时，本领域技术人员容易想到仅需利用对比文件4的封装方法将需要连接的离散式被动元件的IO端子和芯片的IO端子连接在一起，其它IO端子引出并将两者进行并列封装即可将离散式被动元件简单连接到所需的电路中，因而本领域技术人员容易想到复数个离散式导电元件包含离散式被动元件，并且利用连接结构一并进行包覆；连接两导电元件的导电图案配置在连续的实质水平面是本领域的惯用技术手段，在对比文件4已经公开了电性连接两离散式导电元件的导电图案的一部分配置在连续的实质水平面上的基础上，本领域技术人员容易想到将该导电图案的全部配置在连续的实质水平面上以连接导电元件。电磁屏蔽是本领域的公知需求，为了避免电磁干扰，本领域的技术人员都容易想到设置电磁屏蔽层，所设置的位置则是本领域技术人员根据实际需要可以合理设定的。
因此，在对比文件4的基础上结合本领域的公知常识以获得权利要求20请求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，因此权利要求20不具备突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求21是权利要求20的从属权利要求。根据实际需要使得至少一绝缘层包含一ABF层且该ABF层被压至该基板的该下表面用以包覆该复数个离散式导电元件是本领域技术人员的常规选择。因此当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性 。
权利要求22、23直接或间接引用权利要求20。对比文件4还公开了（参见说明书第[0020]-[0038]段及附图1-8）：导电图案501凭借蒸铝制程（即薄膜制程）形成在绝缘氧化物403上，其中绝缘氧化物403包覆芯片302。在上述公开特征的基础上，具体通过薄膜制程将复数个导电图案形成在ABF层上是本领域技术人员的常规选择。因此当其引用的权利要求不具备创造性时，上述权利要求也不具备创造性。
3、对复审请求人相关意见的评述
对于复审请求人答复复审通知书时提出的意见，合议组认为：本申请的发明构思和对比文件4的发明构思相同，本申请的发明构思在于采用连接结构以包覆多个导电元件，连接结构包括绝缘层和用于电连接多个导电元件的导电图案，以替代原有的由包覆材料、打线、组装引脚所形成的连接结构，以缩短线路距离、提高强度和可靠性及降低封装结构的高度；对比文件4公开了采用连接结构以包覆多个可重构算子阵列结构芯片，连接结构包括绝缘氧化物和填充在其中的通孔和通道中的金属铝以用于电连接多个可重构算子阵列结构芯片，该封装结构可以解决相同的技术问题，因而对比文件4公开了本申请的发明构思。具体涉及到应用领域、离散式被动元件和屏蔽层则仅是本领域技术人员在对比文件4基础上的微小改变，具体的：（1）对比文件4的三维空间封装结构的基本组成单元为单个可重构算子阵列结构芯片302，权利要求1的三维空间封装结构的基本组成单元为离散式导电元件，对比文件4的单个可重构算子阵列结构芯片和权利要求1的离散式导电元件在物理上均是具有输入输出IO端的芯片状结构，例如均可为集成电路芯片结构，因而即便对比文件4与权利要求1的电路概念不同，并不影响本领域技术人员采用对比文件4的多个可重构算子阵列结构芯片的封装结构和方法来封装多个离散式导电元件，并且将该封装结构用于公知的电压调节器模块、动力模块、直流/直流转换器或负载端转换器的电路结构对本领域技术人员来说是容易的。（2）对比文件4的三维空间封装结构是通过将多个可重构算子阵列结构芯片的临近IO相连，单个可重构算子阵列结构芯片的未连接IO作为阵列结构的IO被引出，经过封装，从而形成多种不同规模的阵列结构；即对比文件4中将多个可重构算子阵列结构芯片封装为更大规模的阵列结构，但并未如复审请求人所提及的对该更大规模的阵列结构又做进一步封装；对比文件4采用单个可重构算子阵列结构芯片作为基本组成单元，但根据电路功能的实际需求，离散式被动元件经常用在包括集成电路在内的各种电路结构中，例如在需要较大电感或较大电容的电路中，离散式电感或电容与集成电路芯片通常并列封装，在此情形下，也采用具有输入输出IO端的芯片状离散式被动元件作为基本单元是本领域技术人员容易想到，离散式被动元件和其它离散式导电元件相互之间的IO连接关系是本领域技术人员根据所实现的功能容易得到的，并且基于对比文件4所采用的连接通孔和连接通道中形成的金属铝容易实现，并不存在复审请求人提及的由于IO不一致而导致电路结构无法扩展的问题。（3）电磁屏蔽是本领域的公知需求，无论对比文件4的内部电路结构如何，为了避免电磁干扰，本领域的技术人员都容易想到设置电磁屏蔽层，所设置的位置则是本领域技术人员根据实际需要可以合理设定的。
综上所述，复审请求人的意见陈述不具有说服力，合议组不予支持。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年05月30日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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