发明创造名称：用以使用二次曝光界定多个层图案的方法
外观设计名称：
决定号：201509
决定日：2020-01-19
委内编号：1F276273
优先权日：2015-08-21
申请（专利）号：201510859496.2
申请日：2015-11-30
复审请求人：台湾积体电路制造股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：王小燕
合议组组长：彭予泓
参审员：李闻
国际分类号：G03F7/20，G03F7/00
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，对于该区别技术特征中的部分内容，现有技术中没有给出相关的技术启示，且其为该技术方案带来了有益的技术效果，则该权利要求请求保护的技术方案对本领域技术人员而言是非显而易见的，该权利要求具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510859496.2、发明名称为“用以使用二次曝光界定多个层图案的方法”的发明专利申请（下称本申请），申请人为台湾积体电路制造股份有限公司，申请日为2015年11月30日，优先权日为2015年08月21日，公开日为2017年03月01日。
国家知识产权局专利实质审查部门以本申请的权利要求1-20不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定为由于2018年11月28日驳回了本申请。驳回决定所针对的文本为：申请日2015年11月30日提交的说明书第1-27页、说明书附图第1-26页、说明书摘要、摘要附图，2018年08月24日提交的权利要求第1-20项。驳回决定中引用如下对比文件：
对比文件1：CN104155846A，公开日为2014年11月19日；
对比文件2：CN1988130A，公开日为2007年06月27日；
对比文件3：CN1940722A，公开日为2007年04月04日。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种制造半导体装置的方法，其包括：
在衬底上方形成第一光致抗蚀剂层；
在所述第一光致抗蚀剂层上方沉积保护层材料以形成保护层；
在所述保护层上方形成第二光致抗蚀剂层；
通过第一掩模执行第一光刻曝光过程，以曝光所述第一光致抗蚀剂层及所述第二光致抗蚀剂层并且形成所述第一光致抗蚀剂层中的底部潜在图案；
通过不同于所述第一掩模的第二掩模执行第二光刻曝光过程，以曝光所述第二光致抗蚀剂层并且形成所述第二光致抗蚀剂层中的顶部潜在图案，其中所述顶部潜在图案与所述底部潜在图案至少部分地重叠；以及
显影所述第一光致抗蚀剂层、所述保护层及所述第二光致抗蚀剂层，以形成来自所述底部潜在图案的第一主要特征、来自所述顶部潜在图案的第二主要特征及所述保护层中的与所述第二主要特征垂直对准的开口。
2. 根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
根据所述第一光致抗蚀剂层的极性及所述第二光致抗蚀剂层的极性来调整保护层材料的极性；
其中所述形成所述保护层包含在所述第一光致抗蚀剂层上方沉积所述保护层材料。
3. 根据权利要求2所述的方法，其中所述保护层材料包含重量百分比大于一或多种极性官能团的约20％的聚合物。
4. 根据权利要求3所述的方法，其中所述保护层材料包含具有一或多种极性官能团的溶剂，并且其中所述保护层材料的所述聚合物与所述保护层的所述溶剂之间的相对能量差RED小于1。
5. 根据权利要求2所述的方法，其中所述保护层材料包含螯合剂。
6. 根据权利要求5所述的方法，其进一步包括：
于所述在所述第一光致抗蚀剂层上方沉积所述保护层材料之前，根据所述第一光 致抗蚀剂层中的离子性添加剂的浓度及所述第二光致抗蚀剂层中的离子性添加剂的浓度来调节所述保护层材料中的所述螯合剂的浓度。
7. 根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：
在所述执行所述第一光刻曝光过程及所述执行所述第二光刻曝光过程之前，执行预曝光处理过程以使所述保护层交联，其中所述交联的保护层包含比非交联的保护层大的分子聚合物。
8. 根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
通过蚀刻过程将所述第一主要特征及所述第二主要特征转印到所述衬底。
9. 一种方法，其包括：
在衬底上方形成具有第一组离子性添加剂的第一光致抗蚀剂层；
在第一光致抗蚀剂层上方形成具有第二组离子性添加剂的第二光致抗蚀剂层；
根据所述第一光致抗蚀剂层中的所述第一组离子性添加剂的浓度及所述第二光致抗蚀剂层中的所述第二组离子性添加剂的浓度来选择保护层材料中的螯合剂的浓度；
在形成所述第一光致抗蚀剂层之后并且于形成所述第二光致抗蚀剂层之前，在所述第一光致抗蚀剂层上方沉积具有所述螯合剂的选定螯合剂浓度的所述保护层材料，以形成安置于所述第一光致抗蚀剂层与所述第二光致抗蚀剂层之间的保护层；
使用第一光掩模对所述第一光致抗蚀剂层及所述第二光致抗蚀剂层执行第一光刻曝光过程，以形成所述第一光致抗蚀剂层中的第一潜在图案；
使用不同于所述第一掩模的第二光掩模对所述第一光致抗蚀剂层及所述第二光致抗蚀剂层执行第二光刻曝光过程，以形成所述第二光致抗蚀剂层中的第二潜在图案；以及
通过使用显影剂来显影所述第一光致抗蚀剂层、所述保护层及所述第二光致抗蚀剂层，以形成来自所述第一潜在图案的第一主要特征、来自所述第二潜在图案的第二主要特征及所述保护层中的开口。
10. 根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：
于所述在所述第一光致抗蚀剂层上方沉积所述保护层材料之前，根据所述第一光 致抗蚀剂层中的所述第一组离子性添加剂的所述浓度及所述第二光致抗蚀剂层中的所述第二组离子性添加剂的所述浓度来挑选所述保护层材料的所述螯合剂的分子量。
11. 根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：
于所述在所述第一光致抗蚀剂层上方沉积所述保护层材料之前，根据所述第一光致抗蚀剂层的极性及所述第二光致抗蚀剂层的极性来调整所述保护层材料的极性。
12. 根据权利要求11所述的方法，其中所述保护层材料包含重量百分比大于一或多种极性官能团的约20％的聚合物。
13. 根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：
在所述执行所述第一光刻曝光过程及所述执行所述第二光刻曝光过程之前，执行预曝光过程以通过包含所述保护层的交联剂的反应使所述保护层的第一聚合物与所述保护层的第二聚合物交联。
14. 根据权利要求9所述的方法，其中所述第二光刻曝光过程是在所述执行所述第一光刻曝光过程之前执行，并且其中所述第二光致抗蚀剂层中的所述第二潜在图案是在所述形成所述第一光致抗蚀剂层中的所述第一潜在图案之前形成。
15. 根据权利要求9所述的方法，其中所述螯合剂包含电子受体基团。
16. 根据权利要求9所述的方法，其中所述螯合剂包含供电子基团。
17. 一种方法，其包括：
在衬底上方形成具第一曝光阈值的第一材料的第一光致抗蚀剂层；
在所述第一光致抗蚀剂层上方沉积包含聚合物、溶剂及螯合剂的保护层；
在所述保护层上方形成具第二曝光阈值的第二材料的第二光致抗蚀剂层；
通过第一掩模执行第一光刻曝光过程，以曝光所述第一光致抗蚀剂层及所述第二光致抗蚀剂层并且形成所述第一光致抗蚀剂层中的底部潜在图案；以及
通过不同于所述第一掩模的第二掩模执行第二光刻曝光过程，以曝光所述第一光致抗蚀剂层及所述第二光致抗蚀剂层并且形成所述第二光致抗蚀剂层中的顶部潜 在图案，其中所述第一光致抗蚀剂层中的除所述底部潜在图案之外的区域接收小于所述第一曝光阈值的曝光剂量。
18. 根据权利要求17所述的方法，其中所述第一材料的所述第一曝光阈值大于所述第二材料的所述第二曝光阈值。
19. 根据权利要求17所述的方法，其中所述第一曝光阈值与所述第二曝光阈值实质上相同。
20. 根据权利要求17所述的方法，其进一步包括：
在所述执行所述第一光刻曝光过程及所述执行所述第二光刻曝光过程之前，通过执行预曝光处理过程使所述保护层交联。”
驳回决定中指出：1、权利要求1请求保护一种制造半导体装置的方法，权利要求1与对比文件1相比，区别技术特征为：（1）通过第一掩模执行第一光刻曝光过程，以曝光所述第一光致抗蚀剂层及所述第二光致抗蚀剂层并且形成所述第一光致抗蚀剂层中的底部潜在图案，通过不同于第一掩模的第二掩模执行第二光刻曝光过程，以曝光第二光致抗蚀剂层并且形成所述第二光致抗蚀剂层中的顶部潜在图案；（2）显影保护层以形成与第二主要特征垂直对准的开口。上述区别技术特征（1）部分被对比文件2公开，部分为本领域常用技术手段；上述区别技术特征（2）是在对比文件1公开内容的基础上容易想到的；因此，权利要求1相对于对比文件1和2以及本领域的常用技术手段不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求2的附加技术特征是在对比文件1和对比文件3公开内容的基础上容易想到的；权利要求3的附加技术特征是在对比文件3公开内容的基础上容易想到的；权利要求4的附加技术特征部分被对比文件3公开，其余部分为本领域常用技术手段；权利要求5-7的附加技术特征为本领域常用技术手段；权利要求8的附加技术特征已被对比文件1公开。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求2-8不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2、权利要求9请求保护一种方法，权利要求9与对比文件1相比，区别技术特征为：（1）具有第一组离子性添加剂的第一光致抗蚀剂层，具有第二组离子性添加剂的第二光致抗蚀剂层，根据所述第一光致抗蚀剂层中的所述第一组离子性添加剂的浓度及所述第二光致抗蚀剂层中的所述第二组离子性添加剂的浓度来选择保护层材料中的螯合剂的浓度；在所述第一光致抗蚀剂层上方沉积具有所述选定螯合剂浓度的所述保护层材料；（2）通过第一掩模执行第一光刻曝光过程，以曝光所述第一光致抗蚀剂层及所述第二光致抗蚀剂层并且形成所述第一光致抗蚀剂层中的底部潜在图案，通过不同于第一掩模的第二掩模执行第二光刻曝光过程，以曝光所述第一光致抗蚀剂层及所述第二光致抗蚀剂层并且形成所述第二光致抗蚀剂层中的顶部潜在图案；（3）显影保护层以形成与第二主要特征垂直对准的开口。上述区别技术特征（1）部分被对比文件3公开，部分为本领域常用技术手段；上述区别技术特征（2）部分被对比文件2公开，部分为本领域常用技术手段；上述区别技术特征（3）是在对比文件1公开内容的基础上容易想到的。因此，权利要求9相对于对比文件1和对比文件2、对比文件3以及本领域常用技术手段不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求10-13、15和16的附加技术特征为本领域常用技术手段；权利要求14的附加技术特征已被对比文件2公开。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求10-16不具备专利法第22条第3款规定的创造性。3、权利要求17请求保护一种方法，权利要求17与对比文件1相比，区别技术特征为：（1）包含聚合物、溶剂及螯合剂的保护层；（2）通过第一掩模执行第一光刻曝光过程，以曝光所述第一光致抗蚀剂层及所述第二光致抗蚀剂层并且形成所述第一光致抗蚀剂层中的底部潜在图案，通过不同于第一掩模的第二掩模执行第二光刻曝光过程，以曝光所述第一光致抗蚀剂层及所述第二光致抗蚀剂层并且形成所述第二光致抗蚀剂层中的顶部潜在图案。上述区别技术特征（1）部分被对比文件3公开，部分为本领域常用技术手段；上述区别技术特征（2）部分被对比文件2公开，部分为本领域常用技术手段。因此，权利要求17相对于对比文件1和对比文件2、对比文件3以及本领域常用技术手段不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求18-19的附加技术特征已被对比文件1公开，权利要求20的附加技术特征为本领域常用技术手段。因此，权利要求18-20不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人台湾积体电路制造股份有限公司（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年03月13日向国家知识产权局提出了复审请求，提交了权利要求书的全文修改替换页，并陈述了权利要求具备创造性的理由。修改涉及：权利要求1中增加了“并且所述第一光致抗蚀剂层中的所述底部潜在图案是在所述形成所述第二光致抗蚀剂层中的所述顶部潜在图案之前形成”；权利要求9中增加了“其中所述第一光刻曝光过程和所述第二光刻曝光过程具有相同波长的曝光源”。
提复审请求时提交的权利要求1和9如下：
“1. 一种制造半导体装置的方法，其包括：
在衬底上方形成第一光致抗蚀剂层；
在所述第一光致抗蚀剂层上方沉积保护层材料以形成保护层；
在所述保护层上方形成第二光致抗蚀剂层；
通过第一掩模执行第一光刻曝光过程，以曝光所述第一光致抗蚀剂层及所述第二光致抗蚀剂层并且形成所述第一光致抗蚀剂层中的底部潜在图案；
通过不同于所述第一掩模的第二掩模执行第二光刻曝光过程，以曝光所述第二光致抗蚀剂层并且形成所述第二光致抗蚀剂层中的顶部潜在图案，其中所述顶部潜在图案与所述底部潜在图案至少部分地重叠，并且所述第一光致抗蚀剂层中的所述底部潜在图案是在所述形成所述第二光致抗蚀剂层中的所述顶部潜在图案之前形成；以及
显影所述第一光致抗蚀剂层、所述保护层及所述第二光致抗蚀剂层，以形成来自所述底部潜在图案的第一主要特征、来自所述顶部潜在图案的第二主要特征及所述保护层中的与所述第二主要特征垂直对准的开口。
9. 一种方法，其包括：
在衬底上方形成具有第一组离子性添加剂的第一光致抗蚀剂层；
在第一光致抗蚀剂层上方形成具有第二组离子性添加剂的第二光致抗蚀剂层；
根据所述第一光致抗蚀剂层中的所述第一组离子性添加剂的浓度及所述第二光致抗蚀剂层中的所述第二组离子性添加剂的浓度来选择保护层材料中的螯合剂的浓度；
在形成所述第一光致抗蚀剂层之后并且于形成所述第二光致抗蚀剂层之前，在所述第一光致抗蚀剂层上方沉积具有所述螯合剂的选定螯合剂浓度的所述保护层材料，以形成安置于所述第一光致抗蚀剂层与所述第二光致抗蚀剂层之间的保护层；
使用第一掩模对所述第一光致抗蚀剂层及所述第二光致抗蚀剂层执行第一光刻曝光过程，以形成所述第一光致抗蚀剂层中的第一潜在图案；
使用不同于所述第一掩模的第二掩模对所述第一光致抗蚀剂层及所述第二光致抗蚀剂层执行第二光刻曝光过程，以形成所述第二光致抗蚀剂层中的第二潜在图案，其中所述第一光刻曝光过程和所述第二光刻曝光过程具有相同波長的曝光源；以及
通过使用显影剂来显影所述第一光致抗蚀剂层、所述保护层及所述第二光致抗蚀 剂层，以形成来自所述第一潜在图案的第一主要特征、来自所述第二潜在图案的第二主要特征及所述保护层中的开口。”
复审请求人认为：（1）本领域技术人员没有动机将对比文件1中的“单次曝光和两次显影”替换为对比文件2的“两次曝光和单次显影”，对比文件2中图4需要利用不同波长的光依次曝光对不同波长的光敏感的光致抗蚀剂区域，即，必须进行两次曝光才可以获得两个光致抗蚀剂层中的潜在图案。第一次曝光时仅能在第二光致抗蚀剂4-130产生潜像，第二抗蚀剂中的潜像会在第一抗蚀剂中的潜像形成之前产生。由于对比文件2中使用不同波长的光敏感的光致抗蚀剂，本领域技术人员没有动机在对比文件2中的技术方案中额外增加保护层以吸收部分曝光光束。而对比文件2图5中，光致抗蚀剂5-120和5-130对相同的波长敏感具有不同的清晰剂量值，通过具有半透明区域的掩模进行单次曝光就获得两个光致抗蚀剂层中的潜像。对比文件2中图4和图5的技术方案是相互排斥的。因此，对比文件2并未给出“两次曝光和单次显影”代替“单次曝光以及单次显影”来制备具有层叠结构的半导体器件的技术启示。本申请权利要求1请求保护的技术方案是一个整体，在评价创造性时不仅要考虑技术方案本身，还要考虑技术领域、所解决的技术问题和所产生的技术效果，避免事后诸葛亮。（2）对比文件2未公开和教导“所述第一光致抗蚀剂层中的所述底部潜在图案是在所述形成所述第二光致抗蚀剂层中的所述顶部潜在图案之前形成”。（3）本领域技术人员没有动机将对比文件1中的材料层110替换为对比文件3中的涂布材料层130。对比文件3仅公开了光阻层和涂布于光阻层上的涂布材料层。涂布材料层可将光阻层与水滴隔离，当光阻层中的抑制剂扩散进入涂布材料层时，抑制剂会被涂布材料层中的成分所中和，无法继续扩散进入水滴，可有效避免水纹缺陷。如果将对比文件3用于对比文件1中，为了获得有效避免水纹缺陷的技术效果，该材料层应该涂布在光阻层上。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年03月18日依法受理了该复审请求，并将其转送至原专利实质审查部门进行前置审查。
原专利实质审查部门在前置审查意见中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年09月05日向复审请求人发出复审通知书，指出权利要求1-4,7-8不具备专利法第22条第3款规定的创造性：1、权利要求1请求保护一种制造半导体装置的方法，权利要求1相对于对比文件1的区别技术特征为：（1）采用两个不同的掩模，经过两次曝光过程，在第一、第二光致抗蚀剂层中形成底部潜在图案和顶部潜在图案，并且所述第一光致抗蚀剂层中的所述底部潜在图案是在所述形成所述第二光致抗蚀剂层中的所述顶部潜在图案之前形成；即权利要求1中的曝光方式和对比文件1中的曝光方式不同，最终形成的图案相同；（2）显影保护层以形成与第二主要特征垂直对准的开口。上述区别技术特征（1）部分被对比文件2公开，部分为本领域常用技术手段；上述区别技术特征（2）是在对比文件1公开内容的基础上容易想到的。因此，权利要求1相对于对比文件1和对比文件2以及本领域常用技术手段不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求2，4的附加技术特征部分被对比文件3公开且作用相同，部分为本领域常用技术手段；权利要求3的附加技术特征是在对比文件3公开内容的基础上结合本领域常用技术手段可以得到的；权利要求7的附加技术特征为本领域常用技术手段；权利要求8的附加技术特征已被对比文件1公开，因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求2-4,7-8不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2、对复审请求人的意见陈述进行了答复。
针对上述复审通知书，复审请求人于2019年10月12日提交了意见陈述书以及权利要求书的全文修改替换页。修改涉及：将“根据所述第一光致抗蚀剂层的极性及所述第二光致抗蚀剂层的极性来调整保护层材料的极性，其中所述保护层材料包含螯合剂”补入权利要求1中形成新的权利要求1，删除了权利要求2和5，对其他权利要求的编号和引用关系作了适应性修改。复审请求人在意见陈述中指出：修改后的权利要求1包含权利要求5的技术特征，而合议组在复审通知书中未对权利要求5的创造性进行质疑。
答复复审通知书时修改的权利要求书如下：
“1. 一种制造半导体装置的方法，其包括：
在衬底上方形成第一光致抗蚀剂层；
在所述第一光致抗蚀剂层上方沉积保护层材料以形成保护层；
在所述保护层上方形成第二光致抗蚀剂层；
根据所述第一光致抗蚀剂层的极性及所述第二光致抗蚀剂层的极性来调整保护层材料的极性，其中所述保护层材料包含螯合剂；
通过第一掩模执行第一光刻曝光过程，以曝光所述第一光致抗蚀剂层及所述第二光致抗蚀剂层并且形成所述第一光致抗蚀剂层中的底部潜在图案；
通过不同于所述第一掩模的第二掩模执行第二光刻曝光过程，以曝光所述第二光致抗蚀剂层并且形成所述第二光致抗蚀剂层中的顶部潜在图案，其中所述顶部潜在图案与所述底部潜在图案至少部分地重叠，并且所述第一光致抗蚀剂层中的所述底部潜在图案是在所述形成所述第二光致抗蚀剂层中的所述顶部潜在图案之前形成；以及
显影所述第一光致抗蚀剂层、所述保护层及所述第二光致抗蚀剂层，以形成来自所述底部潜在图案的第一主要特征、来自所述顶部潜在图案的第二主要特征及所述保护层中的与所述第二主要特征垂直对准的开口。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中所述保护层材料包含重量百分比大于一或多种极性官能团的约20％的聚合物。
3. 根据权利要求2所述的方法，其中所述保护层材料包含具有一或多种极性官能团的溶剂，并且其中所述保护层材料的所述聚合物与所述保护层的所述溶剂之间的相对能量差RED小于1。
4. 根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
于所述在所述第一光致抗蚀剂层上方沉积所述保护层材料之前，根据所述第一光致抗蚀剂层中的离子性添加剂的浓度及所述第二光致抗蚀剂层中的离子性添加剂的浓度来调节所述保护层材料中的所述螯合剂的浓度。
5. 根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
在所述执行所述第一光刻曝光过程及所述执行所述第二光刻曝光过程之前，执行预曝光处理过程以使所述保护层交联，其中所述交联的保护层包含比非交联的保护层大的分子聚合物。
6. 根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
通过蚀刻过程将所述第一主要特征及所述第二主要特征转印到所述衬底。
7. 一种方法，其包括：
在衬底上方形成具有第一组离子性添加剂的第一光致抗蚀剂层；
在第一光致抗蚀剂层上方形成具有第二组离子性添加剂的第二光致抗蚀剂层；
根据所述第一光致抗蚀剂层中的所述第一组离子性添加剂的浓度及所述第二光致抗蚀剂层中的所述第二组离子性添加剂的浓度来选择保护层材料中的螯合剂的浓度；
在形成所述第一光致抗蚀剂层之后并且于形成所述第二光致抗蚀剂层之前，在所述第一光致抗蚀剂层上方沉积具有所述螯合剂的选定螯合剂浓度的所述保护层材料，以形成安置于所述第一光致抗蚀剂层与所述第二光致抗蚀剂层之间的保护层；
使用第一掩模对所述第一光致抗蚀剂层及所述第二光致抗蚀剂层执行第一光刻曝光过程，以形成所述第一光致抗蚀剂层中的第一潜在图案；
使用不同于所述第一掩模的第二掩模对所述第一光致抗蚀剂层及所述第二光致抗蚀剂层执行第二光刻曝光过程，以形成所述第二光致抗蚀剂层中的第二潜在图案，其中所述第一光刻曝光过程和所述第二光刻曝光过程具有相同波長的曝光源；以及
通过使用显影剂来显影所述第一光致抗蚀剂层、所述保护层及所述第二光致抗蚀剂层，以形成来自所述第一潜在图案的第一主要特征、来自所述第二潜在图案的第二主要特征及所述保护层中的开口。
8. 根据权利要求7所述的方法，其进一步包括：
于所述在所述第一光致抗蚀剂层上方沉积所述保护层材料之前，根据所述第一光致抗蚀剂层中的所述第一组离子性添加剂的所述浓度及所述第二光致抗蚀剂层中 的所述第二组离子性添加剂的所述浓度来挑选所述保护层材料的所述螯合剂的分子量。
9. 根据权利要求7所述的方法，其进一步包括：
于所述在所述第一光致抗蚀剂层上方沉积所述保护层材料之前，根据所述第一光致抗蚀剂层的极性及所述第二光致抗蚀剂层的极性来调整所述保护层材料的极性。
10. 根据权利要求9所述的方法，其中所述保护层材料包含重量百分比大于一或多种极性官能团的约20％的聚合物。
11. 根据权利要求7所述的方法，其进一步包括：
在所述执行所述第一光刻曝光过程及所述执行所述第二光刻曝光过程之前，执行预曝光过程以通过包含所述保护层的交联剂的反应使所述保护层的第一聚合物与所述保护层的第二聚合物交联。
12. 根据权利要求7所述的方法，其中所述第二光刻曝光过程是在所述执行所述第一光刻曝光过程之前执行，并且其中所述第二光致抗蚀剂层中的所述第二潜在图案是在所述形成所述第一光致抗蚀剂层中的所述第一潜在图案之前形成。
13. 根据权利要求7所述的方法，其中所述螯合剂包含电子受体基团。
14. 根据权利要求7所述的方法，其中所述螯合剂包含供电子基团。
15. 一种方法，其包括：
在衬底上方形成具第一曝光阈值的第一材料的第一光致抗蚀剂层；
在所述第一光致抗蚀剂层上方沉积包含聚合物、溶剂及螯合剂的保护层；
在所述保护层上方形成具第二曝光阈值的第二材料的第二光致抗蚀剂层；
通过第一掩模执行第一光刻曝光过程，以曝光所述第一光致抗蚀剂层及所述第二光致抗蚀剂层并且形成所述第一光致抗蚀剂层中的底部潜在图案；以及
通过不同于所述第一掩模的第二掩模执行第二光刻曝光过程，以曝光所述第一光致抗蚀剂层及所述第二光致抗蚀剂层并且形成所述第二光致抗蚀剂层中的顶部潜在图案，其中所述第一光致抗蚀剂层中的除所述底部潜在图案之外的区域接收小于 所述第一曝光阈值的曝光剂量。
16. 根据权利要求15所述的方法，其中所述第一材料的所述第一曝光阈值大于所述第二材料的所述第二曝光阈值。
17. 根据权利要求15所述的方法，其中所述第一曝光阈值与所述第二曝光阈值实质上相同。
18. 根据权利要求15所述的方法，其进一步包括：
在所述执行所述第一光刻曝光过程及所述执行所述第二光刻曝光过程之前，通过执行预曝光处理过程使所述保护层交联。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人于2019年10月12日答复复审通知书时提交了权利要求书的全文修改替换页，经查，该修改符合专利法第33条的规定。因此，本复审请求审查决定针对的文本为：申请日2015年11月30日提交的说明书第1-27页、说明书附图第1-26页、说明书摘要、摘要附图，2019年10月12日提交的权利要求第1-18项。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定，创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，对于该区别技术特征中的部分内容，现有技术中没有给出相关的技术启示，且其为该技术方案带来了有益的技术效果，则该权利要求请求保护的技术方案对本领域技术人员而言是非显而易见的，该权利要求具备创造性。
具体到本案：
（1）权利要求1请求保护一种制造半导体装置的方法，对比文件1公开了一种采用单次曝光限定多层图案的方法，具体公开了如下技术特征（参见说明书第0045-0107 段，附图1-23）：采用单次曝光限定多层图案的方法，用于制造半导体结构（相当于制造半导体装置的方法），其包括：在衬底上形成第一光刻胶层108（相当于在衬底上方形成第一光致抗蚀剂层）；在第一光刻胶层108上方沉积使第一光刻胶和第二光刻胶彼此隔离的介电材料以形成材料层110，材料层110能保护光刻胶（相当于在所述第一光致抗蚀剂层上方沉积保护层材料以形成保护层）；在材料层110上方形成第二光刻胶层112（相当于在所述保护层上方形成第二光致抗蚀剂层）；通过光掩模50执行光刻曝光过程，以曝光第一光刻胶层108及第二光刻胶层112，且形成第一光刻胶层108内的第一潜在图案（相当于形成所述第一光致抗蚀剂层中的底部潜在图案），以及形成第二光刻胶层112内的第二潜在图案（相当于形成所述第二光致抗蚀剂层中的顶部潜在图案），如图8-10所示，第一潜在图案与第二潜在图案部分重叠（相当于顶部潜在图案与所述底部潜在图案至少部分地重叠），显影第二光刻胶层112形成与第二潜在部件相关联的开口118，应用蚀刻工艺选择性地蚀刻材料层110并移除材料层110与第二光刻胶112的开口对准的部分118以形成与开口118对准的开口，显影第一光刻胶层108，以形成来自第一潜在部件42相关联的开口120（相当于显影所述第一光致抗蚀剂层、所述第二光致抗蚀剂层，以形成来自所述底部潜在图案的第一主要特征、来自所述顶部潜在图案的第二主要特征及所述保护层中的与所述第二主要特征垂直对准的开口）。
权利要求1相对于对比文件1的区别技术特征为：1）采用两个不同的掩模，经过两次曝光过程，在第一、第二光致抗蚀剂层中形成底部潜在图案和顶部潜在图案，并且所述第一光致抗蚀剂层中的所述底部潜在图案是在所述形成所述第二光致抗蚀剂层中的所述顶部潜在图案之前形成；即权利要求1中的曝光方式和对比文件1中的曝光方式不同，最终形成的图案相同；2）显影保护层以形成与第二主要特征垂直对准的开口；3）根据所述第一光致抗蚀剂层的极性及所述第二光致抗蚀剂层的极性来调整保护层材料的极性；4）所述保护层材料包含螯合剂。
对于区别技术特征1），对比文件2公开了一种制备双镶嵌结构的方法，具体公开了如下技术特征（参见说明书第7页第5段-第9页第3段，附图4-5）：图4a-4e中示出的光刻工艺采用了两次涂覆、两次曝光，以及单次显像的顺序制造半导体器件，附图4的实施例中，图4a，半导体器件4-99包括涂覆有层间电介质(ILD) 4-110的衬底4-100以及含有对第一波长的光线敏感的第一光致抗蚀剂 4-120（相当于在衬底上方形成第一光致抗蚀剂层）和对第二波长的光线敏感的第二光致抗蚀剂4-130（相当于在第一光致抗蚀剂层上方形成的第二光致抗蚀剂层）的光致抗蚀剂叠层；图4b，使用第二波长的光线将器件4-99曝露在投射图像 4-140下，光线投射到第二光致抗蚀剂4-130中但被在相对较薄的层中的第一光致抗蚀剂4-120吸收，在第二光致抗蚀剂4-130形成潜像，投射图像4-140不同于投射图形4-150（相当于通过不同于第一掩模的第二掩模执行第二光刻曝光过程，以曝光所述第二光致抗蚀剂层并且形成所述第二光致抗蚀剂层中的顶部潜在图案），图4c，第二投射的第一波长的光线图形4-150可以穿透第二光致抗蚀剂4-130的已曝光部分并且进入第一光致抗蚀剂4-120中，在第一光致抗蚀剂4-120中产生类似的潜像（相当于通过第一掩模执行第一光刻曝光过程，以曝光所述第一光致抗蚀剂层及所述第二光致抗蚀剂层并且形成所述第一光致抗蚀剂层中的底部潜在图案），第一光致抗蚀剂4-120中的潜像与第二光致抗蚀剂4-130的潜像部分重叠（相当于顶部潜在图案与所述底部潜在图案至少部分地重叠），在常规显像剂中显像两个光致抗蚀剂层4-120、4-130，以便在抗蚀剂中形成如图4e所示的双镶嵌图形4-200。即对比文件2给出了采用两个不同的掩膜板进行两次曝光以形成具有层叠结构的半导体器件的技术启示。在面临解决形成层叠结构的技术问题时，本领域技术人员有动机选择对比文件2记载的曝光方式以在两层中形成潜在图案，即将对比文件1中的单个光掩膜替换为图案部分重叠的两个不同的光掩膜，使用两个不同的光掩膜进行两次曝光，以曝光第一光致抗蚀剂层及第二光致抗蚀剂层，并且分别在第一光致抗蚀剂层及第二光致抗蚀剂层中形成底部潜在图像和顶部潜在图像，以得到双镶嵌图像。对于两层光致抗蚀剂层中的潜在图案的形成顺序，本领域技术人员根据两层光致抗蚀剂对曝光波长的敏感性差异，通过选择合适的曝光波长即可调整在两层光致抗蚀剂层中形成潜在图案的顺序。
对于区别技术特征2），对比文件1中采用单次曝光两次显影形成上下两次部分重叠的光刻胶图案，材料层110通过蚀刻工艺形成与第二光刻胶层的第二图案对准的开口。使两层光刻胶和中间的介质层均采用显影工艺形成开口也是本领域常用技术手段，使材料层的开口与上方的光刻胶图案形成垂直对准也是本领域常用技术手段。在此基础上，本领域技术人员容易想到将对比文件1中的材料层110也采用显影工艺处理，以形成与开口118垂直对准的开口。
对于区别技术特征3），对比文件3公开了一种用于浸润式微影制程的涂布材料，具体公开了如下技术特征（参见说明书第5页第3段-第8页第6段，附图1-3）：用于浸润式微影制程的涂布材料，该涂布材料位于光阻层120上，对光阻层120进行保护，涂布材料层包含聚合物132及酸134，还包含溶剂，涂布材料层130中的酸134还可降低光阻层120中的光酸进入涂布材料层130，涂布材料层130可溶于显影液、碱性溶液或是溶剂，利用辐射光(例如深紫外光)经预先图案化的光罩和浸润式流体，对光阻120和涂布材料层130曝光，形成光阻图案，涂布材料层可与曝光过的光阻材料一起被显影液所去除。即对比文件3给出了使用聚合物材料作为光刻胶保护层的技术启示。基于此，本领域技术人员有动机选择对比文件3公开的材料作为光刻胶层的保护层。当在对比文件1中使用聚合物材料作为材料层110时，根据第一光致抗蚀剂层的极性及第二光致抗蚀剂层的极性来调整保护层材料的极性以更好地隔离两层抗蚀剂层从而防止两层之间的混溶是本领域技术人员容易想到的。
对于区别技术特征4），见前述对比文件1-3均未公开保护层中包含螯合剂，也没给出在保护层中添加螯合剂的技术启示，并且也没有证据表明保护层中含有螯合剂是本领域的公知常识。本申请的保护层中的螯合剂能够结合到离子，可用以捕获相邻层扩散的离子，藉此减少相邻层的离子性添加剂的扩散，从而更好地抑制两层抗蚀剂层的混溶，实现对抗蚀剂层更好的保护。
因此，权利要求1相对于对比文件1和对比文件2、对比文件3以及本领域公知常识的结合具备专利法第22条第3款规定的创造性。在此基础上，直接或间接引用权利要求1的从属权利要求2-6也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（2）权利要求7请求保护一种方法，对比文件1公开了一种采用单次曝光限定多层图案的方法，具体公开了如下技术特征（参见说明书第45-107 段，附图1-23）：采用单次曝光限定多层图案的方法，用于制造半导体结构，其包括：在衬底上形成第一光刻胶层108（相当于在衬底上方形成第一光致抗蚀剂层）；在第一光刻胶层108上方形成第二光刻胶层112（相当于在第一光致抗蚀剂层上方形成第二光致抗蚀剂层），在形成第一光刻胶层108后并且形成第二光刻胶层112之间，在第一光刻胶层108上方沉积使第一光刻胶和第二光刻胶彼此隔离的介电材料以形成材料层110，材料层110能保护光刻胶，以形成安置于第一光刻胶层108与第二光刻胶层112之间的保护层；在材料层110上方形成第二光刻胶层112；通过光掩膜50执行光刻曝光过程，以曝光第一光刻胶层108及第二光刻胶层112，且形成第一光刻胶层108内的第一潜在图案，以及形成第二光刻胶层112内的第二潜在图案，第一潜在图案包括与通孔部件20相关联的第一潜在部件42，而第二潜在图案包括与被限定在光掩模50中的金属线部件18和通孔部件20相关联的第二潜在部件34，根据附图4和6可知，第一潜在图案与第二潜在图案部分重叠，显影第二光刻胶层112形成与第二潜在部件相关联的开口118，应用蚀刻工艺选择性地蚀刻材料层110并移除材料层110与第二光刻胶112的开口对准的部分118以形成与开口118对准的开口，显影第一光刻胶层108，以形成来自第一潜在部件42相关联的开口120。
权利要求7与对比文件1相比，区别技术特征为：1）具有第一组离子性添加剂的第一光致抗蚀剂层，具有第二组离子性添加剂的第二光致抗蚀剂层；2）使用第一掩模执行第一光刻曝光过程，以曝光所述第一光致抗蚀剂层及所述第二光致抗蚀剂层并且形成所述第一光致抗蚀剂层中的第一潜在图案，使用不同于第一掩模的第二掩模对所述第一光致抗蚀剂层及所述第二光致抗蚀剂层执行第二光刻曝光过程，以形成所述第二光致抗蚀剂层中的第二潜在图案，其中所述第一光刻曝光过程和所述第二光刻曝光过程具有相同波长的曝光源；3）显影保护层以形成保护层中的开口；4）根据所述第一光致抗蚀剂层中的所述第一组离子性添加剂的浓度及所述第二光致抗蚀剂层中的所述第二组离子性添加剂的浓度来选择保护层材料中的螯合剂的浓度；在所述第一光致抗蚀剂层上方沉积具有所述选定螯合剂浓度的所述保护层材料。
对于区别技术特征1），对比文件3公开了一种用于浸润式微影制程的涂布材料，具体公开了如下技术特征（参见说明书第5页第3段-第8页第6段，附图1-3）：用于浸润式微影制程的涂布材料，该涂布材料位于光阻层120上，对光阻层120进行保护，光阻 120的成分包含聚合物、溶剂、抑制剂124和光酸产生剂122，涂布材料层包含聚合物132及酸134，还包含溶剂，涂布材料层130中的酸134还可降低光阻层120中的光酸进入涂布材料层130，涂布材料层130可溶于显影液、碱性溶液或是溶剂，利用辐射光(例如深紫外光)经预先图案化的光罩和浸润式流体，对光阻120和涂布材料层130曝光，形成光阻图案，涂布材料层可与曝光过的光阻材料一起被显影液所去除。即对比文件3给出了使用具有光酸产生剂的光致抗蚀剂层作为光刻胶，并且使用包含酸及溶剂的聚合物材料作为光刻胶保护层的技术启示，而本领域中离子型的光酸产生剂是光酸产生剂的常用类别。因此，本领域技术人员有动机使用具有第一组离子性添加剂的光致抗蚀剂作为第一光致抗蚀剂层，具有第二组离子性添加剂的光致抗蚀剂作为第二光致抗蚀剂层。
对于区别技术特征2），对比文件2公开了一种制备双镶嵌结构的方法，具体公开了如下技术特征（参见说明书第7页第5段-第9页第3段，附图4-5）：图4a-4e中示出的光刻工艺采用了两次涂覆、两次曝光，以及单次显像的顺序制造半导体器件，附图4的实施例中，半导体器件4-99包括涂覆有层间电介质(ILD) 4-110的衬底4-100以及含有对第一波长的光线敏感的第一光致抗蚀剂 4-120（相当于在衬底上方形成第一光致抗蚀剂层）和对第二波长的光线敏感的第二光致抗蚀剂4-130（相当于在第一光致抗蚀剂层上方形成第二光致抗蚀剂层）的光致抗蚀剂叠层；图4b，使用第二波长的光线将器件4-99曝露在投射图像4-140下，光线投射到第二光致抗蚀剂4-130中但被在相对较薄的层中的第一光致抗蚀剂4-120吸收，在第二光致抗蚀剂4-130形成潜像，投射图像4-140与投射图像4-150（相当于第一掩模的图像）不同的第二掩模（相当于使用不同于第一掩模的第二掩模)对所述第一光致抗蚀剂层及所述第二光致抗蚀剂层执行第二光刻曝光过程，以形成所述第二光致抗蚀剂层中的第二潜在图案），图4c，第二投射的第一波长的光线图形4-150可以穿透第二光致抗蚀剂4-130的已曝光部分并且进入第一光致抗蚀剂4-120中，在第一光致抗蚀剂4-120中产生类似的潜像（相当于使用第一掩模对所述第一光致抗蚀剂层及所述第二光致抗蚀剂层执行第一光刻曝光过程，以形成所述第一光致抗蚀剂层中的第一潜在图案），第一光致抗蚀剂4-120中的潜像与第二光致抗蚀剂4-130的潜像部分重叠，在常规显像剂中显像两个光致抗蚀剂层4-120、4-130，以便在抗蚀剂中形成如图4e所示的双镶嵌图形4-200。图5a-5d中所示的光刻工艺采用了使用两次涂覆、单次曝光以及单次显像顺序的两层叠层方法制备半导体器件。即对比文件2给出了采用两个不同的掩膜板进行两次曝光以形成具有层叠结构的半导体器件的技术启示。在面临解决形成层叠结构的技术问题时，本领域技术人员有动机选择对比文件2记载的曝光方式以在两层中形成潜在图案，以得到双镶嵌图像。而两次曝光过程中曝光源的波长是否相同是根据需要可以选择的。
对于区别技术特征3），对比文件1中采用单次曝光两次显影形成上下两次部分重叠的光刻胶图案，材料层110通过蚀刻工艺形成与第二光刻胶层的第二图案对准的开口。使两层光刻胶和中间的介质层均采用显影工艺形成开口也是本领域常用技术手段。在此基础上，本领域技术人员容易想到将对比文件1中的材料层110也采用显影工艺处理，以形成保护层中的开口。
对于区别技术特征4），见前述对比文件1-3均未公开保护层中包含螯合剂，也没给出在保护层中添加螯合剂的技术启示，也没有证据表明保护层中含有螯合剂是本领域的公知常识。因此，区别技术特征4）中限定的内容既未被现有技术公开，也不属于本领域的公知常识。本申请中保护层中的螯合剂能够结合到离子，可用以捕获相邻层扩散的离子，藉此减少相邻层的离子性添加剂的扩散，从而更好地抑制了两层抗蚀剂层的混溶，实现对抗蚀剂层更好的保护，根据光致抗蚀剂中离子性添加剂的浓度来调整螯合剂的浓度使得保护层的保护性能得到进一步的优化。
因此，权利要求7相对于对比文件1和对比文件2、对比文件3以及本领域公知常识的结合具备专利法第22条第3款规定的创造性。在此基础上，直接或间接引用权利要求7的从属权利要求8-14也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（3）权利要求15请求保护一种方法，对比文件1公开了一种采用单次曝光限定多层图案的方法，具体公开了如下技术特征（参见说明书第45-107 段，附图1-23）：采用单次曝光限定多层图案的方法，用于制造半导体结构，其包括：在衬底上形成具有第一曝光阈值的第一光刻胶层108（相当于在衬底上方形成具第一曝光阈值的第一光致抗蚀剂层）；在第一光刻胶层108上方沉积使第一光刻胶和第二光刻胶彼此隔离的介电材料以形成材料层110，材料层110能保护光刻胶，以形成安置于第一光刻胶层108与第二光刻胶层112之间的保护层（相当于在所述第一光致抗蚀剂层上方沉积所述保护层材料，以形成安置于所述第一光致抗蚀剂层与所述第二光致抗蚀剂层之间的保护层）；在材料层110上方形成具有第二曝光阈值的第二光刻胶层112（相当于在所述保护层上方形成具第二曝光阈值的第二光致抗蚀剂层）；通过光掩膜50执行光刻曝光过程，以曝光第一光刻胶层108及第二光刻胶层112，且形成第一光刻胶层108内的第一潜在图案（相当于形成所述第一光致抗蚀剂层中的底部潜在图案），以及形成第二光刻胶层112内的第二潜在图案（相当于形成所述第二光致抗蚀剂层中的顶部潜在图案），第一潜在图案包括与通孔部件20相关联的第一潜在部件42，而第二潜在图案包括与被限定在光掩模50中的金属线部件18和通孔部件20相关联的第二潜在部件34，显影第二光刻胶层112形成与第二潜在部件相关联的开口118，应用蚀刻工艺选择性地蚀刻材料层110并移除材料层110与第二光刻胶112的开口对准的部分118以形成与开口118对准的开口。由于第一光刻胶层108内只在第一潜在图案处形成图像，因此除第一潜在图案之外的区域接收到的曝光剂量要小于第一曝光阈值的曝光剂量（相当于所述第一光致抗蚀剂层中的除所述第一潜在图案之外的区域接收小于所述第一曝光阈值的曝光剂量）。
权利要求15与对比文件1相比，区别技术特征为：1）通过第一掩模执行第一光刻曝光过程，以曝光所述第一光致抗蚀剂层及所述第二光致抗蚀剂层并且形成所述第一光致抗蚀剂层中的底部潜在图案，通过不同于第一掩模的第二掩模执行第二光刻曝光过程，以曝光所述第一光致抗蚀剂层及所述第二光致抗蚀剂层并且形成所述第二光致抗蚀剂层中的顶部潜在图案；2）保护层包含聚合物、溶剂及螯合剂。
对于区别技术特征1），对比文件2公开了一种制备双镶嵌结构的方法，具体公开了如下技术特征（参见说明书第7页第5段-第9页第3段，附图4-5）：图4a-4e中示出的光刻工艺采用了两次涂覆、两次曝光，以及单次显像的顺序制造半导体器件，附图4的实施例中，图4a，半导体器件4-99包括涂覆有层间电介质(ILD) 4-110的衬底4-100以及含有对第一波长的光线敏感的第一光致抗蚀剂 4-120（相当于在衬底上方形成第一光致抗蚀剂层）和对第二波长的光线敏感的第二光致抗蚀剂4-130（相当于在第一光致抗蚀剂层上方形成的第二光致抗蚀剂层）的光致抗蚀剂叠层；图4b，使用第二波长的光线将器件4-99曝露在投射图像 4-140下，光线投射到第二光致抗蚀剂4-130中但被在相对较薄的层中的第一光致抗蚀剂4-120吸收，在第二光致抗蚀剂4-130形成潜像，投射图像4-140不同于投射图形4-150（相当于通过不同于第一掩模的第二掩模执行第二光刻曝光过程，以曝光所述第二光致抗蚀剂层并且形成所述第二光致抗蚀剂层中的顶部潜在图案），图4c，第二投射的第一波长的光线图形4-150可以穿透第二光致抗蚀剂4-130的已曝光部分并且进入第一光致抗蚀剂4-120中，在第一光致抗蚀剂4-120中产生类似的潜像（相当于通过第一掩模执行第一光刻曝光过程，以曝光所述第一光致抗蚀剂层及所述第二光致抗蚀剂层并且形成所述第一光致抗蚀剂层中的底部潜在图案），在常规显像剂中显像两个光致抗蚀剂层4-120、4-130，以便在抗蚀剂中形成如图4e所示的双镶嵌图形4-200。即对比文件2给出了采用两个不同的掩膜板进行两次曝光以形成具有层叠结构的半导体器件的技术启示。在面临解决形成层叠结构的技术问题时，本领域技术人员有动机选择对比文件2记载的曝光方式以在两层中形成潜在图案，即将对比文件1中的单个光掩膜替换为图案部分重叠的两个不同的光掩膜，使用两个不同的光掩膜进行两次曝光，以曝光第一光致抗蚀剂层及第二光致抗蚀剂层，并且分别在第一光致抗蚀剂层及第二光致抗蚀剂层中形成底部潜在图像和顶部潜在图像，以得到双镶嵌图像。
对于区别技术特征2），对比文件3公开了一种用于浸润式微影制程的涂布材料，具体公开了如下技术特征（参见说明书第5页第3段-第8页第6段，附图1-3）：用于浸润式微影制程的涂布材料，该涂布材料位于光阻层120上，对光阻层120进行保护，涂布材料层包含聚合物132及酸134，还包含溶剂。即对比文件3给出了使用包含溶剂和聚合物的材料作为光刻胶保护层的技术启示。见前述，对比文件1-3均未公开保护层中包含螯合剂，也没给出在保护层中添加螯合剂的技术启示，也没有证据表明保护层中含有螯合剂是本领域的公知常识。本申请的保护层中的螯合剂能够结合到离子，可用以捕获相邻层扩散的离子，藉此减少相邻层的离子性添加剂的扩散，从而更好地抑制两层抗蚀剂层的混溶，实现对抗蚀剂层更好的保护。
因此，权利要求15相对于对比文件1和对比文件2、对比文件3以及本领域公知常识的结合具备专利法第22条第3款规定的创造性。在此基础上，直接或间接引用权利要求15的从属权利要求16-18也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、针对驳回决定和前置审查意见的答复
驳回决定和前置审查意见中均指出：保护层包括螯合剂以解决相邻光刻胶层的离子性扩散剂扩散引起的互溶是本领域常用技术手段。根据第一光致抗蚀剂层中的离子性添加剂的浓度及第二光致抗蚀剂层中的离子性添加剂的浓度来调节所述保护层材料中的鳌合剂的浓度是本领域常用技术手段。然而，见前述，对比文件1-3均未公开保护层中包含螯合剂，也没给出在保护层中添加螯合剂的技术启示，也没有证据表明保护层中含有螯合剂是本领域的公知常识，进而也没有证据表明调节螯合剂的浓度是现有技术或者本领域公知常识。
基于上述事实和理由，本案合议组依法作出如下审查决定。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018年11月28日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原专利实质审查部门在以本复审请求审查决定针对的文本为基础继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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