发明创造名称：使用多个流动途径的自由基化学调制及控制
外观设计名称：
决定号：200985
决定日：2020-01-16
委内编号：1F266204
优先权日：2012-09-21和2013-03-13
申请（专利）号：201380048484.0
申请日：2013-08-30
复审请求人：应用材料公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：宋霖
合议组组长：吴海涛
参审员：智月
国际分类号：H01L21/3065
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：一项发明与最接近的现有技术相比具有区别技术特征，如果该区别技术特征部分被另一篇现有技术公开，部分属于本领域的公知常识，并且本领域技术人员能够从上述现有技术中得到技术启示将该区别技术特征应用到最接近的现有技术中，从而不需要付出创造性劳动即可得到本发明的技术方案，则该发明是显而易见的，不具有创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201380048484.0、发明名称为“使用多个流动途径的自由基化学调制及控制”的PCT发明专利申请（下称本申请），本申请的申请人为应用材料公司，申请日为2013年08月30日，优先权日为2012年09月21日和2013年03月13日，进入中国国家阶段日为2015年03月18日，公开日为2015年05月20日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年08月03日以本申请权利要求1-19不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：于进入中国国家阶段日2015年03月18日提交的国际申请的中文译文的说明书摘要、摘要附图、说明书第1-66段和说明书附图图1-5；2018年06月05日提交的权利要求第1-19项。驳回决定引用了三篇对比文件，即:
对比文件2：公开号US2004/0083967A1，公开日2004年05月06日；
对比文件4：公开号CN200996046Y，公告日2007年12月26日；
对比文件5：公开号KR2003-0023964A，公开日2003年03月26日。
驳回决定的具体理由是：（1）权利要求1相对于对比文件4具有区别技术特征，但是该区别技术特征部分在对比文件5中公开，部分属于公知常识，因此，权利要求1相对于对比文件4、5及本领域的公知常识不具备创造性；（2）从属权利要求2-17的附加技术特征或被对比文件4所公开，或被对比文件5所公开，或被对比文件2所公开，或属于公知常识，因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求2-17也不具备创造性；（3）权利要求18相对于对比文件4具有区别技术特征，但是该区别技术特征部分在对比文件5中公开，部分属于公知常识，因此，权利要求18相对于对比文件4、5及本领域的公知常识不具备创造性；（4）从属权利要求19的附加技术特征属于公知常识，因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求19也不具备创造性。
驳回决定所针对的权利要求书的内容如下：
“1. 一种用于半导体处理的系统，该系统包含：
腔室，该腔室经配置以在该腔室的处理区域内容纳半导体基板；
第一远端等离子体系统，该第一远端等离子体系统与该腔室的第一出入口流体耦接且经配置以经由该第一出入口输送第一前驱物至该腔室内，其中所述第一远端等离子体系统包括第一远端等离子体单元，所述第一远端等离子体单元经涂布有与所述第一前驱物不起反应的第一材料；
第二远端等离子体系统，该第二远端等离子体系统与该腔室的第二出入口流体耦接且经配置以经由该第二出入口输送第二前驱物至该腔室内，其中所述第二远端等离子体系统包括第二远端等离子体单元，所述第二远端等离子体单元经涂布有与所述第一材料不同且与所述第二前驱物不起反应的第二材料；以及
气体分配组件，该气体分配组件位于该腔室内在该腔室的该处理区域的顶部处或在该腔室的该处理区域上方，且该气体分配组件经配置以输送该第一前驱物及该第二前驱物两者至该腔室的该处理区域内。
2. 如权利要求1所述的系统，其特征在于，该系统经配置以保持该第一前驱物及该第二前驱物彼此流体隔离，直至该第一前驱物及该第二前驱物经输送至该腔室的该处理区域为止。
3. 如权利要求1所述的系统，其特征在于，该第一出入口靠近该腔室的顶部或位于该腔室的顶部处，且该第二出入口靠近该腔室的侧部或位于该腔室的侧部处。
4. 如权利要求1所述的系统，其特征在于，该气体分配组件包含上板及下板，其中该上板及该下板彼此耦接以界定在该等板之间的容积，其中该等板的该耦接提供经由该上板及该下板的第一流体通道及经由该下板的第二流体通道，且该等板的该耦接经配置以提供经由该下板自该容积的流体出入口，且其中该等第一流体通道与在该等板之间的该容积及该等第二流体通道流体隔离。
5. 如权利要求4所述的系统，其特征在于，可经由该气体分配组件的侧面流体地进入该容积，该气体分配组件与该腔室中的该第二出入口流体耦接。
6. 如权利要求5所述的系统，其特征在于，该腔室经配置以经由该腔室中的该第一出入口及经由该气体分配组件中的该等第一流体通道自该第一远端等离子体系统提供该第一前驱物进入该腔室的该处理区域内。
7. 如权利要求5所述的系统，其特征在于，该腔室经配置以经由该腔室中的该第二出入口自该第二远端等离子体系统提供该第二前驱物进入该腔室内、进入该上板与该下板之间所界定的该容积内及经由该气体分配组件中的该等第二流体通道进入该腔室的该处理区域内。
8. 如权利要求6所述的系统，其特征在于，该气体分配组件经配置以防止该第二前驱物经由该气体分配组件的该上板的流动。
9. 如权利要求1所述的系统，其特征在于，该第一远端等离子体系统包含第一材料且该第二远端等离子体系统包含第二材料。
10. 如权利要求9所述的系统，其特征在于，该第一材料基于该第一前驱物的组成而选定。
11. 如权利要求10所述的系统，其特征在于，该第二材料基于该第二前驱物的组成而选定。
12. 如权利要求11所述的系统，其特征在于，该第一材料及该第二材料为不同的材料。
13. 如权利要求1所述的系统，其特征在于，该第一远端等离子体系统及该第二远端等离子体系统选自由以下各者组成的群组：射频等离子体单元、电容式耦接等离子体单元、电感式耦接等离子体单元、微波等离子体单元及环形等离子体单元。
14. 如权利要求1所述的系统，其特征在于，该第一远端等离子体系统及该第二远端等离子体系统经配置以在介于约10W至高于10kW或约10kW之间的功率值下操作。
15. 如权利要求14所述的系统，其特征在于，该第一远端等离子体系统经配置以在第一功率值下操作，该第一功率值基于该第一前驱物的组成而选定。
16. 如权利要求15所述的系统，其特征在于，该第二远端等离子体系统经配置以在第二功率值下操作，该第二功率值基于该第二前驱物的组成而选定。
17. 如权利要求16所述的系统，其特征在于，该系统经配置以在不同于彼此的功率值下操作该第一远端等离子体单元及该第二远端等离子体单元。
18. 一种用于半导体处理腔室的操作方法，该方法包含以下步骤：
通过气体分配组件使第一前驱物经由第一远端等离子体系统流动进入半导体处理腔室内，其中所述第一远端等离子体系统包括第一远端等离子体单元，所述第一远端等离子体单元经涂布有与所述第一前驱物不起反应的第一材料；以及
通过所述气体分配组件使第二前驱物经由第二远端等离子体系统流动进入该半导体处理腔室内，其中该第一前驱物及该第二前驱物在该处理腔室的处理区域内组合，其中所述第二远端等离子体系统包括第二远端等离子体单元，所述第二远端等离子体单元经涂布有与所述第一材料不同且与所述第二前驱物不起反应的第二材料。
19. 如权利要求18所述的方法，其特征在于，该第一前驱物包含含氟前驱物，且该第二前驱物包含含氢前驱物。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年11月16日向国家知识产权局提出了复审请求，仅陈述了意见，又于2018年11月30日提交了意见陈述书，未对申请文件进行修改，并认为：（1）对比文件4中远程等离子体系统之一被配置成绕过气体分配组件来将反应性物种输送到处理区域，从而避免两种反应性气体重新结合。因此，从对比文件4出发，本领域技术人员不会使第一和第二反应性气体均流过气体分配组件以实现清洁气体均匀性的优化而牺牲清洁效率。（2）对比文件4仅用于清洁工艺，而本申请的系统可进一步用于沉积、蚀刻、烘焙、固化等，出于均匀处理的目的，该气体分配组件被配置成输送第一、第二前驱物两者至腔室的处理区域。对比文件4没有提供气体分配组件以便在清洁工艺中解决任何技术问题的启示。因此，没有动机将对比文件5与对比文件4结合。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年11月26日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
经过前置审查，原审查部门坚持驳回决定。前置审查意见认为：（1）本领域公知，在半导体制造中，提高气体均匀性有助于提高半导体工艺质量。对比文件4将远程等离子体系统之一被配置成通过气体分配组件来提高均匀性就证明了有提高均匀性的需求。对比文件4之所以没有将两路气体均设置为通过气体分配组件，是为了避免两种反应性气体重新结合。然而参见对比文件5附图1，两路气体62和64分别通过气体分配组件的上板和下板，气体口62的气体通过通孔32直接由上板输送至下板，不会与气体口64的气体反应，既提高了气体均匀性，又避免了两路气体反应。因此，有动机将对比文件5与对比文件4结合。而所谓降低清洁效率，本领域公知，其它参数相同的情况下，气体通过气体分配组件相较于未经过气体分配组件必然会稍稍降低流速，本申请权利要求1也同样存在该问题。气体均匀性和气体流速均是处理效果的影响因素，本领域技术人员可根据实际需要作出权衡。（2）对比文件4并非如复审请求人所述仅用于清洁，对比文件4通篇涉及一种化学气相沉积系统，具有分别通入反应性物种的第一、第二气体入口，其也涉及半导体沉积工艺，有提高气体均匀性的需求，本领域技术人员有动机将对比文件5的提高气体均匀性的手段应用于对比文件4。综上，复审请求人的意见陈述不成立，坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年04月26日发出复审通知书，指出权利要求1-19不具备专利法第22条第3款规定的创造性，具体为：（1）权利要求1相对于对比文件4具有区别技术特征，但是该区别技术特征部分在对比文件5中公开，部分属于公知常识，因此，权利要求1相对于对比文件4、5及本领域的公知常识不具备创造性；（2）从属权利要求2-17的附加技术特征或被对比文件4所公开，或被对比文件5所公开，或被对比文件2所公开，或属于公知常识，因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求2-17也不具备创造性；（3）权利要求18相对于对比文件4具有区别技术特征，但是该区别技术特征部分在对比文件5中公开，部分属于公知常识，因此，权利要求18相对于对比文件4、5及本领域的公知常识不具备创造性；（4）从属权利要求19的附加技术特征属于公知常识，因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求19也不具备创造性。
针对上述复审通知书，复审请求人于2019年05月30日仅提交了意见陈述书。复审请求人在意见陈述书中指出：对比文件4没有将两路气体设置为通过同一气体分配组件，是为了避免来自远程等离子体源之一的反应性物种自身由于穿过气体分配板258中的穿孔区216而重新结合，因此对比文件4中不可能采用两种气体都通过气体分配板的技术方案。因此，权利要求1具备创造性。
合议组于2019年09月20日再次发出复审通知书权利要求1-19不具备专利法第22条第3款规定的创造性，具体为指出：（1）权利要求1相对于对比文件4具有区别技术特征，但是该区别技术特征部分在对比文件5中公开，部分属于公知常识，因此，权利要求1相对于对比文件4、5及本领域的公知常识不具备创造性；（2）从属权利要求2-17的附加技术特征或被对比文件4所公开，或被对比文件5所公开，或被对比文件2所公开，或属于公知常识，因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求2-17也不具备创造性；（3）权利要求18相对于对比文件4具有区别技术特征，但是该区别技术特征部分在对比文件5中公开，部分属于公知常识，因此，权利要求18相对于对比文件4、5及本领域的公知常识不具备创造性；（4）从属权利要求19的附加技术特征属于公知常识，因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求19也不具备创造性。
针对上述复审通知书，复审请求人于2019年10月31日提交了意见陈述书和修改文本，并于2019年11月04日再次提交意见陈述书和修改文本，其中两次文本修改实质上相同，2019年11月04日所涉及的修改为：在独立权利要求1、18中加入“且其中所述第一前驱物包括含氟前驱物”、“且其中所述第二前驱物包括含氢前驱物”，删除权利要求19。复审请求人在意见陈述书中指出：“气体通过小直径穿孔不会重新结合”，认为本领域技术人员无法从对比文件4得到本申请的技术方案。对比文件4实际上仅用于清洁工艺的方法不同，本申请用于半导体处理的系统可以进一步用于沉积、蚀刻、烘焙、固化等，对比文件4提到“优选地，引入室的处理区的大部分反应性物种绕过气体分配组件而引入”，因此本领域技术人员没有动机将对比文件5的气体分配组件的结构应用于对比文件4的设备。因此，权利要求1具备创造性。
复审请求人于2019年11月04日提交的修改后的权利要求书的内容如下：
“1. 一种用于半导体处理的系统，该系统包含：
腔室，该腔室经配置以在该腔室的处理区域内容纳半导体基板；
第一远端等离子体系统，该第一远端等离子体系统与该腔室的第一出入口流体耦接且经配置以经由该第一出入口输送第一前驱物至该腔室内，其中所述第一远端等离子体系统包括第一远端等离子体单元，所述第一远端等离子体单元经涂布有与所述第一前驱物不起反应的第一材料，且其中所述第一前驱物包括含氟前驱物；
第二远端等离子体系统，该第二远端等离子体系统与该腔室的第二出入口流体耦接且经配置以经由该第二出入口输送第二前驱物至该腔室内，其中所述第二远端等离子体系统包括第二远端等离子体单元，所述第二远端等离子体单元经涂布有与所述第一材料不同且与所述第二前驱物不起反应的第二材料，且其中所述第二前驱物包括含氢前驱物；以及
气体分配组件，该气体分配组件位于该腔室内在该腔室的该处理区域的顶部处或在该腔室的该处理区域上方，且该气体分配组件经配置以输送该第一前驱物及该第二前驱物两者至该腔室的该处理区域内。
2. 如权利要求1所述的系统，其特征在于，该系统经配置以保持该第一前驱物及该第二前驱物彼此流体隔离，直至该第一前驱物及该第二前驱物经输送至该腔室的该处理区域为止。
3. 如权利要求1所述的系统，其特征在于，该第一出入口靠近该腔室的顶部或位于该腔室的顶部处，且该第二出入口靠近该腔室的侧部或位于该腔室的侧部处。
4. 如权利要求1所述的系统，其特征在于，该气体分配组件包含上板及下板，其中该上板及该下板彼此耦接以界定在该等板之间的容积，其中该等板的该耦接提供经由该上板及该下板的第一流体通道及经由该下板的第二流体通道，且该等板的该耦接经配置以提供经由该下板自该容积的流体出入口，且其中该等第一流体通道与在该等板之间的该容积及该等第二流体通道流体隔离。
5. 如权利要求4所述的系统，其特征在于，可经由该气体分配组件的侧面流体地进入该容积，该气体分配组件与该腔室中的该第二出入口流体耦接。
6. 如权利要求5所述的系统，其特征在于，该腔室经配置以经由该腔室中的该第一出入口及经由该气体分配组件中的该等第一流体通道自该第一远端等离子体系统提供该第一前驱物进入该腔室的该处理区域内。
7. 如权利要求5所述的系统，其特征在于，该腔室经配置以经由该腔室中的该第二出入口自该第二远端等离子体系统提供该第二前驱物进入该腔室内、进入该上板与该下板之间所界定的该容积内及经由该气体分配组件中的该等第二流体通道进入该腔室的该处理区域内。
8. 如权利要求6所述的系统，其特征在于，该气体分配组件经配置以防止该第二前驱物经由该气体分配组件的该上板的流动。
9. 如权利要求1所述的系统，其特征在于，该第一远端等离子体系统包含第一材料且该第二远端等离子体系统包含第二材料。
10. 如权利要求9所述的系统，其特征在于，该第一材料基于该第一前驱物的组成而选定。
11. 如权利要求10所述的系统，其特征在于，该第二材料基于该第二前驱物的组成而选定。
12. 如权利要求11所述的系统，其特征在于，该第一材料及该第二材料为不同的材料。
13. 如权利要求1所述的系统，其特征在于，该第一远端等离子体系统及该第二远端等离子体系统选自由以下各者组成的群组：射频等离子体单元、电容式耦接等离子体单元、电感式耦接等离子体单元、微波等离子体单元及环形等离子体单元。
14. 如权利要求1所述的系统，其特征在于，该第一远端等离子体系统及该第二远端等离子体系统经配置以在介于约10W至高于10kW或约10kW之间的功率值下操作。
15. 如权利要求14所述的系统，其特征在于，该第一远端等离子体系统经配置以在第一功率值下操作，该第一功率值基于该第一前驱物的组成而选定。
16. 如权利要求15所述的系统，其特征在于，该第二远端等离子体系统经配置以在第二功率值下操作，该第二功率值基于该第二前驱物的组成而选定。
17. 如权利要求16所述的系统，其特征在于，该系统经配置以在不同于彼此的功率值下操作该第一远端等离子体单元及该第二远端等离子体单元。
18. 一种用于半导体处理腔室的操作方法，该方法包含以下步骤：
通过气体分配组件使第一前驱物经由第一远端等离子体系统流动进入半导体处理腔室内，其中所述第一远端等离子体系统包括第一远端等离子体单元，所述第一远端等离子体单元经涂布有与所述第一前驱物不起反应的第一材料，且其中所述第一前驱物包括含氟前驱物；以及
通过所述气体分配组件使第二前驱物经由第二远端等离子体系统流动进入该半导体处理腔室内，其中该第一前驱物及该第二前驱物在该处理腔室的处理区域内组合，其中所述第二远端等离子体系统包括第二远端等离子体单元，所述第二远端等离子体单元经涂布有与所述第一材料不同且与所述第二前驱物不起反应的第二材料，且其中所述第二前驱物包括含氢前驱物。”
经审查，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1. 关于审查文本
复审请求人在2019年11月04日答复复审通知书时，提交了权利要求书的全文修改替换页（包括18项权利要求）。经审查上述修改符合专利法第33条以及专利法实施细则第61条第1款的规定，本复审请求审查决定依据的审查文本为：于进入中国国家阶段日2015年03月18日提交的国际申请的中文译文的说明书摘要、摘要附图、说明书第1-66段和说明书附图图1-5；2019年11月04日提交的权利要求第1-18项。
2. 关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
一项发明与最接近的现有技术相比具有区别技术特征，如果该区别技术特征部分被另一篇现有技术公开，部分属于本领域的公知常识，并且本领域技术人员能够从上述现有技术中得到技术启示将该区别技术特征应用到最接近的现有技术中，从而不需要付出创造性劳动即可得到本发明的技术方案，则该发明是显而易见的，不具有创造性。
本复审决定引用了如下对比文件：
对比文件2：公开号US2004/0083967A1，公开日2004年05月06日；
对比文件4：公开号CN200996046Y，公告日2007年12月26日；
对比文件5：公开号KR2003-0023964A，公开日2003年03月26日。
其中对比文件4为最接近的现有技术。
2.1权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性
独立权利要求1请求保护一种用于半导体处理的系统。对比文件4附图3对应的实施例公开了一种用于半导体处理的系统，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第3页第3段、第4页倒数第1段至第9页第2段、附图3）：室203经配置以在该室203的处理区域内容纳半导体衬底240；与管线42连接的第一远程等离子体组件260，与该室203的入口280流体耦接且经配置以经由该入口280输送第一前驱物至该室203内，其中通过入口280经由气体分配组件218向处理区提供反应性物种远程等离子体源66相同，而远程等离子体源66是由包括诸如三氟化氮或六氟化硫的清洗气体的源64提供其中部分气体，该第一远程等离子体组件260包括第一远端等离子体单元；与管线43连接的第二远程等离子体组件260，与该室203的入口282流体耦接且经配置以经由该入口282输送第二前驱物至该室203内，该第二远程等离子体组件260包括第二远端等离子体单元。由图可见，远程等离子体源可以通过入口280经由气体分配板258的气体分配组件218向处理区提供，即气体分配组件输送第一前驱物至室203内，该气体分配组件218位于室203中，且位于处理区域的顶部处，也是位于处理区域的上方。
权利要求1与对比文件4的区别技术特征为：（1）第一远端等离子体单元经涂布有与所述第一前驱物不起反应的第一材料；第二远端等离子体单元经涂布有与所述第一材料不同且与所述第二前驱物不起反应的第二材料；（2）气体分配组件经配置以输送第二前驱物至该腔室的该处理区域内；（3）其中第二前驱物包括含氢前驱物。基于该区别技术特征可以确定该权利要求实际解决的技术问题是：（1）更好地避免等离子体单元被腐蚀；（2）均匀分配第二前驱物；（3）限定具体前驱物成分。
对于区别技术特征（1），对比文件4（参见说明书第4页倒数第1段至第9页第2段、附图3）已经公开了：第一远端等离子体单元输送第一前驱物，第二远端等离子体单元输送第二前驱物。并且本领域普遍知晓，不同种类的前驱物与不同种类的等离子体单元材料的反应不同，通常根据具体的前驱物种类，选择不易与前驱物反应的材料作为等离子体单元材料。在对比文件4公开内容的基础上容易想到“第一远端等离子体单元经涂布有与所述第一前驱物不起反应的第一材料；第二远端等离子体单元经涂布有与所述第一材料不同且与所述第二前驱物不起反应的第二材料”，属于本领域的公知常识。
对于区别技术特征（2），对比文件5公开了一种半导体处理系统，包括（参见说明书第3页第2段至第4页倒数第5段、附图1）：由上板20和下板构成的气体分配组件，其位于处理腔室内的处理区域上方，且该气体分配组件配置为输送由第一气体口62提供的气体以及由第二气体口64提供的气体至该处理区域内。并且该技术特征在该对比文件中的作用与其在该权利要求中相同，都是均匀分配。另外，将气体分配组件设置在腔室的处理区域顶部也是本领域的公知常识。
对于区别技术特征（3），含氢前驱物是本领域处理半导体基板常用的气体，属于本领域的公知常识。
因此，在对比文件4的基础上结合对比文件5以及本领域的公知常识以得到该权利要求请求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的。该权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
2.2权利要求2不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求2是权利要求1的从属权利要求。对比文件4（参见附图3）公开了：系统209经配置以保持该第一前驱物及该第二前驱物彼此流体隔离，直至该第一前驱物及该第二前驱物经输送至该203室的该处理区域为止。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
2.3权利要求3不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求3是权利要求1的从属权利要求。对比文件4（参见说明书第9页第2段、附图3）公开了：入口280靠近该室203的顶部或位于该室203的顶部处，且入口282位于该腔室的侧部处。而将入口282设置在靠近该腔室的侧部处是在对比文件4公开了上述内容的基础上容易想到的，属于本领域的常规选择。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
2.4权利要求4不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求4是权利要求1的从属权利要求。对比文件5（参见说明书第3页第2段至第4页倒数第5段、附图1）公开了：气体分配组件包括上板20、下板，上板20和下板彼此耦接以界定在二者之间的一容积，所述耦接提供经由该上板20和下板的第一流体通道32和经由下板的第二流体通道34，该耦接经配置以提供经由该下板自该通道34的流体出入口，且其中第一流体通道32与该容积及第二流体通道34流体隔离。并且该技术特征在该对比文件中的作用与其在该权利要求中相同，都是优化气体分配效果。本领域的技术人员为了优化气体分配效果，而使得第一、第二等离子体均流经气体分配组件的上板即下板是容易想到的。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
2.5权利要求5不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求5是权利要求4的从属权利要求。对比文件2公开了一种半导体处理系统，包括（参见说明书第[0057]-[0066]段、附图8-9）：可经由气体分配组件的侧面流体地进入气体分配组件的容积，该气体分配组件与位于腔室的侧面的气体入口流体耦接。并且该技术特征在该对比文件中的作用与其在该权利要求中相同，都是优化气体分配。因此，在对比文件4的基础上结合对比文件5、2和本领域的公知常识以得到该权利要求请求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的。该权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
2.6权利要求6不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求6是权利要求5的从属权利要求。对比文件4（参见说明书第4页倒数第1段至第9页第2段、附图3）公开了：室203经配置以经由室203的第一入口280自第一远程等离子体组件260提供第一前驱物进入该室203的处理区域内。
对比文件5（参见说明书第3页第2段至第4页倒数第5段、附图1）公开了经由气体分配组件中的第一流体通道32提供第一气体至处理区域内。
因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
2.7权利要求7不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求7是权利要求5的从属权利要求。对比文件4（参见说明书第4页倒数第1段至第9页第2段、附图3）公开了：室203经配置以经由室203的第二入口282自第二远程等离子体组件260提供第二前驱物进入该室203的处理区域内。
对比文件5（参见说明书第3页第2段至第4页倒数第5段、附图1）公开了经由气体分配组件中的第二流体通道34提供第二气体进入上板20与下板之间的界定的容积内以及经由气体分配组件中的第二流体通道34至处理区域内。
因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
2.8权利要求8不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求8是权利要求6的从属权利要求。对比文件5（参见说明书第[0057]-[0066]段、附图8-9）公开了：气体分配组件经配置以防止该第二气体经由该气体分配组件的该上板20的流动。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
2.9权利要求9-12不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求9-12分别引用在前的权利要求1、9、10、11。对比文件4（参见说明书第4页倒数第1段至第9页第2段、附图3）公开了：反应性物种从不同的等离子体源引入入口280和282。本领域的技术人员易于想到引入的是不同的等离子体材料，因而相应地第一远端等离子体系统260包含基于第一前驱物的第一材料且该第二远端等离子体系统260包含基于第二前驱物的第二材料，且第一、第二材料可为不同材料，属于本领域的常规选择。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
2.10权利要求13不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求13是权利要求1的从属权利要求。其附加技术特征是本领域的公知常识。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
2.11权利要求14-17不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求14-17分别引用在前的权利要求1、14、15、16。通过调节例如等离子体的功率、气压等参数控制等离子体密度以满足不同等离子体刻蚀的要求属于本领域的公知常识。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
2.12权利要求18不具备专利法第22条第3款规定的创造性
独立权利要求18请求保护一种用于半导体处理腔室的操作方法。对比文件4附图3对应的实施例公开了一种用于半导体处理腔室的操作方法，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第3页第3段、第4页倒数第1段至第9页第2段、附图3）：使第一反应性物种经由与管线42连接的第一远程等离子体组件260流动进入室203内，第一远程等离子体组件260包括第一远端等离子体单元，其中通过入口280经由气体分配组件218向处理区提供反应性物种远程等离子体源66相同，而远程等离子体源66是由包括诸如三氟化氮或六氟化硫的清洗气体的源64提供其中部分气体，使第二反应性物种经由管线43流动进入室203内，第二远程等离子体组件260包括第二远端等离子体单元，该第一、第二反应性物种在该室203内组合。由图可见，远程等离子体源可以通过入口280经由气体分配板258的气体分配组件218向处理区提供，即气体分配组件输送第一前驱物至室203内，该气体分配组件218位于室203中，且位于处理区域的顶部处，也是位于处理区域的上方。
权利要求18与对比文件4的区别技术特征为：（1）第一远端等离子体单元经涂布有与所述第一前驱物不起反应的第一材料，第二远端等离子体单元经涂布有与第一材料不同且与第二前驱物不起反应的第二材料；（2）第二前驱物通过所述气体分配组件进入半导体处理腔室内；（3）其中第二前驱物包括含氢前驱物。基于该区别技术特征可以确定该权利要求实际解决的技术问题是：（1）更好地避免等离子体单元被腐蚀；（2）均匀分配第二前驱物；（3）限定具体前驱物成分。
对于区别技术特征（1），对比文件4（参见说明书第4页倒数第1段至第9页第2段、附图3）已经公开了：第一远端等离子体单元输送第一前驱物，第二远端等离子体单元输送第二前驱物。并且本领域普遍知晓，不同种类的前驱物与不同种类的等离子体单元材料的反应不同，通常根据具体的前驱物种类，选择最不易与前驱物反应的材料作为等离子体单元材料。在对比文件4公开内容的基础上容易想到“第一远端等离子体单元经涂布有与所述第一前驱物不起反应的第一材料；第二远端等离子体单元经涂布有与所述第一材料不同且与所述第二前驱物不起反应的第二材料”，属于本领域的公知常识。
对于区别技术特征（2），对比文件5公开了一种半导体处理系统，包括（参见说明书第3页第2段至第4页倒数第5段、附图1）：由上板20和下板构成的气体分配组件，其位于处理腔室内的处理区域上方，且该气体分配组件配置为输送由第一气体口62提供的气体以及由第二气体口64提供的气体至该处理区域内。并且该技术特征在该对比文件中的作用与其在该权利要求中相同，都是均匀分配。因此，对比文件5给出了将不同气体经由气体分配组件再供应至腔室的处理区域以提高气体均匀性的技术启示。另外，将气体分配器设置在腔室的处理区域顶部也是本领域的公知常识。
对于区别技术特征（3），含氢前驱物是本领域处理半导体基板常用的气体，属于本领域的公知常识。
因此，在对比文件4的基础上结合对比文件5以及本领域的公知常识以得到该权利要求请求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的。该权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
三、关于复审请求人的意见
针对复审请求人的意见陈述，合议组认为：对比文件4并非如复审请求人所述仅用于清洁，对比文件4通篇涉及一种化学气相沉积系统，具有分别通入反应性物种的第一、第二气体入口，其也涉及半导体沉积工艺，有提高气体均匀性的需求，本领域技术人员有动机将对比文件5的提高气体均匀性的手段应用于对比文件4。对比文件4提到第一远程等离子体源通过气体分配组件向两个室的处理区提供反应性物种，可以通过气体分配组件提供至少一些反应性物种（参见说明书第10页），由此可见，对比文件4并不排斥使用气体分配组件的技术方案，相反，对比文件4中可以使用气体分配组件，只是其中一路气体不使用气体分配组件。在半导体制造中，提高气体均匀性有助于提高半导体工艺质量。当气体通过小直径穿孔不会重新结合，或者通过控制穿孔的孔径来避免气体提前结合的情况下，同时在对比文件5所公开的两路气体均通过气体分配组件的技术启示下，有动机将对比文件5与对比文件4结合。在提高气体均匀性的需求，本领域技术人员有动机将对比文件5的提高气体均匀性的手段应用于对比文件4。
复审请求人陈述的意见不能成立。
基于上述理由，合议组依法作出如下决定。
四、决定
维持国家知识产权局于2018年08月03日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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