发明创造名称：OLED显示面板以及OLED 显示面板的制造方法
外观设计名称：
决定号：194262
决定日：2019-11-05
委内编号：1F271314
优先权日：
申请（专利）号：201610149683.6
申请日：2016-03-16
复审请求人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：钟翊
合议组组长：谢绍俊
参审员：商纪楠
国际分类号：H01L27/32，H01L21/77
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：一项权利要求请求保护的技术方案与最接近的一篇现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，如果部分区别技术特征既未被其它现有技术所公开，也不是本领域的公知常识，并且由于该部分区别技术特征的存在，本申请能获得有益的技术效果，则认为该项权利要求请求保护的技术方案具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201610149683.6，名称为“OLED显示面板以及OLED显示面板的制造方法”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司。本申请的申请日为2016年03月16日，公开日为2017年09月26日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年11月01日发出驳回决定，以权利要求1-16不符合专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请，其具体理由是：权利要求1、9与对比文件1（CN1728895A，公开日为2006年02月01日）相比，区别技术特征是同一像素组内的两个子像素各自连接的数据线位于不同结构层上；该区别技术特征已经被对比文件2（CN102023401A，公开日为2011年04月20日）所公开，因此权利要求1、9相对于对比文件1和对比文件2的结合不具备创造性。从属权利要求2-8、10-16的附加技术特征或者被对比文件1或对比文件2所公开，或者是本领域的公知常识，因此也不具备创造性。驳回决定所依据的文本为：申请日2016年03月16日提交的说明书摘要、权利要求第1-16项、说明书第1-231段、摘要附图；2016年04月15日提交的说明书附图图1-23c。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种OLED显示面板，其特征在于，包括形成于一基板上的扫描线、数据线和电源线，所述扫描线和数据线定义了以矩阵方式排列的多个像素组，每个像素组内具有两个子像素，同一像素组内的两个子像素连接同一电源线并沿该电源线镜像排列，且同一像素组内的两个子像素各自连接的数据线位于不同结构层上。
2. 如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，每个像素组内的两个子像素分别为第一子像素和第二子像素，所述第一子像素包括第一存储电容，所述第二子像素包括第二存储电容，所述第一存储电容的上极板和第二存储电容的上极板位于不同结构层上。
3. 如权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一子像素还包括第一开关晶体管和第一驱动晶体管，所述第二子像素还包括第二开关晶体管和第二驱动晶体管，所述第一开关晶体管的源极连接第一数据线，所述第二开关晶体管的源极连接第二数据线，所述第一数据线、第二数据线和电源线相互平行，所述扫描线与所述电源线相互垂直，并且，所述第一数据线和第二数据线、所述第一存储电容和第二存储电容、所述第一开关晶体管和第二开关晶体管、所述第一驱动晶体管和第二驱动晶体管均沿所述电源线镜像对称。
4. 如权利要求3所述的OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板具体包括：
硅岛，形成于所述基板上，用以作为所述第一开关晶体管、第一驱动晶体管、第二开关晶体管以及第二驱动晶体管的有源层；
栅绝缘层和第一通孔，所述栅绝缘层形成于所述基板和硅岛上，所述第一通孔用于导通所述第一开关晶体管的漏极和第一存储电容的下极板以及所述第二开关晶体管的漏极和所述第二存储电容的下极板；
图形化的第一金属层，形成于所述栅绝缘层上，用以作为扫描线、第一存储电容的下极板、第二存储电容的下极板、第一开关晶体管的栅极、第一驱动晶体管的栅极、第二开关晶体管的栅极和第二驱动晶体管的栅极；
第一层间绝缘层和第二通孔，所述第一层间绝缘层形成于所述栅绝缘 层以及图形化的第一金属层上，所述第二通孔用于导通所述第一数据线和第一开关晶体管的源极；
图形化的第二金属层，形成于所述第一层间绝缘层上，用以作为所述第一数据线、第一开关晶体管的源极和第二存储电容的上极板；
第二层间绝缘层和第三通孔，所述第二层间绝缘层形成于所述第一层间绝缘层以及图形化的第二金属层上，所述第三通孔用于导通第二数据线和第二开关晶体管的源极；
图形化的第三金属层，形成于所述第二层间绝缘层上，用以作为第二数据线、第二开关晶体管的源极和第一存储电容的上极板；
第三层间绝缘层和第四通孔，所述第三层间绝缘层形成于所述第二层间绝缘层以及图形化的第三金属层上，所述第四通孔用于导通第一驱动晶体管的源极和漏极、第二驱动晶体管的源极和漏极、电源线、第一存储电容的上极板以及第二存储电容的上极板；
图形化的第四金属层，形成于所述第三层间绝缘层上，用以作为第一驱动晶体管的源极和漏极、第二驱动晶体管的源极和漏极、电源线；
钝化绝缘层和接触孔，所述钝化绝缘层形成于所述第三层间绝缘层以及图形化的第四金属层上，所述接触孔用于导通所述第一驱动晶体管的漏极与第一有机发光二极管的阳极、所述第二驱动晶体管的漏极与第二有机发光二极管的阳极。
5. 如权利要求4所述的OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板还包括一开口，所述开口贯穿所述第二层间绝缘层并正对所述第一存储电容的下极板。
6. 如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，每个像素组内的两个子像素分别为第一子像素和第二子像素，所述第一子像素包括第一存储电容，所述第二子像素包括第二存储电容，所述第一存储电容的上极板和第二存储电容的上极板位于相同结构层上。
7. 如权利要求6所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一子像素还包括第一开关晶体管和第一驱动晶体管，所述第二子像素还包括第二开关晶体管和第二驱动晶体管，所述第一开关晶体管的源极连接第一数 据线，所述第二开关晶体管的源极连接第二数据线，所述第一数据线、第二数据线和电源线相互平行，所述扫描线与所述电源线相互垂直，并且，所述第一数据线和第二数据线、所述第一存储电容和第二存储电容、所述第一开关晶体管和第二开关晶体管、所述第一驱动晶体管和第二驱动晶体管均沿所述电源线镜像对称。
8. 如权利要求7所述的OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板包括：
硅岛，形成于所述基板上，用以作为所述第一开关晶体管、第一驱动晶体管、第二开关晶体管以及第二驱动晶体管的有源层；
栅绝缘层和第一通孔，所述栅绝缘层形成于所述基板和硅岛上，所述第一通孔用于导通所述第一开关晶体管的漏极和第一存储电容的下极板以及所述第二开关晶体管的漏极和所述第二存储电容的下极板；
图形化的第一金属层，形成于所述栅绝缘层上，用以作为扫描线、第一存储电容的下极板、第二存储电容的下极板、第一开关晶体管的栅极、第一驱动晶体管的栅极、第二开关晶体管的栅极和第二驱动晶体管的栅极；
第一层间绝缘层和第二通孔，所述第一层间绝缘层形成于所述栅绝缘层以及图形化的第一金属层上，所述第二通孔用于导通所述第一数据线和第一开关晶体管的源极；
图形化的第二金属层，形成于所述第一层间绝缘层上，用以作为所述第一数据线、第一开关晶体管的源极、第一存储电容的上极板和第二存储电容的上极板；
第二层间绝缘层和第三通孔，所述第二层间绝缘层形成于所述第一层间绝缘层以及图形化的第二金属层上，所述第三通孔用于导通第二数据线和第二开关晶体管的源极；
图形化的第三金属层，形成于所述第二层间绝缘层上，用以作为第二数据线和第二开关晶体管的源极；
第三层间绝缘层和第四通孔，所述第三层间绝缘层形成于所述第二层间绝缘层以及图形化的第三金属层上，所述第四通孔用于导通第一驱动晶体管的源极和漏极、第二驱动晶体管的源极和漏极、电源线、第一存储电 容的上极板以及第二存储电容的上极板；
图形化的第四金属层，形成于所述第三层间绝缘层上，用以作为第一驱动晶体管的源极和漏极、第二驱动晶体管的源极和漏极、电源线；
钝化绝缘层和接触孔，所述钝化绝缘层形成于所述第三层间绝缘层以及图形化的第四金属层上，所述接触孔用于导通所述第一驱动晶体管的漏极与第一有机发光二极管的阳极以及所述第二驱动晶体管的漏极与第二有机发光二极管的阳极。
9. 一种OLED显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
在一基板上形成扫描线、数据线、电源线、由所述扫描线和数据线定义的以矩阵方式排列的多个像素组；
其中，每个像素组内具有两个子像素，同一像素组内的两个子像素连接同一电源线并沿该电源线镜像排列，且同一像素组内的两个子像素各自连接的数据线位于不同结构层上。
10. 如权利要求9所述的OLED显示面板的制造方法，其特征在于，每个像素组内的两个子像素分别为第一子像素和第二子像素，所述第一子像素包括第一存储电容，所述第二子像素包括第二存储电容，所述第一存储电容的上极板和第二存储电容的上极板位于不同结构层上。
11. 如权利要求10所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一子像素还包括第一开关晶体管和第一驱动晶体管，所述第二子像素还包括第二开关晶体管和第二驱动晶体管，所述第一开关晶体管的源极连接第一数据线，所述第二开关晶体管的源极连接第二数据线，所述第一数据线、第二数据线和电源线相互平行，所述扫描线与所述电源线相互垂直，并且，所述第一数据线和第二数据线、所述第一存储电容和第二存储电容、所述第一开关晶体管和第二开关晶体管、所述第一驱动晶体管和第二驱动晶体管均沿所述电源线镜像对称。
12. 如权利要求11所述的OLED显示面板的制造方法，其特征在于，所述OLED显示面板通过如下步骤形成：
形成硅岛，所述硅岛用以作为所述第一开关晶体管、第一驱动晶体管、第二开关晶体管以及第二驱动晶体管的有源层；
形成栅绝缘层和第一通孔，所述栅绝缘层形成于所述基板和硅岛上，所述第一通孔用于导通所述第一开关晶体管的漏极和第一存储电容的下极板以及所述第二开关晶体管的漏极和所述第二存储电容的下极板；
形成图形化的第一金属层，所述图形化的第一金属层形成于所述栅绝缘层上，用以作为扫描线、第一存储电容的下极板、第二存储电容的下极板、第一开关晶体管的栅极、第一驱动晶体管的栅极、第二开关晶体管的栅极和第二驱动晶体管的栅极；
形成第一层间绝缘层和第二通孔，所述第一层间绝缘层形成于所述栅绝缘层以及图形化的第一金属层上，所述第二通孔用于导通所述第一数据线和第一开关晶体管的源极；
形成图形化的第二金属层，所述图形化的第二金属层形成于所述第一层间绝缘层上，用以作为所述第一数据线、第一开关晶体管的源极和第二存储电容的上极板；
形成第二层间绝缘层和第三通孔，所述第二层间绝缘层形成于所述第一层间绝缘层以及图形化的第二金属层上，所述第三通孔用于导通第二数据线和第二开关晶体管的源极；
形成图形化的第三金属层，所述图形化的第三金属层形成于所述第二层间绝缘层上，用以作为第二数据线、第二开关晶体管的源极和第一存储电容的上极板；
形成第三层间绝缘层和第四通孔，所述第三层间绝缘层形成于所述第二层间绝缘层以及图形化的第三金属层上，所述第四通孔用于导通第一驱动晶体管的源极和漏极、第二驱动晶体管的源极和漏极、电源线、第一存储电容的上极板以及第二存储电容的上极板；
形成图形化的第四金属层，所述图形化的第四金属层形成于所述第三层间绝缘层上，用以作为第一驱动晶体管的源极和漏极、第二驱动晶体管的源极和漏极、电源线；
钝化绝缘层和接触孔，所述钝化绝缘层形成于所述第三层间绝缘层以及图形化的第四金属层上，所述接触孔用于导通所述第一驱动晶体管的漏极与第一有机发光二极管的阳极以及所述第二驱动晶体管的漏极与第二有 机发光二极管的阳极。
13. 如权利要求12所述的OLED显示面板的制造方法，其特征在于，形成所述第二层间绝缘层之后，还形成一贯穿所述第二层间绝缘层的开口，所述开口正对所述第一存储电容的下极板。
14. 如权利要求9所述的OLED显示面板的制造方法，其特征在于，每个像素组内的两个子像素分别为第一子像素和第二子像素，所述第一子像素包括第一存储电容，所述第二子像素包括第二存储电容，所述第一存储电容的上极板和第二存储电容的上极板位于相同结构层上。
15. 如权利要求14所述的OLED显示面板的制造方法，其特征在于，所述第一子像素还包括第一开关晶体管和第一驱动晶体管，所述第二子像素还包括第二开关晶体管和第二驱动晶体管，所述第一开关晶体管的源极连接第一数据线，所述第二开关晶体管的源极连接第二数据线，所述第一数据线、第二数据线和电源线相互平行，所述扫描线与所述电源线相互垂直，并且，所述第一数据线和第二数据线、所述第一存储电容和第二存储电容、所述第一开关晶体管和第二开关晶体管、所述第一驱动晶体管和第二驱动晶体管均沿所述电源线镜像对称。
16. 如权利要求15所述的OLED显示面板的制造方法，其特征在于，所述OLED显示面板通过如下步骤形成：
形成硅岛，所述硅岛形成于所述基板上，用以作为所述第一开关晶体管、第一驱动晶体管、第二开关晶体管以及第二驱动晶体管的有源层；
形成栅绝缘层和第一通孔，所述栅绝缘层形成于所述基板和硅岛上，所述第一通孔用于导通所述第一开关晶体管的漏极和第一存储电容的下极板以及所述第二开关晶体管的漏极和所述第二存储电容的下极板；
形成图形化的第一金属层，所述图形化的第一金属层形成于所述栅绝缘层上，用以作为扫描线、第一存储电容的下极板、第二存储电容的下极板、第一开关晶体管的栅极、第一驱动晶体管的栅极、第二开关晶体管的栅极和第二驱动晶体管的栅极；
形成第一层间绝缘层和第二通孔，所述第一层间绝缘层形成于所述栅绝缘层以及图形化的第一金属层上，所述第二通孔用于导通所述第一数据 线和第一开关晶体管的源极；
形成图形化的第二金属层，所述图形化的第二金属层形成于所述第一层间绝缘层上，用以作为所述第一数据线、第一开关晶体管的源极、第一存储电容的上极板和第二存储电容的上极板；
形成第二层间绝缘层和第三通孔，所述第二层间绝缘层形成于所述第一层间绝缘层以及图形化的第二金属层上，所述第三通孔用于导通第二数据线和第二开关晶体管的源极；
形成图形化的第三金属层，所述图形化的第三金属层形成于所述第二层间绝缘层上，用以作为第二数据线和第二开关晶体管的源极；
形成第三层间绝缘层和第四通孔，所述第三层间绝缘层形成于所述第二层间绝缘层以及图形化的第三金属层上，所述第四通孔用于导通第一驱动晶体管的源极和漏极、第二驱动晶体管的源极和漏极、电源线、第一存储电容的上极板以及第二存储电容的上极板；
形成图形化的第四金属层，所述图形化的第四金属层形成于所述第三层间绝缘层上，用以作为第一驱动晶体管的源极和漏极、第二驱动晶体管的源极和漏极、电源线；
形成钝化绝缘层和接触孔，所述钝化绝缘层形成于所述第三层间绝缘层以及图形化的第四金属层上，所述接触孔用于导通所述第一驱动晶体管的漏极与第一有机发光二极管的阳极以及所述第二驱动晶体管的漏极与第二有机发光二极管的阳极。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年01月15日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书（包括权利要求第1-8项）。修改的权利要求书中，复审请求人将从属权利要求2的技术特征分别加入产品独立权利要求和方法独立权利要求中，复审请求人认为：对比文件2不存在像素组的概念，实际上第一数据线和第二数据线不隶属于同一像素组内，且对比文件2涉及的是TFT-LCD领域，对比文件1则是OLED领域，二者技术领域不同，数据线、电源线的排布也不同，因而二者不能轻易地结合在一起；第一存储电容的上极板和第二存储电容的上极板位于不同结构层上不是本领域的公知常识，现有技术中第一电容器的第二电极板和第二电容器的第二电极板整体地形成，而本申请将同一像素组内的两个子像素的存储电容的上极板位于不同结构层上能够缩小像素面积。
复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种OLED显示面板，其特征在于，包括形成于一基板上的扫描线、数据线和电源线，所述扫描线和数据线定义了以矩阵方式排列的多个像素组，每个像素组内具有两个子像素，同一像素组内的两个子像素连接同一电源线并沿该电源线镜像排列，且同一像素组内的两个子像素各自连接的数据线位于不同结构层上；每个像素组内的两个子像素分别为第一子像素和第二子像素，所述第一子像素包括第一存储电容，所述第二子像素包括第二存储电容，所述第一存储电容的上极板和第二存储电容的上极板位于不同结构层上。
2. 如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一子像素还包括第一开关晶体管和第一驱动晶体管，所述第二子像素还包括第二开关晶体管和第二驱动晶体管，所述第一开关晶体管的源极连接第一数据线，所述第二开关晶体管的源极连接第二数据线，所述第一数据线、第二数据线和电源线相互平行，所述扫描线与所述电源线相互垂直，并且，所述第一数据线和第二数据线、所述第一存储电容和第二存储电容、所述第一开关晶体管和第二开关晶体管、所述第一驱动晶体管和第二驱动晶体管均沿所述电源线镜像对称。
3. 如权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板具体包括：
硅岛，形成于所述基板上，用以作为所述第一开关晶体管、第一驱动晶体管、第二开关晶体管以及第二驱动晶体管的有源层；
栅绝缘层和第一通孔，所述栅绝缘层形成于所述基板和硅岛上，所述第一通孔用于导通所述第一开关晶体管的漏极和第一存储电容的下极板以及所述第二开关晶体管的漏极和所述第二存储电容的下极板；
图形化的第一金属层，形成于所述栅绝缘层上，用以作为扫描线、第一存储电容的下极板、第二存储电容的下极板、第一开关晶体管的栅极、第一驱动晶体管的栅极、第二开关晶体管的栅极和第二驱动晶体管的栅极；
第一层间绝缘层和第二通孔，所述第一层间绝缘层形成于所述栅绝缘层以及图形化的第一金属层上，所述第二通孔用于导通所述第一数据线和 第一开关晶体管的源极；
图形化的第二金属层，形成于所述第一层间绝缘层上，用以作为所述第一数据线、第一开关晶体管的源极和第二存储电容的上极板；
第二层间绝缘层和第三通孔，所述第二层间绝缘层形成于所述第一层间绝缘层以及图形化的第二金属层上，所述第三通孔用于导通第二数据线和第二开关晶体管的源极；
图形化的第三金属层，形成于所述第二层间绝缘层上，用以作为第二数据线、第二开关晶体管的源极和第一存储电容的上极板；
第三层间绝缘层和第四通孔，所述第三层间绝缘层形成于所述第二层间绝缘层以及图形化的第三金属层上，所述第四通孔用于导通第一驱动晶体管的源极和漏极、第二驱动晶体管的源极和漏极、电源线、第一存储电容的上极板以及第二存储电容的上极板；
图形化的第四金属层，形成于所述第三层间绝缘层上，用以作为第一驱动晶体管的源极和漏极、第二驱动晶体管的源极和漏极、电源线；
钝化绝缘层和接触孔，所述钝化绝缘层形成于所述第三层间绝缘层以及图形化的第四金属层上，所述接触孔用于导通所述第一驱动晶体管的漏极与第一有机发光二极管的阳极、所述第二驱动晶体管的漏极与第二有机发光二极管的阳极。
4. 如权利要求3所述的OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板还包括一开口，所述开口贯穿所述第二层间绝缘层并正对所述第一存储电容的下极板。
5. 一种OLED显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
在一基板上形成扫描线、数据线、电源线、由所述扫描线和数据线定义的以矩阵方式排列的多个像素组；
其中，每个像素组内具有两个子像素，同一像素组内的两个子像素连接同一电源线并沿该电源线镜像排列，且同一像素组内的两个子像素各自连接的数据线位于不同结构层上；每个像素组内的两个子像素分别为第一子像素和第二子像素，所述第一子像素包括第一存储电容，所述第二子像素包括第二存储电容，所述第一存储电容的上极板和第二存储电容的上极 板位于不同结构层上。
6. 如权利要求5所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一子像素还包括第一开关晶体管和第一驱动晶体管，所述第二子像素还包括第二开关晶体管和第二驱动晶体管，所述第一开关晶体管的源极连接第一数据线，所述第二开关晶体管的源极连接第二数据线，所述第一数据线、第二数据线和电源线相互平行，所述扫描线与所述电源线相互垂直，并且，所述第一数据线和第二数据线、所述第一存储电容和第二存储电容、所述第一开关晶体管和第二开关晶体管、所述第一驱动晶体管和第二驱动晶体管均沿所述电源线镜像对称。
7. 如权利要求6所述的OLED显示面板的制造方法，其特征在于，所述OLED显示面板通过如下步骤形成：
形成硅岛，所述硅岛用以作为所述第一开关晶体管、第一驱动晶体管、第二开关晶体管以及第二驱动晶体管的有源层；
形成栅绝缘层和第一通孔，所述栅绝缘层形成于所述基板和硅岛上，所述第一通孔用于导通所述第一开关晶体管的漏极和第一存储电容的下极板以及所述第二开关晶体管的漏极和所述第二存储电容的下极板；
形成图形化的第一金属层，所述图形化的第一金属层形成于所述栅绝缘层上，用以作为扫描线、第一存储电容的下极板、第二存储电容的下极板、第一开关晶体管的栅极、第一驱动晶体管的栅极、第二开关晶体管的栅极和第二驱动晶体管的栅极；
形成第一层间绝缘层和第二通孔，所述第一层间绝缘层形成于所述栅绝缘层以及图形化的第一金属层上，所述第二通孔用于导通所述第一数据线和第一开关晶体管的源极；
形成图形化的第二金属层，所述图形化的第二金属层形成于所述第一层间绝缘层上，用以作为所述第一数据线、第一开关晶体管的源极和第二存储电容的上极板；
形成第二层间绝缘层和第三通孔，所述第二层间绝缘层形成于所述第一层间绝缘层以及图形化的第二金属层上，所述第三通孔用于导通第二数据线和第二开关晶体管的源极；
形成图形化的第三金属层，所述图形化的第三金属层形成于所述第二层间绝缘层上，用以作为第二数据线、第二开关晶体管的源极和第一存储电容的上极板；
形成第三层间绝缘层和第四通孔，所述第三层间绝缘层形成于所述第二层间绝缘层以及图形化的第三金属层上，所述第四通孔用于导通第一驱动晶体管的源极和漏极、第二驱动晶体管的源极和漏极、电源线、第一存储电容的上极板以及第二存储电容的上极板；
形成图形化的第四金属层，所述图形化的第四金属层形成于所述第三层间绝缘层上，用以作为第一驱动晶体管的源极和漏极、第二驱动晶体管的源极和漏极、电源线；
钝化绝缘层和接触孔，所述钝化绝缘层形成于所述第三层间绝缘层以及图形化的第四金属层上，所述接触孔用于导通所述第一驱动晶体管的漏极与第一有机发光二极管的阳极以及所述第二驱动晶体管的漏极与第二有机发光二极管的阳极。
8. 如权利要求7所述的OLED显示面板的制造方法，其特征在于，形成所述第二层间绝缘层之后，还形成一贯穿所述第二层间绝缘层的开口，所述开口正对所述第一存储电容的下极板。 ”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年01月25日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：复审请求人意见着重强调对比文件2与本申请的不同，例如没有同一像素组，对比文件2是TFT-LCD，本申请是OLED，但是这些都是对比文件1已经公开的内容，对比文件2给出的启示是数据线在不同的层从而可以降低短路风险，评述创造性是对比文件1结合对比文件2，而不是仅使用对比文件2；复审请求人描述了区别技术特征带来的作用（说明书也有该表述），但是根据说明书和附图的记载可知，其仅有C2的上极板和D1数据线同层，C1的上极板和D2数据线同层才具备复审请求人所述的优点（因为如果C1的上极板和D1数据线同层，C2的上极板和D2数据线同层则上极板和数据线临近，其会存在串扰，不利于缩小面积），因此权利要求仅记载电容的上极板位于不同层并不能限定出本申请实际的技术方案；对比文件1关于电容的电极的记载是“第一存储电容器140包括第一电容器电极141和第二电容器电极142。第一电容器电极141可以和第一栅极151整体地形成。第二电容器电极142可以和第一电极152整体地形成。第二存储电容器240包括第一电容器电极241和第二电容器电极242。第一电容器电极241可以和第二栅极251整体地形成。第二电容器电极242可以和第三电极252整体地形成在一体中。”即第一电极152和第二电容器电极142、第一数据线同层，第三电极252和第二电容器电极242、第二数据线同层（并且附图14中的电容器电极142和242不是整体而是分隔开的），对比文件1因为数据线同层设置因此电容器的上极板也是同层设置，但是在对比文件2的启示下数据线为了防止串扰、降低短路风险可以不同层设置，因此对比文件1的数据线不同层设置时，由于两个电容器的上极板分别与数据线同层设置，因此电容器上极板可以与数据线一样不同层设置。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年06月20 日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-8不具备创造性。对于复审请求人的意见，合议组认为：对比文件2涉及显示面板，与本申请的技术领域相近，其解决的技术问题是防止数据线之间短路和串扰也与本申请要解决的技术问题相同，对比文件2采用了将相邻数据线设置于不同结构层中的技术手段，获得了防串扰和防短路的技术效果，因此对比文件2给出了将该技术手段应用于最接近的现有技术的启示，本领域技术人员将对比文件2的教导应用于最接近的现有技术是显而易见的；此外，现有技术中两个子像素的存储电容器的第二电极板可以整体地形成，也可以分开地形成（参见对比文件2的附图14及相应说明书部分），因此非整体形成的两个上电极板是本领域的公知常识。如合议组在具体审查意见中所述，子像素中存储电容的尺寸可相同或不同，这是根据器件的实际目标性能而设置的，而电容值又取决于电极板的面积和电极板的距离，本领域技术人员根据需要设置每个电容的电极板大小或每对电极板的距离以获得所需性能的器件是容易想到的。此外，本申请为了缩小同层间距，进而缩小像素面积，采用了将第一数据线与第二存储电容的上极板设置为同层，第二数据线和第一存储电容的上极板设置为同层的技术手段，该技术手段在现有独立权利要求中并未得到体现。因此，合议组对复审请求人的意见不予支持。
复审请求人于2019年07月19日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文替换页（共8项权利要求）。在修改后的权利要求书中，复审请求人将技术特征“所述第一子像素还包括第一开关晶体管和第一驱动晶体管，所述第二子像素还包括第二开关晶体管和第二驱动晶体管，所述第一开关晶体管的源极连接第一数据线，所述第二开关晶体管的源极连接第二数据线，所述第一数据线和所述第二存储电容的上极板设置在同一层，所述第二数据线和所述第一存储电容的上极板设置在同一层”分别加入独立权利要求1和5中，复审请求人认为：对比文件1没有公开技术特征“同一像素组内的两个子像素各自连接的数据线位于不同结构层上，同一像素组内的两个子像素的存储电容的上极板位于不同结构层上；第一数据线和第二存储电容的上极板设置在同一层，第二数据线和第一存储电容的上极板设置在同一层”；对比文件2不存在像素组的概念，没有公开技术特征“同一像素组内的两个子像素各自连接的数据线位于不同结构层上”，且涉及的技术领域与对比文件1的不同，其并未采用像素组矩阵排列的方式，相邻的两个子像素也并非连接同一电源线，更没有沿该电源线镜像排列，因此对比文件2的结构与对比文件1的结构不能轻易地结合在一起；本领域的惯用手段是将子像素的存储电容的上极板设置在同一层，因此子像素的存储电容的上极板设置在不同层不是本领域的公知常识，本领域技术人员试图要调整上极板的布置方式不可能轻易地想到如果进行合理的工艺整合从而找到合适的解决方案以达到缩小同层数据线和存储电容上极板的间距的目的；此外，“第一数据线和第二存储电容的上极板设置在同一层，第二数据线和第一存储电容的上极板设置在同一层”有利于缩小同层数据线和存储电容上极板的间距，进一步缩小像素面积，提升OLED显示面板的PPI。因此本申请具备创造性。
复审请求人于2019年07月19日提交的权利要求1-2、5-6如下：
“1. 一种OLED显示面板，其特征在于，包括形成于一基板上的扫描线、数据线和电源线，所述扫描线和数据线定义了以矩阵方式排列的多个像素组，每个像素组内具有两个子像素，同一像素组内的两个子像素连接同一电源线并沿该电源线镜像排列，且同一像素组内的两个子像素各自连接的数据线位于不同结构层上；每个像素组内的两个子像素分别为第一子像素和第二子像素，所述第一子像素包括第一存储电容，所述第二子像素包括第二存储电容，所述第一存储电容的上极板和第二存储电容的上极板位于不同结构层上，其中，所述第一子像素还包括第一开关晶体管和第一驱动晶体管，所述第二子像素还包括第二开关晶体管和第二驱动晶体管，所述第一开关晶体管的源极连接第一数据线，所述第二开关晶体管的源极连接第二数据线，所述第一数据线和所述第二存储电容的上极板设置在同一层，所述第二数据线和所述第一存储电容的上极板设置在同一层。
2. 如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一数据线、第二数据线和电源线相互平行，所述扫描线与所述电源线相互垂直，并且，所述第一数据线和第二数据线、所述第一存储电容和第二存储电容、所述第一开关晶体管和第二开关晶体管、所述第一驱动晶体管和第二驱动晶体管均沿所述电源线镜像对称。
5. 一种OLED显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
在一基板上形成扫描线、数据线、电源线、由所述扫描线和数据线定义的以矩阵方式排列的多个像素组；
其中，每个像素组内具有两个子像素，同一像素组内的两个子像素连接同一电源线并沿该电源线镜像排列，且同一像素组内的两个子像素各自连接的数据线位于不同结构层上；每个像素组内的两个子像素分别为第一子像素和第二子像素，所述第一子像素包括第一存储电容，所述第二子像 素包括第二存储电容，所述第一存储电容的上极板和第二存储电容的上极板位于不同结构层上，其中，所述第一子像素还包括第一开关晶体管和第一驱动晶体管，所述第二子像素还包括第二开关晶体管和第二驱动晶体管，所述第一开关晶体管的源极连接第一数据线，所述第二开关晶体管的源极连接第二数据线，所述第一数据线和所述第二存储电容的上极板设置在同一层，所述第二数据线和所述第一存储电容的上极板设置在同一层。
6. 如权利要求5所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一数据线、第二数据线和电源线相互平行，所述扫描线与所述电源线相互垂直，并且，所述第一数据线和第二数据线、所述第一存储电容和第二存储电容、所述第一开关晶体管和第二开关晶体管、所述第一驱动晶体管和第二驱动晶体管均沿所述电源线镜像对称。 ”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
决定的理由
（1）审查文本的认定
复审请求人于2019年07月19日答复复审通知书时，提交了权利要求书的全文替换页（包括权利要求第1-8项）。经审查，该修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。本复审决定所依据的文本为：复审请求人于2019年07月19日提交的权利要求第1-8项，于申请日2016年03月16日提交的说明书摘要、说明书第1-231段、摘要附图；2016年04月15日提交的说明书附图图1-23c。
（2）具体理由的阐述
专利法第22条第3款的规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步。
一项权利要求请求保护的技术方案与最接近的一篇现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，如果部分区别技术特征既未被其它现有技术所公开，也不是本领域的公知常识，并且由于该部分区别技术特征的存在，本申请能获得有益的技术效果，则认为该项权利要求请求保护的技术方案具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
本复审决定所引用的对比文件与驳回决定和复审通知书中的相同，为：
对比文件1：CN1728895A，公开日为2006年02月01日；
对比文件2：CN102023401A，公开日为2011年04月20日。
权利要求1请求保护一种OLED显示面板。对比文件1（说明书第4-11页，附图4-14）公开了一种有机电致发光显示装置，包括：形成于基板181上的扫描线130、数据线120和电源线170，扫描线130和数据线120定义了以矩阵形式排列的多个像素组，每个像素组包括第一子像素和第二子像素，两个子像素与同一电源线相连，关于电源线对称设置，每个子像素包括开关晶体管、驱动晶体管、存储电容和电致发光结构。权利要求1与对比文件1的区别技术特征是：①同一像素组内的两个子像素各自连接的数据线位于不同结构层上，②第一存储电容的上极板和第二存储电容的上极板位于不同结构层上，③所述第一数据线和所述第二存储电容的上极板设置在同一层，所述第二数据线和所述第一存储电容的上极板设置在同一层。
基于该区别技术特征确定权利要求1实际所要解决的技术问题是如何降低串扰防止短路、如何设置存储电容以及如何缩小像素面积。
对于区别技术特征①，对比文件2（说明书第4-70段，附图1-20）公开了一种TFT-LCD阵列基板，包括：现有LCD阵列基板结构的数据线均为同层设置，且在同一构图工艺中形成，相邻数据线之间没有介质阻隔，增加了相邻数据线之间发生短路的几率，容易发生串扰现象。为此，通过将第二数据线设置在栅绝缘层之下、第一数据线设置在栅绝缘层之上，即相邻的第一数据线与第二数据线分别设置在不同的结构层上，使同层相邻的数据线之间的距离增加了一倍，使不同层相邻的数据线之间由栅绝缘层隔离，因此有效减少了相邻数据线之间发生短路的几率，消除了相邻数据线之间的串扰；如图1-5所示，第一数据线12a与第二数据线12b间隔设置，二者分别位于栅绝缘层的上下两侧。由此可见，对比文件2公开了通过将相邻数据线设置于不同结构层以防止短路消除串扰的技术方案，因而给出了解决数据线之间短路和串扰问题的技术启示，本领域技术人员将对比文件2的教导应用于对比文件1中是显而易见的。
对于区别技术特征②，本领域中根据器件的目标性能需要可以将子像素中的存储电容设置为相同或不同的尺寸，而存储电容的电容值由电容极板的面积和极板间的距离来决定是本领域的公知常识，因此本领域技术人员根据器件的实际需要选择通过调节极板的面积或极板间的距离（即上下极板间电介质层的厚度，亦即存储电容的上极板位于不同结构层上）来获得所需目标性能的器件是容易想到的，不需要付出创造性劳动，其技术效果是可预期的。
对于区别技术特征③，对比文件2未公开该区别技术特征，该区别技术特征也不是本领域的公知常识。正是由于该区别技术特征的存在，本申请能够获得进一步缩小像素面积以提升OLED显示面板的PPI的有益效果。
因此，权利要求1相对于对比文件1和对比文件2的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，因而符合专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2-4分别直接或间接地引用了权利要求1，在其引用的权利要求具备创造性的前提下，权利要求2-4也具备创造性。
权利要求5请求保护一种OLED显示面板的制造方法。对比文件1（说明书第4-11页，附图4-14）公开了一种有机电致发光显示装置的制造方法，包括：在基板181上形成扫描线130、数据线120和电源线170，扫描线130和数据线120定义了以矩阵形式排列的多个像素组，每个像素组包括第一子像素和第二子像素，两个子像素与同一电源线相连，关于电源线对称设置，每个子像素包括开关晶体管、驱动晶体管、存储电容和电致发光结构。权利要求5与对比文件1的区别技术特征是：①同一像素组内的两个子像素各自连接的数据线位于不同结构层上，②第一存储电容的上极板和第二存储电容的上极板位于不同结构层上；③所述第一数据线和所述第二存储电容的上极板设置在同一层，所述第二数据线和所述第一存储电容的上极板设置在同一层。
基于该区别技术特征确定权利要求5实际所要解决的技术问题是如何降低串扰防止短路、如何设置存储电容以及如何缩小像素面积。
对于区别技术特征①，对比文件2（说明书第4-70段，附图1-20）公开了一种TFT-LCD阵列基板，包括：现有LCD阵列基板结构的数据线均为同层设置，且在同一构图工艺中形成，相邻数据线之间没有介质阻隔，增加了相邻数据线之间发生短路的几率，容易发生串扰现象。为此，通过将第二数据线设置在栅绝缘层之下、第一数据线设置在栅绝缘层之上，即相邻的第一数据线与第二数据线分别设置在不同的结构层上，使同层相邻的数据线之间的距离增加了一倍，使不同层相邻的数据线之间由栅绝缘层隔离，因此有效减少了相邻数据线之间发生短路的几率，消除了相邻数据线之间的串扰；如图1-5所示，第一数据线12a与第二数据线12b间隔设置，二者分别位于栅绝缘层的上下两侧。由此可见，对比文件2公开了通过将相邻数据线设置于不同结构层以防止短路消除串扰的技术方案，因而给出了解决数据线之间短路和串扰问题的技术启示，本领域技术人员将对比文件2的教导应用于对比文件1中是显而易见的。
对于区别技术特征②，本领域中根据器件的目标性能需要可以将子像素中的存储电容设置为相同或不同的尺寸，而存储电容的电容值由电容极板的面积和极板间的距离来决定是本领域的公知常识，因此本领域技术人员根据器件的实际需要选择通过调节极板的面积或极板间的距离（即上下极板间电介质层的厚度，亦即存储电容的上极板位于不同结构层上）来获得所需目标性能的器件是容易想到的，不需要付出创造性劳动，其技术效果是可预期的。
对于区别技术特征③，对比文件2未公开该区别技术特征，该区别技术特征也不是本领域的公知常识。正是由于该区别技术特征的存在，本申请能够获得进一步缩小像素面积以提升OLED显示面板的PPI的有益效果。
因此，权利要求5相对于对比文件1和对比文件2的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，因而符合专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求6-8分别直接或间接地引用了权利要求5，在其引用的权利要求具备创造性的前提下，权利要求6-8也具备创造性。
至于本申请中是否存在其它不符合专利法和专利法实施细则规定的问题，由后续程序继续审查。
基于上述事实与理由，本案合议组依法作出以下决定。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018年11月01日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门在2019年07月19日提交的权利要求第1-8项，申请日2016年03月16日提交的说明书摘要、说明书第1-231段、摘要附图；2016年4月15日提交的说明书附图的基础上对本申请继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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