发明创造名称：OLED封装方法与OLED封装结构
外观设计名称：
决定号：187544
决定日：2019-08-12
委内编号：1F283620
优先权日：
申请（专利）号：201611179979.9
申请日：2016-12-19
复审请求人：武汉华星光电技术有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：柴春英
合议组组长：王丹
参审员：肖光庭
国际分类号：H01L51/52，H01L51/56
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求所要求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，部分上述区别技术特征未被其他对比文件公开，并且其不属于本领域的公知常识，同时该部分区别技术特征使得该权利要求所要求保护的技术方案获得了有益的技术效果，则该权利要求所要求保护的技术方案相对于上述对比文件以及本领域的公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，因而具备创造性。
全文：
本复审请求审查决定涉及申请号为201611179979.9，名称为“OLED封装方法与OLED封装结构”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为武汉华星光电技术有限公司，申请日为2016年12月19日，公开日为2017年05月10日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2019年02月11日发出驳回决定，以权利要求1-10不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请，其中引用了对比文件1-3作为现有技术，即：
对比文件1：US2015/0340653A1，公开日为2015年11月26日；
对比文件2：CN1642395A，公开日为2005年07月20日；
对比文件3：“Mechanical and tribological properties of Ti-DLC films with different Ti content by magnetron sputtering technique”,Jinfeng Cui et al, Applied Surface Science, 2012, 258, 第5025–5030页，公开日为2012年01月31日。
驳回决定的主要理由是：1、权利要求1相对于对比文件1的区别技术特征是：（1）权利要求1所要求保护的是OLED封装方法，而不是OLED的封装结构；（2）第一类金刚石膜层是钛掺杂类金刚石膜层；第一钛掺杂类金刚石膜层的材料为掺杂钛元素的类金刚石，其中，钛元素的含量为1wt％～10wt％；（3）第一有机层的厚度。其中，区别技术特征（1）中的方法步骤属于本领域的公知常识，本领域技术人员采用上述方法步骤制作对比文件1中的封装结构，是不需要付出创造性的劳动的，且其技术效果可预期。区别技术特征（2）的一部分被对比文件2和对比文件3公开，并且在本领域的公知常识的基础上、以及对比文件2和对比文件3的技术启示下，本领域技术人员容易想到将其用于对比文件1；其余部分是本领域技术人员在上述技术启示基础上通过有限试验可获得的，且其技术效果也是可预期的。区别技术特征（3）是本领域技术人员在本领域的公知常识的基础上，通过有限的试验能够获得的，其技术效果也是可预期的。因此权利要求1不具备创造性。2、权利要求6相对于对比文件1的区别技术特征是：（1）类金刚石膜层是钛掺杂类金刚石膜层；第一钛掺杂类金刚石膜层的材料为掺杂钛元素的类金刚石，其中，钛元素的含量为1wt％～10wt％；（2）第一有机层的厚度。其中，区别技术特征（1）的一部分被对比文件2和对比文件3公开，并且在本领域的公知常识的基础上、以及对比文件2和对比文件3的技术启示下，本领域技术人员容易想到将其用于对比文件1；其余部分是本领域技术人员在上述技术启示基础上通过有限的试验可获得的，且其技术效果也是可预期的。区别技术特征（2）是本领域技术人员在本领域的公知常识的基础上，通过有限的试验能够获得的，其技术效果也是可预期的。因此权利要求6不具备创造性。3、权利要求2-5、7-10的附加技术特征是本领域技术人员在对比文件1公开的相关技术内容基础上不需要付出创造性的劳动可获得的，其技术效果也是可预期的；因而也不具备创造性。驳回决定所依据的文本为：申请日2016年12月19日提交的说明书第1-97段、说明书附图图1-图10、说明书摘要、摘要附图；2018年12月05日提交的权利要求第1-10项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种OLED封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供OLED器件(101)，在所述OLED器件(101)上形成第一无机层(201)，所述第一无机层(201)整面覆盖所述OLED器件(101)；
步骤2、在所述第一无机层(201)上形成第一钛掺杂类金刚石膜层(301)，所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)整面覆盖所述第一无机层(201)；
步骤3、在所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)上形成第一有机层(401)，所述第一有机层(401)整面覆盖所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)；
步骤4、在所述第一有机层(401)上形成第二无机层(202)，所述第二无机层(202)整面覆盖所述第一有机层(401)；
所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)的材料为掺杂钛元素的类金刚石，其中，钛元素的含量为1wt％～10wt％；
所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)的厚度为1nm-1000nm；所述第一无机层(201)的厚度为0.5μm-1μm；所述第一有机层(401)的厚度为4μm-8μm；所述第二无机层(202)的厚度与所述第一无机层(201)相同。
2. 如权利要求1所述的OLED封装方法，其特征在于，还包括：
步骤5、在所述第二无机层(202)上形成第二钛掺杂类金刚石膜层(302)，所述第二钛掺杂类金刚石膜层(302)整面覆盖所述第二无机层(202)。
3. 如权利要求1所述的OLED封装方法，其特征在于，还包括：
步骤5’、在所述第二无机层(202)上形成第二有机层(402)，所述第二有机层(402)整面覆盖所述第二无机层(202)；
在所述第二有机层(402)上形成第三无机层(203)，所述第三无机层(203)整面覆盖所述第二有机层(402)。
4. 如权利要求2所述的OLED封装方法，其特征在于，还包括：
步骤6、在所述第二钛掺杂类金刚石膜层(302)上形成第二有机层(402)，所述第二有机层(402)整面覆盖所述第二钛掺杂类金刚石膜层(302)；
在所述第二有机层(402)上形成第三无机层(203)，所述第三无机层(203)整面覆盖所述第二有机层(402)。
5. 如权利要求4所述的OLED封装方法，其特征在于，还包括：
步骤7、在所述第三无机层(203)上形成第三钛掺杂类金刚石膜层(303)，所述第三钛掺杂类金刚石膜层(303)整面覆盖所述第三无机层(203)。
6. 一种OLED封装结构，其特征在于，包括OLED器件(101)、设于OLED器件(101)上且整面覆盖所述OLED器件(101)的第一无机层(201)、设于第一无机层(201)上且整面覆盖所述第一无机层(201)的第一钛掺杂类金刚石膜层(301)、设于第一钛掺杂类金刚石膜层(301)上且整面覆盖所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)的第一有机层(401)、以及设于第一有机层(401)上且整面覆盖所述第一有机层(401)的第二无机层(202)；
所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)的材料为掺杂钛元素的类金刚石，其中，钛元素的含量为1wt％～10wt％；
所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)的厚度为1nm-1000nm；所述第一无机层(201)的厚度为0.5μm-1μm；所述第一有机层(401)的厚度为4μm-8μm；所述第二无机层(202)的厚度与所述第一无机层(201)相同。
7. 如权利要求6所述的OLED封装结构，其特征在于，还包括：设于所述第二无机层(202)上且整面覆盖所述第二无机层(202)的第二钛掺杂类金刚石膜层(302)。
8. 如权利要求6所述的OLED封装结构，其特征在于，还包括：设于所述第二无机层(202)上且整面覆盖所述第二无机层(202)的第二有机层(402)、以及设于所述第二有机层(402)上且整面覆盖所述第二有机层(402)的第三无机层(203)。
9. 如权利要求7所述的OLED封装结构，其特征在于，还包括：设于所述第二钛掺杂类金刚石膜层(302)上且整面覆盖所述第二钛掺杂类金刚石膜层(302)的第二有机层(402)、以及设于所述第二有机层(402)上且整面覆盖所述第二有机层(402)的第三无机层(203)。
10. 如权利要求9所述的OLED封装结构，其特征在于，还包括：设于所述第三无机层(203)上且整面覆盖所述第三无机层(203)的第三钛掺杂类金刚石膜层(303)。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年05月21日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书（共10项权利要求），其中在原权利要求1和6中补入技术特征“所述第一有机层(401)的材料包括丙烯酸脂、六甲基二甲硅醚、聚丙烯酸酯、聚碳酸脂、及聚苯乙烯中的一种或多种”。复审请求人认为：权利要求1相对于对比文件1的区别技术特征为：1.1、权利要求1所要求保护的是OLED封装方法，而不是OLED的封装结构；1.2、所述第一钛掺杂类金刚石膜层的材料为掺杂钛元素的类金刚石，其中，钛元素的含量为1wt%～10wt%；1.3、所述第一钛掺杂类金刚石膜层的厚度为1nm-1000nm；1.4、所述第一有机层的材料包括丙烯酸脂、六甲基二甲硅醚、聚丙烯酸酯、聚碳酸脂、及聚苯乙烯中的一种或多种。对于区别技术特征1.2：首先，对比文件1未公开该技术特征，且该技术特征的应用使权利要求的技术方案取得了有益效果。其次，虽然对比文件2公开了掺钛类金刚石薄膜用于OLED封装，但其未公开掺杂钛的目的及含量，对此没有给出技术启示。对比文件3公开了类金刚石薄膜中Ti掺杂浓度增大应力上升且硬度下降；但未公开Ti掺杂浓度除了能够调整其应力外还具有其他技术效果以及具体浓度值，且其调整Ti浓度仅为了调整膜层应力，所达到的技术效果与区别技术特征1.2所达到的“使得第一钛掺杂类金刚石膜层在具有较低的应力而柔性较佳的基础上，最大限度地降低第一钛掺杂类金刚石膜层的密度从而提高第一钛掺杂类金刚石膜层的光透过率”技术效果存在明显的区别，且对比文件3对此未给出技术启示。对于区别技术特征1.4，对比文件1的实施例5未公开有机封装层13的材料；区别技术特征1.4所列的有机材料能够提升第一有机层的柔性，使得其能够有效地释放第一钛掺杂类金刚石膜层及第二无机层上的应力，以最大限度地解决由于第一钛掺杂类金刚石膜层及第二无机层因应力过大而产生破损导致的水氧侵入的问题。复审请求时新修改的权利要求1和6如下：
“1. 一种OLED封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供OLED器件(101)，在所述OLED器件(101)上形成第一无机层(201)，所述第一无机层(201)整面覆盖所述OLED器件(101)；
步骤2、在所述第一无机层(201)上形成第一钛掺杂类金刚石膜层(301)，所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)整面覆盖所述第一无机层(201)；
步骤3、在所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)上形成第一有机层(401)，所述第一有机层(401)整面覆盖所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)；
步骤4、在所述第一有机层(401)上形成第二无机层(202)，所述第二无机层(202)整面覆盖所述第一有机层(401)；
所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)的材料为掺杂钛元素的类金刚石，其中，钛元素的含量为1wt％～10wt％；
所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)的厚度为1nm-1000nm；所述第一无机层(201)的厚度为0.5μm-1μm；所述第一有机层(401)的厚度为4μm-8μm；所述第二无机层(202)的厚度与所述第一无机层(201)相同；
所述第一有机层(401)的材料包括丙烯酸脂、六甲基二甲硅醚、聚丙烯酸酯、聚碳酸脂、及聚苯乙烯中的一种或多种。”
“6. 一种OLED封装结构，其特征在于，包括OLED器件(101)、设于OLED器件(101)上且整面覆盖所述OLED器件(101)的第一无机层(201)、设于第一无机层(201)上且整面覆盖所述第一无机层(201)的第一钛掺杂类金刚石膜层(301)、设于第一钛掺杂类金刚石膜层(301)上且整面覆盖所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)的第一有机层(401)、以及设于第一有机层(401)上且整面覆盖所述第一有机层(401)的第二无机层(202)；
所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)的材料为掺杂钛元素的类金刚石，其中，钛元素的含量为1wt％～10wt％；
所述第一钛掺杂类金刚石膜层(301)的厚度为1nm-1000nm；所述第一无机层(201)的厚度为0.5μm-1μm；所述第一有机层(401)的厚度为4μm-8μm；所述第二无机层(202)的厚度与所述第一无机层(201)相同；
所述第一有机层(401)的材料包括丙烯酸脂、六甲基二甲硅醚、聚丙烯酸酯、聚碳酸脂、及聚苯乙烯中的一种或多种。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年05月29日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：首先，虽然对比文件1中采用的是DLC层，但是对比文件2公开了在封装结构中可采用Ti掺杂的DLC层，且Ti掺杂可以改变DLC层的参数。虽然对比文件2未明确说明Ti掺杂对DLC层的影响，但是对比文件3公开了在类金刚石膜层中掺杂钛元素，对于类金刚石膜层的应力和硬度是有一定的影响的，在Ti掺杂浓度为0.41%时，Ti-DLC薄膜具有较高的硬度和较低的应力，随着Ti掺杂浓度增大，应力上升，硬度下降。因此在对比文件2和3的教导下，本领域技术人员可以明确钛掺杂的类金刚石膜层可以改进类金刚石膜层的应力，并且其可应用于OLED器件的封装结构中。在此基础上，本领域技术人员容易想到采用具有合适应力的Ti-DLC薄膜以形成对比文件1中的“DLC层”，且有动机去调整Ti元素的掺杂浓度以获得合适的应力，并通过有限的试验获得，例如1-10wt%，其技术效果也是可预期的。其次，虽然对比文件3中未公开Ti掺杂能使得DLC层的光透过性得到改善，但是在本领域技术人员基于应力的考虑对对比文件1中的DLC层进行改进后，其必然能得到相应的技术效果。再者，虽然对比文件1未明确公开第一有机层的具体材料，但是对比文件1在说明书第39段公开了有机封装层13可以采用本领域公开的任意的有机封装材料。而权利要求中所限定的第一有机层的材料正是本领域常规的有机封装材料，属于本领域的公知常识。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
经过充分阅卷并合议，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在提交复审请求时提交了修改后的权利要求书全文替换页，其中包括权利要求第1-10项。经审查，上述修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。因此，本复审请求审查决定所依据的文本为：申请日2016年12月19日提交的说明书第1-97段、说明书附图图1-图10、说明书摘要、摘要附图；2019年05月21日提交的权利要求第1-10项。
具体理由的阐述
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求所要求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，部分上述区别技术特征未被其他对比文件公开，并且其不属于本领域的公知常识，同时该部分区别技术特征使得该权利要求所要求保护的技术方案获得了有益的技术效果，则该权利要求所要求保护的技术方案相对于上述对比文件以及本领域的公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，因而具备创造性。
在本复审请求审查决定中引用原审查部门在驳回决定中所引用的对比文件1-3作为现有技术，即：
对比文件1：US2015/0340653A1，公开日为2015年11月26日；
对比文件2：CN1642395A，公开日为2005年07月20日；
对比文件3：“Mechanical and tribological properties of Ti-DLC films with different Ti content by magnetron sputtering technique”,Jinfeng Cui et al, Applied Surface Science, 2012, 258, 第5025–5030页，公开日为2012年1月31日。
并引入了以下公知常识证据，即：
《OLED显示基础及产业化》，于军胜等编著，电子科技大学出版社，2015.02，第50-51页；
《探索神奇的新材料》，周海霞编著，吉林出版集团有限责任公司，2014.04，第72页。
其中，对比文件1是与本申请最接近的现有技术。
2.1独立权利要求1具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1要求保护一种OLED封装方法，对比文件1（参见说明书第14-45段，附图1-6）公开了一种有机发光二极管显示面板，并具体公开了以下技术特征：一基板11；一有机发光二极管单元12（即OLED器件）设于基板11上；以及无机-DLC复合层2包括一第一无机层21及一第一DLC层22，其中第一无机层21及第一DLC层22层叠于有机发光二极管单元12上，且第一无机层21设于有机发光二极管单元12及第一DLC层22间；无机-DLC复合层3包括一第一无机层31及一第一DLC层32；如图5所示，有机封装层13设于相邻的无机-DLC复合层2、3间；第一无机层21整面覆盖有机发光二极管单元12，第一DLC层22整面覆盖第一无机层21，有机封装层13整面覆盖第一DLC层22，第一无机层31整面覆盖有机封装层13，第一DLC层32整面覆盖第一无机层31；如图6所示，本实施例的显示面板的结构与实施例5（图5所示）相似，除了有机封装层13上方仅设置第一无机层31而未设置第一DLC层32；第一DLC层22的厚度为1-100nm，优选为10-30nm；第一无机层21的厚度为0.5-5μm，第一无机层31的厚度可以与第一无机层21的厚度相同。
可见，该权利要求相对于对比文件1的区别技术特征是：（1）权利要求1所要求保护的是OLED封装方法；（2）第一有机层材料包括丙烯酸脂、六甲基二甲硅醚、聚丙烯酸酯、聚碳酸脂、及聚苯乙烯中的一种或多种，其厚度为4-8μm；（3）第一钛掺杂类金刚石膜层的材料为掺杂钛元素的类金刚石，第一钛掺杂类金刚石膜层的厚度为1nm-1000nm；其中，钛元素的含量为1wt％～10wt％。基于上述区别技术特征可以确定，该权利要求实际解决的技术问题是：提供一种OLED结构的封装方法、调节应力、提高密封性能并使第一钛掺杂类金刚石膜层在具有较低应力的同时提高第一钛掺杂类金刚石膜层的光透过率。
对于区别技术特征（1），在OLED器件上依次形成各个封装膜层从而制成由上述各个封装膜层所构成的封装结构是本领域制备封装结构的惯用技术手段，属于本领域的公知常识。
对于区别技术特征（2），使用有机材料进行OLED器件的薄膜封装以调节应力属于本领域的惯用技术手段，并且丙烯酸酯、六甲基二甲硅醚、聚丙烯酸酯（如《OLED显示基础及产业化》，于军胜等编著，电子科技大学出版社，2015.02，第50-51页）、聚碳酸脂、及聚苯乙烯（如《探索神奇的新材料》，周海霞编著，吉林出版集团有限责任公司，2014.04，第72页）均是本领域常用于封装的有机材料，使用上述常用材料对OLED进行薄膜封装并根据封装的实际要求设置适合的厚度属于本领域的公知常识。
对于区别技术特征（3），对比文件2（参见说明书第4页第16行至第5页第31行，附图2A-2D）公开了一种形成OLED封装保护结构的方法，并具体公开了以下技术特征：在有机发光元件20上依次形成第一缓冲层211、第一保护层212、第二缓冲层213以及第二保护层214；第一保护层212以及第二保护层214所使用的材料为类金刚石碳DLC；此外，在制造过程中，如需要还可根据需求调整不同参数，譬如掺杂某些金属材料，例如钛(Ti)；而且随着掺杂杂质以及参数的不同，类金刚石碳的特性可以由应力极小柔性的高分子薄膜到硬的或硬度极高的非晶质类金刚石碳膜。即对比文件2公开了使用掺钛类金刚石碳膜作为OLED封装薄膜，并且给出了类金刚石碳的应力随着掺杂杂质以及参数的不同而不同的技术启示。对比文件3（参见第5028页第3.4节，图5）公开了一种Ti-DLC薄膜，并具体公开了以下技术特征：在类金刚石膜层中掺杂钛元素，对于类金刚石膜层的应力和硬度是有一定的影响的，在Ti掺杂浓度为0.41%时，Ti-DLC薄膜具有较高的硬度和较低的应力，随着Ti掺杂浓度增大时，应力上升，硬度下降。即对比文件3公开了钛的掺杂浓度会对掺钛类金刚石薄膜的应力产生影响。此外，对比文件1中公开了第一DLC层22的厚度是1-100nm（参见说明书第32段）。但是，对于“钛元素的含量为1wt％～10wt％”，对比文件2和对比文件3均未公开钛的具体掺杂浓度值，也未给出如何调整该浓度值以适于OLED封装结构；同时对比文件1-3均未提及钛掺杂会对类金刚石薄膜的光透过率产生影响；并且，为了使第一钛掺杂类金刚石膜层在具有较低应力的同时提高第一钛掺杂类金刚石膜层的光透过率，而将钛元素的含量为1wt％～10wt％的掺钛类金刚石用于OLED薄膜封装结构不属于本领域的公知常识，同时其使得权利要求1所要求保护的技术方案取得了有益的技术效果，即第一钛掺杂类金刚石膜层在具有较低应力的同时提高第一钛掺杂类金刚石膜层的光透过率。
综上所述，在对比文件1的基础上结合对比文件2-3以及本领域的公知常识得到该权利要求所要求保护的技术方案，对于本领域技术人员来说是非显而易见的，权利要求1要求保护的技术方案具有突出的实质性特点和显著的进步，因而具备创造性。
2.2独立权利要求6具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求6要求保护一种OLED封装结构，对比文件1（参见说明书第14-45段，附图1-6）公开了一种有机发光二极管显示面板，并具体公开了以下技术特征：一基板11；一有机发光二极管单元12（即OLED器件）设于基板11上；以及无机-DLC复合层2包括一第一无机层21及一第一DLC层22，其中第一无机层21及第一DLC层22层叠于有机发光二极管单元12上，且第一无机层21设于有机发光二极管单元12及第一DLC层22间；无机-DLC复合层3包括一第一无机层31及一第一DLC层32；如图5所示，有机封装层13设于相邻的无机-DLC复合层2、3间；第一无机层21整面覆盖有机发光二极管单元12，第一DLC层22整面覆盖第一无机层21，有机封装层13整面覆盖第一DLC层22，第一无机层31整面覆盖有机封装层13，第一DLC层32整面覆盖第一无机层31；如图6所示，本实施例的显示面板的结构与实施例5（图5所示）相似，除了有机封装层13上方仅设置第一无机层31而未设置第一DLC层32；第一DLC层22的厚度为1-100nm，优选为10-30nm；第一无机层21的厚度为0.5-5μm，第一无机层31的厚度可以与第一无机层21的厚度相同。
可见，该权利要求相对于对比文件1的区别技术特征是：（1）第一有机层材料包括丙烯酸脂、六甲基二甲硅醚、聚丙烯酸酯、聚碳酸脂、及聚苯乙烯中的一种或多种，其厚度为4-8μm；（2）第一钛掺杂类金刚石膜层的材料为掺杂钛元素的类金刚石，第一钛掺杂类金刚石膜层的厚度为1nm-1000nm；其中，钛元素的含量为1wt％～10wt％。基于上述区别技术特征可以确定，该权利要求实际解决的技术问题是：调节应力、提高密封性能并使第一钛掺杂类金刚石膜层在具有较低应力的同时提高第一钛掺杂类金刚石膜层的光透过率。
基于与权利要求1相同的理由，在对比文件1的基础上结合对比文件2-3以及本领域的公知常识得到该权利要求所要求保护的技术方案，对于本领域技术人员来说是非显而易见的，权利要求6要求保护的技术方案具有突出的实质性特点和显著的进步，因而具备创造性。
2.3从属权利要求2-5，7-10具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2-5直接或间接从属于权利要求1；权利要求7-10直接或间接从属于权利要求6；因此在权利要求1和6相对于对比文件1-3以及本领域的公知常识的结合具备创造性的情况下，权利要求2-5，7-10相对于对比文件1-3以及本领域的公知常识的结合也具备创造性。
对于驳回决定和前置审查意见的评述
驳回决定和前置审查意见中指出：首先，虽然对比文件1中采用的是DLC层，但是对比文件2公开了在封装结构中可采用Ti掺杂的DLC层，且Ti掺杂可以改变DLC层的参数。虽然对比文件2未明确说明Ti掺杂对DLC层的影响，但是对比文件3公开了在类金刚石膜层中掺杂钛元素，对于类金刚石膜层的应力和硬度是有一定的影响的，在Ti掺杂浓度为0.41%时，Ti-DLC薄膜具有较高的硬度和较低的应力，随着Ti掺杂浓度增大，应力上升，硬度下降。因此在对比文件2和3的教导下，本领域技术人员可以明确钛掺杂的类金刚石膜层可以改进类金刚石膜层的应力，并且其可应用于OLED器件的封装结构中。在此基础上，本领域技术人员容易想到采用具有合适应力的Ti-DLC薄膜以形成对比文件1中的“DLC层”，且有动机去调整Ti元素的掺杂浓度以获得合适的应力，并通过有限的试验获得，例如1-10wt%，其技术效果也是可预期的。其次，虽然对比文件3中未公开Ti掺杂能使得DLC层的光透过性得到改善，但是在本领域技术人员基于应力的考虑对对比文件1中的DLC层进行改进后，其必然能得到相应的技术效果。
对此，合议组认为：本申请将钛元素的含量为1wt％～10wt％的掺钛类金刚石用于OLED薄膜封装结构，使第一钛掺杂类金刚石膜层在具有较低应力的同时提高第一钛掺杂类金刚石膜层的光透过率。对比文件2和对比文件3均未公开钛的具体掺杂浓度值，也未给出如何调整该浓度值以适于OLED封装结构；同时对比文件1-3均未提及钛掺杂会对类金刚石薄膜的光透过率产生影响；在此基础上，本领域技术人员不能通过有限试验获得达到“使第一钛掺杂类金刚石膜层在具有较低应力的同时提高第一钛掺杂类金刚石膜层的光透过率”的技术效果的钛的掺杂含量，即1wt％～10wt％；并且为了获得上述技术效果而将钛元素的含量为1wt％～10wt％的掺钛类金刚石用于OLED薄膜封装结构不属于本领域的公知常识。
基于以上事实和理由，合议组依法作出如下审查决定。
三、决定
撤销国家知识产权局于2019年02月11日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门在本复审请求审查决定所针对的文本的基础上继续进行审批程序。
如对本复审决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本复审决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
郑重声明：本文版权归原作者所有，转载文章仅为传播更多信息之目的，如作者信息标记有误，请第一时间联系我们修改或删除，多谢。
