发明创造名称：一种电极连接点成列布置的三电平功率模块
外观设计名称：
决定号：193960
决定日：2019-11-04
委内编号：1F272022
优先权日：
申请（专利）号：201610284605.7
申请日：2016-05-03
复审请求人：扬州国扬电子有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：孙长欣
合议组组长：段文婷
参审员：李英
国际分类号：H02M7/00，H02M7/483
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，该区别技术特征不属于本领域的公知常识，同时该区别技术特征使得该项权利要求所请求保护的技术方案具有有益的技术效果，则该项权利要求的技术方案具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201610284605.7，名称为“一种电极连接点成列布置的三电平功率模块”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为扬州国扬电子有限公司，申请日为2016年05月03日，公开日为2016年08月03日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年11月01日发出驳回决定，以权利要求1-10不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：申请日2016年05月03提交的说明书第1-6页、说明书附图第1-3页、说明书摘要、摘要附图，以及2018年02月08日提交的权利要求第1-10项。
驳回决定针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种电极连接点成列布置的三电平功率模块，其特征在于：包括排成一行的多个绝缘基板，其中一半数量的绝缘基板为下半桥绝缘基板，另一半数量的绝缘基板为上半桥绝缘基板；下半桥绝缘基板的右半区域内设有负电极连接点和中间电极连接点，负电极连接点与中间电极连接点成列布置，上半桥绝缘基板上设有正电极连接点和中间电极连接点，正电极连接点与中间电极连接点成列布置。
2. 根据权利要求1所述的电极连接点成列布置的三电平功率模块，其特征在于：所述下半桥绝缘基板上还设有下半桥单元和下半桥续流单元，下半桥单元的发射极或源极连接负电极连接点，下半桥单元导通时，电流通过下半桥单元进行流通，下半桥单元关断时，电流通过下半桥续流单元进行流通；上半桥绝缘基板上还设有上半桥单元和上半桥续流单元，上半桥单元的集电极或漏极连接正电极连接点，上半桥单元导通时，电流通过上半桥单元进行流通，上半桥单元关断时，电流通过上半桥续流单元进行流通。
3. 根据权利要求2所述的电极连接点成列布置的三电平功率模块，其特征在于：所述下半桥单元包括IGBT管Q1和二极管D1，二极管D1反向并联在IGBT管Q1两端，IGBT管Q1的发射极连接下半桥绝缘基板上的负电极连接点，IGBT管Q1的集电极连接下半桥绝缘基板上的输出电极连接点；下半桥续流单元包括IGBT管Q2、二极管D2和二极管D3，IGBT管Q2的集电极连接IGBT管Q1的集电极，二极管D2反向并联在IGBT管Q2两端，IGBT管Q2的发射极连接二极管D3的正极，二极管D3的负极连接下半桥绝缘基板上的中间电极连接点。
4. 根据权利要求2所述的电极连接点成列布置的三电平功率模块，其特征在于：所述下半桥单元包括功率MOS管Q11和二极管D11，二极管D11反向并联在功率MOS管Q11两端，功率MOS管Q11的源极连接下半桥绝缘基板上的负电极连接点，功率MOS管Q11的漏极连接下半桥绝缘基板上的输出电极连接点；下半桥续流单元包括功率MOS管Q21、二极管D21和二极管D31，功率MOS管Q21的漏极连接功率MOS管Q11的漏极，二极管D21反向并联在功率MOS管Q21两端，功率MOS管Q21的源极连接二极管D31的正极，二极管D31的负极连接下半桥绝缘基板上的中间电极连接点。
5. 根据权利要求2所述的电极连接点成列布置的三电平功率模块，其特征在于：所述上半桥单元包括IGBT管Q3和二极管D4，二极管D4反向并联在IGBT管Q3两端，IGBT管Q3的集电极连接上半桥绝缘基板上的正电极连接点，IGBT管Q3的发射极连接上半桥绝缘基板上的输出电极连接点；上半桥续流单元包括IGBT管Q4、二极管D5和二极管D6，IGBT管Q4的发射极连接IGBT管Q3的发射极，二极管D5反向并联在IGBT管Q4两端，IGBT管Q4的集电极连接二极管D6的负极，二极管D6的正极连接上半桥绝缘基板上的中间电极连接点。
6. 根据权利要求2所述的电极连接点成列布置的三电平功率模块，其特征在于：所述上半桥单元包括功率MOS管Q31和二极管D41，二极管D41反向并联在功率MOS管Q31两端，功率MOS管Q31的漏极连接上半桥绝缘基板上的正电极连接点，功率MOS管Q31的源极连接上半桥绝缘基板上的输出电极连接点；上半桥续流单元包括功率MOS管Q41、二极管D51和二极管D61，功率MOS管Q41的源极连接功率MOS管Q31的源极，二极管D51反向并联在功率MOS管Q41两端，功率MOS管Q41的漏极连接二极管D61的负极，二极管D61的正极连接上半桥绝缘基板上的中间电极连接点。
7. 根据权利要求2所述的电极连接点成列布置的三电平功率模块，其特征在于：所有下半桥单元共用一块下半桥门极绝缘基板(213)，用于连接所有下半桥单元的门极；所有下半桥续流单元共用一块下半桥续流门极绝缘基板(321)，用于连接所有下半桥续流单元的门极。
8. 根据权利要求7所述的电极连接点成列布置的三电平功率模块，其特征在于：所述每个下半桥绝缘基板上，中间电极连接点与下半桥续流门极绝缘基板(321)之间的距离小于负电极连接点与下半桥续流门极绝缘基板(321)之间的距离，负电极连接点与下半桥门极绝缘基板(213)之间的距离小于中间电极连接点与下半桥门极绝缘基板(213)之间的距离。
9. 根据权利要求2所述的电极连接点成列布置的三电平功率模块，其特征在于：所有上半桥单元共用一块上半桥门极绝缘基板(546)，用于连接所有上半桥单元的门极；所有上半桥续流单元共用一块上半桥续流门极绝缘基板(654)，用于连接所有上半桥续流单元的门极。
10. 根据权利要求9所述的电极连接点成列布置的三电平功率模块，其特征在于：所述每个上半桥绝缘基板上，中间电极连接点与上半桥续流门极绝缘基板(654)之间的距离小于正电极连接点与上半桥续流门极绝缘基板(654)之间的距离，正电极连接点与上半桥门极绝缘基板(546)之间的距离小于中间电极连接点与上半桥门极绝缘基板(546)之间的距离。”
驳回决定中引用了如下对比文件：
对比文件1：CN104838576A，公开日为2015年08月12日。
驳回决定的具体理由是：1、权利要求1与对比文件1的区别技术特征在于：对比文件1的下半桥绝缘基板上的负电极连接点和中间电极连接点靠近板的左侧，本申请的连接点靠近板的右侧。上述区别技术特征是本领域公知常识，因此权利要求1不具备创造性。2、权利要求2的附加技术特征被对比文件1公开，因此权利要求2不具备创造性。3、权利要求3的附加技术特征部分被对比文件1说明书第66-75段，图13-16的内容公开，未被对比文件1公开的技术特征“带反并联二极管D3的IGBT管T3'仅用在续流支路中”是本领域技术人员在对比文件1内容基础上容易想到的，因此权利要求3不具备创造性。4、权利要求5是与权利要求3相对称的上半桥单元及续流单元，基于相似的理由，权利要求5不具备创造性。5、权利要求4、6与权利要求3和5的技术方案类似，其区别仅在于开关管为MOSFET，上述技术特征是本领域公知常识，因此权利要求4、6不具备创造性。6、权利要求7-10的附加技术特征被对比文件1公开，因此权利要求7-10不具备创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2019年01月24日向国家知识产权局提出了复审请求，复审请求人未修改申请文件。复审请求人认为：（1）驳回决定中提到“申请人未提供有效的证据证明以下事实：包括无突条处的负电极和中间电极必须变窄，否则无法安装；变窄的程度对电阻有何程度的影响等”，但在第一次审查意见通知书和第二次审查意见通知书中都未要求申请人提供证据，因此，驳回不符合听证原则。（2）本申请的换流回路是负电极-功率器件-中间电极，本申请将负电极引出部和中间电极引出部设置于下半桥绝缘基板的右边，相对于对比文件1将负电极引出部和中间电极引出部设置于下半桥绝缘基板的左边能够缩短换流回路，减少回路电阻、寄生参数和损耗。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年03月28日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中认为: 1、复审请求人在答复第二次审查意见通知书时未修改申请文件，驳回依据的事实、理由、证据没有变化，符合驳回时机。2、根据本领域公知常识，将电极连接点设置在右半区域不会带来降低杂散电感的效果，复审请求人给出的实验数据不符合专利法实施细则第17条第1款对实验证明效果的要求，其结果有效性不能被确认，因而坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年08月23日向复审请求人发出复审通知书。该复审通知书中指出：权利要求1-2、7-10不具备专利法第22条第3款规定的创造性。具体理由为：1、权利要求1与对比文件1的区别技术特征在于：负电极连接点和中间电极连接点位于下半桥绝缘基板的右半区域。上述区别技术特征是本领域技术人员在对比文件1的基础上容易想到的，因此权利要求1不具备创造性。2、权利要求2、7-10的附加技术特征被对比文件1公开，因此权利要求2、7-10不具备创造性。3、针对复审请求人的意见，合议组答复如下：（1）首先，就本申请和对比文件的技术方案而言，能否证明“对比文件1无突条处的负电极和中间电极必须变窄，否则无法安装；变窄的程度对电阻有何程度的影响等”并不会改变对本申请创造性的评价结论。其次，第二次审查意见通知书中引用对比文件1评述了本申请的创造性，复审请求人答复第二次审查意见通知书时未修改申请文件，随后审查员驳回本申请，审查员驳回时所依据的事实、理由、证据与第二次审查意见通知书相同，因此，驳回符合听证原则。（2）合议组同意复审请求人所陈述的本申请通过将负电极引出部和中间电极引出部设置于下半桥绝缘基板的右边减少了导线长度，进而减少回路电阻、寄生参数和损耗。但是，在印刷电路板的设计过程中，减少回路电阻是本领域技术人员需要考虑的常规因素之一，同时也会考虑到元件之间的相互影响，如果某些元器件或导线之间有较高的电位差，应该加大它们的距离，以避免放电、击穿引起的意外短路，这是本领域公知常识（参见公知常识证据：“电子技术工艺基础”，刘洪涛，第125页，电子科技大学出版社，2007年06月）。具体到对比文件1的技术方案，对比文件1将负电极引出部和中间电极引出部设置于下半桥绝缘基板的左边，能够增加正电极引出部和负电极引出部之间的距离，避免放电、击穿，本申请将负电极引出部和中间电极引出部设置于下半桥绝缘基板的右边，能够减少导线长度，进而减少回路电阻、寄生参数和损耗对本领域人员来说都是容易想到的。本申请相对于对比文件1的区别技术特征是本领域技术人员基于对电路性能的选择而做出的常规改变，这种改变是不需要付出创造性劳动的，因此不能使得本申请权利要求1-2、7-10具备创造性。
复审请求人于2019年09月12日提交了意见陈述书，随后又于2019年10月16日提交了意见陈述书和权利要求书的全文修改替换页，具体修改内容如下：在复审通知书针对的审查文本的基础上，将权利要求2-4的附加技术特征补入权利要求1中，其中将补入的权利要求3、4的附加技术特征修改为“或”的关系，从而在权利要求1中形成两个并列技术方案，同时删除原权利要求2-4，并适应性修改其他权利要求的序号和引用关系。复审请求人认为：修改后的权利要求1中所记载的原权利要求3、4的附加技术特征未被对比文件1公开，也没有任何现有技术公开该区别技术特征，并且上述技术特征也不是本领域公知常识，上述技术特征进一步优化了绝缘基板上芯片位置布局，减小了寄生参数和模块损耗，缩小了门级回路面积，提高了工作的可靠性。
复审请求人于2019年10月16日提交的权利要求1的内容如下：
“1. 一种电极连接点成列布置的三电平功率模块，其特征在于：包括排成一行的多个绝缘基板，其中一半数量的绝缘基板为下半桥绝缘基板，另一半数量的绝缘基板为上半桥绝缘基板；下半桥绝缘基板的右半区域内设有负电极连接点和中间电极连接点，负电极连接点与中间电极连接点成列布置，上半桥绝缘基板上设有正电极连接点和中间电极连接点，正电极连接点与中间电极连接点成列布置；所述下半桥绝缘基板上还设有下半桥单元和下半桥续流单元，下半桥单元的发射极或源极连接负电极连接点，下半桥单元导通时，电流通过下半桥单元进行流通，下半桥单元关断时，电流通过下半桥续流单元进行流通；上半桥绝缘基板上还设有上半桥单元和上半桥续流单元，上半桥单元的集电极或漏极连接正电极连接点，上半桥单元导通时，电流通过上半桥单元进行流通，上半桥单元关断时，电流通过上半桥续流单元进行流通；
所述下半桥单元包括IGBT管Q1和二极管D1，二极管D1反向并联在IGBT管Q1两端，IGBT管Q1的发射极连接下半桥绝缘基板上的负电极连接点，IGBT管Q1的集电极连接下半桥绝缘基板上的输出电极连接点；下半桥续流单元包括IGBT管Q2、二极管D2和二极管D3，IGBT管Q2的集电极连接IGBT管Q1的集电极，二极管D2反向并联在IGBT管Q2两端，IGBT管Q2的发射极连接二极管D3的正极，二极管D3的负极连接下半桥绝缘基板上的中间电极连接点；或者，
所述下半桥单元包括功率MOS管Q11和二极管D11，二极管D11反向并联在功率MOS管Q11两端，功率MOS管Q11的源极连接下半桥绝缘基板上的负电极连接点，功率MOS管Q11的漏极连接下半桥绝缘基板上的输出电极连接点；下半桥续流单元包括功率MOS管Q21、二极管D21和二极管D31，功率MOS管Q21的漏极连接功率MOS管Q11的漏极，二极管D21反向并联在功率MOS管Q21两端，功率MOS管Q21的源极连接二极管D31的正极，二极管D31的负极连接下半桥绝缘基板上的中间电极连接点。”
在上述程序的基础上，本案合议组认为事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人于2019年10月16日提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，所做的修改符合专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所依据的审查文本为：申请日2016年05月03提交的说明书第1-6页、说明书附图第1-3页、说明书摘要、摘要附图，以及2019年10月16日提交的权利要求第1-7项。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第2款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，该区别技术特征不属于本领域的公知常识，同时该区别技术特征使得该项权利要求所请求保护的技术方案具有有益的技术效果，则该项权利要求的技术方案具备创造性。
本复审请求审查决定在评价创造性时所引用的对比文件与驳回决定和复审通知书中引用的对比文件相同，即：
对比文件1：CN104838576A，公开日为2015年08月12日。
2.1、权利要求1请求保护一种电极连接点成列布置的三电平功率模块，其包括2个并列技术方案，分别是下半桥单元包括IGBT管Q1和二极管D1，下半桥续流单元包括IGBT管Q2、二极管D2和D3的技术方案1，以及下半桥单元包括功率MOS管Q11和二极管D11，下半桥续流单元包括功率MOS管Q21、二极管D21和二极管D31的技术方案2。
对比文件1公开了一种三电平功率模块，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第[0012]-[0047]段及附图1-3）：包括排成一行的六个绝缘基板SB11-SB13、SB21-SB23，其中三个绝缘基板SB21-SB23为下半桥绝缘基板，另外三个绝缘基板SB11-SB13为上半桥绝缘基板，由附图2可见，下半桥绝缘基板SB21-SB23左半区域内设有负电极连接点和中间电极连接点，负电极连接点与中间电极连接点成列布置，上半桥绝缘基板SB11-SB13上设有正电极连接点和中间电极连接点，正电极连接点和中间电极连接点成列布置。下半桥绝缘基板上设有下半桥单元（T2、D2）和下半桥续流单元T4，下半桥单元（T2）的发射极连接负电极连接点，上半桥绝缘基板上还设有上半桥单元和上半桥续流单元，上半桥单元的集电极连接正电极连接点，由电路结构及电路工作原理可知，下半桥单元导通时，电流通过下半桥单元进行流通，上半桥单元导通时，电流通过上半桥单元进行流通。对比文件1说明书第[0040]-]0041]段记载了当将栅极脉冲输入绝缘栅双极型管T1时，反向阻断型绝缘栅双极型管T4进行恢复，T1和T4发热，区域DA2及DA4不发热；当将栅极脉冲输入绝缘栅双极型管T2时，反向阻断型绝缘栅双极型管T3进行恢复，T2和T3发热，区域DA1和DA3不发热，结合附图5、6可见，即下半桥单元关断时，电流通过下半桥续流单元进行流通，上半桥单元关断时，电流通过上半桥续流单元进行流通。结合附图2、3可见，下半桥单元包括绝缘栅双极型管T2和二极管D2，二极管D2反向并联在绝缘栅双极型管T2两端，绝缘栅双极型管T2的发射极连接下半桥绝缘基板上的负电极连接点，绝缘栅双极型管T2的集电极连接下半桥绝缘基板上的输出电极连接点。
权利要求1的技术方案1与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征在于：（1）负电极连接点和中间电极连接点位于下半桥绝缘基板的右半区域；（2）下半桥续流单元包括IGBT管Q2、二极管D2和二极管D3，IGBT管Q2的集电极连接IGBT管Q1的集电极，二极管D2反向并联在IGBT管Q2两端，IGBT管Q2的发射极连接二极管D3的正极，二极管D3的负极连接下半桥绝缘基板上的中间电极连接点。由此可以确定权利要求1的技术方案1相对于对比文件1实际解决的技术问题是：减少回路电阻，降低寄生参数和损耗以及减小逆变器开关损耗。
对于区别技术特征（1），对比文件1已经公开了成列设置的负电极连接点和中间电极连接点设置在下半桥绝缘基板的左半区域，在此基础上，本领域技术人员容易想到可以将成列设置的负电极连接点和中间电极连接点设置在下半桥绝缘基板的右半区域以减少回路电阻，降低寄生参数和损耗，这对本领域技术人员而言是显而易见的。
对于区别技术特征（2），上述区别技术特征既没有被对比文件1公开，也不是本领域的公知常识，具体理由如下：首先，虽然对比文件1的说明书第[0012]-[0047]段及附图1-3记载的技术方案中也设置了下半桥续流单元T4，但是二者的下半桥续流单元电路具体结构不同，具体地，本申请下半桥续流单元中的IGBT管Q2的集电极连接IGBT管Q1的集电极，而对比文件1中下半桥续流单元中的IGBT管T4的发射极连接IGBT管T2的集电极，这种相反的连接方法导致电路中电流的流动方向不同，进一步导致电路工作方式的不同。因此，二者所采用的技术手段不同。其次，对比文件1的说明书第[0066]-[0075]段，附图13-16记载的实施例也未公开上述区别技术特征。并且区别技术特征（2）所限定的下半桥续流单元的具体结构也不是本领域的公知常识。权利要求1的技术方案1通过上述结构减小了逆变器的开关损耗，具有有益的技术效果。
权利要求1的技术方案2与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征在于：（1）负电极连接点和中间电极连接点位于下半桥绝缘基板的右半区域；（3）下半桥单元包括功率MOS管Q11和二极管D11，二极管D11反向并联在功率MOS管Q11两端，功率MOS管Q11的源极连接下半桥绝缘基板上的负电极连接点，功率MOS管Q11的漏极连接下半桥绝缘基板上的输出电极连接点；下半桥单元的源极连接负电极连接点，上半桥单元的漏极连接正电极连接点；（4）下半桥续流单元包括功率MOS管Q21、二极管D21和二极管D31，功率MOS管Q21的漏极连接功率MOS管Q11的漏极，二极管D21反向并联在功率MOS管Q21两端，功率MOS管Q21的源极连接二极管D31的正极，二极管D31的负极连接下半桥绝缘基板上的中间电极连接点。由此可以确定权利要求1技术方案2相对于对比文件1实际解决的技术问题是：减少回路电阻、降低寄生参数和损耗，选择功率开关管以及减小逆变器开关损耗。
对于区别技术特征（1），对比文件1已经公开了成列设置的负电极连接点和中间电极连接点设置在下半桥绝缘基板的左半区域，在此基础上，本领域技术人员容易想到可以将成列设置的负电极连接点和中间电极连接点设置在下半桥绝缘基板的右半区域以减少回路电阻，降低寄生参数和损耗，这对本领域技术人员而言是显而易见的。
对于区别技术特征（3），在对比文件1公开的内容基础上，本领域技术人员容易想到也可以使用功率MOS晶体管代替对比文件1中的绝缘栅双极型管，当使用功率MOS晶体管作为下半桥单元和上半桥单元时，区别技术特征3所限定的具体结构和连接关系是显而易见的。
对于区别技术特征（4），上述区别技术特征既没有被对比文件1公开，也不是本领域的公知常识，具体理由如下：首先，虽然对比文件1的说明书第[0012]-[0047]段及附图1-3记载的技术方案中也设置了下半桥续流单元T4，但是二者的下半桥续流单元电路具体结构不同，具体地，本申请下半桥续流单元中的功率MOS管Q21的漏极连接功率MOS管Q11的漏极，而对比文件1中下半桥续流单元中的IGBT管T4的发射极连接IGBT管T2的集电极，这种连接相反的连接方法导致电路中电流的流动方向不同，进一步导致电路工作方式的不同。因此，二者所采用的技术手段不同。其次，对比文件1的说明书第[0066]-[0075]段，附图13-16记载的实施例也未公开上述区别技术特征。并且区别技术特征（4）所限定的下半桥续流单元的具体结构也不是本领域的公知常识。权利要求1的技术方案2通过上述结构减小了逆变器的开关损耗，具有有益的技术效果。
由此可知，权利要求1所请求保护的技术方案相对于对比文件1和本领域公知常识的结合是非显而易见的，其具有突出的实质性特点和显著的进步，因此权利要求1具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2、权利要求2-7是独立权利要求1的从属权利要求，因此当权利要求1具备创造性时，权利要求2-7也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、针对驳回决定和前置审查相关意见的答复：
对于驳回理由和前置审查意见，合议组认为：驳回决定中认定原权利要求3的附加技术特征部分被对比文件1说明书第[0066]-[0075]段、附图13-16的内容公开，未被对比文件1公开的技术特征“带反并联二极管D3的IGBT管T3'仅用在续流支路中”是本领域技术人员在对比文件1公开内容基础上容易想到的。事实上，对比文件1附图13a是相应实施例的电路结构图，其中，下半桥单元包括IGBT管T2和二极管D2，二极管D2反向并联在IGBT管T2两端，下半桥续流单元包括IGBT管T4’和二极管D4，IGBT管T2的集电极连接IGBT管T3’的发射极，IBGT管T3’的集电极连接IGBT管T4’的发射极，二极管D2反向并联在IGBT管T2两端，IGBT管T4’的发射极连接IGBT管T3’的集电极，IGBT管T3’的发射极连接二极管D6的正极，二极管D6的负极连接中间电极连接点，可见对比文件1中IGBT管T4’的集电极没有连接IGBT管T2集电极，IGBT管T4’的发射极也没有连接二极管D6的正极，对比文件1中二极管D6的连接方式和设置位置都与本申请续流单元的二极管 D3不同，因此，对比文件1没有公开“IGBT管Q2的集电极连接IGBT管Q1的集电极”，也未公开二极管D3的相关特征，即整体上没有公开本申请的续流单元结构。并且上述特征也不能从对比文件1公开的内容基础上容易想到的。
基于上述事实和理由，合议组依法作出如下审查决定。至于本申请中是否存在其他不符合专利法以及专利法实施细则的规定的缺陷，留待后续程序继续审查。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018年11月01日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局实质审查部门以本复审请求审查决定所针对的文本为基础继续进行审批程序。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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