发明创造名称：封装结构及其制法
外观设计名称：
决定号：195770
决定日：2019-11-20
委内编号：1F281636
优先权日：2014-11-17
申请（专利）号：201410763635.7
申请日：2014-12-11
复审请求人：矽品精密工业股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：赵颖
合议组组长：王文杰
参审员：王晓峰
国际分类号：H01L23/48,H01L23/485,H01L21/60,H01L21/56
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果权利要求与作为最接近现有技术的对比文件相比，存在区别技术特征，而区别技术特征是本领域的常规选择，那么获得权利要求请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，该权利要求不具有创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201410763635.7，名称为“封装结构及其制法”的发明专利申请(下称“本申请”)。申请人为矽品精密工业股份有限公司。本申请的申请日为2014年12月11日，优先权日为2014年11月17日，公开日为2016年07月06日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2019年01月21日发出驳回决定，驳回了本申请，其中引用了对比文件1：CN102456584A，公开日为2012年05月16日。
驳回理由是：权利要求1-13不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定指出：权利要求1与对比文件1相比，区别技术特征为：1、还包括线路层，其自该包覆层的第一表面嵌埋于该包覆层，导电柱立设于该线路层上，且导电柱的第一端结合至该线路层；2、绝缘保护层，其形成于该包覆层的第二表面上并外露部分该线路重布层。基于上述区别技术特征，可以确定本申请实际解决的技术问题是提高结合强度以及实现绝缘保护。然而，为了提高线路层与导电柱的结合强度设置自包覆层的第一表面嵌埋于包覆层中的线路层以及进一步使得导电柱立设于该线路层上且导电柱的第一端结合至该线路层是本领域技术人员的常规选择，而为了实现绝缘保护将绝缘保护层形成于包覆层的第二表面上并外露部分线路层也是本领域技术人员的常规选择。因此，在对比文件1的基础上结合本领域技术人员的常规选择以获得权利要求1所要求保护的技术方案对本领域的技术人员来说是显而易见的，权利要求1不具备创造性。权利要求2、4的附加技术特征是本领域技术人员的常规选择。权利要求3、6的附加技术特征被对比文件1公开。权利要求5的附加技术特征一部分是本领域技术人员的常规选择，另一部分被对比文件1公开。因此当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求2-6也不具备创造性。权利要求7请求保护一种封装结构的制法，权利要求7与对比文件1相比，区别技术特征为：1、准备一具有线路层的第一承载件，导电柱形成于该线路层上且导电柱的第一端结合至该线路层，包覆层包覆该线路层；2、形成绝缘保护层于该包覆层的第二表面上并外露部分该线路重布层。基于上述区别技术特征，可以确定本申请实际解决的技术问题是提高结合强度以及实现绝缘保护。然而，为了提高线路层和导电柱的结合强度在第一承载件上设置线路层，同时使得导电柱形成于该线路层上且导电柱的第一端结合至该线路层以及进一步使得包覆层包覆线路层是本领域技术人员的常规选择，而为了实现绝缘保护形成绝缘保护层于包覆层的第二表面上并外露部分该线路重布层也是本领域技术人员的常规选择。因此，在对比文件1的基础上结合本领域技术人员的常规选择以获得权利要求7所要求保护的技术方案对本领域的技术人员来说是显而易见的，权利要求7不具备创造性。权利要求8、10、12的附加技术特征是本领域技术人员的常规选择。权利要求9、13的附加技术特征被对比文件1公开。权利要求11的附加技术特征一部分是本领域技术人员的常规选择，另一部分被对比文件1公开。因此当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求8-13也不具备创造性。
驳回决定所依据的文本为：2014年12月11日提交的说明书第1-105段、说明书附图图1A-2H″、说明书摘要和摘要附图、2018年04月03日提交的权利要求第1-13项。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种封装结构，其特征为，该封装结构包括：
包覆层，其具有相对的第一表面与第二表面；
线路层，其自该包覆层的第一表面嵌埋于该包覆层；
至少一电子组件，其嵌埋于该包覆层中；
多个导电柱，其嵌埋于该包覆层中并立设于该线路层上，且该导电柱具有相对的第一端及第二端，并以其第一端结合至该线路层；
至少一线路重布层，其形成于该包覆层的第二表面上并电性连接各该导电柱的第二端；以及
绝缘保护层，其形成于该包覆层的第二表面上并外露部分该线路重布层。
2. 如权利要求1所述的封装结构，其特征为，该线路层的一表面齐平该包覆层的第一表面。
3. 如权利要求1所述的封装结构，其特征为，该电子组件的表面齐平该包覆层的第一表面。
4. 如权利要求1所述的封装结构，其特征为，该电子组件外露于该包覆层的第二表面。
5. 如权利要求1所述的封装结构，其特征为，该封装结构还包括线路结构，其形成于该包覆层的第一表面上并电性连接该电子组件与该线路层。
6. 如权利要求1所述的封装结构，其特征为，该封装结构还包括至少一电子装置，其堆栈于该包覆层的第二表面上，且该电子装置电性连接各该导电柱的第二端。
7. 一种封装结构的制法，其特征为，该制法包括：
准备一具有线路层的第一承载件；
形成多个具有相对的第一端及第二端的导电柱于该线路层上，且各该导电柱以其第一端结合至该线路层，并设置至少一电子组件于该第一承载件上；
形成具有相对的第一表面及第二表面的包覆层于该第一承载件上，以令该包覆层包覆该些导电柱、该线路层与该电子组件，且该包覆层的第一表面结合至该第一承载件上；
形成至少一线路重布层于该包覆层的第二表面上，且令该线路重布层电性连接各该导电柱的第二端；
移除该第一承载件；以及
形成绝缘保护层于该包覆层的第二表面上并外露部分该线路重布层。
8. 如权利要求7所述的封装结构的制法，其特征为，该线路层的表面齐平该包覆层的第一表面。
9. 如权利要求7所述的封装结构的制法，其特征为，该电子组件的表面齐平该包覆层的第一表面。
10. 如权利要求7所述的封装结构的制法，其特征为，该电子组件外露于该包覆层的第二表面。
11. 如权利要求7所述的封装结构的制法，其特征为，该制法还包括移除该第一承载件后，形成线路结构于该包覆层的第一表面上，且令该线路结构电性连接该电子组件与该线路层。
12. 如权利要求11所述的封装结构的制法，其特征为，该制法还包括于移除该第一承载件前，先设置一第二承载件于该包覆层的第二表面上，待形成该线路结构后，移除该第二承载件。
13. 如权利要求7所述的封装结构的制法，其特征为，该制法还包 括堆栈至少一电子装置于该包覆层的第二表面上，使该电子装置电性连接各该导电柱的第二端。”
申请人（下称“复审请求人”）对上述驳回决定不服，于2019年05月05日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书，在权利要求1和7中补入了部分特征。复审请求人认为：(1)对比文件1教示互连结构160仅设于粘合剂层156下表面，而非嵌入于粘合剂层156中。(2)对比文件1未公开本申请修改后独立权利要求1所限定“该电子组件的部分该非主动面外露于该包覆层的该第二表面的该开口中”的区别技术特征。对比文件1显未教示在粘合剂层156的上表面中形成的开口来外露半导体小片124的部分背表面128，据此，本领域的技术人员若仅参考对比文件1且无其他先前技术公开或教示的基础下，在面对半导体小片124需散热时，其常规选择应是对粘合剂层156进行抛光以外露半导体小片124的整个背表面128，实无动机在粘合剂层156的上表面中形成开口来外露半导体小片124的部分背表面128。
复审请求时新修改的权利要求1、7如下：
“1. 一种封装结构，其特征为，该封装结构包括：
包覆层，其具有相对的第一表面与第二表面，且该第二表面具有一开口；
线路层，其自该包覆层的第一表面嵌埋于该包覆层；
至少一电子组件，其嵌埋于该包覆层中，该电子组件具有非主动面，且该电子组件的部分该非主动面外露于该包覆层的该第二表面的该开口中；
多个导电柱，其嵌埋于该包覆层中并立设于该线路层上，且该导电柱具有相对的第一端及第二端，并以其第一端结合至该线路层；
至少一线路重布层，其形成于该包覆层的第二表面上并电性连接各该导电柱的第二端；以及
绝缘保护层，其形成于该包覆层的第二表面上并外露部分该线路重布层。”
“7. 一种封装结构的制法，其特征为，该制法包括：
准备一具有线路层的第一承载件；
形成多个具有相对的第一端及第二端的导电柱于该线路层上，且各该导电柱以其第一端结合至该线路层，并设置至少一电子组件于该第一承载件上，该电子组件具有非主动面；
形成具有相对的第一表面及第二表面的包覆层于该第一承载件上，以令该包覆层包覆该些导电柱、该线路层与该电子组件，且该包覆层的第一表面结合至该第一承载件上；
形成一开口于该包覆层的该第二表面，以令该电子组件的部分该非主动面外露于该开口中；
形成至少一线路重布层于该包覆层的第二表面上，且令该线路重布层电性连接各该导电柱的第二端；
移除该第一承载件；以及
形成绝缘保护层于该包覆层的第二表面上并外露部分该线路重布层。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年05月09日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：本申请的发明点在于先形成线路层与导电柱，再形成包覆层，所以无需进行开孔制程，从而提升封装结构的可靠度。而对比文件1已经公开了先形成导电柱148于该载体140上，再形成粘合剂层156（相当于包覆层），其无需进行开孔制程，由此可见对比文件1已经公开了本申请的发明构思。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年07月08日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-13不具备专利法第22条第3款规定的创造性。合议组认为：(1) 为了提高线路层与导电柱的结合强度使线路层自包覆层的第一表面嵌埋于包覆层中是本领域技术人员的常规选择。（2）对比文件1的图6以及说明书第0056段，明确公开了粘合剂层156与半导体小片的背表面128共面。相当于粘合剂层具有开口，该开口外露出了半导体小片的背表面128，半导体小片具有有源表面130，半导体小片的侧面和背表面均属于非主动面。因此其背表面128相当于部分非主动面。
复审请求人于2019年08月05日提交了意见陈述书，同时修改了权利要求书，删除原权利要求1-6，主要将原权利要求11-12的附加技术特征补入原权利要求7形成新权利要求1，并相应修改权利要求的编号。复审请求人认为：（1）本领域技术人员没有理由在移除基底层、紫外线阶段膜粘着层之后以及移除载体140后，再一次在膜封装材料层上设置另一载件。（2）对比文件1说明书附图6未有开口结构，且其步骤在形成互连结构160之后，与本申请先形成开口在形成线路结构的顺序不相同。
复审请求人新提交的权利要求书如下：
“1. 一种封装结构的制法，其特征为，该制法包括：
准备一具有线路层的第一承载件；
形成多个具有相对的第一端及第二端的导电柱于该线路层上，且各该导电柱以其第一端结合至该线路层，并设置至少一电子组件于该第一承载件上，该电子组件具有非主动面；
形成具有相对的第一表面及第二表面的包覆层于该第一承载件上，以令该包覆层包覆该多个导电柱、该线路层与该电子组件，且该包覆层的第一表面结合至该第一承载件上；
形成一开口于该包覆层的该第二表面，以令该电子组件的部分该非主动面外露于该开口中；
形成至少一线路重布层于该包覆层的第二表面上，且令该线路重布层电性连接各该导电柱的第二端；
设置一第二承载件于该包覆层的第二表面上；
移除该第一承载件后，形成线路结构于该包覆层的第一表面上，且令该线路结构电性连接该电子组件与该线路层，待形成该线路结构后，移除该第二承载件；以及
形成绝缘保护层于该包覆层的第二表面上并外露部分该线路重布层。
2. 如权利要求1所述的封装结构的制法，其特征为，该线路层的表面齐平该包覆层的第一表面。
3. 如权利要求1所述的封装结构的制法，其特征为，该电子组件的表面齐平该包覆层的第一表面。
4. 如权利要求1所述的封装结构的制法，其特征为，该电子组件外露于该包覆层的第二表面。
5. 如权利要求1所述的封装结构的制法，其特征为，该制法还包括堆栈至少一电子装置于该包覆层的第二表面上，使该电子装置电性连接各该导电柱的第二端。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人答复复审通知书时提交了新修改的权利要求第1-5项。经审查，上述修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。本决定所针对的文本是：2014年12月11日提交的说明书第1-105段、说明书附图图1A-2H″、说明书摘要和摘要附图、2019年08月05日提交的权利要求第1-5项。
关于创造性
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果权利要求与作为最接近现有技术的对比文件相比，存在区别技术特征，而区别技术特征是本领域的常规选择，那么获得权利要求请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，该权利要求不具有创造性。
在本复审决定中引用驳回决定和复审通知书中所引用的对比文件1，
对比文件1：CN102456584A，公开日为2012年05月16日。
权利要求1请求保护一种封装结构的制法，对比文件1（参见说明书第[0024]-[0058]段及附图4a-8）公开了一种封装结构的制法，包括：准备一载体140（相当于第一承载件），形成多个具有相对第一端及第二端的导电柱148于该载体140上，并设置半导体小片124（相当于电子组件）于该载体140上；半导体小片具有侧面和背表面（均为非主动面）；形成具有相对的第一表面及第二表面的粘合剂层156（相当于包覆层）于该载体140上，以令该粘合剂层156包覆这些导电柱148与半导体小片124，且该粘合剂层156的第一表面结合至载体140上；参见图6，形成一开口于粘合剂层的第二表面，以令半导体小片的背表面外露于该开口中；形成导电层176（相当于线路重布层）于该粘合剂层156的第二表面上，且令该导电层176电性连接各该导电柱148的第二端；移除载体140。导电层162的一部分（相当于线路层）与导电柱的第一端结合。该封装结构还包括移除载体140后，形成互连结构160，除了导电层162与导电柱接触的部分之外的其它互连结构相当于线路结构，其形成于该粘合剂层156的第一表面上并电性连接该半导体小片124和该导电层162与导电柱接触的部分（相当于线路层）。
权利要求1请求保护的技术方案与对比文件1相比，区别技术特征为：准备一具有线路层的第一承载件，导电柱形成于该线路层上，包覆层包覆该线路层；形成绝缘保护层于该包覆层的第二表面上并外露部分该线路重布层。设置一第二承载件于该包覆层的第二表面上，待形成线路结构后，移除该第二承载件。基于上述区别技术特征，可以确定本申请实际解决的技术问题是提高结合强度以及实现绝缘保护。然而，为了提高线路层和导电柱的结合强度在第一承载件上设置线路层，同时使得导电柱形成于该线路层上以及进一步使得包覆层包覆线路层是本领域技术人员的常规选择，而为了实现绝缘保护形成绝缘保护层于包覆层的第二表面上并外露部分该线路重布层也是本领域技术人员的常规选择。为了实现更好的支撑，在移除该第一承载件前先设置一第二承载件于该包覆层的第二表面上以及待形成该线路结构之后移除该第二承载件，这是本领域技术人员的常规选择。因此，在对比文件1的基础上结合本领域技术人员的常规选择以获得权利要求1所要求保护的技术方案对本领域的技术人员来说是显而易见的，权利要求1要求保护的技术方案不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2的附加技术特征没有被对比文件1公开，然而，根据实际需要使得线路层的一表面齐平该包覆层的第一表面是本领域技术人员的常规选择。因此当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求2也不具备创造性。
对比文件1（同上）还公开了：半导体小片124的有源表面130齐平该粘合剂层156的第一表面。参见图6、半导体小片的背表面128与粘合剂层共面（即电子组件外露于包覆层的第二表面）；还包括堆栈电子装置174于该粘合剂层的第二表面上，且该电子装置电性连接各该导电柱的第二端。因此，权利要求3-5的附加技术特征也被对比文件1公开，因此当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求3-5也不具备创造性。
3、针对复审请求人的陈述意见
复审请求人认为：
（1）本领域技术人员没有理由在移除基底层、紫外线阶段膜粘着层之后以及移除载体140后，再一次在膜封装材料层上设置另一载件。（2）附图6未有开口结构，且其步骤在形成互连结构160之后。与本申请先形成开口在形成线路结构的顺序不相同。
对此，合议组认为：
（1）承载件设置的目的是为了更好的支撑，本领域技术人员完全可以根据实际需要选择设置。那么为了实现更好的支撑，在移除该第一承载件前先设置一第二承载件于该包覆层的第二表面上以及待形成该线路结构之后移除该第二承载件，这是本领域技术人员的常规选择。（2）对比文件1的附图6中，半导体小片的背表面128与粘合剂层共面，也就是半导体小片的背表面128从粘合剂层暴露出来，根据对比文件1的制造工艺，粘合剂层存在开口才能使背表面暴露出来，因此附图6存在开口。开口和线路结构分别存在于两个表面，这两个部件彼此没有必然的先后顺序，本申请的权利要求对此也没有严格限制。同时，这种先后顺序本领域技术人员可以根据实际需要选择。
因此，复审请求人的意见陈述不具有说服力，合议组不予支持。
基于上述工作，合议组依法作出如下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2019年01月21日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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