发明创造名称：半导体元件搭载用基板及其制造方法
外观设计名称：
决定号：194856
决定日：2019-11-13
委内编号：1F276856
优先权日：2012-11-20
申请（专利）号：201380060226.4
申请日：2013-11-01
复审请求人：大口电材株式会社
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：白若鸽
合议组组长：钱丹娜
参审员：王晓峰
国际分类号：H01L23/12
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，该区别技术特征一部分被其他对比文件公开，且在该对比文件中所起的作用与本申请相同，另一部分区别技术特征属于本领域的公知常识，该技术方案是本领域技术人员在最接近现有技术的基础上结合其他对比文件和本领域的公知常识可以得到的，则该权利要求请求保护的技术方案是显而易见的，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201380060226.4，名称为“半导体元件搭载用基板及其制造方法”的发明专利申请（下称“本申请”）。申请人为大口电材株式会社。本申请的申请日为2013年11月01日，优先权日为2012年11月20日，进入中国国家阶段日为2015年05月19日，公开日为2015年07月29日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年12月05日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-7不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定中所引用的对比文件如下：
对比文件1：CN102446774A，公开日为2012年05月09日；
对比文件3：CN1989611A，公开日为2007年06月27日。
驳回决定的具体理由是：权利要求1请求保护一种半导体元件搭载用基板的制造方法，权利要求1所要求保护的技术方案与对比文件1相比，区别技术特征在于：步骤（g）使在所述(e)的工序中形成了的层叠的镀敷层的侧面粗化成SRa为0.4～0.5μm的表面粗糙度的工序。基于上述区别，该权利要求的技术方案实际要解决的技术问题是：如何增加镀敷层侧面与密封材料的附着力。对比文件3公开了：导电部20（相当于镀敷层）的侧面60a被粗糙化，而且其作用也是增加导电部侧面与密封树脂的附着力。在对比文件3的技术启示下，本领域技术人员有动机将对比文件1的由多个层构成的层叠的镀层10的侧面进行粗糙化。本领域技术人员基于层叠的镀敷层的材料、形状、角度以及密封材料的性质，以增加镀敷层侧面与密封材料的附着力为目的，容易想到对侧面的粗糙度进行设置以便获得最佳附着力。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件3和公知常识以得到该权利要求请求保护的技术方案对本领域技术人员是显而易见的，该权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求6请求保护一种半导体元件搭载用基板，权利要求6所要求保护的技术方案与对比文件1相比，区别技术特征在于：使所述形成了的层叠的镀敷层的侧面粗化的工序，所述层叠的镀敷层的侧面是SRa为0.4～0.5μm的表面粗糙度的粗化面。基于上述区别，该权利要求的技术方案实际要解决的技术问题是：如何增加镀敷层侧面与密封材料的附着力。基于相同理由，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求2-4的附加技术特征已被对比文件1公开了；权利要求5的附加技术特征是本领域的惯用技术手段；权利要求7的部分附加技术特征已被对比文件1公开了，其余附加技术特征是本领域技术人员容易想到且容易实现的。因此，该些权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
驳回决定所依据的文本为2015年05月19日进入中国国家阶段时提交的说明书第1-99段、说明书附图图1-1至图3、说明书摘要、摘要附图；2017年11月29日提交的权利要求第1-7项。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种半导体元件搭载用基板的制造方法，其特征在于，
依次经过下述(a)～(g)的工序：
(a)在金属板的表面，使用将各自不同的波长设计成主要的感光波长的2种抗蚀剂，形成由下抗蚀剂层和上抗蚀剂层这2层构成的抗蚀剂层的工序；
(b)在所述下抗蚀剂层未曝光的状态下，按照预定图案对所述上抗蚀剂层进行曝光的工序；
(c)显影工序，在所述上抗蚀剂层中形成预定图案的开口部，从所述开口部，针对未曝光状态的所述下抗蚀剂层，通过所述上抗蚀剂层的图案来形成开口部而部分性地露出所述金属板的表面；
(d)对所述下抗蚀剂层进行曝光而使得硬化的工序；
(e)在从所述下抗蚀剂层露出了的所述金属板的表面，形成层叠的镀敷层的工序，其中，该层叠的镀敷层是剖面形状为逆梯形形状且由多个层构成的层叠的镀敷层，并且所述金属板和所述层叠的镀敷层的斜边所形成的角处于65度以上且70度以下的范围；
(f)剥离包括由所述下抗蚀剂层和上抗蚀剂层这2层构成的抗蚀剂层在内的所有抗蚀剂层的工序；以及
(g)使在所述(e)的工序中形成了的层叠的镀敷层的侧面粗化成SRa为0.4～0.5μm的表面粗糙度的工序。
2. 根据权利要求1所述的半导体元件搭载用基板的制造方法，其特征在于，
在所述(c)的显影工序中，
关于所述下抗蚀剂层，通过从设置于所述上抗蚀剂层的开口部起使显影进展，部分性地露出所述金属板的表面，并在所述下抗蚀剂层中形成开口部，
从而在所述下抗蚀剂层中设置了的开口部的剖面是逆梯形形状。
3. 根据权利要求1或者2所述的半导体元件搭载用基板的制造方 法，其特征在于，
将所述下抗蚀剂层和上抗蚀剂层合起来的2层的抗蚀剂层的厚度大于在(e)的工序中形成的在金属板的表面形成了的所述层叠的镀敷层的厚度。
4. 根据权利要求1～3中的任意一项所述的半导体元件搭载用基板的制造方法，其特征在于，
在所述(b)的工序中，在用于曝光的光源与形成了预定图案的掩模之间设置从光源的光提取预定波长的光的滤光器，使用通过所述滤光器提取了的预定波长的光而仅对所述上抗蚀剂层进行曝光。
5. 根据权利要求1～4中的任意一项所述的半导体元件搭载用基板的制造方法，其特征在于，
在所述(g)的工序中，通过利用有选择性的蚀刻液处理对所述金属板的表面露出了的部分实施期望的镀敷而形成了的层叠的镀敷层的图案侧面，在图案侧面形成粗化面。
6. 一种半导体元件搭载用基板，其特征在于，依次经过如下工序制造：
在所述金属板的表面，使用主要的感光波长不同的抗蚀剂，形成由下抗蚀剂层和上抗蚀剂层这2层构成的抗蚀剂层的工序；
在所述下抗蚀剂层未曝光的状态下，按照预定的图案仅对所述上抗蚀剂层进行曝光的工序；
显影工序，在所述上抗蚀剂层中，按照预定的图案形成开口部，从所述开口部，针对未曝光的所述下抗蚀剂层，通过所述上抗蚀剂层的图案来形成开口部而部分性地露出所述金属板的表面；
对所述下抗蚀剂层进行曝光而使得硬化的工序；
在从所述下抗蚀剂层露出了的所述金属板的表面，形成由多个层构成的层叠的镀敷层的工序；
剥离包括由所述下抗蚀剂层和上抗蚀剂层这2层构成的抗蚀剂层在内的所有抗蚀剂层的工序；以及
使形成了的所述层叠的镀敷层的侧面粗化的工序，
其中，所述层叠的镀敷层的剖面形状是逆梯形的形状，且所述金属板和所述层叠的镀敷层的斜边所形成的角处于65度以上且70度以下的范围，并且所述层叠的镀敷层的侧面是SRa为0.4～0.5μm的表面粗糙度的粗化面。
7. 根据权利要求6所述的半导体元件搭载用基板，其特征在于，
在所述金属板的表面形成的构成层叠的镀敷层的多个镀敷层中，占据镀敷层厚度最大的部位的镀敷层由铜、镍、或者它们的合金组成物形成。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年03月19日向国家知识产权局提出了复审请求，但未修改申请文件。复审请求人认为：（1）对比文件1仅公开了将电极（镀敷层）形成为逆梯形形状，对比文件3中虽然公开了导电部20的侧面60a的粗化，但是没有公开如本申请那样的“粗糙度的范围”。而且，在对比文件3中，突出部分20a的锚固效果和导电部20的侧面60a的粗糙化一起产生作用，仅靠侧面60a的对紧贴性的贡献是不清楚的，其粗糙度的范围必然不同于本申请的侧面的粗化面中的“粗糙度的范围”。而且，对比文件3的金属箔60由单一材料构成，并不是如本申请那样的由多个层构成的层叠的镀敷层的侧面，从这一点也可知侧面60a的“粗糙度的范围”与本申请不同且很难想到。（2）本申请采用的是“面粗糙度”，是一种的“3维算术平均粗糙度”，是面整体的粗糙度的算术平均，是排除了对比文件3的“线粗糙度”所具有的各种偏差导致的不确定性的值，并且评价了面整体的起伏状态。“面粗糙度”并不只是选择常见的一种参数，而是基于确定的理由而选择的，并不是能够容易引用的。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年03月27日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：（1）对比文件1（具体参见说明书第[0026]，[0041]，[0048]段、附图1的(7))公开：形成截面形状呈倒梯形的镀层10，且镀层10可以由多种镀层层叠形成。此外，对比文件3（具体参见说明书第7页第4-6行）明确公开了“导电部侧面60a粗糙化与密封树脂40坚固地啮合，导电部20和密封树脂40的粘结强度得到提高”，即导电部20的粗糙化侧面60a的作用是清楚的，而且不依赖于突出部分20a。在将对比文件3公开的粗糙化应用到对比文件1公开的层叠的倒梯形镀层10时，本领域技术人员容易想到对侧面的粗糙度范围进行合理选择以便能够获得最好的粘结强度。（2）本领域有多种可以表征物体粗糙度的参数，本申请所采用的“面粗糙度”也是一种常见参数，其物理含义、测量方式和优缺点也被本领域技术人员所公知，本领域技术人员容易想到采用“面粗糙度”表征电极表面粗糙度，并通过有限次试验得到选择合适的粗糙度范围，以便能够获得最好的粘结强度。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。合议组于2019年06月13日向复审请求人发出复审通知书，在复审通知书中引用对比文件1和对比文件3，并指出：权利要求1-7不具备专利法第22条第3款规定的创造性。对于复审请求人提出的意见，合议组认为：（1）对比文件1（参见说明书第26、41、48、50段、附图1)公开了：形成截面形状呈倒梯形的镀层10。且镀层10可以由多种镀层层叠形成，根据需要能够选择金、钯、镍、铜、钴等以及它们的合金的镀层，并依次层叠而成。形成的截面呈倒梯形形状的镀层10的斜边与金属板20之间的角度为65°～78°。此外，对比文件3（参见说明书第7页第4-6行）明确公开了“导电部侧面60a粗糙化与密封树脂40坚固地啮合，导电部20和密封树脂40的粘结强度得到提高”，即导电部20的粗糙化侧面60a的作用是清楚的，而且不依赖于突出部分20a。在将对比文件3公开的粗糙化应用到对比文件1公开的层叠的倒梯形镀层10时，本领域技术人员容易想到对侧面的粗糙度范围进行合理选择以便能够获得最好的粘结强度。（2）本领域有多种可以表征物体粗糙度的参数，本申请所采用的“面粗糙度”也是一种常见参数，其物理含义、测量方式和优缺点也被本领域技术人员所公知，本领域技术人员容易想到采用“面粗糙度”表征电极表面粗糙度，并通过有限次试验得到选择合适的粗糙度范围，以便能够获得最好的粘结强度。因此，复审请求人陈述的理由不成立。
复审请求人于2019年07月24日提交了意见陈述书，但未修改申请文件。复审请求人认为：本申请同时具有三个特征： 第一，将镀敷层限定为“层叠的镀敷层”并且该“层叠的镀敷层”的侧面是倾料面，同时具有其表面粗糙度SRa为0.4-0.5微米的粗化面构造；第二，该“层叠的镀敷层”的剖面形状是大致逆梯形的形状；第三，金属板与该“层叠的镀敷层”的斜边所形成的角度是65度以上且70度以下。具有这三点特征的构成要素使基板与树脂之间的紧贴性变得良好；对比文件3通过“突出部分20a”的“锚固效果”和“导电部20的侧面60a”的“表面粗糙度”这两个方式防止“导电部20”和“密封树脂40”的剥离；这样的构造与本申请对表面粗糙度的要求存在很大差异。因此本申请具有创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）、审查文本的认定
复审请求人在复审审查阶段未修改申请文件。本复审决定针对的文本是2015年05月19日进入中国国家阶段时提交的说明书第1-99段、说明书附图图1-1至图3、说明书摘要、摘要附图；2017年11月29日提交的权利要求第1-7项。
（二）、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，该区别技术特征一部分被其他对比文件公开，且在该对比文件中所起的作用与本申请相同，另一部分区别技术特征属于本领域的公知常识，该技术方案是本领域技术人员在最接近现有技术的基础上结合其他对比文件和本领域的公知常识可以得到的，则该权利要求请求保护的技术方案是显而易见的，不具备创造性。
在本复审决定中的对比文件如下：
对比文件1：CN102446774A，公开日为2012年05月09日；
对比文件3：CN1989611A，公开日为2007年06月27日。
其中，对比文件1为最接近的现有技术。
权利要求1-7不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
1、权利要求1请求保护一种半导体元件搭载用基板的制造方法，对比文件1公开了一种半导体元件安装用基板的制造方法（参见说明书第8-50段，附图1-2）：（参见说明书第29-41段）使用厚度为0.15mm的SUS430作为金属板20，在其两面通过层压厚度为50μm的薄膜抗蚀剂形成了抗蚀剂层30。该层压的薄膜抗蚀剂为负型抗蚀剂，能够通过i射线照射(感光波长：365nm)进行曝光。接着，只在形成上述抗蚀剂层30的金属板的正面侧，以后将形成镀层10的一侧，通过以与上述抗蚀剂层30重叠的方式，在与上述同样的条件下层压厚度为25μm的薄膜抗蚀剂而形成了抗蚀剂层40，该薄膜抗蚀剂的感光波长与抗蚀剂层30的薄膜抗蚀抗剂不同。该薄膜抗蚀剂也为负型抗蚀剂，能够通过h射线照射(感光波长：405nm)进行曝光。由此，在金属板20的正面侧形成感光波长不同的2层抗蚀剂层30、40，在背面侧形成与正面侧的下层相同的抗蚀剂层30。接着，在正面侧的上层的抗蚀剂层40上覆盖按照规定的图案形成的掩模50，该掩模50与曝光用的光源之间设置波长为405nm的带通滤波器60。然后，通过使用光源为主波长是i射线且包含h射线和g射线的混合射线70的水银灯进行曝光，利用405nm的紫外光使正面侧的上层的抗蚀剂层40按照规定的图案感光并固化。此时，在正面侧，借助405nm的带通滤波器60，利用h射线照射71进行曝光，下层的抗蚀剂层30处于未曝光的状态。接着，通过进行显影处理，使正面侧的上层的抗蚀剂层40形成规定的图案，成为形成有开口部的抗蚀剂层41。然后，从上层的抗蚀剂层41的开口部对未曝光的下层的抗蚀剂层30进行显影，使金属板正面暴露出。经上述处理的正面侧的下层的抗蚀剂层31，形成截面形状呈倒梯形的开口部。接着，利用混合射线70对正面侧未曝光的抗蚀剂层31进行整面曝光使其固化。然后，对从在正面侧按照规定的图案形成有开口部的抗蚀剂层31暴露出的金属板20的正面进行表面氧化被膜去除处理及一般的镀层前处理的表面活性化处理，之后，进行镀镍处理形成厚度为40μm的镀层10。之后，利用碱性溶液将形成在金属板20两面的抗蚀剂层31、41全部剥离，从而获得半导体元件安装用基板。并且，形成的截面呈倒梯形形状的镀层10的斜边与金属板之间的角度为75°～80°。此外，要形成的镀层可以由多种镀层层叠形成，根据需要能够选择金、钯、镍、铜、钴等以及它们的合金的镀层，并依次层叠而成。（参见说明书第48、50段）对从按照规定的图案形成的抗蚀剂层31暴露出的金属板20的正面进行一般的镀层前处理的表面活性化处理，之后，依次进行厚度为0.05微米的镀金处理、厚度为0.1微米的镀钯处理、厚度为65微米的镀镍处理、厚度为0.1微米的镀钯处理、厚度为0.8微米的镀金处理，形成镀层10。形成的截面呈倒梯形形状的镀层10的斜边与金属板20之间的角度为65°～78°。该权利要求所要求保护的技术方案与对比文件1的区别特征是：步骤（g）使在所述(e)的工序中形成了的层叠的镀敷层的侧面粗化成SRa为0.4～0.5μm的表面粗糙度的工序。基于上述区别特征，该权利要求的技术方案实际要解决的技术问题是：如何增加镀敷层侧面与密封材料的附着力。
对比文件3公开了：（参见说明书具体实施方式部分第4-5段）导电部20的金属箔60的侧面60a被粗糙化，使之变得粗糙而与密封树脂40坚固地啮合。（参见说明书第9页第3段，图8）如图8(a)所示，准备作为导电部的原料由铜或铜合金构成的金属箔60。作为该金属箔60，基于强度的考虑，使用厚度为0.01～0.1mm（相当于10～100微米）金属箔。（参见说明书第14页第2段）浸渍在(硫酸 过氧化氢)系药液中，处理铜箔60的侧面60a，控制粗糙化使Ra(表面粗糙度)成为0.2μm以上，粗糙化。此外，镀敷层的侧面粗化成SRa为0.4～0.5μm是本领域技术人员能够通过常规手段得到，并且所起的作用也是为了在保证电极本身坚固可靠的前提下，提高电极与封装树脂之间的粘接强度，并没有产生预料不到的技术效果。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件3以及本领域技术人员的常规手段得到该权利所要求保护的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，该权利要求不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2、对于从属权利要求2，对比文件1公开了：（参见说明书第35段）从上层的抗蚀剂层41的开口部对未曝光的下层的抗蚀剂层30进行显影，使金属板正面暴露出。经上述处理的正面侧的下层的抗蚀剂层31，形成截面形状呈倒梯形的开口部。
对于从属权利要求3，对比文件1公开了：（参见说明书第29段）在金属板20两面通过层压厚度为50μm的薄膜抗蚀剂形成了抗蚀剂层30；（参见说明书第30段）只在形成上述抗蚀剂层30的金属板的正面侧，以后将形成镀层10的一侧，通过以与上述抗蚀剂层30重叠的方式，在与上述同样的条件下层压厚度为25μm的薄膜抗蚀剂而形成了抗蚀剂层40；（参见说明书第37段）之后，进行镀镍处理形成厚度为40μm的镀层10（相当于50微米 25微米=75微米，75微米<>
对于从属权利要求4，对比文件1公开了：（参见说明书第32-34段）在正面侧的上层的抗蚀剂层40上覆盖按照规定的图案形成的掩模50，该掩模50与曝光用的光源之间设置波长为405nm的带通滤波器60。然后，通过使用光源为主波长是i射线且包含h射线和g射线的混合射线70的水银灯进行曝光，利用405nm的紫外光使正面侧的上层的抗蚀剂层40按照规定的图案感光并固化。此时，在正面侧，借助405nm的带通滤波器60，利用h射线照射71进行曝光，下层的抗蚀剂层30处于未曝光的状态。
可见，对比文件1公开了权利要求2-4的附加技术特征。因此在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，上述权利要求也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
3、对于从属权利要求5，使用有选择性的蚀刻液对金属图案粗糙化是本领域的公知常识。因此在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，该权利要求也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
4、权利要求6请求保护一种半导体元件搭载用基板，对比文件1公开了一种半导体元件安装用基板的制造方法（参见说明书第8-50段，附图1-2）：这部分内容与权利要求1的评述相同，请参阅权利要求1的评述。权利要求6请求保护的技术方案和对比文件1相比，区别特征为：层叠的镀敷层的侧面粗化成SRa为0.4～0.5μm的表面粗糙度的粗化面。基于上述区别特征，该权利要求的技术方案实际要解决的技术问题是：如何增加镀敷层侧面与密封材料的附着力。对比文件3公开了：（参见说明书具体实施方式部分第4-5段）导电部20的金属箔60的侧面60a被粗糙化，使之变得粗糙而与密封树脂40坚固地啮合。（参见说明书第9页第3段，图8）如图8(a)所示，准备作为导电部的原料由铜或铜合金构成的金属箔60。作为该金属箔60，基于强度的考虑，使用厚度为0.01～0.1mm（相当于10～100微米）金属箔。（参见说明书第14页第2段）浸渍在(硫酸 过氧化氢)系药液中，处理铜箔60的侧面60a，控制粗糙化使Ra(表面粗糙度)成为0.2μm以上，粗糙化。此外，镀敷层的侧面粗化成SRa为0.4～0.5μm是本领域技术人员能够通过常规手段得到，并且所起的作用也是为了在保证电极本身坚固可靠的前提下，提高电极与封装树脂之间的粘接强度，并没有产生预料不到的技术效果。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件3以及本领域技术人员的常规手段得到该权利所要求保护的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，该权利要求不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
5、对于从属权利要求7，对比文件1公开了（参见说明书第48段）：依次进行厚度为0.05μm的镀金处理、厚度为0.1μm的镀钯处理、厚度为65μm的镀镍处理、厚度为0.1μm的镀钯处理、厚度为0.8μm的镀金处理，形成镀层10（相当于厚度最大的部位由镍形成）。此外，由铜、或铜与镍的合金也是常用材料，由它们构成厚度最大的部位也是本领域的公知常识。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该从属权利要求也不具备创造性。
（三）、针对复审请求人相关意见
合议组认为：对比文件1（参见说明书第26、41、48、50段、附图1)公开了：形成截面形状呈倒梯形的镀层10。且镀层10可以由多种镀层层叠形成，根据需要能够选择金、钯、镍、铜、钴等以及它们的合金的镀层，并依次层叠而成。形成的截面呈倒梯形形状的镀层10的斜边与金属板20之间的角度为65°～78°。此外，对比文件3（参见说明书第7页第4-6行）明确公开了“导电部侧面60a粗糙化与密封树脂40坚固地啮合，导电部20和密封树脂40的粘结强度得到提高”，即导电部20的粗糙化侧面60a的作用是清楚的；在将对比文件3公开的粗糙化应用到对比文件1公开的层叠的倒梯形镀层10时，本领域技术人员容易想到对侧面的粗糙度范围进行合理选择以便能够获得最好的粘结强度。对比文件1公开的形成截面形状呈倒梯形的镀层10与本申请逆梯形的镀敷层结构类似，对比文件3公开了导电部侧面60a粗糙化与密封树脂40坚固地啮合，本领域技术人员有理由将两者结合并选择恰当的表面粗糙度。因此，复审请求人的意见不能被接受。
基于以上理由，合议组依法作出如下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年12月05日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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