发明创造名称：射频模块及其制造方法和包括射频模块的多射频模块
外观设计名称：
决定号：201880
决定日：2020-01-19
委内编号：1F268059
优先权日：2006-01-25
申请（专利）号：201510977914.8
申请日：2006-08-28
复审请求人：三星电子株式会社
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：周璞
合议组组长：潘莉
参审员：吴伟
国际分类号：H03H9/05,H03H9/58
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求与最接近的对比文件相比存在区别技术特征，但该区别技术特征是本领域的公知常识，在该最接近的对比文件基础上结合本领域的公知常识得到该权利要求请求保护的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，则该权利要求请求保护的技术方案不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510977914.8，名称为“射频模块及其制造方法和包括射频模块的多射频模块”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为三星电子株式会社。本申请的申请日为2006年08月28日，优先权日为2006年01月25日，公开日为2016年05月11日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年08月30日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-11不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为：分案申请提交日2015年12月23日提交的说明书摘要、说明书第1-72段、摘要附图、说明书附图图1-5C，2018年07月16日提交的权利要求第1-11项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种射频模块，包括：
基础衬底；
第一元件，其形成于所述基础衬底上，其处理射频信号；
第一空腔，其形成于所述基础衬底与所述第一元件之间；
第二元件，其设置在所述第一元件之上并与之隔开，其处理射频信号；
盖顶衬底，其与所述基础衬底耦合，以封装所述第一和第二元件，并且其包括多个将所述第一和第二元件与外部电连接的导通电极；
第二空腔，其形成于所述盖顶衬底与所述第二元件之间；以及
密封垫，其封装并接合所述基础衬底和所述盖顶衬底，并且其将所述第一和第二元件电连接至所述导通电极，
其中，所述第一和第二元件分别为带通滤波器。
2. 根据权利要求1所述的射频模块，其中，所述第一和第二元件分别包括至少一个膜体声共振器。
3. 根据权利要求1所述的射频模块，还包括：第三元件，其形成于所述盖顶衬底上并通过所述导通电极连接至所述第一和第二元件，其处理射频信号。
4. 根据权利要求3所述的射频模块，其中，所述第二元件与所述盖顶衬底的下表面隔开，并且受所述密封垫支撑。
5. 根据权利要求3所述的射频模块，其中，所述第三元件是用于将所述第一和第二元件彼此分开的相移器。
6. 根据权利要求1所述的射频模块，还包括：第三元件，其形成于位于所述基础衬底的上部的由所述盖顶衬底封装并接合的区域的边缘上，并连接至所述第一和第二元件，其处理射频信号。
7. 根据权利要求6所述的射频模块，其中，所述第二元件形成于面对所述基础衬底的所述盖顶衬底的下表面上。
8. 根据权利要求6所述的射频模块，其中，所述第三元件是用于将所述第一和第二元件彼此分开的相移器。
9. 一种多射频模块，包括：
形成于基础衬底上的多个射频模块，其中，每一所述射频模块包括：
基础衬底；
第一元件，其形成于所述基础衬底上，其处理射频信号；
第一空腔，其形成于所述基础衬底与所述第一元件之间；
第二元件，其设置在所述第一元件之上并与之隔开，其处理射频信号；
盖顶衬底，其与所述基础衬底接合并封装所述第一和第二元件，并且其包括多个将所述第一和第二元件与外部电连接的导通电极；
第二空腔，其形成于所述盖顶衬底与所述第二元件之间；以及
密封垫，其封装并耦合所述基础衬底和所述盖顶衬底，并且其将所述第一和第二元件电连接至所述导通电极， 其中，所述多射频模块包括多个所述射频模块，并且所述射频模块共同形成于所述基础衬底上，其中，所述第一和第二元件分别为带通滤波器。
10. 一种制造射频模块的方法，包括：
在基础衬底上形成处理射频信号的第一元件，其中在所述基础衬底与所述第一元件之间形成第一空腔；
在中间衬底上形成处理射频信号的第二元件；
接合所述基础衬底和所述中间衬底，使得所述第一和第二元件彼此面对；
蚀刻所述中间衬底，从而暴露所述第一和第二元件的线路；
蚀刻盖顶衬底以形成第二空腔、在盖顶衬底上形成处理射频信号的第三元件和将所述第一和第二元件与外部电连接的导通电极；以及
以密封垫封装并接合所述基础衬底和所述盖顶衬底，从而将所述第一和第二元件封装起来，所述密封垫将所述第一和第二元件电连接至所述导通电极，其中，所述第一和第二元件分别为带通滤波器。
11. 一种制造射频模块的方法，包括：
在基础衬底上形成处理射频信号的第一和第三元件，其中在所述基础衬底与所述第一元件之间形成第一空腔；
在盖顶衬底上形成处理射频信号的第二元件和将所述第一和第二元件与外部电连接的导通电极，其中在所述盖顶衬底与所述第二元件之间形成第二空腔；
通过以密封垫接合所述基础衬底和所述盖顶衬底封装所述第一和第二元件，所述密封垫将所述第一和第二元件电连接至所述导通电极；以及
蚀刻所述盖顶衬底，从而将所述第三元件暴露至外部，其中，所述第一和第二元件分别为带通滤波器。”
驳回决定中所引用的对比文件为：
对比文件1：US2006/0012021A1，公开日为2006年01月19日；
驳回决定中指出：独立权利要求1与对比文件1的区别技术特征在于：还包括形成于所述基础衬底与所述第一元件之间的第一空腔和形成于所述盖顶衬底与所述第二元件之间的第二空腔；多个将第一和第二元件与外部电连接的导通电极位于盖顶衬底上；第一元件也为带通滤波器。然而，上述区别技术特征为本领域的公知常识，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求1的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，因此权利要求1不具备创造性。从属权利要求2-8的附加技术特征为公知常识，因此权利要求2-8也不具备创造性。
独立权利要求9与对比文件1的区别技术特征在于：还包括形成于所述基础衬底与所述第一元件之间的第一空腔和形成于所述盖顶衬底与所述第二元件之间的第二空腔；多个将第一和第二元件与外部电连接的导通电极位于盖顶衬底上；多射频模块包括多个射频模块，并且所述射频模块共同形成于所述基础衬底上；第一元件也为带通滤波器。上述区别技术特征为本领域的公知常识，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求9的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，因此权利要求9不具备创造性。
独立权利要求10与对比文件1的区别技术特征在于：在所述基础衬底与所述第一元件之间形成第一空腔；蚀刻盖顶衬底以形成第二空腔；在盖顶衬底上形成处理射频信号的第三元件；第一元件也为带通滤波器。上述区别技术特征为本领域的公知常识，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求10的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，因此权利要求10不具备创造性。
独立权利要求11与对比文件1的区别技术特征在于：在基础衬底上形成处理射频信号的第三元件；蚀刻所述盖顶衬底，从而将所述第三元件暴露至外部；在所述基础衬底与所述第一元件之间形成第一空腔；在所述盖顶衬底与所述第二元件之间形成第二空腔；第一元件也为带通滤波器。上述区别技术特征为本领域的公知常识，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求11的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，因此权利要求11不具备创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年12月07日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求第1-11项的全文替换页。主要修改为：将独立权利要求1的特征“密封垫将所述第一和第二元件电连接至相应的所述导通电极”改为“密封垫将所述第二元件电连接至相应的所述导通电极”；在独立权利要求1中进一步限定了“所述第一元件和所述第二元件彼此不电连接”；类似地修改了独立权利要求9-11。复审请求人认为修改不超范围，关于创造性，复审请求人认为：（1）滤波器和功率放大器均有不同的结构和功能，对比文件1中的第一元件是功率放大器而非本申请的滤波器，不能随意替换。对比文件1没有给出设置滤波器的启示，如果设置滤波器其结构将变得更为复杂，无法工作。（2）对比文件1仅示出了一个电极，没有示出另一个电极。（3）基于对比文件1的当前结构，本领域技术人员没有动机使FBAR装置与电路52不连接。因此，本申请相对于对比文件1而言是非显而易见的，具备突出的实质性特点和显著的进步，因而本申请具备创造性。
复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种射频模块，包括：
基础衬底；
第一元件，其形成于所述基础衬底上，其处理射频信号；
第一空腔，其形成于所述基础衬底与所述第一元件之间；
第二元件，其设置在所述第一元件之上并与之隔开，其处理射频信号；
盖顶衬底，其与所述基础衬底耦合，以封装所述第一和第二元件，并且其包括多个将所述第一和第二元件与外部电连接的导通电极；
第二空腔，其形成于所述盖顶衬底与所述第二元件之间；以及
密封垫，其封装并接合所述基础衬底和所述盖顶衬底，并且其将所述第二元件电连接至相应的所述导通电极，
其中，所述第一和第二元件分别为带通滤波器，并且所述第一元件和所述第二元件彼此不电连接。
2. 根据权利要求1所述的射频模块，其中，所述第一和第二元件分别包括至少一个膜体声共振器。
3. 根据权利要求1所述的射频模块，还包括：第三元件，其形成于所述盖顶衬底上并通过所述导通电极连接至所述第一和第二元件，其处理射频信号。
4. 根据权利要求3所述的射频模块，其中，所述第二元件与所述盖顶衬底的下表面隔开，并且受所述密封垫支撑。
5. 根据权利要求3所述的射频模块，其中，所述第三元件是用于将所述第一和第二元件彼此分开的相移器。
6. 根据权利要求1所述的射频模块，还包括：第三元件，其形成于位于所述基础衬底的上部的由所述盖顶衬底封装并接合的区域的边缘上，并连接至所述第一和第二元件，其处理射频信号。
7. 根据权利要求6所述的射频模块，其中，所述第二元件形成于面对所述基础衬底的所述盖顶衬底的下表面上。
8. 根据权利要求6所述的射频模块，其中，所述第三元件是用于将所述第一和第二元件彼此分开的相移器。
9. 一种多射频模块，包括：
形成于基础衬底上的多个射频模块，其中，每一所述射频模块包括：
基础衬底；
第一元件，其形成于所述基础衬底上，其处理射频信号；
第一空腔，其形成于所述基础衬底与所述第一元件之间；
第二元件，其设置在所述第一元件之上并与之隔开，其处理射频信号；
盖顶衬底，其与所述基础衬底接合并封装所述第一和第二元件，并且其包括多个将所述第一和第二元件与外部电连接的导通电极；
第二空腔，其形成于所述盖顶衬底与所述第二元件之间；以及
密封垫，其封装并耦合所述基础衬底和所述盖顶衬底，并且其将所述第二元件电连接至相应的所述导通电极，
其中，所述多射频模块包括多个所述射频模块，并且所述射频模块共同形成于所述基础衬底上，
其中，所述第一和第二元件分别为带通滤波器，并且所述第一元件和所述第二元件彼此不电连接。
10. 一种制造射频模块的方法，包括：
在基础衬底上形成处理射频信号的第一元件，其中在所述基础衬底与所述第一元件之间形成第一空腔；
在中间衬底上形成处理射频信号的第二元件；
接合所述基础衬底和所述中间衬底，使得所述第一和第二元件彼此面对；
蚀刻所述中间衬底，从而暴露所述第一和第二元件的线路；
蚀刻盖顶衬底以形成第二空腔、在盖顶衬底上形成处理射频信号的第三元件和将所述第一和第二元件与外部电连接的导通电极；以及
以密封垫封装并接合所述基础衬底和所述盖顶衬底，从而将所述第一和第二元件封装起来，所述密封垫将所述第二元件电连接至相应的所述导通电极，
其中，所述第一和第二元件分别为带通滤波器，并且所述第一元件和所述第二元件彼此不电连接。
11. 一种制造射频模块的方法，包括：
在基础衬底上形成处理射频信号的第一和第三元件，其中在所述基础衬底与所述第一元件之间形成第一空腔；
在盖顶衬底上形成处理射频信号的第二元件和将所述第一和第二元件与外部电连接的导通电极，其中在所述盖顶衬底与所述第二元件之间形成第二空腔；
通过以密封垫接合所述基础衬底和所述盖顶衬底封装所述第一和第二元件，所述密封垫将所述第二元件电连接至相应的所述导通电极；以及
蚀刻所述盖顶衬底，从而将所述第三元件暴露至外部，
其中，所述第一和第二元件分别为带通滤波器，并且所述第一元件和所述第二元件彼此不电连接。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年12月12日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：复审请求人提交的修改超出了原申请记载的范围，不满足专利法第33条的规定：首先，本申请的文字部分未记载“第一元件和第二元件无电连接”， 复审请求人声称的修改依据为（参见说明书[0038]段）“第三元件350是用于第一元件和第二元件150和250的绝缘的相移器”，该段为说明书中针对实施例1图1的描述，而从图1中可以看出350位于盖顶衬底之上，与各导通电极均未连接，也即与第一元件和第二元件也均没有接触，因此，350无法起到150和250隔绝的绝缘效果，只能将前述表述理解为350与150和250均未产生电连接，从而与150和250均“绝缘“；其次，根据与实施例1对应的图1，按照复审请求人所述“第一元件通过导电密封圈190a和190b电连接至导通电极310a和310b”，那么图1中的连接第一元件和190a的导电垫以及连接第一元件和190b的161必然会分别经过190c和190d，从而通过190c和190d与第二元件250产生电连接，由此推断，实施例1中的第一元件和第二元件必然是相互连接的；最后，本申请的实施例2中明确记载了（参见[0045]段）：“图1中的RF模块不同，本实施例中的第三元件690设置于由盖顶衬底600封装和接合的区域之外的基础衬底500的边缘上，并且通过第一导电垫580电连接到第一和第二元件550和560”，由于图2中580既电连接于690和第一元件550，又通过密封垫690c电连接至第二元件。因此，在第2实施例中，第一元件和第二元件存在电连接关系。而其他实施例中均无法判断出第一元件和第二元件没有电连接关系。综上所述，本申请的第一和二实施例中明确记载了第一元件和第二元件存在电连接关系，而说明书的其他部分又不能直接毫无疑义地确定第一元件和第二元件之间不存在电连接关系。因此，权利要求1，9-11的修改超出了原申请记载的范围，不满足专利法第33条的规定。同时，复审请求人认为滤波器和功率放大器均有不同的结构和功能，对比文件1中的第一元件是功率放大器而非本申请的滤波器，不能随意替换。然而，本申请是对一种射频模块的封装和制造方法的改进，重点在于射频电路模块的布局和生产步骤，至于射频模块中具体采用何种类型的电路，是本领域技术人员可以根据实际需要进行设计的。复审请求人的其他意见都是基于第一元件和第二元件不存在电连接而产生的，在权利要求1的修改超范围的前提下，前述意见不成立。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年08 月28日向复审请求人发出复审通知书，其中引用了驳回决定中的对比文件1，并指出：权利要求1、9-11的修改超出了原说明书和权利要求书记载的范围，因此不符合专利法第33条的规定；若将复审请求时提交的权利要求书中修改超范围的部分去除，则权利要求1-11相对于对比文件1与公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。针对复审请求人的意见陈述，合议组认为：（1）本申请是对一种射频模块的封装和制造方法的改进，技术方案主要涉及射频电路模块的布局和生产步骤，至于射频模块中具体采用何种类型的电路，是本领域技术人员可以根据实际需要的功能而选用。同时，功率放大器和带通滤波器都是射频电路中常用的器件，在对比文件1已经公开了本申请射频电路的总体结构的基础上，在当前器件的位置设置带通滤波器以达到目标功能不需要付出创造性的劳动，并且，连接关系是基于器件类型并根据需要而设置的，如果是滤波器与功放，可以电连接以配合运转，如果两个器件均为滤波器，可以根据控制需求设置连接方式，均为本领域技术人员的常规选择，且未带来预料不到的技术效果。（2）对比文件1公开了与外部电连接的导通电极61和62分别位于盖顶衬底和基础衬底中，在集成电路制造工艺中，通常是在一个大的衬底上制造出一层一层地制造出所需元件，多个连接电极位于衬底的一侧是常规做法，电极的数量及位置设置仅带来刻蚀和注入的时的图形改变，工艺基本相同，而在电路设计中，信号传输的干扰和封装的便利本就是设计人员需要折中考虑的两个因素，根据具体需求，在对比文件1已经公开了一种电极设置的基础上，本领域技术人员容易想到设置多个电极或将电极设置于盖顶衬底上以适应实际封装需求。（3）本意见是基于增加技术特征“第一元件和第二元件不存在电连接”而提出的，在上述修改超范围的前提下，意见不成立。同时，连接关系是基于器件类型并根据需要而设置的，如果是滤波器与功放，可以电连接以配合运转，如果两个器件均为滤波器，可以根据控制需求设置连接方式，均为本领域技术人员的常规选择，且未带来预料不到的技术效果。
复审请求人于2019 年10 月08 日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求第1-11项的全文替换页。主要修改为：在独立权利要求1中进一步限定了“密封垫包括第一密封垫和第二密封垫，第一密封垫比第二密封垫更靠近基础衬底和盖顶衬底的边缘并且其将第一元件电连接至相应的导通电极，第二密封垫支撑第二元件”，并删除了前次修改中超范围的技术特征及权利要求4中的“并且受所述密封垫支撑”。复审请求人认为：（1）对比文件1的密封垫内侧虽然形成有导电柱27，因为导电柱结构和功能均与密封垫不同，所以其无法给出提供另一个密闭垫的技术启示，因而本领域技术人员不容易想到在位于边缘的第一密封垫内侧再额外形成一圈第二密封垫。（2）密封垫支撑在元件上，意味着该元件暴露在密封垫之外，无法被密封垫保护，因而采用密封垫支撑元件不是公知常识。（3）基于对比文件1附图5中的尺寸进行测算，其如果设置密封垫则会占用空间而导致不节约。因此，本申请具备突出的实质性特点和显著的进步，因而具备创造性。
复审请求人提交意见陈述书时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种射频模块，包括：
基础衬底；
第一元件，其形成于所述基础衬底上，其处理射频信号；
第一空腔，其形成于所述基础衬底与所述第一元件之间；
第二元件，其设置在所述第一元件之上并与之隔开，其处理射频信号；
盖顶衬底，其与所述基础衬底耦合，以封装所述第一和第二元件，并且其包括多个将所述第一和第二元件与外部电连接的导通电极；
第二空腔，其形成于所述盖顶衬底与所述第二元件之间；以及
密封垫，其封装并接合所述基础衬底和所述盖顶衬底并包括第一密封垫和第二密封垫，所述第一密封垫比所述第二密封垫更靠近所述基础衬底和所述盖顶衬底的边缘并且其将所述第一元件电连接至相应的所述导通电极，所述第二密封垫支撑所述第二元件，
其中，所述第一和第二元件分别为带通滤波器。
2. 根据权利要求1所述的射频模块，其中，所述第一和第二元件分别包括至少一个膜体声共振器。
3. 根据权利要求1所述的射频模块，还包括：第三元件，其形成于所述盖顶衬底上并通过所述导通电极连接至所述第一和第二元件，其处理射频信号。
4. 根据权利要求3所述的射频模块，其中，所述第二元件与所述盖顶衬底的下表面隔开。
5. 根据权利要求3所述的射频模块，其中，所述第三元件是用于将所述第一和第二元件彼此分开的相移器。
6. 根据权利要求1所述的射频模块，还包括：第三元件，其形成于位于所述基础衬底的上部的由所述盖顶衬底封装并接合的区域的边缘上，并连接至所述第一和第二元件，其处理射频信号。
7. 根据权利要求6所述的射频模块，其中，所述第二元件形成于面对所述基础衬底的所述盖顶衬底的下表面上。
8. 根据权利要求6所述的射频模块，其中，所述第三元件是用于将所述第一和第二元件彼此分开的相移器。
9. 一种多射频模块，包括：
形成于基础衬底上的多个射频模块，其中，每一所述射频模块包括：
基础衬底；
第一元件，其形成于所述基础衬底上，其处理射频信号；
第一空腔，其形成于所述基础衬底与所述第一元件之间；
第二元件，其设置在所述第一元件之上并与之隔开，其处理射频信号；
盖顶衬底，其与所述基础衬底接合并封装所述第一和第二元件，并且其包括多个将所述第一和第二元件与外部电连接的导通电极；
第二空腔，其形成于所述盖顶衬底与所述第二元件之间；以及
密封垫，其封装并耦合所述基础衬底和所述盖顶衬底并包括第一密封垫和第二密封垫，所述第一密封垫比所述第二密封垫更靠近所述基础衬底和所述盖顶衬底的边缘并且其将所述第一元件电连接至相应的所述导通电极，所述第二密封垫支撑所述第二元件，
其中，所述多射频模块包括多个所述射频模块，并且所述射频模块共同形成于所述基础衬底上，
其中，所述第一和第二元件分别为带通滤波器。
10. 一种制造射频模块的方法，包括：
在基础衬底上形成处理射频信号的第一元件，其中在所述基础衬底与所述第一元件之间形成第一空腔；
在中间衬底上形成处理射频信号的第二元件；
接合所述基础衬底和所述中间衬底，使得所述第一和第二元件彼此面对；
蚀刻所述中间衬底，从而暴露所述第一和第二元件的线路；
蚀刻盖顶衬底以形成第二空腔、在盖顶衬底上形成处理射频信号的第三元件和将所述第一和第二元件与外部电连接的导通电极；以及
以密封垫封装并接合所述基础衬底和所述盖顶衬底，从而将所述第一和第二元件封装起来，所述密封垫包括第一密封垫和第二密封垫，所述第一密封垫比所述第二密封垫更靠近所述基础衬底和所述盖顶衬底的边缘并且其将所述第一元件电连接至相应的所述导通电极，所述第二密封垫支撑所述第二元件，
其中，所述第一和第二元件分别为带通滤波器。
11. 一种制造射频模块的方法，包括：
在基础衬底上形成处理射频信号的第一和第三元件，其中在所述基础衬底与所述第一元件之间形成第一空腔；
在盖顶衬底上形成处理射频信号的第二元件和将所述第一和第二元件与外部电连接的导通电极，其中在所述盖顶衬底与所述第二元件之间形成第二空腔；
通过以密封垫接合所述基础衬底和所述盖顶衬底封装所述第一和第二元件，所述密封垫包括第一密封垫和第二密封垫，所述第一密封垫比所述第二密封垫更靠近所述基础衬底和所述盖顶衬底的边缘并且其将所述第一元件电连接至相应的所述导通电极，所述第二密封垫支撑所述第二元件；以及
蚀刻所述盖顶衬底，从而将所述第三元件暴露至外部，
其中，所述第一和第二元件分别为带通滤波器。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人于2019年10月08日提交了权利要求第1-11项的全文替换页，经审查，上述修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。本复审请求审查决定所针对的文本为：分案申请提交日2015年12月23日提交的说明书摘要、说明书第1-72段、摘要附图、说明书附图图1-5C，2019年10月08日提交的权利要求第1-11项。
具体理由的阐述
专利法第22条第3款：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求与最接近的对比文件相比存在区别技术特征，但该区别技术特征是本领域的公知常识，在该最接近的对比文件基础上结合本领域公知常识得到该权利要求请求保护的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，则该权利要求请求保护的技术方案不具备创造性。
本复审请求审查决定引用的对比文件与驳回决定和复审通知书中引用的对比文件相同，即：
对比文件1：US2006/0012021A1，公开日为2006年01月19日；
权利要求1-11不具备专利法第22条第3款规定的创造性:
2.1. 权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求1请求保护一种射频模块，对比文件1公开了一种集成设备，包含膜体声谐振器（膜体声谐振器是射频器件，相当于射频模块）并具体公开了如下技术特征（参见说明书第[0021]段-[0056]段、图1）：膜体声谐振器（FBAR）被用于移动电话或者其它移动设备的RF传输器，本发明的集成设备15包括：基础衬底24（相当于基础衬底）和盖顶衬底21（相当于盖顶衬底），关联电路52形成于基础衬底24上，52可以是功率放大器来放大手机传输的信号（相当于第一元件，其形成于所述基础衬底上，其处理射频信号）；FBAR50形成于盖顶衬底21上，并与关联电路52隔开，52可用作手机的双工器（手机接收发射的都是射频信号，相当于第二元件，其设置在所述第一元件之上并与之隔开，其处理射频信号）；其中基础衬底24和盖顶衬底21耦合，并封装关联电路52和FBAR50（相当于盖顶衬底与所述基础衬底耦合，以封装所述第一和第二元件）；还包括导电柱27，用于导电连接关联电路52和FBAR50，同时导电电极61（相当于导通电极）、电极62与关联电路52和FBAR50相连，并进而与外部电连接接（由于关联电路52和FBAR50是连在一起的，50通过61电连接至外部节点64，相当于并且其包括将所述第一和第二元件与外部电连接的导通电极）；导电柱27可以使用密封垫圈来替代，实现电连接基底21和24进而电连接关联电路52和FBAR50的功能，并且与路径56和59一起，将关联电路52连接到电极61并将FBAR50电连接到电极62（相当于密封垫，其封装并接合所述基础衬底和所述盖顶衬底，并且其将第一元件电连接至相应的电极）；同时，由于导电柱27可以使用密封垫圈来替代，则其与位于图中42位置的密封垫圈共同构成第一、第二密封垫，且第一密封垫比第二密封垫更靠近基础衬底和所述盖顶衬底的边缘；膜体声谐振器（FBAR）50形成于盖顶衬底21上（相当于第二元件为带通滤波器）；关联电路52可以是功率放大器。
权利要求1请求保护的技术方案与对比文件1公开的技术方案相比，区别技术特征为：1）还包括形成于所述基础衬底与所述第一元件之间的第一空腔和形成于所述盖顶衬底与所述第二元件之间的第二空腔，第二密封垫支撑第二元件；2）多个将第一和第二元件与外部电连接的导通电极位于盖顶衬底上，第一元件连接导通电极；3）第一元件也为带通滤波器。基于该区别技术特征可以确定，权利要求1相对于对比文件1实际解决的技术问题是：如何改善射频模块的RF特性及如何布局导通电极及密封垫。
针对区别技术特征1），在射频设备领域，本领域技术人员知晓，在形成射频部件的过程中，在射频部件与基底之间留有空隙能够很好的改善该射频部件的RF性能。在对比文件1公开了第一元件和第二元件皆用于处理射频信号的基础上，为了改善元件的RF性能，本领域技术人员容易想到在基础衬底与所述第一元件之间设置第一空腔，同时在盖顶衬底与所述第二元件之间设置第二空腔。对比文件1已经公开了（参见图1）：FBAR50位于盖顶衬底的下表面（相当于第二元件形成于面对所述基础衬底的所述盖顶衬底的下表面上），基于此，为了提升稳固程度而采用常用的密封垫作为元件支撑结构是本领域技术人员容易想到的。
针对区别技术特征2），在对比文件1已经公开了电极61和62用于将第一和第二元件与外部电连接的基础上，本领域技术人员根据电路模块与外部电路的连接关系，容易想到可以将位于基础衬底上的元件与外部电连接的导通电极设置在盖顶衬底上，并通过对比文件1中已经公开的基础衬底和盖顶衬底之间的电连接路径来实现第一、第二元件与导通电极之间的连接，这属于本领域的惯用技术手段，为公知常识。
针对上述区别技术特征3），在射频信号处理领域，功率放大器和带通滤波器都是常用的射频元件，在对比文件1已经公开了第一元件为功率放大器的基础上，本领域技术人员容易想到根据实际需求选择其为带通滤波器，这属于本领域的惯用技术手手段，为公知常识。
可见，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识以得到权利要求1请求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2. 权利要求2不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求2引用权利要求1，对比文件1还公开了（参见说明书第[0044]段）：膜体声谐振器（FBAR）50形成于盖顶衬底21上（相当于第二元件包括一个膜体声共振器）。在对比文件1已经公开了射频模块的基本布局和第二元件为FBAR的基础上，本领域技术人员可根据实际需要选择将第一和第二元件分别设计为一个或多个膜体声共振器，这属于本领域的惯用技术手段，为公知常识。当其引用的权利要求不具备创造性时，该从属权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3. 权利要求3、6不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求3和6引用权利要求1，其限定了射频模块还包括第三元件，并分别限定了第三元件的不同位置，然而在射频模块的设计过程中，为了满足不同的使用需求，本领域技术人员通常会在特定的位置添加一些辅助元件，并且通过辅助元件与电路中其他元件的连接使其正常工作，而在衬底的两边分别形成元件可以节约衬底，减小尺寸。因此，在盖顶衬底上的合适位置设置第三元件并将其连接至第一、第二元件以处理射频信号是本领域的惯用技术手段，为公知常识，当其引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求3和6不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.4. 权利要求4、7不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求4和7分别引用权利要求3和6，其限定了第二元件的不同位置，对比文件1还公开了（参见图1）：FBAR50位于盖顶衬底的下表面（相当于第二元件形成于面对所述基础衬底的所述盖顶衬底的下表面上）。为了减弱衬底造成的声泄露，通常在膜体声共振器于衬底之间形成空腔，是本领域技术人员容易想到的。当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求4和7也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.5. 权利要求5、8不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求5和8分别引用权利要求3和6，将第三元件进一步限定为相移器，而在射频传输网络中，常常需要调整信号的相移。因此，根据实际应用需求将第三元件设置为相移器以将第一元件和第二元件彼此分开是本领域技术人员的惯用技术手段，为公知常识。当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求5和8也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.6. 权利要求9不具备专利法第22条第3款规定的创造性
独立权利要求9请求保护一种多射频模块，对比文件1公开了一种集成设备，包含膜体声谐振器（膜体声谐振器是射频器件，相当于射频模块）并具体公开了如下技术特征（参见说明书第[0021]段-[0056]段、图1）：膜体声谐振器（FBAR）被用于移动电话或者其它移动设备的RF传输器，本发明的集成设备15包括：基础衬底24（相当于基础衬底）和盖顶衬底21（相当于盖顶衬底），关联电路52形成于基础衬底24上，52可以是功率放大器来放大手机传输的信号（相当于第一元件，其形成于所述基础衬底上，其处理射频信号）；FBAR50形成于盖顶衬底21上，并与关联电路52隔开，52可用作手机的双工器（手机接收发射的都是射频信号，相当于第二元件，其设置在所述第一元件之上并与之隔开，其处理射频信号）；其中基础衬底24和盖顶衬底21耦合，并封装关联电路52和FBAR50（相当于盖顶衬底与所述基础衬底耦合，以封装所述第一和第二元件）；还包括导电柱27，用于导电连接关联电路52和FBAR50，同时导电电极61（相当于导通电极）、电极62与关联电路52和FBAR50相连，并进而与外部电连接接（由于关联电路52和FBAR50是连在一起的，50通过61电连接至外部节点64，相当于并且其包括将所述第一和第二元件与外部电连接的导通电极）；导电柱27可以使用密封垫圈来替代，实现电连接基底21和24进而电连接关联电路52和FBAR50的功能，并且与路径56和59一起，将关联电路52连接到电极61并将FBAR50电连接到电极62（相当于密封垫，其封装并接合所述基础衬底和所述盖顶衬底，并且其将第一元件电连接至相应的电极）；同时，由于导电柱27可以使用密封垫圈来替代，则其与位于图中42位置的密封垫圈共同构成第一、第二密封垫，且第一密封垫比第二密封垫更靠近基础衬底和所述盖顶衬底的边缘；膜体声谐振器（FBAR）50形成于盖顶衬底21上（相当于第二元件为带通滤波器）；关联电路52可以是功率放大器。
权利要求9请求保护的技术方案与对比文件1公开的技术方案相比，区别技术特征为：1）还包括形成于所述基础衬底与所述第一元件之间的第一空腔和形成于所述盖顶衬底与所述第二元件之间的第二空腔，第二密封垫支撑第二元件；2）多个将第一和第二元件与外部电连接的导通电极位于盖顶衬底上，第一元件连接导通电极；3）多射频模块包括多个射频模块，并且所述射频模块共同形成于所述基础衬底上；4）第一元件也为带通滤波器。基于该区别技术特征可以确定，权利要求9相对于对比文件1实际解决的技术问题是：如何改善射频模块的RF特性、如何布局导通电极及密封垫以及如何实现多射频模块。
针对区别技术特征1），在射频设备领域，本领域技术人员知晓，在形成射频部件的过程中，在射频部件与基底之间留有空隙能够很好的改善该射频部件的RF性能。在对比文件1公开了第一元件和第二元件皆用于处理射频信号的基础上，为了改善元件的RF性能，本领域技术人员容易想到在基础衬底与所述第一元件之间设置第一空腔，同时在盖顶衬底与所述第二元件之间设置第二空腔。对比文件1已经公开了（参见图1）：FBAR50位于盖顶衬底的下表面（相当于第二元件形成于面对所述基础衬底的所述盖顶衬底的下表面上），基于此，为了提升稳固程度而采用常用的密封垫作为元件支撑结构是本领域技术人员容易想到的。
针对区别技术特征2），在对比文件1已经公开了电极61和62用于将第一和第二元件与外部电连接的基础上，本领域技术人员可根据实际需要布置电连接点，以实现射频模块的单面接线或是双面接线的封装需求以及第一、第二元件与导通电极的连接，这属于本领域的惯用技术手段，为公知常识。
针对区别技术特征3），为了实现双工、多工等工作模式，采用同样的方式设置多个射频模块，对于本领域技术人员而言，是容易想到和容易实现的。
针对区别技术特征4），在射频信号处理领域，功率放大器和带通滤波器都是常用的射频元件，在对比文件1已经公开了第一元件为功率放大器的基础上，本领域技术人员容易想到根据实际需求选择其为带通滤波器，这属于本领域的惯用技术手手段，为公知常识。
可见，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识以得到权利要求9请求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求9请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.7. 权利要求10不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求10请求保护一种制造射频模块的方法，对比文件1公开了一种集成设备的制造流程，包含膜体声谐振器（膜体声谐振器是射频器件，相当于制造射频模块的方法）并具体公开了如下技术特征（参见说明书第[0036]段-[0056]段、图1-3）：在基础衬底24的上表面51上形成电路52（相当于在基础衬底上形成处理射频信号的第一元件）；在盖顶衬底21上形成FBAR设备50（相当于在中间衬底上形成处理射频信号的第二元件）；通过按压使基础衬底和盖顶衬底相对地接合（相当于接合所述基础衬底和所述中间衬底，使得所述第一和第二元件彼此面对）；通过刻蚀等合适的工艺在盖顶衬底上形成导电柱和导电孔（相当于蚀刻所述中间衬底，从而暴露所述第一和第二元件的线路）；在盖顶衬底上形成电极61,64，通过59,27,56,50,61，64的路径将关联电路52和FBAR50与外部电极相连（相当于在盖顶衬底上形成将所述第一和第二元件与外部电连接的导通电极）；基础衬底和盖顶衬底相对地接合在一起以封装元件，垫圈42和衬垫49、导电柱27和衬垫36连接了衬底21和24从而形成了一个密封的空间（相当于以密封垫封装并接合所述基础衬底和所述盖顶衬底，从而将所述第一和第二元件封装起来）；导电柱27可以使用密封垫圈来替代，实现电连接基底21和24进而电连接关联电路52和FBAR50的功能，并且与路径56和59一起，将关联电路52连接到电极61并将FBAR50电连接到电极62（相当于述密封垫将第一元件电连接至相应的电极）；同时，由于导电柱27可以使用密封垫圈来替代，则其与位于图中42位置的密封垫圈共同构成第一、第二密封垫，且第一密封垫比第二密封垫更靠近基础衬底和所述盖顶衬底的边缘；膜体声谐振器（FBAR）50形成于盖顶衬底21上（相当于第二元件为带通滤波器）；关联电路52可以是功率放大器。
权利要求10与对比文件1的区别技术特征为：1）在所述基础衬底与所述第一元件之间形成第一空腔，蚀刻盖顶衬底以形成第二空腔；第二密封垫支撑第二元件；2）在盖顶衬底上形成处理射频信号的第三元件，第一元件连接导通电极；3）第一元件也为带通滤波器。基于前述区别技术特征可以确定，权利要求10相对于对比文件1实际解决的技术问题是：如何改善射频模块的RF特性以及扩展射频模块的功能。
针对前述区别技术特征1），在射频设备领域，本领域技术人员知晓，在形成射频部件的过程中，在射频部件与基底之间留有空隙能够很好的改善该射频部件的RF性能。在对比文件1公开了第一元件和第二元件皆用于处理射频信号的基础上，为了改善元件的RF性能，本领域技术人员容易想到在所述基础衬底与所述第一元件之间形成第一空腔以及蚀刻盖顶衬底以形成第二空腔。对比文件1已经公开了（参见图1）：FBAR50位于盖顶衬底的下表面（相当于第二元件形成于面对所述基础衬底的所述盖顶衬底的下表面上），基于此，为了提升稳固程度而采用常用的密封垫作为元件支撑结构是本领域技术人员容易想到的。
针对前述区别技术特征2），在射频模块的设计过程中，为了满足不同的使用需求，本领域技术人员通常会在特定的位置添加一些辅助元件，并且通过辅助元件与电路中其他元件的连接使其正常工作，而在衬底的两边分别形成元件可以节约衬底，减器件尺寸。因此，在盖顶衬底上形成处理射频信号的第三元件是本领域的惯用技术手段。同时，在对比文件1已经公开了电极61和62用于将第一和第二元件与外部电连接的基础上，本领域技术人员根据电路模块与外部电路的连接关系设置第一、第二元件与导通电极之间的连接是本领域技术人员容易想到的。
针对区别技术特征3），在射频信号处理领域，功率放大器和带通滤波器都是常用的射频元件，在对比文件1已经公开了第一元件为功率放大器的基础上，本领域技术人员容易想到根据实际需求选择其为带通滤波器，这属于本领域的惯用技术手手段，为公知常识。
因此，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识以得到权利要求10请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求10不具备突出的实质性特点和显著的技术进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.8. 权利要求11不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求11请求保护一种制造射频模块的方法，对比文件1公开了一种集成设备的制造流程，包含膜体声谐振器（膜体声谐振器是射频器件，相当于制造射频模块的方法）并具体公开了如下技术特征（参见说明书第[0036]段-[0056]段、图3）：在基础衬底24的上表面51上形成电路52（相当于在基础衬底上形成处理射频信号的第一元件）；在盖顶衬底上21上形成FBAR50，在盖顶衬底上形成电极61,64，通过59,27,56,50,61，64的路径将关联电路52和FBAR50与外部电极相连（相当于在盖顶衬底上形成处理射频信号的第二元件和将所述第一和第二元件与外部电连接的导通电极）；基础衬底和盖顶衬底相对地接合在一起以封装元件，垫圈42和衬垫49、导电柱27和衬垫36连接了衬底21和24从而形成了一个密封的空间，导电柱27可以使用密封垫圈来替代，实现电连接基底21和24进而电连接关联电路52和FBAR50的功能，并且与路径56和59一起，将关联电路52连接到电极61并将FBAR50电连接到电极62（相当于通过以密封垫接合所述基础衬底和所述盖顶衬底封装所述第一和第二元件，所述密封垫将第一元件电连接至相应的电极）；同时，由于导电柱27可以使用密封垫圈来替代，则其与位于图中42位置的密封垫圈共同构成第一、第二密封垫，且第一密封垫比第二密封垫更靠近基础衬底和所述盖顶衬底的边缘；基础衬底和盖顶衬底相对地接合在一起以封装元件（相当于和将所述第一和第二元件与外部电连接的导通电极）；膜体声谐振器（FBAR）50形成于盖顶衬底21上（相当于第二元件为带通滤波器）；关联电路52可以是功率放大器。
权利要求11与对比文件1的区别技术特征为：1）在基础衬底上形成处理射频信号的第三元件；蚀刻所述盖顶衬底，从而将所述第三元件暴露至外部，第一元件连接导通电极；2）在所述基础衬底与所述第一元件之间形成第一空腔；在所述盖顶衬底与所述第二元件之间形成第二空腔，第二密封垫支撑第二元件；3）第一元件也为带通滤波器。基于前述区别技术特征可以确定，权利要求11相对于对比文件1实际解决的技术问题是：如何扩展射频模块的功能以及如何改善射频模块的RF特性。
针对前述区别技术特征1），在射频模块的设计过程中，为了满足不同的使用需求，本领域技术人员通常会在特定的位置添加一些辅助元件，并且通过辅助元件与电路中其他元件的连接使其正常工作。因此，在盖顶衬底上形成处理射频信号的第三元件并刻蚀衬底使其暴露在外部是本领域的惯用技术手段。同时，在对比文件1已经公开了电极61和62用于将第一和第二元件与外部电连接的基础上，本领域技术人员根据电路模块与外部电路的连接关系设置第一、第二元件与导通电极之间的连接是本领域技术人员容易想到的。
针对前述区别技术特征2），在射频设备领域，本领域技术人员知晓，在形成射频部件的过程中，在射频部件与基底之间留有空隙能够很好的改善该射频部件的RF性能。在对比文件1公开了第一元件和第二元件皆用于处理射频信号的基础上，为了改善元件的RF性能，本领域技术人员容易想到在所述基础衬底与所述第一元件之间形成第一空腔以及蚀刻盖顶衬底以形成第二空腔。对比文件1已经公开了（参见图1）：FBAR50位于盖顶衬底的下表面（相当于第二元件形成于面对所述基础衬底的所述盖顶衬底的下表面上），基于此，为了提升稳固程度而采用常用的密封垫作为元件支撑结构是本领域技术人员容易想到的。
针对区别技术特征3），在射频信号处理领域，功率放大器和带通滤波器都是常用的射频元件，在对比文件1已经公开了第一元件为功率放大器的基础上，本领域技术人员容易想到根据实际需求选择其为带通滤波器，这属于本领域的惯用技术手手段，为公知常识。
因此，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识以得到权利要求11请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求11不具备突出的实质性特点和显著的技术进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对复审请求人相关意见的评述
对于复审请求人的意见陈述，合议组认为：（1）对比文件1（参见说明书第[0043]段）明确公开了导电柱27对应位置既可以设置导电柱，也可以设置密封垫42以替代导电柱，密封垫同样可以提供电连接作用，同时，对比文件1（参见说明书第[0038]段）还明确公开了导电柱27与密封垫42主要成分相同，意见陈述的内容不符合对比文件1明确公开的内容。（2）元件是否暴露在密封垫之外以及是否能被密封垫保护，与密封垫、元件的数量、位置、形状均有关系，而不是由单一因素判断。对比文件1中的密封垫同样可以起到对元件的保护作用。（3）在附图测量的尺寸不能作为其公开的内容，且使用密封垫自然会占用一定的空间，本申请也同样使用了密封垫，这不是不节约空间。并且，对比文件1已经明确公开了在对应位置可以设置占用了空间的部件27，其与密封垫材料相同且可替代，这种设置与其现有结构的空间使用并无矛盾。
综上所述，合议组对复审请求人的意见陈述不予支持，本申请不具备创造性。
基于上述事实和理由，本案合议组作出如下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年08月30日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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