发明创造名称：阵列基板及其制作方法与In Cell触控显示面板
外观设计名称：
决定号：201416
决定日：2020-01-13
委内编号：1F274510
优先权日：
申请（专利）号：201710087024.9
申请日：2017-02-17
复审请求人：武汉华星光电技术有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：朱宇澄
合议组组长：崔双魁
参审员：胡婉约
国际分类号：G02F1/1333，G02F1/1339，G02F1/1335
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：如果一项权利要求请求保护的技术方案与最接近的现有技术公开的技术方案相比，存在区别技术特征，而其中部分区别技术特征被另一对比文件公开，部分区别技术特征为本领域公知常识，且本领域技术人员有动机将该对比文件以及该公知常识应用到最接近的现有技术中以解决相应技术问题，则该权利要求不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201710087024.9，名称为“阵列基板及其制作方法与In Cell触控显示面板”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请日为2017年02月17日，公开日为2017年05月31日。申请人为武汉华星光电技术有限公司。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2019年01月04日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-10不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。驳回决定引用如下两篇对比文件：
对比文件1：CN1O5467644A，公开日为2016年04月06日；
对比文件2：CN1O4698709A，公开日为2015年06月10日。
驳回决定所依据的文本为：原始申请文本，即申请日2017年02月17日提交的说明书第1-78段、说明书附图图1-7、说明书摘要、摘要附图和权利要求第1-10项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种阵列基板，其特征在于，包括第一基板(11)、设于所述第一基板(11)上的遮光层(12)、设于所述第一基板(11)与遮光层(12)上的第一绝缘层(13)、设于所述第一绝缘层(13)上的有源层(14)、设于所述第一绝缘层(13)与有源层(14)上的第二绝缘层(15)、设于所述第二绝缘层(15)上的栅极(16)、设于所述栅极(16)与第二绝缘层(15)上的第三绝缘层(17)、设于所述第三绝缘层(17)上的源/漏极(41)与数据线(42)、设于所述源/漏极(41)、数据线(42)与第三绝缘层(17)上的第一平坦层(51)、设于所述第一平坦层(51)上的触控信号层(60)、设于所述触控信号层(60)与第一平坦层(51)上的第二平坦层(52)、设于所述第二平坦层(52)上的公共电极(70)、设于所述公共电极(70)与第二平坦层(52)上的钝化层(81)、及设于所述钝化层(81)上的像素电极(90)；
所述钝化层(81)、第一平坦层(51)与第二平坦层(52)上设有第一过孔(91)，所述像素电极(90)通过所述第一过孔(91)与源/漏极(41)相接触；所述第二平坦层(52)上设有第二过孔(92)，所述公共电极(70)通过所述第二过孔(92)与触控信号层(60)相接触。
2. 如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层(14)为多晶硅层。
3. 如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层(12)在水平方向上完全遮盖所述有源层(14)。
4. 如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二过孔(92)对应于所述数据线(42)上方设置。
5. 如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层(12)的材料为金属；所述触控信号层(60)的材料为金属。
6. 一种如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供第一基板(11)，在所述第一基板(11)上从下到上依次形成遮光层(12)、第一绝缘层(13)、有源层(14)、第二绝缘层(15)、栅极(16)、第三绝缘层(17)、及源/漏极(41)与数据线(42)；
步骤2、在所述源/漏极(41)、数据线(42)与第三绝缘层(17)上形成第一平坦层(51)，在所述第一平坦层(51)上形成触控信号层(60)，在所述触控信号层(60)与第一平坦层(51)上形成第二平坦层(52)；
采用一道光刻制程对第二平坦层(52)与第一平坦层(51)进行蚀刻，在所述第二平坦层(52)与第一平坦层(51)上形成对应于所述源/漏极(41)上方的第一通孔(911)，同时在所述第二平坦层(52)上形成对应于所述触控信号层(60)上方的第二过孔(92)；
步骤3、在所述第二平坦层(52)上形成公共电极(70)，所述公共电极(70)通过所述第二过孔(92)与触控信号层(60)相接触；
步骤4、在所述公共电极(70)与第二平坦层(52)上形成钝化层(81)，采用一道光刻制程对钝化层(81)进行蚀刻，形成与所述第一通孔(911)相贯通的第二通孔(912)，所述第二通孔(912)与第一通孔(911)共同构成第一过孔(91)；
步骤5、在所述钝化层(81)上形成像素电极(90)，所述像素电极(90)通过所述第一过孔(91)与源/漏极(41)相接触。
7. 一种In Cell触控显示面板，其特征在于，包括阵列基板(10)、与所述阵列基板(10)相对设置的彩膜基板(20)、及位于所述阵列基板(10)与彩膜基板(20)之间的液晶层(30)；
所述阵列基板(10)为如权利要求1所述的阵列基板。
8. 如权利要求7所述的In Cell触控显示面板，其特征在于，所述彩膜基板(20)包括第二基板(21)、设于所述第二基板(21)上的黑色矩阵(22)、设于所述黑色矩阵(22)与第二基板(21)上的色阻层(23)、设于所述色阻层(23)上的第三平坦层(24)、及设于所述第三平坦层(24)上的主隔垫物(251)，所述主隔垫物(251)与所述阵列基板(10)表面的钝化层(81)相接触。
9. 如权利要求7所述的In Cell触控显示面板，其特征在于，所述彩膜基板(20)还包括与所述主隔垫物(251)位于同一层的次隔垫物(252)，所述次隔垫物(252)的高度低于主隔垫物(251)的高度。
10. 如权利要求7所述的In Cell触控显示面板，其特征在于，所述第二基板(21)为玻璃基板；所述色阻层(23)包括红色色阻(231)、绿色色阻(232)、及蓝色色阻(233)。”
驳回决定认为：1）独立权利要求1与对比文件1的区别在于：该权利要求所要求保护的阵列基板中，第一平坦层上是触控信号层，触控信号层与第一平坦层上形成第二平坦层，公共电极设于第二平坦层上，相应地，第一过孔还形成于第一、第二平坦层，第二过孔形成于第二平坦层。该区别技术特征被对比文件2公开，因此，权利要求1不具备创造性。2）从属权利要求2-5的附加技术特征或者被对比文件1公开，或者为本领域技术人员的常规选择，因此，权利要求2-5不具备创造性。3）独立权利要求6与对比文件1的区别在于：还包括步骤：在第一平坦层上形成触控信号层，在所述触控信号层与第一平坦层上形成第二平坦层，采用一道光刻制程对第二平坦层与第一平坦层进行蚀刻，在所述第二平坦层与第一平坦层上形成对应于所述源／漏极上方的第一通孔，同时在所述第二平坦层上形成对应于所述触控信号层上方的第二过孔；在所述第二平坦层上形成公共电极，采用一道光刻制程对钝化层进行蚀刻，形成与所述第一通孔相贯通的第二通孔，所述第二通孔与第一通孔共同构成第一过孔。该区别技术特征部分被对比文件2公开，部分为本领域公知常识，因此，权利要求6不具备创造性。4）独立权利要求7请求保护一种In Cell触控显示面板，其阵列基板为权利要求1的阵列基板。对比文件1公开了其限定的触控显示面板基本构成，权利要求1的阵列基板相对于对比文件1和2不具备创造性。因此，权利要求7不具备创造性。5）从属权利要求8-10的附加技术特征被对比文件1公开，因此，权利要求8-10不具备创造性。
申请人武汉华星光电技术有限公司（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2019年02月20日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的全文修改替换页，其中，将从属权利要求5的技术特征“触控信号层的材料为金属”补入独立权利要求1、6中，修改后的独立权利要求1和6的内容如下：
“1. 一种阵列基板，其特征在于，包括第一基板(11)、设于所述第一基板(11)上的遮光层(12)、设于所述第一基板(11)与遮光层(12)上的第一绝缘层(13)、设于所述第一绝缘层(13)上的有源层(14)、设于所述第一绝缘层(13)与有源层(14)上的第二绝缘层(15)、设于所述第二绝缘层(15)上的栅极(16)、设于所述栅极(16)与第二绝缘层(15)上的第三绝缘层(17)、设于所述第三绝缘层(17)上的源/漏极(41)与数据线(42)、设于所述源/漏极(41)、数据线(42)与第三绝缘层(17)上的第一平坦层(51)、设于所述第一平坦层(51)上的触控信号层(60)、设于所述触控信号层(60)与第一平坦层(51)上的第二平坦层(52)、设于所述第二平坦层(52)上的公共电极(70)、设于所述公共电极(70)与第二平坦层(52)上的钝化层(81)、及设于所述钝化层(81)上的像素电极(90)；
所述钝化层(81)、第一平坦层(51)与第二平坦层(52)上设有第一过孔(91)，所述像素电极(90)通过所述第一过孔(91)与源/漏极(41)相接触；所述第二平坦层(52)上设有第二过孔(92)，所述公共电极(70)通过所述第二过孔(92)与触控信号层(60)相接触；
所述触控信号层(60)的材料为金属。
6. 一种如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供第一基板(11)，在所述第一基板(11)上从下到上依次形成遮光层(12)、第一绝缘层(13)、有源层(14)、第二绝缘层(15)、栅极(16)、第三绝缘层(17)、及源/漏极(41)与数据线(42)；
步骤2、在所述源/漏极(41)、数据线(42)与第三绝缘层(17)上形成第一平坦层(51)，在所述第一平坦层(51)上形成触控信号层(60)，在所述触控信号层(60)与第一平坦层(51)上形成第二平坦层(52)；
采用一道光刻制程对第二平坦层(52)与第一平坦层(51)进行蚀刻，在所述第二平坦层(52)与第一平坦层(51)上形成对应于所述源/漏极(41)上方的第一通孔(911)，同时在所述第二平坦层(52)上形成对应于所述触控信号层(60)上方的第二过孔(92)；
步骤3、在所述第二平坦层(52)上形成公共电极(70)，所述公共电极(70)通过所述第二过孔(92)与触控信号层(60)相接触；
步骤4、在所述公共电极(70)与第二平坦层(52)上形成钝化层(81)，采用一道光刻制程对钝化层(81)进行蚀刻，形成与所述第一通孔(911)相贯通的第二通孔(912)，所述第二通孔(912)与第一通孔(911)共同构成第一过孔(91)；
步骤5、在所述钝化层(81)上形成像素电极(90)，所述像素电极(90)通过所述第一过孔(91)与源/漏极(41)相接触；
所述触控信号层(60)的材料为金属。”
复审请求人认为：a、对比文件1中触控感应电极层并非本申请的触控信号层，且该触控感应电极层位于公共电极上的第一钝化层上，位置明显不同于本申请。对比文件1将像素电极设于第一钝化层的下方，将公共电极设于第二钝化层的上方，从而减少挖孔制程的道数，提升良率。虽然对比文件2公开了触控走线层位于两平坦层之间，但是，公共电极位于第二平坦层上方，像素电极位于绝缘层上方，像素电极需要穿过第一平坦层、第二平坦层和第一绝缘层，仍需进行三道挖孔制程，这与对比文件1要解决的技术问题显然是矛盾的，没有动机将与对比文件1要解决的技术问题相悖的对比文件2结合到对比文件1中。b、对比文件1为顶栅型阵列基板，对比文件2为底栅型阵列基板，本领域技术人员没有动机将二者相结合；c、对比文件1和对比文件2都没有公开触控信号层应该采用何种材料制作。d、对比文件1和对比文件2均未公开如何制作平坦层及过孔，本申请形成过孔的技术特征并非本领域的常用技术手段，而是申请人基于阵列基板的结构作出的优化设置，需要付出创造性劳动。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年03月05日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年09月10日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-10不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。复审通知书认为：1）独立权利要求1与对比文件1的区别在于：权利要求1的阵列基板中，包括设于第一平坦层上的触控信号层、设于触控信号层与第一平坦层上的第二平坦层、设于第二平坦层上的公共电极、设于公共电极与第二平坦层上的钝化层、及设于钝化层上的像素电极。钝化层、第一平坦层与第二平坦层上设有第一过孔，像素电极通过第一过孔与源/漏极相接触。第二平坦层上设有第二过孔，公共电极通过第二过孔与触控信号层相接触。触控信号层的材料为金属。该区别技术特征部分被对比文件2公开，部分为本领域公知常识，因此，权利要求1不具备创造性。2）从属权利要求2-5的附加技术特征被对比文件1公开，因此，权利要求2-5不具备创造性。3）独立权利要求6与对比文件1的区别在于：还包括以下步骤：在第一平坦层上形成触控信号层，在触控信号层与第一平坦层上形成第二平坦层；采用一道光刻制程对第二平坦层与第一平坦层进行蚀刻，在第二平坦层与第一平坦层上形成对应于源/漏极上方的第一通孔，在第二平坦层上形成对应于触控信号层上方的第二过孔；在第二平坦层上形成公共电极，在公共电极与第二平坦层上形成钝化层，采用一道光刻制程对钝化层进行蚀刻，形成于第一通孔相贯通的第二通孔，第二通孔与第一通孔共同构成第一过孔；在钝化层上形成像素电极，像素电极通过第一过孔与源/漏极相接触。触控信号层的材料为金属。该区别技术特征部分被对比文件2公开，部分为本领域公知常识，因此，权利要求6不具备创造性。4）独立权利要求7请求保护一种In Cell触控显示面板，包括权利要求1的阵列基板。权利要求7限定的触控显示面板的基本构成被对比文件1公开，权利要求1的阵列基板相对于对比文件1和2不具备创造性，因此，权利要求7不具备创造性。5）从属权利要求8-10的附加技术特征被对比文件1公开，因此，权利要求8-10不具备创造性。6）对于复审请求人的意见陈述，合议组认为：a、对比文件1的In Cell触控显示面板将触控面板功能嵌入到液晶显示面板内，为触控电极内嵌在液晶盒内的In Cell结构，其触控感应电极层与公共电极相接触，提供触控信号，因此，触控感应电极层即为触控信号层。根据对比文件1的记载可知，对比文件1的现有技术中（参见说明书第5-9段，附图1），为使像素电极与源/漏极连接在一起，需要依次在第一平坦层、第一钝化层及第二钝化层上进行三道挖孔制程，设计时必须考虑各层孔之间的线宽变化及相互交叠产生的影响，从而限制了开口率的提升，而且挖孔制程大大提高了生产难度，影响产品良率，为解决现有技术中存在的上述技术问题，对比文件1的具体实施方式中对像素电极层、公共电极层的位置进行了调整。然而，如前所述，与权利要求1最接近的现有技术是对比文件1的现有技术，而并非对比文件1的具体实施方式，那么，基于对比文件1的现有技术进行的改进，无需考虑该技术手段是否能够解决对比文件1的具体实施方式所解决的技术问题。尽管在对比文件1的现有技术中，触控感应电极层的位置与权利要求1不同，但是，如前所述，对比文件2中公开了在第一平坦层与第二平坦层之间设置触控走线的技术方案，该特征在对比文件2中的作用与其在本申请中的作用相同，均能够避免阵列基板表面对应于触控走线的区域形成凸起，从而本领域技术人员能够将对比文件2的上述技术特征应用于对比文件1的现有技术，这样的改进与对比文件1的具体实施例对对比文件1的现有技术的改进并无相悖之处。b、“顶栅型”、“底栅型”是根据TFT栅电极位置区分的两种结构类型，在阵列基板中两种结构类型的TFT可相互替换使用，TFT本身结构类型的不同并不会影响对比文件1和对比文件2的结合。c、尽管对比文件1和对比文件2都没有公开触控信号层应该采用何种材料制作，但是，根据本领域公知常识可知，触控信号层与公共电极相接触，以提供触控信号，由此，触控信号层必然为导电材料制成，而金属为本领域常用的导电材料，采用金属作为触控信号层的材料为本领域技术人员的常规选择。d、尽管对比文件1和对比文件2均未公开制作平坦层和过孔的具体步骤，但是，本申请并没有描述形成平坦层的具体方法步骤，权利要求6中也没有对平坦层的具体形成方式进行限定，至于过孔的形成方式，在半导体制造领域，采用光刻制程通过蚀刻形成通孔为常用的技术手段，而根据阵列基板中过孔形成的位置，在相应层形成之后在相应的位置进行光刻蚀刻形成相应的通孔为本领域技术人员的常规设计，无需付出创造性劳动。因此，复审请求人的意见不能被接受。
复审请求人于2019年10月14日提交了意见陈述书，并提交了权利要求书的全文修改替换页，其中，独立权利要求1、6中增加了特征“触控信号层位于主隔垫物的正下方”。修改后的权利要求书如下：
“1. 一种阵列基板，其特征在于，包括第一基板(11)、设于所述第一基板(11)上的遮光层(12)、设于所述第一基板(11)与遮光层(12)上的第一绝缘层(13)、设于所述第一绝缘层(13)上的有源层(14)、设于所述第一绝缘层(13)与有源层(14)上的第二绝缘层(15)、设于所述第二绝缘层(15)上的栅极(16)、设于所述栅极(16)与第二绝缘层(15)上的第三绝缘层(17)、设于所述第三绝缘层(17)上的源/漏极(41)与数据线(42)、设于所述源/漏极(41)、数据线(42)与第三绝缘层(17)上的第一平坦层(51)、设于所述第一平坦层(51)上的触控信号层(60)、设于所述触控信号层(60)与第一平坦层(51)上的第二平坦层(52)、设于所述第二平坦层(52)上的公共电极(70)、设于所述公共电极(70)与第二平坦层(52)上的钝化层(81)、及设于所述钝化层(81)上的像素电极(90)；
所述钝化层(81)、第一平坦层(51)与第二平坦层(52)上设有第一过孔(91)，所述像素电极(90)通过所述第一过孔(91)与源/漏极(41)相接触；所述第二平坦层(52)上设有第二过孔(92)，所述公共电极(70)通过所述第二过孔(92)与触控信号层(60)相接触；
所述触控信号层(60)的材料为金属；
所述触控信号层(60)位于主隔垫物(251)的正下方。
2. 如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层(14)为多晶硅层。
3. 如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层(12)在水平方向上完全遮盖所述有源层(14)。
4. 如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二过孔(92)对应于所述数据线(42)上方设置。
5. 如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层(12)的材料为金属。
6. 一种如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供第一基板(11)，在所述第一基板(11)上从下到上依次形成遮光层(12)、第一绝缘层(13)、有源层(14)、第二绝缘层(15)、栅极(16)、第三绝缘层(17)、及源/漏极(41)与数据线(42)；
步骤2、在所述源/漏极(41)、数据线(42)与第三绝缘层(17)上形成第一平坦层(51)，在所述第一平坦层(51)上形成触控信号层(60)，在所述触控信号层(60)与第一平坦层(51)上形成第二平坦层(52)；
采用一道光刻制程对第二平坦层(52)与第一平坦层(51)进行蚀刻，在所述第二平坦层(52)与第一平坦层(51)上形成对应于所述源/漏极(41)上方的第一通孔(911)，同时在所述第二平坦层(52)上形成对应于所述触控信号层(60)上方的第二过孔(92)；
步骤3、在所述第二平坦层(52)上形成公共电极(70)，所述公共电极(70)通过所述第二过孔(92)与触控信号层(60)相接触；
步骤4、在所述公共电极(70)与第二平坦层(52)上形成钝化层(81)，采用一道光刻制程对钝化层(81)进行蚀刻，形成与所述第一通孔(911)相贯通的第二通孔(912)，所述第二通孔(912)与第一通孔(911)共同构成第一过孔(91)；
步骤5、在所述钝化层(81)上形成像素电极(90)，所述像素电极(90)通过所述第一过孔(91)与源/漏极(41)相接触；
所述触控信号层(60)的材料为金属；
所述触控信号层(60)位于主隔垫物(251)的正下方。
7. 一种In Cell触控显示面板，其特征在于，包括阵列基板(10)、与所述阵列基板(10)相对设置的彩膜基板(20)、及位于所述阵列基板(10)与彩膜基板(20)之间的液晶层(30)；
所述阵列基板(10)为如权利要求1所述的阵列基板。
8. 如权利要求7所述的In Cell触控显示面板，其特征在于，所述彩膜基板(20)包括第二基板(21)、设于所述第二基板(21)上的黑色矩阵 (22)、设于所述黑色矩阵(22)与第二基板(21)上的色阻层(23)、设于所述色阻层(23)上的第三平坦层(24)、及设于所述第三平坦层(24)上的主隔垫物(251)，所述主隔垫物(251)与所述阵列基板(10)表面的钝化层(81)相接触。
9. 如权利要求7所述的In Cell触控显示面板，其特征在于，所述彩膜基板(20)还包括与所述主隔垫物(251)位于同一层的次隔垫物(252)，所述次隔垫物(252)的高度低于主隔垫物(251)的高度。
10. 如权利要求7所述的In Cell触控显示面板，其特征在于，所述第二基板(21)为玻璃基板；所述色阻层(23)包括红色色阻(231)、绿色色阻(232)、及蓝色色阻(233)。”
复审请求人认为：对比文件1的主隔垫物与触控感应电极层的位置错开，两者并不对应设置。对比文件2未公开主间隔物与触控走线的位置关系，以及如何解决主间隔物滑动问题。本申请的阵列基板包括设于第一平坦层上的触控信号层、设于触控信号层与第一平坦层上的第二平坦层以及设于第二平坦层上的公共电极，这种架构使得触控信号层位于第二平坦层下方，不会出现阵列基板表面对应于触控信号层的区域形成凸起的情况，是针对主隔垫物滑动的问题而设置的，与对比文件2解决的技术问题不同。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人于2019年02月20日和2019年10月14日分别提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，其中所作的修改符合专利法第33条及专利法实施细则第61条第1款的规定。因此，本决定以申请日2017年02月17日提交的说明书第1-78段、说明书附图图1-7、说明书摘要、摘要附图，2019年10月14日提交的权利要求第1-10项为基础作出。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与最接近的现有技术公开的技术方案相比，存在区别技术特征，而其中部分区别技术特征被另一对比文件公开，部分区别技术特征为本领域公知常识，且本领域技术人员有动机将该对比文件以及该公知常识应用到最接近的现有技术中以解决相应技术问题，则该权利要求不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
具体到本案，权利要求1请求保护一种阵列基板，对比文件1公开了一种In Cell触控显示面板（参见说明书第5-8段，附图1），该显示面板包括TFT基板100、与所述TFT基板相对设置的CF基板200以及位于TFT基板100和CF基板200之间的液晶层300。TFT基板包括第一基板110、设于第一基板110上的遮光层120、设于第一基板110和遮光层120上的第一绝缘层130、设于第一绝缘层130上的多晶硅层410、设于第一绝缘层130和多晶硅层410上的第二绝缘层420、设于第二绝缘层420上的栅极430、设于第二绝缘层420和栅极430上的第三绝缘层440、设于第三绝缘层440上的源/漏极450和数据线510、设于第三绝缘层440与源/漏极450和数据线510上的第一平坦层140、设于第一平坦层140上的公共电极150、设于公共电极150上的第一钝化层160、设于第一钝化层160上的触控感应电极层170、设于第一钝化层160和触控感应电极层170上的第二钝化层180、及设于第二钝化层180上的像素电极190。第一平坦层140、第一钝化层160、第二钝化层180上分别设有相互贯通的第一过孔141、第二过孔161和第三过孔181，像素电极190通过第一过孔141、第二过孔161和第三过孔181与源/漏极450相接触。从图1可以看出，第一钝化层160上设有过孔，公共电极150通过该过孔与触控感应电极层170相接触。
权利要求1与对比文件1的区别在于：权利要求1的阵列基板中，包括设于第一平坦层上的触控信号层、设于触控信号层与第一平坦层上的第二平坦层、设于第二平坦层上的公共电极、设于公共电极与第二平坦层上的钝化层、及设于钝化层上的像素电极。钝化层、第一平坦层与第二平坦层上设有第一过孔，像素电极通过第一过孔与源/漏极相接触。第二平坦层上设有第二过孔，公共电极通过第二过孔与触控信号层相接触。触控信号层的材料为金属。触控信号层位于主隔垫物的正下方。基于上述区别技术特征，本申请实际解决的技术问题是：如何避免阵列基板表面对应于触控信号层的区域形成凸起。
对比文件2公开了一种阵列基板和液晶显示面板，其中，披露了以下技术特征（参见说明书第36-56段，附图2）：阵列基板包括衬底201、设于衬底201上的栅极202、设于衬底201和栅极202上的栅极绝缘层203、设于栅极绝缘层203上的半导体204、设于半导体204上的源极和漏极205、设于源极和漏极205上的第一平坦层206a、设于第一平坦层206a上的触控走线207、设于第一平坦层206a和触控走线207上的第二平坦层206b、设于第二平坦层206b上的公共电极209、设于公共电极209上的第一绝缘层208、以及设于第一绝缘层208上的像素电极210。公共电极209包括多个相互独立的触控电极，每个触控电极连接一条或多条触控走线207。对比文件2给出了在第一平坦层与第二平坦层之间设置触控走线，从而避免阵列基板表面对应于触控走线的区域形成凸起的技术启示。本领域技术人员能够从对比文件2获得上述技术启示，并将其用于对比文件1中。具体而言，在对比文件1的第一平坦层上设置触控感应电极层、在第一平坦层和触控感应电极层上设置第二平坦层、在第二平坦层上设置公共电极、在公共电极上设置绝缘层，在绝缘层上设置像素电极。进一步地，位于公共电极上的绝缘层用作钝化层也是本领域的常用技术手段。此时，在位于源/漏极与像素电极之间的第一平坦层、第二平坦层和绝缘层中分别设置过孔，像素电极通过过孔与源/漏极相接触；在位于触控信号层与公共电极之间的第二平坦层上设置过孔，公共电极通过过孔与触控信号层相接触，均为本领域技术人员的常规选择。此外，根据本领域公知常识可知，触控信号层与公共电极相接触，以提供触控信号，触控信号层为导电材料制成，而金属为本领域常用的导电材料，采用金属作为触控信号层的材料为本领域技术人员的常规选择。根据本领域公知常识可知，主隔垫物的作用在于使阵列基板与彩膜基板之间产生固定间隔，从而为其间的液晶层提供空间。为不影响显示面积，主隔垫物通常设置在阵列基板非显示区域的平坦表面上，以提供稳定可靠的间隔。对于位于非显示区域的触控信号层来说，当其对应的阵列基板区域为平坦表面时，将隔垫物设置在触控信号层的正上方为本领域技术人员的常规选择。
由此可见，在对比文件1的基础上，结合对比文件2和本领域公知常识得到权利要求1的技术方案是显而易见的，因此，权利要求1不具备突出的实质性特点和显著进步，不具备创造性。
对于复审请求人在答复复审通知书时的意见陈述，合议组认为：对比文件2中触控走线设置在两个平坦层之间，客观上避免了触控走线对应的阵列基板表面形成凸起，也就是说，对比文件2给出了在第一平坦层和第二平坦层之间设置触控走线，以避免阵列基板表面对应触控走线的区域形成凸起的技术启示。如前所述，本领域技术人员能够从对比文件2获得上述技术启示，并将其应用于对比文件1，从而使得阵列基板对应触控信号层的区域为平坦表面。尽管对比文件1中主间隔物与触控感应电极层并非对应设置，但是，如前所述，根据本领域公知常识可知，主隔垫物通常设置在阵列基板非显示区域的平坦表面上，此时，由于阵列基板对应触控信号层的区域为平坦表面，将主隔垫物设置在触控信号层的正上方为本领域技术人员的常规选择。此外，主隔垫物设置与触控信号层的正上方在本领域中已经被广泛应用，本申请背景技术部分描述的现有技术即为隔垫物设置在触控信号层的正上方。因此，复审请求人的意见不能被接受。
权利要求2进一步限定了有源层。对比文件1公开了第一绝缘层130上设置多晶硅层410（参见说明书第6段，附图1），即有源层为多晶硅层。权利要求2的附加技术特征被对比文件1公开，因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
权利要求3进一步限定了遮光层。对比文件1公开了遮光层120在水平方向上完全覆盖多晶硅层410、栅极430、源/漏极450，并部分覆盖数据线510（参见说明书第7段，附图1）。权利要求3的附加技术特征被对比文件1公开，因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
权利要求4进一步限定了第二过孔。对比文件1公开了第一钝化层160上设有过孔，公共电极150通过该过孔与触控感应电极层170相接触，该过孔位于数据线510上方（参见附图2）。权利要求4的附加技术特征被对比文件1公开，因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
权利要求5进一步限定了遮光层的材料。对比文件1具体实施方式部分公开了遮光层为金属材料（参见说明书第39段），其在对比文件1具体实施方式中的作用与在本申请中的作用相同，均为遮挡光线，本领域技术人员能够将其应用于对比文件1的现有技术中。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
权利要求6请求保护一种如权利要求1的阵列基板的制作方法，如前所述，对比文件1公开了一种In Cell触控显示面板（参见说明书第5-8段，附图1），该显示面板包括TFT基板100，由该TFT基板的结构可知其制作方法相应地包括下述步骤：提供第一基板110，在第一基板110上从下到上依次形成遮光层120、第一绝缘层130、多晶硅层410、第二绝缘层420、栅极430、第三绝缘层440、源/漏极450和数据线510；在第三绝缘层440、源/漏极450与数据线510上形成第一平坦层140，在第一平坦层140上形成公共电极150；在公共电极150上形成第一钝化层160；在第一钝化层160上形成过孔，在第一钝化层160上对应于该过孔位置形成触控感应电极层170，触控感应电极层170通过该过孔与公共电极相接触，在第一钝化层160和触控感应电极层170上形成第二钝化层180；在第一平坦层140、第一钝化层160、第二钝化层180上分别形成相互贯通的第一通孔141、第二通孔161和第三通孔181，构成过孔；在第二钝化层180上形成像素电极190，像素电极190通过该过孔与源/漏极450相接触。
权利要求6与对比文件1的区别在于：权利要求6的制作方法还包括以下步骤：在第一平坦层上形成触控信号层，在触控信号层与第一平坦层上形成第二平坦层；采用一道光刻制程对第二平坦层与第一平坦层进行蚀刻，在第二平坦层与第一平坦层上形成对应于源/漏极上方的第一通孔，在第二平坦层上形成对应于触控信号层上方的第二过孔；在第二平坦层上形成公共电极，在公共电极与第二平坦层上形成钝化层，采用一道光刻制程对钝化层进行蚀刻，形成于第一通孔相贯通的第二通孔，第二通孔与第一通孔共同构成第一过孔；在钝化层上形成像素电极，像素电极通过第一过孔与源/漏极相接触。触控信号层的材料为金属。触控信号层位于主隔垫物的正下方。基于上述区别技术特征，本申请实际解决的技术问题是：如何避免阵列基板表面对应于触控信号层的区域形成凸起。
对比文件2公开了一种阵列基板和液晶显示面板（参见说明书第36-56段，附图2），如前所述，对比文件2给出了在第一平坦层与第二平坦层之间设置触控走线，从而能够避免阵列基板表面对应于触控走线的区域形成凸起的技术启示。本领域技术人员能够从对比文件2获得上述技术启示，并将其用于对比文件1中。具体而言，在对比文件1的第一平坦层上设置触控感应电极层、在第一平坦层和触控感应电极层上设置第二平坦层、在第二平坦层上设置公共电极、在公共电极上设置绝缘层，在绝缘层上设置像素电极。进一步地，位于公共电极上的绝缘层用作钝化层也是本领域的常用技术手段。在位于源/漏极与像素电极之间的第一平坦层、第二平坦层和绝缘层中分别设置过孔，像素电极通过过孔与源/漏极相接触；在位于触控信号层与公共电极之间的第二平坦层上设置过孔，公共电极通过过孔与触控信号层相接触，均为本领域技术人员的常规选择。相应地，其制作方法包括下述步骤：在第一平坦层上形成触控信号层，在触控信号层与第一平坦层上形成第二平坦层；在第二平坦层上形成公共电极，在公共电极与第二平坦层上形成钝化层。至于过孔的形成方法，采用光刻制程蚀刻形成通孔为本领域技术人员的常规选择，在已经得到阵列基板上各过孔的位置和功能的情况下，在相应层形成之后在相应的位置进行光刻蚀刻形成相应的通孔为本领域技术人员的常规设计。具体而言，在第二平坦层形成之后，采用一道光刻制程对第二平坦层与第一平坦层进行蚀刻，在第二平坦层与第一平坦层上形成对应于源/漏极上方的第一通孔，在第二平坦层上形成对应于触控信号层上方的第二过孔，从而使得在第二平坦层上形成的公共电极通过第二过孔与触控信号层相接触；在钝化层形成之后，采用一道光刻制程对钝化层进行蚀刻，形成于第一通过相贯通的第二通孔，第二通孔与第一通孔共同构成第一过孔，从而使得钝化层上形成的像素电极通过第一过孔与源/漏极相接触此外，根据本领域公知常识可知，触控信号层与公共电极相接触，以提供触控信号，触控信号层为导电材料制成，而金属为本领域常用的导电材料，采用金属作为触控信号层的材料为本领域技术人员的常规选择。根据本领域公知常识可知，主隔垫物的作用在于使阵列基板与彩膜基板之间产生固定间隔，从而为其间的液晶层提供空间。为不影响显示面积，主隔垫物通常设置在阵列基板非显示区域的平坦表面上，以提供稳定可靠的间隔。对于位于非显示区域的触控信号层来说，当其对应的阵列基板区域为平坦表面时，将隔垫物设置在触控信号层的正上方为本领域技术人员的常规选择。
由此可见，在对比文件1的基础上，结合对比文件2和本领域公知常识得到权利要求6的技术方案是显而易见的，权利要求6不具备突出的实质性特点和显著进步，不具备创造性。
权利要求7请求保护一种In Cell触控显示面板，包括权利要求1的阵列基板。对比文件1公开了一种In Cell触控显示面板（参见说明书第5-8段，附图1），该显示面板包括TFT基板100、CF基板200以及位于TFT基板100和CF基板200之间的液晶层300。如前所述，在权利要求1的阵列基板不具备创造性的基础上，权利要求7也不具备突出的实质性特点和显著进步，不具备创造性。
权利要求8-10进一步限定了彩膜基板的结构。对比文件1的具体实施方式部分还公开了以下技术特征（参见说明书第42-45段，附图4）CF基板2包括第二基板21、设于第二基板21上的黑色矩阵22、设于第二基板21和黑色矩阵22上的色阻层23、设于色阻层23上的第二平坦层24、及设于第二平坦层24上的光阻间隔物25，光阻间隔物25包括主光阻间隔物251和辅光阻间隔物252，主光阻间隔物251与TFT基板100表面的第二钝化层18相接触，辅光阻间隔物252与公共电极19之间有间隙。即辅光阻间隔物252的高度低于主光阻间隔物251。第二基板12为玻璃，色阻层34包括红色色阻层、绿色色阻层和蓝色色阻层。上述特征在对比文件1的具体实施方式中的作用与在本申请中的作用相同，本领域技术人员能够将其应用于对比文件1的现有技术中。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求8-10也不具备创造性。
综上所述，本申请权利要求1-10不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
根据上述事实和理由，本案合议组依法作出以下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2019年01月04日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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