发明创造名称：切割胶带一体型粘接片、使用切割胶带一体型粘接片的半导体装置的制造方法及半导体装置
外观设计名称：
决定号：188209
决定日：2019-08-28
委内编号：1F248162
优先权日：
申请（专利）号：201310670648.5
申请日：2013-12-10
复审请求人：日东电工株式会社
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：林荫
合议组组长：叶楠
参审员：马驰
国际分类号：C09J7/02;C09J9/02;H01L21/683
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：在判断创造性时，首先，应当确定与权利要求所述技术方案最接近的现有技术；其次，将该权利要求的技术方案和最接近的现有技术进行对比，确定二者之间的区别特征，并客观分析要求保护的发明相对于最接近的现有技术实际解决的技术问题；然后，从最接近的现有技术和发明实际解决的技术问题出发，判断由引入这些区别特征而得到的技术方案对于本领域技术人员而言是否显而易见，如果是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求案涉及申请号为201310670648.5，名称为“切割胶带一体型粘接片、使用切割胶带一体型粘接片的半导体装置的制造方法及半导体装置”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为日东电工株式会社，申请日为2013年12月10日，最早的优先权日为2012年12月10日，公开日为2014年06月18日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2017年12月20日以权利要求1-8不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：申请人于2017年02月17日提交的权利要求第1-8项，于申请日2013年12月10日提交的说明书第1-73页、说明书附图第1-3页、说明书摘要及摘要附图（下称驳回文本）。
驳回文本的权利要求书如下：
“1. 一种切割胶带一体型粘接片，其特征在于，其具有在基材上层叠有粘合剂层的切割胶带、和在所述粘合剂层上形成的粘接片，其中，
在所述基材中含有高分子型抗静电剂，
在剥离速度10m/分钟、剥离角度150°下的剥离试验中的、所述粘合剂层与所述粘接片的剥离力为0.02～0.5N/20mm，
根据基于前述剥离试验的条件将所述粘合剂层与所述粘接片剥离时的剥离静电压的绝对值为0.5kV以下。
2. 根据权利要求1所述的切割胶带一体型粘接片，其特征在于，所述粘接片为用于在倒装芯片连接于被粘物上的半导体元件的背面形成的倒装芯片型半导体背面用薄膜。
3. 根据权利要求1所述的切割胶带一体型粘接片，其特征在于，所述基材具有多层结构，在所述多层结构的基材的至少一个最外层中含有抗静电剂。
4. 根据权利要求1所述的切割胶带一体型粘接片，其特征在于，在所述基材的至少一个面上形成有含有抗静电剂的抗静电剂层。
5. 根据权利要求1所述的切割胶带一体型粘接片，其特征在于，在所述粘合剂层中含有抗静电剂。
6. 根据权利要求1所述的切割胶带一体型粘接片，其特征在于，在所述粘接片中含有抗静电剂。
7. 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，其为使用权利要求1～6中的任一项所述的切割胶带一体型粘接片的半导体装置的制造方法，
所述方法包括如下工序：
在所述切割胶带一体型粘接片中的粘接片上粘贴半导体晶圆的工序；
切割所述半导体晶圆，形成半导体元件的工序；以及，
将所述半导体元件与所述粘接片一起从切割胶带的粘合剂层拾取的工序。
8. 一种半导体装置，其特征在于，其是使用权利要求1～6中的任一项所述的切割胶带一体型粘接片来制造的。”
驳回决定认为：（1）权利要求1与对比文件1（CN1638092A，公开日为2005年07月13日）的区别特征在于：①权利要求1中基材含有高分子型抗静电剂，而对比文件1未公开抗静电剂的种类；②对比文件1未公开粘合剂层2与粘接剂层3的剥离力及剥离静电压。基于上述区别特征，权利要求1实际解决的技术问题是如何提高基材表面的抗静电耐久性。对于区别特征①，本领域技术人员公知，高分子型抗静电剂具有良好的耐久性，因为它们分子量较大，且含有一些强极性的官能团（参见《材料添加剂化学》，辛忠，化学工业出版社，2010年01月，第1版，第160页）。为了提高基材表面的抗静电耐久性，本领域技术人员有动机选择高分子型抗静电剂。对于区别特征②，仅根据上述参数限定，本领域技术人员无法将权利要求1要求保护的切割胶带一体型粘接片与由对比文件1基础上得到的芯片切割粘接薄膜区分开。因此权利要求1不具备创造性。（2）从属权利要求2的附加特征对要求保护的粘接片无限定作用，从属权利要求3-6的附加特征均已被对比文件1公开。因此，权利要求2-6也不具备创造性。（3）对于权利要求7，权利要求1-6要求保护的粘接片相对于对比文件1不具备创造性，同时，对比文件1还公开了芯片切割粘接薄膜10的晶片状工件的固定方法。因此权利要求7不具备创造性。（4）对于权利要求8，对比文件1也公开了半导体装置。因此权利要求8不具备创造性。（5）对于申请人的如下意见陈述：公知常识中仅记载了高分子型抗静电剂作为外涂型抗静电剂具有良好的耐久性，而本申请涉及的抗静电剂是添加到树脂内使用的内混型抗静电剂，实现了抑制经时导致的抗静电功能的降低问题。驳回决定认为：首先，《材料添加剂化学》中记载了高分子型抗静电剂具有耐久性好的特点，并记载了其作为外用抗静电剂的用途。但是，其可以作为外用抗静电剂的用途，正是基于其具有良好耐久性这一特性而实现的，并非仅限用于外用抗静电剂。其次，现有技术中将高分子型抗静电剂作为内混型抗静电剂也是常规技术手段，并且其具有在基材中不易迁移，因而抗静电耐久性好的效果也是本领域技术人员熟知的（例如，CN101045804A、CN101029151A、CN101327480A等）。
申请人日东电工株式会社（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年04月03日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的全文替换页（共2页，7项），相对于驳回文本，对权利要求书的修改体现在：在权利要求1中增加了特征“在所述粘接片中含有高分子型抗静电剂”，删除了权利要求6，并对权利要求的序号和引用关系进行适应性修改。
修改后的权利要求书如下：
“1. 一种切割胶带一体型粘接片，其特征在于，其具有在基材上层叠有粘合剂层的切割胶带、和在所述粘合剂层上形成的粘接片，其中，
在所述基材中含有高分子型抗静电剂，
在所述粘接片中含有高分子型抗静电剂，
在剥离速度10m/分钟、剥离角度150°下的剥离试验中的、所述粘合剂层与所述粘接片的剥离力为0.02～0.5N/20mm，
根据基于前述剥离试验的条件将所述粘合剂层与所述粘接片剥离时的剥离静电压的绝对值为0.5kV以下。
2. 根据权利要求1所述的切割胶带一体型粘接片，其特征在于，所述粘接片为用于在倒装芯片连接于被粘物上的半导体元件的背面形成的倒装芯片型半导体背面用薄膜。
3. 根据权利要求1所述的切割胶带一体型粘接片，其特征在于，所述基材具有多层结构，在所述多层结构的基材的至少一个最外层中含有抗静电剂。
4. 根据权利要求1所述的切割胶带一体型粘接片，其特征在于，在所述基材的至少一个面上形成有含有抗静电剂的抗静电剂层。
5. 根据权利要求1所述的切割胶带一体型粘接片，其特征在于，在所述粘合剂层中含有抗静电剂。
6. 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，其为使用权利要求1～5中的任一项所述的切割胶带一体型粘接片的半导体装置的制造方法，
所述方法包括如下工序：
在所述切割胶带一体型粘接片中的粘接片上粘贴半导体晶圆的工序；
切割所述半导体晶圆，形成半导体元件的工序；以及，
将所述半导体元件与所述粘接片一起从切割胶带的粘合剂层拾取的工序。
7. 一种半导体装置，其特征在于，其是使用权利要求1～5中的任一项所述的切割胶带一体型粘接片来制造的。”
在上述修改的基础上，复审请求人认为：对比文件1中对于“使基材和粘接片同时含有抗静电剂”并没有给出记载和启示，与权利要求1的技术方案相对应的实施例8和9与其他实施例相比，取得了剥离静电压值更小的技术效果。此外，由于粘接片中所含的抗静电剂为高分子型抗静电剂，因而在抑制剥离静电压方面更为优异。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年04月27日依法受理了该复审请求，并将其转送至国家知识产权局原审查部门进行前置审查。
国家知识产权局原审查部门在前置审查意见书中认为：高分子型抗静电剂在胶带的各部件中加入，能够降低电阻率，进而降低剥离静电的发生，这是本领域技术人员已知的。并且，抗静电剂的加入量直接影响表面电阻率值及剥离静电压，在通常的用量范围内，加入的抗静电剂越多，表面电阻率越小，剥离静电压越小，本申请实施例1-3的实验数据之间的对比，以及实施例6、7之间的对比均验证了这一点。因此，本申请实施例8、9在实施例6、7已添加抗静电剂的基材的同时，在粘接片中进一步添加抗静电剂，导致胶带整体结构中抗静电剂的使用量增大，其所带来的技术效果是胶带的电阻率降低，剥离静电压减小，这是本领域技术人员能够预期得到的。因此，坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。合议组于2019年07月01日向复审请求人发出复审通知书，指出：（1）权利要求1中对粘合剂层与粘接片的剥离力、及对粘合剂层与粘接片剥离时的剥离静电压的限定无法将本申请与对比文件1区别开来，权利要求1与对比文件1相比，区别特征在于：权利要求1中限定在所述基材及粘接片中同时含有高分子型抗静电剂，对比文件1未公开该特征。权利要求1相对于对比文件1实际解决的技术问题是提供一种抗静电性能更持久的切割胶带一体型粘接片。对于上述区别特征，对比文件1已经公开了抗静电性能的赋予可以通过在支撑基材1、粘合剂层2以及粘接剂层3中添加抗静电剂，本领域技术人员在此基础上容易选择在支撑基材和粘接剂层中添加抗静电剂，并且本申请也无证据证明在基材及粘接片中同时含有抗静电剂能够带来预料不到的技术效果。而高分子型抗静电剂是本领域中常用的一类具有持久的抗静电性的抗静电剂，又被称为永久性抗静电剂。由于塑料内部的抗静电剂分子不断向表面迁移，使表面缺损的单分子层从内部得到补充，所以抗静电性可以逐步恢复（参见公知常识性证据1：《功能性表面活性剂》，梁治齐等编，中国轻工业出版社，2002年04月第1版第1次印刷，第449页）。因此，本领域技术人员容易想到在基材和粘接片中添加高分子型抗静电剂，从而使它们的抗静电性能更为持久。因此，权利要求1不具备创造性。（2）从属权利要求2中的用途限定对要求保护的切割胶带一体型粘接片的结构、组成等并无限定作用，从属权利要求3-5的附加技术特征或被对比文件1公开，或属于本领域常规技术手段。因此权利要求2-5不具备创造性。（3）权利要求6与对比文件1的区别特征在于：切割胶带一体型粘接片不同。根据该区别特征可以确定权利要求6相对于对比文件1实际解决的技术问题是改善了半导体装置制造方法中使用的切割胶带一体型粘接片的抗静电性能的持久性。由于权利要求1-5的切割胶带一体型粘接片不具备创造性，因此，权利要求6也不具备创造性。（4）对于权利要求7，对比文件1公开了一种使用芯片切割·粘接薄膜制造的半导体装置，因此，权利要求7也不具备创造性。（5）对于复审请求人的意见陈述，合议组认为：对比文件1已经公开了“抗静电性能的赋予可以通过在支撑基材1、粘合剂层2以及粘接剂层3中添加抗静电剂”，本领域技术人员在此基础上容易想到在支撑基材、粘合剂层、粘接剂层中的一个或多个中添加抗静电剂。经合议组核查，实施例8和9虽然与其他部分实施例（例如实施例1-3、6-7）相比具有较低的剥离静电压，但实施例8的切割胶带一体型粘接片中抗静电剂含量明显高于实施例1-3、6-7，实施例9的切割胶带一体型粘接片中抗静电剂含量明显高于实施例2-3、7。而本领域技术人员知晓，在通常的用量范围内，抗静电剂含量越高，则产品的抗静电性能越好，剥离静电压越小，也就是说，本申请实施例8和9的切割胶带一体型粘接片相比于其他一部分实施例具有更低的剥离静电压是本领域技术人员可以预期的。此外，本申请所有实施例均采用了高分子型抗静电剂，因此，也无法证明粘接片中所含的抗静电剂为高分子型抗静电剂在抑制剥离静电压方面的效果更为优异。
针对上述复审通知书，复审请求人于2019年08月15日提交了意见陈述书，未修改申请文件。复审请求人在意见陈述书中提出如下理由：本申请表1中记载了“基材最外层含有相对于最外层全部树脂为50重量%的抗静电剂的实施例15”以及“粘接片含有相对于粘接片的全部树脂为50重量%的抗静电剂的实施例20”，实施例15和20的抗静电剂总量虽然与“最外层和粘接片中分别含有25重量%的抗静电剂的实施例8（经核查，实际应为实施例9）”大致相当，但剥离静电压却均为0.02，为实施例8（经核查，实际应为实施例9）的一倍。可见，本申请证明了“同时在基材和粘接剂层（经核查，实际应为粘接片）中添加高分子性抗静电剂”时，其对剥离静电压的改进幅度大幅超出了分别在基材和粘接剂层中含有同等量的高分子性抗静电剂的情况。因此本申请取得了预料不到的效果，具备创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人于2018年04月03日提交了权利要求书的全文替换页（共2页，7项），经审查，所作修改符合专利法实施细则第61条第1款和专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所依据的文本为：复审请求人于2018年04月03日提交的权利要求第1-7项，于申请日2013年12月10日提交的说明书第1-73页、说明书附图第1-3页、说明书摘要及摘要附图。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
在判断创造性时，首先，应当确定与权利要求所述技术方案最接近的现有技术；其次，将该权利要求的技术方案和最接近的现有技术进行对比，确定二者之间的区别特征，并客观分析要求保护的发明相对于最接近的现有技术实际解决的技术问题；然后，从最接近的现有技术和发明实际解决的技术问题出发，判断由引入这些区别特征而得到的技术方案对于本领域技术人员而言是否显而易见，如果是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
（1）就本申请而言，权利要求1要求保护一种切割胶带一体型粘接片（具体参见案由部分）。
对比文件1公开了一种芯片切割·粘接薄膜10，具有：支撑基材1、设置在上述支撑基材1上的粘合剂层2、设置在上述粘合剂层2上的芯片粘接用粘接剂层3（相当于粘接片）、用于将上述芯片粘接用粘接剂层3粘贴到半导体晶圆（工件）4上的位置识别用标记5。为了防止在其粘接时或剥离时等产生的静电或者由此引起的工件（半导体晶圆等）带电而使电路破坏等，可赋予芯片切割·粘接薄膜抗静电性能；抗静电性能的赋予可以通过在支撑基材1、粘合剂层2以及粘接剂层3中添加抗静电剂或者导电性物质的方法，在支撑基材1上附设由电荷移动络合物或者金属膜等制成的导电层等适当的方法进行。图2、3所示芯片切割·粘接薄膜，以常温下(23℃)的粘合力(90度剥离值，剥离速度300mm/分)为基准，粘合剂层2a的粘合力，从晶圆固定保持力和形成的芯片回收性等方面来看，优选在0.5N/20mm以下，进一步优选在0.01～0.42N/20mm，特别优选0.01～0.35N/20mm左右。另一方面，粘合剂层2b的粘合力优选在0.5～20N/20mm左右。即使粘合剂层2a的剥离粘合力低，由于粘合剂层2b的粘合力可以抑制芯片飞散等的发生，从而可以在晶圆加工中发挥很好的保持力（参见说明书第6页第7段，第16页第6段至第17页第1段，第17页第7段至第18页第1段）。
对于权利要求1中限定的剥离力，由于对比文件1的剥离试验条件与本申请不同，使得二者无法直接比较，但基于对比文件1公开的其在90度剥离值，剥离速度300mm/分条件下的粘合力，以及选择该粘合力范围的目的，以及使用与本申请类似的粘合剂，如可以使用橡胶类、丙烯酸类等普通压敏性粘合剂或者放射线固化型粘合剂，且优选使用以丙烯酸类聚合物作为基体聚合物的丙烯酸类粘合剂（参见说明书第7页第6至7段），因此，有理由推定对比文件1公开的粘接薄膜具备本申请权利要求1限定的剥离力，即权利要求1中对粘合剂层与粘接片的剥离力的限定无法将本申请与对比文件1区别开来。对于权利要求1中限定的剥离静电压，对比文件1未测定该物化性能，但其是由产品结构组成决定的，基于上面分析，对比文件1的芯片切割·粘接薄膜具备本申请的结构和相近的组成，同时，对比文件1已经公开了通过添加抗静电剂赋予芯片切割·粘接薄膜抗静电性能，并且本领域技术人员知晓，为防止剥离时产生的剥离静电对半导体元件上的电路造成破坏，降低粘合剂层与粘接片剥离时的剥离静电压是本领域中的普遍追求，因此，有理由推定对比文件1的芯片切割·粘接薄膜在具备本申请剥离力的基础上，也具备本申请限定范围的剥离静电压，即权利要求1中对粘合剂层与粘接片剥离时的剥离静电压的限定也无法将本申请与对比文件1区别开来。因此，权利要求1要求保护的技术方案与对比文件1公开的技术方案相比，区别特征为：权利要求1中限定在所述基材及粘接片中同时含有高分子型抗静电剂，对比文件1未公开该特征。
根据本申请说明书的记载，本申请要解决的技术问题为：在拾取工序中，将附着有粘接片（例如，倒装芯片型半导体背面用薄膜、芯片接合薄膜、底部填充片）的半导体元件从切割胶带剥离时，在粘接片与切割胶带之间会产生剥离静电，该产生的静电有时会导致半导体元件上的电路被破坏。本申请将切割胶带的粘合剂层与粘接片的剥离力设定在一定的范围内，并且将剥离时的剥离静电压的绝对值设在一定的范围内，由此能够抑制半导体元件上的电路被破坏。由于在前述基材、以及前述粘合剂层中的至少一者中含有高分子型抗静电剂，因此不易带电。因此，能够发挥抗静电效果。另外，由于使用高分子型抗静电剂作为抗静电剂，因此不易从基材、粘合剂层渗出。其结果，能够抑制经时导致的抗静电功能的降低。由于在粘接片中含有高分子型抗静电剂，因此不易带电。因此，能够发挥抗静电效果。另外，由于使用高分子型抗静电剂作为抗静电剂，因此不易从粘接片渗出。其结果，能够抑制经时导致的抗静电功能的降低。另外，由于在粘接片中含有高分子型抗静电剂，因此在贴附于切割胶带而作为切割胶带一体型粘接片使用时，在从切割胶带剥离后也具有抗静电效果。其结果，在从切割胶带剥离后，也能够抑制由静电导致的半导体元件的破坏（参见说明书第2页第7至9段，第6页第13段至第7页第1段，第10页第4段）。而对比文件1通过在支撑基材、粘合剂层以及粘接剂层中添加抗静电剂或者导电性物质的方法，或在支撑基材上附设由电荷移动络合物或者金属膜等制成的导电层等适当的方法，来赋予芯片切割·粘接薄膜抗静电性能，从而也能够防止在其粘接时或剥离时等产生的静电或者由此引起的工件（半导体晶圆等）带电而使电路破坏等。本申请的说明书中记载了实施例1-23的原料、制备方法及制得的切割胶带一体型粘接片的表面电阻率值、剥离静电压和剥离力，其中，实施例8-10均在基材和粘接片中同时添加了高分子型抗静电剂。但一方面，本申请的部分实施例（如实施例4，5，10等）在基材的最外层上涂布抗静电剂形成用溶液，然后加热干燥形成具有一定厚度的抗静电剂层，因此无法获知一体型粘接片中抗静电剂的具体含量；部分实施例（如实施例8,9等）分别在基材和粘接片中含有一定重量百分比的高分子型抗静电剂，但由于这些实施例仅记载了基材和粘接片的尺寸，而基材和粘接片又是由不同的物质构成，因此无法获知一体型粘接片中抗静电剂的总含量。然而一体型粘接片的表面电阻率、剥离静电压都是与抗静电剂含量相关的，因此，上述类型的实施例无法证明在基材和粘接片中同时含有高分子型抗静电剂使得产品获得了何种技术效果。另一方面，实施例8的切割胶带一体型粘接片中抗静电剂含量明显高于实施例1-3、6-7，实施例9的切割胶带一体型粘接片中抗静电剂含量明显高于实施例2-3、7，但本领域技术人员知晓，在通常的用量范围内，抗静电剂含量越高，则产品的抗静电性能越好，因此，这些实施例之间的对比也无法证明在基材和粘接片中同时含有高分子型抗静电剂使得产品获得了预料不到的技术效果。另外，根据本申请说明书记载的内容，也无法将权利要求1的切割胶带一体型粘接片与对比文件1的芯片切割·粘接薄膜进行表面电阻率、剥离静电压、剥离力等性能上的比较和区分。因此，根据上述区别特征可以确定，本申请权利要求1相对于对比文件1实际解决的技术问题是提供一种抗静电性能更持久的切割胶带一体型粘接片。
对于上述区别特征，对比文件1已经公开了抗静电性能的赋予可以通过在支撑基材1、粘合剂层2以及粘接剂层3中添加抗静电剂，本领域技术人员在此基础上容易选择在支撑基材和粘接剂层中添加抗静电剂，并且本申请也无证据证明在基材及粘接片中同时含有抗静电剂能够带来预料不到的技术效果。而高分子型抗静电剂通常是含有亲水基团的高分子物质，是本领域中常用的一类具有持久的抗静电性的抗静电剂，又被称为永久性抗静电剂。在加工使用过程中由于拉伸、摩擦、洗涤等原因会导致塑料表面抗静电剂单分子层出现缺损使抗静电性随之降低，但由于塑料内部的抗静电剂分子不断向表面迁移，使表面缺损的单分子层从内部得到补充，所以抗静电性可以逐步恢复（参见公知常识性证据1第449页）。因此，本领域技术人员容易想到在基材和粘接片中添加高分子型抗静电剂，从而使它们的抗静电性能更为持久。由此可知，在对比文件1的基础上，结合本领域的公知常识得到权利要求1要求保护的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的。因此，权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（2）权利要求2-5分别对粘接片的用途、基材和粘合剂层的结构或组成等作了进一步限定。
对于权利要求2，其中的用途限定对要求保护的切割胶带一体型粘接片的结构、组成等并无限定作用。
对于权利要求3-5，对比文件1公开了支撑基材1可以是单层，也可以是将2层以上上述树脂膜等多层化而成的层叠膜（参见说明书第7页第4段），以及抗静电性能的赋予可以通过在支撑基材1、粘合剂层2以及粘接剂层3中添加抗静电剂或者导电性物质的方法，在支撑基材1上附设由电荷移动络合物或者金属膜等制成的导电层等适当的方法进行（参见权利要求1的评述部分），本领域技术人员在此基础上，容易想到使基材具有多层结构，在其至少一个最外层中含有抗静电剂、在基材的至少一个面上形成含有抗静电剂的抗静电剂层、以及在黏合剂层中含有抗静电剂。
因此，在权利要求1不具备创造性的基础上，权利要求2-5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（3）权利要求6要求保护一种半导体装置的制造方法。对比文件1公开了芯片切割·粘接薄膜10的晶片状工件的固定方法：在芯片切割粘接薄膜10的芯片粘接用粘接剂层3上，压接作为工件的半导体晶圆4，并在芯片粘接用粘接剂层3上粘接保持半导体晶圆4使之固定；接着，将半导体晶圆4切割成晶片状，将含芯片粘接用粘接剂层3在内的半导体晶圆4作为半导体芯片（晶片状工件）；接着，将半导体芯片与芯片粘接用粘接层3一起从粘合剂层2上剥离；所拾取的半导体芯片通过介入芯片粘接用粘接剂层3粘接固定在作为被粘附体的半导体元件上（参见说明书第14页第7至9段）。据此，对比文件1公开了权利要求6的半导体装置的制造工序，权利要求6与对比文件1的区别特征在于：切割胶带一体型粘接片不同。根据上文评述可知，通过该区别特征可以确定权利要求6相对于对比文件1实际解决的技术问题是改善了半导体装置制造方法中使用的切割胶带一体型粘接片的抗静电性能的持久性。
对于上述区别特征，由上文评述可知，权利要求1-5的切割胶带一体型粘接片对于本领域技术人员而言是显而易见的，因此，结合对比文件1和本领域公知常识得到权利要求6要求保护的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的。故权利要求6不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（4）权利要求7要求保护一种半导体装置。由上文评述可知，对比文件1公开了一种使用芯片切割·粘接薄膜制造的半导体装置（参见说明书第14页第7至9段），而权利要求1-5的切割胶带一体型粘接片也是不具备创造性的，因此，结合对比文件1和本领域公知常识得到权利要求7要求保护的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的。故权利要求7不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、对复审请求人相关意见的评述
对于复审请求人的意见陈述（具体参见案由部分），合议组认为：
本申请实施例9在基材的最外层及粘接片中分别含有相对于最外层树脂成分及相对于粘接片全部树脂成分25重量%的高分子型抗静电剂，实施例15在基材的最外层含有相对于最外层树脂成分50重量%的高分子型抗静电剂，实施例20在粘接片中含有相对于粘接片全部树脂成分50重量%的高分子型抗静电剂。根据说明书的记载可以获知，上述三项实施例均采用了相同的基材厚度及粘接片厚度，本领域在进行对比实验时也通常会采用同样尺寸的样品，即实施例9，15和20制作的切割胶带一体型粘接片的体积是相同的。但上述实施例中的基材树脂主要由聚烯烃系树脂构成，粘接片树脂则主要由丙烯酸系聚合物、环氧树脂和酚醛树脂构成，二者的成分存在明显差异，因此，难以确认基材和粘接片各自的密度，从而难以确认基材与粘接片之间的质量关系。然而实施例9中高分子型抗静电剂的重量分数是分别以基材和粘接片为基准的，实施例15中高分子型抗静电剂的重量分数则仅以基材为基准，实施例20中高分子型抗静电剂的重量分数仅以粘接片为基准，即三者计算高分子型抗静电剂的重量百分含量的基准不同。因此，在无法确认基材与粘接片之间的质量关系的情况下，上述三项实施例中高分子型抗静电剂的总含量并不一定相同，进而也就无法通过实施例之间的对比获得“同时在基材和粘接片中添加高分子性抗静电剂时，其对剥离静电压的改进幅度大幅超出了分别在基材和粘接片中含有同等量的高分子性抗静电剂的情况”这一结论。综上，本申请并无证据表明同时在基材与粘接片中含有抗静电剂能够带来预料不到的技术效果。据此，复审请求人的意见陈述不具有说服力。
根据上述事实和理由，合议组作出如下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2017年12月20日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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