发明创造名称：高电阻薄膜电阻器及形成所述电阻器的方法
外观设计名称：
决定号：193804
决定日：2019-10-30
委内编号：1F269649
优先权日：2012-10-18
申请（专利）号：201310492094.4
申请日：2013-10-18
复审请求人：德州仪器公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：段小晋
合议组组长：张弘
参审员：马良
国际分类号：H01L23/64，H01L21/02
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件所公开的内容相比，存在多个区别技术特征，其中一部分区别技术特征被另一篇对比文件公开，并且其在另一篇对比文件中所起的作用和上述一部分区别技术特征在该权利要求中为解决其技术问题起到的作用相同；同时其它的区别技术特征属于本领域的公知常识，则将该两篇对比文件及上述本领域的公知常识结合从而得到该权利要求请求保护的技术方案是显而易见的，该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201310492094.4，名称为“高电阻薄膜电阻器及形成所述电阻器的方法”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为德州仪器公司。本申请的申请日为2013年10月18日，优先权日为2012年10月18日，公开日为2014年05月07日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年09月12日以本申请权利要求1-18不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定为由发出驳回决定，驳回了本申请，驳回决定中引用的对比文件如下：对比文件1：TW 200531088A，公开日为2005年09月16日；对比文件2：JP S63272065A，公开日为1988年11月09日；其中对比文件1为最接近的现有技术。其具体理由是：权利要求1的技术方案与对比文件1公开的技术方案相比，区别技术特征为：1）主体具有一个或一个以上沟槽，每一沟槽从所述非导电顶表面向下延伸到所述主体中，所述一个或一个以上沟槽中的每一者具有非导电内表面；电阻器触及所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面；2）电阻器触及所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面的第一部分；暴露所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面的若干个第二部分。基于上述区别特征，权利要求1实际解决的技术问题是如何在大致相同的面积中提供实质上更大的电阻。对比文件2中公开了部分区别技术特征1），该部分区别特征的作用与其在本申请中为解决实际技术问题所起的作用相同，都是在大致相同的面积中提供实质上更大的电阻，在此基础上，本领域技术人员容易想到通过设置每一沟槽从所述非导电顶表面向下延伸到所述主体中，一个或一个以上的沟槽中的每一者具有非导电内表面，将薄膜电阻器结构触及所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面来设置薄膜电阻器，其技术效果是可以预期的；针对区别特征2），本领域技术人员可以根据实际电阻器阻值的需要通过调节电阻器占据沟槽的面积即调节电阻器的宽度来灵活地调节电阻值，由此触及沟槽中的一部分，暴露出电阻器未触及的沟槽的部分。因此，在对比文件1公开的技术方案的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识得到权利要求1请求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的。因此，权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求2-9的附加技术特征或者被对比文件1所公开，或者被对比文件2所公开，或者是本领域的常规选择，因此权利要求2-9也不具备创造性。权利要求10的技术方案与对比文件1公开的技术方案相比，区别技术特征为：1）主体具有一个或一个以上沟槽，每一沟槽从所述非导电顶表面向下延伸到所述主体中，所述一个或一个以上沟槽中的每一者具有非导电内表面；所述金属层触及所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面，且形成一个或一个以上孔；所述薄膜电阻器结构触及所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面；2）所述薄膜电阻器结构触及所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面的第一部分；暴露所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面的若干个第二部分。基于上述区别特征，权利要求10实际解决的技术问题是如如何在大致相同的面积中提供实质上更大的电阻。对比文件2中公开了部分区别技术特征1），该部分区别特征的作用与其在本申请中为解决实际技术问题所起的作用相同，都是在大致相同的面积中提供实质上更大的电阻，在此基础上，本领域技术人员容易想到通过设置每一沟槽从所述非导电顶表面向下延伸到所述主体中，一个或一个以上的沟槽中的每一者具有非导电内表面，将薄膜电阻器结构触及所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面来设置薄膜电阻器，其技术效果是可以预期的；针对区别特征2），本领域技术人员可以根据实际电阻器阻值的需要通过调节电阻器占据沟槽的面积即调节电阻器的宽度来灵活地调节电阻值，由此触及沟槽中的一部分，暴露出电阻器未触及的沟槽的部分。因此，在对比文件1公开的技术方案的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识得到权利要求10请求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的。因此，权利要求10不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求11-18的附加技术特征或者被对比文件1所公开，或者被对比文件2所公开，或者是本领域的常规选择，因此权利要求11-18也不具备创造性。驳回决定所依据的文本为：申请日2013年10月18日提交的说明书第1-60段、说明书附图图1A-25B、说明书摘要和摘要附图，2018年05月15日提交的权利要求第1-18项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种电阻器，其包括：
主体，其具有：
非导电顶表面，及
一个或一个以上沟槽，每一沟槽从所述非导电顶表面向下延伸到所述主体中，
所述一个或一个以上沟槽中的每一者具有非导电内表面；及
薄膜电阻器结构，其：
触及所述非导电顶表面的第一部分及所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面的第一部分；
暴露所述非导电顶表面的第二部分；及
暴露所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面的若干个第二部分。
2. 根据权利要求1所述的电阻器，其中所述主体包含：
衬底结构，其具有一个或一个以上开口，每一开口具有从所述衬底结构的顶表面向下延伸到所述衬底结构中的内表面；及
非导电层，其触及所述衬底结构的所述顶表面且向下延伸到所述一个或一个以上开口中的每一者中以覆盖所述一个或一个以上开口中的每一者的所述内表面。
3. 根据权利要求2所述的电阻器，其中所述衬底结构为半导体。
4. 根据权利要求2所述的电阻器，且其进一步包括隔离材料层，所述隔离材料层触及所述非导电顶表面的所述第二部分、所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面的所述若干个第二部分及所述薄膜电阻器结构。
5. 根据权利要求4所述的电阻器，且其进一步包括一对间隔开的开口，所述对间隔开的开口延伸穿过所述隔离材料层以暴露所述薄膜电阻器结构的顶表面上的一对间隔开的表面区。
6. 根据权利要求5所述的电阻器，且其进一步包括一对间隔开的金属头触点，所述对间隔开的金属头触点延伸穿过所述隔离材料层以触及所述薄膜电阻器结构的所述 间隔开的表面区且形成到所述薄膜电阻器结构的相对端的电连接。
7. 根据权利要求1所述的电阻器，其中所述主体为非导电结构。
8. 根据权利要求7所述的电阻器，且其进一步包括隔离材料层，所述隔离材料层触及所述非导电顶表面的所述第二部分、所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述若干个第二部分及所述薄膜电阻器结构。
9. 根据权利要求8所述的电阻器，且其进一步包括一对间隔开的金属头触点，所述对间隔开的金属头触点延伸穿过所述隔离材料层以触及所述薄膜电阻器结构的所述间隔开的表面区且形成到所述薄膜电阻器结构的所述相对端的电连接。
10. 一种形成电阻器的方法，其包括：
形成主体，所述主体具有：
非导电顶表面，及
一个或一个以上沟槽，每一沟槽从所述非导电顶表面向下延伸到所述主体中，
所述一个或一个以上沟槽中的每一者具有非导电内表面；
沉积金属层，所述金属层触及所述非导电顶表面及所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面，且形成一个或一个以上孔；及
蚀刻所述金属层以：
形成薄膜电阻器结构，所述薄膜电阻器结构触及所述非导电顶表面的第一部分及所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面的第一部分；
暴露所述非导电顶表面的第二部分；及
暴露所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面的若干个第二部分。
11. 根据权利要求10所述的方法，其中形成所述主体包含：
在衬底结构中蚀刻一个或一个以上开口，所述一个或一个以上开口各自具有从所述衬底结构的顶表面向下延伸到所述衬底结构中的内表面；及
形成非导电层，所述非导电层触及所述衬底结构的所述顶表面且向下延伸到所述一个或一个以上开口中的每一者中以覆盖所述一个或一个以上开口中的每一者的所述内表面。
12. 根据权利要求11所述的方法，其中所述衬底结构为半导体。
13. 根据权利要求11所述的方法，且其进一步包括形成隔离材料层以触及所述非导电顶表面的所述第二部分、所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述若干个第二部分及所述薄膜电阻器结构。
14. 根据权利要求13所述的方法，且其进一步包括蚀刻所述隔离材料层以在所述隔离材料层中形成一对间隔开的开口，所述对间隔开的开口暴露所述薄膜电阻器结构的顶表面上的一对间隔开的表面区。
15. 根据权利要求14所述的方法，且其进一步包括形成一对间隔开的金属头触点，所述对间隔开的金属头触点延伸穿过所述隔离材料层以触及所述薄膜电阻器结构的所述间隔开的表面区且形成到所述薄膜电阻器结构的相对端的电连接。
16. 根据权利要求10所述的方法，其中形成所述主体包含在非导电结构中蚀刻一个或一个以上开口以形成所述一个或一个以上沟槽。
17. 根据权利要求16所述的方法，且其进一步包括形成隔离材料层以触及所述非导电顶表面的所述第二部分、所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述若干个第二部分及所述薄膜电阻器结构。
18. 根据权利要求17所述的方法，且其进一步包括形成一对间隔开的金属头触点，所述对间隔开的金属头触点延伸穿过所述隔离材料层以触及所述薄膜电阻器结构的一对间隔开的表面区且形成到所述薄膜电阻器结构的所述相对端的电连接。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年12月25日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的修改替换页，包括权利要求第1-10项。复审请求人认为：对比文件1中，第一、第二电界面部分25及27相对于对比文件1的电阻器的性能要求是至关重要的，对比文件1实际上教导了不能省略第一及第二电界面部分25及27，本领域技术人员可以选择不设置电界面层而直接在薄膜电阻器材料层两端上设置金属头触点这是不成立的。因此，修改后的权利要求具备创造性。复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种电阻器，其包括：
主体，其具有：
非导电顶表面，及
一个或一个以上沟槽，每一沟槽从所述非导电顶表面向下延伸到所述主体中，所述一个或一个以上沟槽中的每一者具有非导电内表面；
薄膜电阻器结构，其：
触及所述非导电顶表面的第一部分及所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面的第一部分；
暴露所述非导电顶表面的第二部分；及
暴露所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面的若干个第二部分；
隔离材料层；
一对间隔开的开口，所述对间隔开的开口延伸穿过所述隔离材料层以暴露所述薄膜电阻器结构的顶表面上的一对间隔开的表面区；及
一对间隔开的金属头触点，所述对间隔开的金属头触点延伸穿过所述隔离材料层以触及所述薄膜电阻器结构的所述间隔开的表面区且形成到所述薄膜电阻器结构的相对端的电连接。
2. 根据权利要求1所述的电阻器，其中所述主体包含：
衬底结构，其具有一个或一个以上开口，每一开口具有从所述衬底结构的顶表面向下延伸到所述衬底结构中的内表面；及
非导电层，其触及所述衬底结构的所述顶表面且向下延伸到所述一个或一个以上开口中的每一者中以覆盖所述一个或一个以上开口中的每一者的所述内表面。
3. 根据权利要求2所述的电阻器，其中所述衬底结构为半导体。
4. 根据权利要求2所述的电阻器，其中所述隔离材料层触及所述非导电顶表面的所述第二部分、所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面的所述若干个第二部分及所述薄膜电阻器结构。
5. 根据权利要求1所述的电阻器，其中所述主体为非导电结构。
6. 一种形成电阻器的方法，其包括：
形成主体，所述主体具有：
非导电顶表面，及
一个或一个以上沟槽，每一沟槽从所述非导电顶表面向下延伸到所述主体中，所述一个或一个以上沟槽中的每一者具有非导电内表面；
沉积金属层，所述金属层触及所述非导电顶表面及所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面，且形成一个或一个以上孔；及
蚀刻所述金属层以：
形成薄膜电阻器结构，所述薄膜电阻器结构触及所述非导电顶表面的第一部分及所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面的第一部分；
暴露所述非导电顶表面的第二部分；及
暴露所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面的若干个第二部分；
形成隔离材料层；
蚀刻所述隔离材料层以在所述隔离材料层中形成一对间隔开的开口，所述对间隔开的开口暴露所述薄膜电阻器结构的顶表面上的一对间隔开的表面区；及
形成一对间隔开的金属头触点，所述对间隔开的金属头触点延伸穿过所述隔离材料层以触及所述薄膜电阻器结构的所述间隔开的表面区且形成到所述薄膜电阻器结构的相对端的电连接。
7. 根据权利要求6所述的方法，其中形成所述主体包含：
在衬底结构中蚀刻一个或一个以上开口，所述一个或一个以上开口各自具有从所述衬底结构的顶表面向下延伸到所述衬底结构中的内表面；及
形成非导电层，所述非导电层触及所述衬底结构的所述顶表面且向下延伸到所述一个或一个以上开口中的每一者中以覆盖所述一个或一个以上开口中的每一者的所述内表面。
8. 根据权利要求7所述的方法，其中所述衬底结构为半导体。
9. 根据权利要求7所述的方法，其中所述隔离材料层触及所述非导电顶表面的所 述第二部分、所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述若干个第二部分及所述薄膜电阻器结构。
10. 根据权利要求6所述的方法，其中形成所述主体包含在非导电结构中蚀刻一个或一个以上开口以形成所述一个或一个以上沟槽。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年12月29日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：（1）对比文件1中的界面层20、电界面部分25、接触部分28的整体，以及界面层20、电界面部分27、接触部分29的整体可以相当于一对间隔开的金属头触点，其所在的位置相当于一对间隔开的开口，介电层18、24相当于隔离材料层。由此可以在对比文件1的基础上结合对比文件2以及公知常识评述全部的产品权利要求的创造性；（2）以对比文件2作为最接近的现有技术，对比文件2公开了在主体中设置向下延伸到主体中的沟槽以及通过沟槽来增加电阻器实际的长度，从而在大致相同的面积中提供实质上更大的电阻。在此基础上，权利要求1与对比文件2最主要的区别来源于电阻器的类型不同，由于薄膜电阻器是本领域常见的电阻器类型，为了在大致相同的面积中提供实质上更大的电阻，本领域技术人员有动机形成在主体中设置的向下延伸到主体中的沟槽上的薄膜电阻器结构。进一步的，对比文件2（附图2）公开了氮化硅薄膜4相当于隔离材料层，接触孔5相当于一对间隔开的开口，电极6相当于一对间隔开的金属头触点。因此，可以在对比文件2以及公知常识的基础上评述全部权利要求创造性。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年05月30日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-10相对于对比文件1、对比文件2和本领域的公知常识不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。针对复审请求人的意见陈述，合议组认为：对比文件1中的界面层20、电界面部分25、接触部分28的整体，以及界面层20、电界面部分27、接触部分29的整体可以相当于一对间隔开的金属头触点，其所在的位置相当于一对间隔开的开口，介电层18、24相当于隔离材料层。所述对间隔开的金属头触点形成在电界面层25、27上，所述电界面层25、27延伸穿过所述介电层18、58（相当于隔离材料层）以触及所述薄膜电阻器结构16的所述间隔开的表面区且形成到所述薄膜电阻器结构的相对端的电连接。对比文件1中金属头触点通过电界面部分与薄膜电阻器电连接。而本领域技术人员可以选择直接在薄膜电阻器材料层两端上设置金属头触点来实现电阻器输出端的引出，由此形成“一对间隔开的金属头触点，所述对间隔开的金属头触点延伸穿过所述隔离材料层以触及所述薄膜电阻器结构的所述间隔开的表面区且形成到所述薄膜电阻器结构的相对端的电连接”，这属于本领域的常规选择，其技术效果是可以预期的，不需要付出创造性的劳动。
复审请求人于2019年07月05日提交了意见陈述书，未修改申请文件。复审请求人认为：1）面对如何在大致相同的面积中提供实质上更大的电阻的技术问题时，本领域技术人员面临不只一种手段，也可能会将未使用部分视为浪费空间，而仅认为选择合适的电阻器宽度而不是留下未使用部分有事后诸葛亮之嫌；2）对于区别技术特征（2），对比文件1中，第一、第二电界面部分25及27相对于对比文件1的电阻器的性能要求是至关重要的，对比文件1实际上相反的教导了不能省略第一及第二电界面部分25及27，本领域技术人员可以选择不设置电界面层而直接在薄膜电阻器材料层两端上设置金属头触点这是不成立的。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
复审请求人于2019年07月05日提交了意见陈述书，未修改申请文件。因此，本复审决定所针对的文本为：复审请求人于申请日2013年10月18日提交的说明书第1-60段、说明书附图图1A-25B、说明书摘要和摘要附图，2018年12月25日提交的权利要求第1-10项。
（二）关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件所公开的内容相比，存在多个区别技术特征，其中一部分区别技术特征被另一篇对比文件公开，并且其在另一篇对比文件中所起的作用和上述一部分区别技术特征在该权利要求中为解决其技术问题起到的作用相同；同时其它的区别技术特征属于本领域的公知常识，则将该两篇对比文件及上述本领域的公知常识结合从而得到该权利要求请求保护的技术方案是显而易见的，该权利要求不具备创造性。
在本复审决定中引用的对比文件与驳回决定以及复审通知书中所引用的对比文件相同，即：
对比文件1：TW 200531088A，公开日为2005年09月16日；
对比文件2：JP S63272065A，公开日为1988年11月09日。
1、权利要求1不具备专利法第22条第3款有关创造性的规定
权利要求1请求保护一种电阻器。对比文件1公开了一种电阻器，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第8页第2段-第9页第3段、附图1，7）：层间介质层14（相当于主体），其具有：层间介质层14的顶表面（相当于非导电顶表面）；及薄膜电阻器结构16，其包括：触及所述层间介质层14的顶表面的薄膜电阻器层16所在的第一部分，暴露所述层间介质层14的顶表面（相当于非导电顶表面）的薄膜电阻器层16以外的部分（相当于第二部分），如附图1、7所示，介电层18、58（相当于隔离材料层），一对间隔开的介电层18、58中的开口，对间隔开的开口延伸穿过所述介电层18、58以暴露所述电阻器材料层56的顶表面上的一对间隔开的表面区，界面层20、电界面部分25、接触部分28的整体，以及界面层20、电界面部分27、接触部分29的整体（相当于金属头触点），所述对间隔开的金属头触点形成在电界面层25、27上，所述电界面部分25、27延伸穿过所述介电层18、58以触及所述薄膜电阻器结构16的所述间隔开的表面区且形成到所述薄膜电阻器结构的相对端的电连接。
权利要求1与对比文件1的区别在于：1）主体具有一个或一个以上沟槽，每一沟槽从所述非导电顶表面向下延伸到所述主体中，所述一个或一个以上沟槽中的每一者具有非导电内表面；电阻器触及所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面的第一部分；暴露所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面的若干个第二部分；2）对比文件1中金属头触点通过电界面部分与薄膜电阻器电连接，而权利要求1中的对间隔开的金属头触点延伸穿过所述隔离材料层以触及所述薄膜电阻器结构的所述间隔开的表面区且形成到所述薄膜电阻器结构的相对端的电连接。基于上述区别特征，权利要求1实际解决的技术问题是如如何在大致相同的面积中提供实质上更大的电阻以及设置金属头触点实现电连接。
针对区别特征1），对比文件2公开了一种电阻器，并具体公开了（参见说明书第1页-第3页、附图1-3）：基板1（相当于主体）具有一个以上沟槽7，每一沟槽7从顶表面向下延伸到所述基板1中，所述一个以上沟槽7中的每一者具有内表面；不纯物扩散层3（相当于电阻器）由对所述一个以上沟槽7中的每一者的所述内表面掺杂形成的不纯物扩散层构成。可见对比文件2公开了在主体中设置向下延伸到主体中的沟槽以及通过沟槽来增加电阻器实际的长度，且其作用与其在本申请中为解决实际技术问题所起的作用相同，都是在大致相同的面积中提供实质上更大的电阻。可见对比文件2给出了通过在主体中设置向下延伸到主体中的沟槽以及通过沟槽来增加电阻器实际的长度，从而在大致相同的面积中提供实质上更大的电阻的技术启示。本领域技术人员可以根据电阻器类型的不同对电阻器进行设置以及根据实际的需要选择沟槽的数量。当电阻器为在层间介质层上的薄膜电阻器时，本领域技术人员容易想到通过设置每一沟槽从所述非导电顶表面向下延伸到所述主体中，一个或一个以上的沟槽中的每一者具有非导电内表面，将薄膜电阻器结构触及所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面来设置薄膜电阻器，其技术效果是可以预期的。同时，本领域技术人员知晓只要电阻器沿着每一个沟槽延伸，则在相同的面积中电阻器将具有更大的电阻长度，即具有更大的电阻值，即使改变电阻器的宽度即改变电阻器触及每一个沟槽的面积，以上效果仍然存在。在此基础上，在沟槽宽度已经确定的情况下，本领域技术人员可以根据实际电阻器阻值的需要通过调节电阻器占据沟槽的面积即调节电阻器的宽度来灵活地调节电阻值，由此触及沟槽中的一部分，暴露出电阻器未触及的沟槽的部分，由此便能够使得“电阻器触及所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面的第一部分；所述薄膜结构进一步暴露所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面的若干个第二部分”，其技术效果也是可以预期的。
针对区别特征2），对比文件1中的界面层20、电界面部分25、接触部分28的整体，以及界面层20、电界面部分27、接触部分29的整体可以相当于一对间隔开的金属头触点，而本领域技术人员可以选择直接在薄膜电阻器材料层两端上设置金属头触点来实现电阻器输出端的引出，由此即形成了“一对间隔开的金属头触点，所述对间隔开的金属头触点延伸穿过所述隔离材料层以触及所述薄膜电阻器结构的所述间隔开的表面区且形成到所述薄膜电阻器结构的相对端的电连接”，这属于本领域的常规选择，其技术效果是可以预期的，不需要付出创造性的劳动。
由此可见，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识得到的权利要求1请求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的。因此，权利要求1不具有突出的实质性特点和显著进步，不符合专利法第22条第3款的规定。
2、权利要求2不具备专利法第22条第3款有关创造性的规定
权利要求2是权利要求1的从属权利要求。对比文件2还公开了（参见说明书第1页-第3页、附图1-3）：包含：基板1（相当于衬底结构），其具有一个以上沟槽7（相当于开口），每一沟槽7具有从所述基板1的顶表面向下延伸到所述基板1中的内表面。通过设置非导电层来使得薄膜电阻器更好地与其它部分电隔离是本领域的常规选择。因此，本领域技术人员容易想到设置非导电层，该非导电层“触及所述衬底结构的所述顶表面且向下延伸到所述一个或一个以上开口中的每一者中以覆盖所述一个或一个以上开口中的每一者的所述内表面”，其技术效果是可以预期的。
因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，从属权利要求2不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、权利要求3不具备专利法第22条第3款有关创造性的规定
权利要求3是权利要求2的从属权利要求。对比文件2还公开了（参见附图2）：硅基板1（相当于所述衬底结构为半导体）。
因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，从属权利要求3不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4、权利要求4不具备专利法第22条第3款有关创造性的规定
权利要求4是权利要求2的从属权利要求。对比文件1还公开了（参见附图1、7）：进一步包括介电层18、58（相当于隔离材料层），所述介电层18、58触及所述层间介电层14、54（相当于非导电顶表面）的所述薄膜电阻器层16以外的部分（相当于第二部分）、所述薄膜电阻器结构16。通过隔离材料层将整个薄膜电阻器以及周边区域进行覆盖来对薄膜电阻器进行隔离，是本领域的常规选择。本领域技术人员容易想到在设置隔离材料层时，隔离材料层触及“所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面的所述若干个第二部分”，其技术效果是可以预期的。
因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，从属权利要求4不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
5、权利要求5不具备专利法第22条第3款有关创造性的规定
权利要求5是权利要求1的从属权利要求。对比文件1还公开了（参见说明书第8页第2段-第9页第3段、附图1）：所述层间介质层14（相当于主体）为非导电结构。
因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，从属权利要求5不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
6、权利要求6不具备专利法第22条第3款有关创造性的规定
权利要求6请求保护一种形成电阻器的方法。对比文件1公开了一种电阻器及其形成方法，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第8页第2段-第9页第3段、附图1，7）：形成层间介质层14（相当于主体），所述层间介质层54具有：层间介质层54的顶表面（相当于非导电顶表面）；沉积电阻器材料层56（相当于金属层），所述电阻器材料层56触及所述层间介质层54的顶表面（相当于非导电顶表面）；及蚀刻所述电阻器材料层56以形成薄膜电阻器结构56，所述薄膜电阻器结构56触及所述层间介质层54的顶表面（相当于非导电顶表面）的第一部分，暴露所述层间介质层54的顶表面的第二部分，如附图1、7所示，介电层18、58（相当于隔离材料层），一对间隔开的介电层18、58中的开口，对间隔开的开口延伸穿过所述介电层18、58以暴露所述电阻器材料层56的顶表面上的一对间隔开的表面区，界面层20、电界面部分25、接触部分28的整体，以及界面层20、电界面部分27、接触部分29的整体（相当于金属头触点），所述对间隔开的金属头触点形成在电界面层25、27上，所述电界面层25、27延伸穿过所述介电层18、58以触及所述薄膜电阻器结构16的所述间隔开的表面区且形成到所述薄膜电阻器结构的相对端的电连接。
权利要求6与对比文件1的区别在于：1）主体具有一个或一个以上沟槽，每一沟槽从所述非导电顶表面向下延伸到所述主体中，所述一个或一个以上沟槽中的每一者具有非导电内表面；所述金属层触及所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面，且形成一个或一个以上孔；所述薄膜电阻器结构触及所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面的第一部分；暴露所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面的若干个第二部分；2）对比文件1中金属头触点通过电界面部分与薄膜电阻器电连接而权利要求6中的对间隔开的金属头触点延伸穿过所述隔离材料层以触及所述薄膜电阻器结构的所述间隔开的表面区且形成到所述薄膜电阻器结构的相对端的电连接。基于上述区别特征，权利要求6实际解决的技术问题是如如何在大致相同的面积中提供实质上更大的电阻以及设置金属头触点实现电连接。
针对区别特征1），对比文件2公开了一种电阻器及其形成方法，并具体公开了（参见说明书第1页-第3页、附图1-3）：基板1（相当于主体）具有一个以上沟槽7，每一沟槽7从顶表面向下延伸到所述基板1中，所述一个以上沟槽7中的每一者具有内表面；不纯物扩散层3（相当于电阻器）由对所述一个以上沟槽7中的每一者的所述内表面掺杂形成的不纯物扩散层构成。对比文件2公开了在主体中设置向下延伸到主体中的沟槽以及通过沟槽来增加电阻器实际的长度，其作用与其在本申请中为解决实际技术问题所起的作用相同，都是在大致相同的面积中提供实质上更大的电阻。对比文件2给出了通过在主体中设置向下延伸到主体中的沟槽以及通过沟槽来增加电阻器实际的长度，从而在大致相同的面积中提供实质上更大的电阻的技术启示。本领域技术人员可以根据电阻器类型的不同对电阻器进行设置以及根据实际的需要选择沟槽的数量。当电阻器为在层间介质层上的薄膜电阻器时，本领域技术人员容易想到通过设置每一沟槽从所述非导电顶表面向下延伸到所述主体中，一个或一个以上的沟槽中的每一者具有非导电内表面，将薄膜电阻器结构触及所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面来设置薄膜电阻器，其技术效果是可以预期的。同时，本领域技术人员知晓只要电阻器沿着每一个沟槽延伸，则在相同的面积中电阻器将具有更大的电阻长度，即具有更大的电阻值，即使改变电阻器的宽度即改变电阻器触及每一个沟槽的面积，以上效果仍然存在。在此基础上，在沟槽宽度已经确定的情况下，本领域技术人员可以根据实际电阻器阻值的需要通过调节电阻器占据沟槽的面积即调节电阻器的宽度来灵活地调节电阻值，由此触及沟槽中的一部分，暴露出电阻器未触及的沟槽的部分，形成“电阻器触及所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面的第一部分；所述薄膜结构进一步暴露所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面的若干个第二部分”，其技术效果也是可以预期的。
针对区别特征2），对比文件1中的界面层20、电界面部分25、接触部分28的整体，以及界面层20、电界面部分27、接触部分29的整体可以相当于一对间隔开的金属头触点，而本领域技术人员可以选择直接在薄膜电阻器材料层两端上设置金属头触点来实现电阻器输出端的引出，由此便形成了“一对间隔开的金属头触点，所述对间隔开的金属头触点延伸穿过所述隔离材料层以触及所述薄膜电阻器结构的所述间隔开的表面区且形成到所述薄膜电阻器结构的相对端的电连接”，这属于本领域的常规选择，其技术效果是可以预期的，不需要付出创造性的劳动。
由此可见，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识得到的权利要求6请求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的。因此，权利要求6不具有突出的实质性特点和显著进步，不符合专利法第22条第3款的规定。
7、权利要求7不具备专利法第22条第3款有关创造性的规定
权利要求7是权利要求6的从属权利要求。对比文件2还公开了（参见说明书第1页-第3页、附图1-3）：包含：基板1（相当于衬底结构），其具有一个以上蚀刻的沟槽7（相当于开口），每一沟槽7具有从所述基板1的顶表面向下延伸到所述基板1中的内表面。通过设置非导电层来使得薄膜电阻器更好地与其它部分电隔离是本领域的常规选择。因此，本领域技术人员容易想到设置非导电层，该非导电层“触及所述衬底结构的所述顶表面且向下延伸到所述一个或一个以上开口中的每一者中以覆盖所述一个或一个以上开口中的每一者的所述内表面”，其技术效果是可以预期的。
因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，从属权利要求7不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
8、权利要求8不具备专利法第22条第3款有关创造性的规定
权利要求8是权利要求7的从属权利要求。对比文件2还公开了（参见附图2）：硅基板1（相当于所述衬底结构为半导体）。
因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，从属权利要求8不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
9、权利要求9不具备专利法第22条第3款有关创造性的规定
权利要求9是权利要求7的从属权利要求。对比文件1公开了（参见附图1、7）：进一步包括形成介电层18、58（相当于隔离材料层）以触及所述层间介电层14、54（相当于非导电顶表面）的所述第二部分、及所述薄膜电阻器结构。通过隔离材料层将整个薄膜电阻器以及周边区域进行覆盖来对薄膜电阻器进行隔离，是本领域的常规选择。本领域技术人员容易想到在设置隔离材料层时，隔离材料层触及“所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面的所述若干个第二部分”，其技术效果是可以预期的。
因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，从属权利要求9不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
10、权利要求10不具备专利法第22条第3款有关创造性的规定
权利要求10是权利要求6的从属权利要求。对比文件1还公开了（参见说明书第8页第2段-第9页第3段、附图1）：所述层间介质层14（相当于主体）为非导电结构。对比文件2还公开了（参见说明书第1页-第3页、附图1-3）：形成所述基板1（相当于主体）包含在基板结构1中蚀刻一个以上开口以形成所述一个以上沟槽7。
因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，从属权利要求10不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（三）对复审请求人相关意见的评述
合议组认为：1）对比文件2公开的电阻器，其基板1具有一个以上沟槽7，每一沟槽7从顶表面向下延伸到所述基板1中，所述一个以上沟槽7中的每一者具有内表面。可见对比文件2公开了在主体中设置向下延伸到主体中的沟槽以及通过沟槽来增加电阻器实际的长度，且其作用与其在本申请中为解决实际技术问题所起的作用相同，都是在大致相同的面积中提供实质上更大的电阻。可见对比文件2给出了通过沟槽来增加电阻器实际的长度，从而在大致相同的面积中提供实质上更大的电阻的技术启示。本领域技术人员在面对已知通过设置沟槽来实现大致相同面积中能实质获得更大电阻的技术启示下，根据不同类型的电阻器可以对电阻器进行设置从而可以根据实际的需要选择沟槽的数量。当电阻器为在层间介质层上的薄膜电阻器时，本领域技术人员容易想到通过设置每一沟槽从所述非导电顶表面向下延伸到所述主体中，一个或一个以上的沟槽中的每一者具有非导电内表面，将薄膜电阻器结构触及所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面来设置薄膜电阻器，其技术效果是可以预期的。同时，本领域技术人员知晓只要电阻器沿着每一个沟槽延伸，则在相同的面积中电阻器将具有更大的电阻长度，即具有更大的电阻值，即使改变电阻器的宽度即改变电阻器触及每一个沟槽的面积，以上效果仍然存在。在此基础上，在沟槽宽度已经确定的情况下，本领域技术人员可以根据实际电阻器阻值的需要通过调节电阻器占据沟槽的面积即调节电阻器的宽度来灵活地调节电阻值，由此触及沟槽中的一部分，暴露出电阻器未触及的沟槽的部分，由此便能够使得“电阻器触及所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面的第一部分；所述薄膜结构进一步暴露所述一个或一个以上沟槽中的每一者的所述内表面的若干个第二部分”，其技术效果也是可以预期的，以上是根据对比文件2给出的技术启示而进行的简单思维得到的，并非是在本申请的技术上进行的事后诸葛亮的推论；2）对比文件1中的界面层20、电界面部分25、接触部分28的整体，以及界面层20、电界面部分27、接触部分29的整体可以相当于一对间隔开的金属头触点，其所在的位置相当于一对间隔开的开口，介电层18、24相当于隔离材料层。所述对间隔开的金属头触点形成在电界面层25、27上，所述电界面层25、27延伸穿过所述介电层18、58（相当于隔离材料层）以触及所述薄膜电阻器结构16的所述间隔开的表面区且形成到所述薄膜电阻器结构的相对端的电连接。对比文件1中金属头触点通过电界面部分与薄膜电阻器电连接。而本领域技术人员可以选择直接在薄膜电阻器材料层两端上设置金属头触点来实现电阻器输出端的引出，由此形成“一对间隔开的金属头触点，所述对间隔开的金属头触点延伸穿过所述隔离材料层以触及所述薄膜电阻器结构的所述间隔开的表面区且形成到所述薄膜电阻器结构的相对端的电连接”，这属于本领域的常规选择，其技术效果是可以预期的，不需要付出创造性的劳动。
综上所述，合议组对复审请求人的意见不予支持。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年09月12日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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