发明创造名称：用于对基板进行等离子切割的方法
外观设计名称：
决定号：185561
决定日：2019-07-25
委内编号：1F268459
优先权日：2011-03-14；2012-03-05
申请（专利）号：201510187553.7
申请日：2012-03-12
复审请求人：等离子瑟姆有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：李发喜
合议组组长：韩冰
参审员：刘天飞
国际分类号：H01L21/687，H01L21/78，H01L21/67，H01L21/3065，H01L21/683
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案与最接近的现有技术相比存在区别技术特征，该区别技术特征没有被其他对比文件公开，并且其他对比文件也没有给出相关的技术启示，其也不是本领域的公知常识，并且该区别技术特征使该权利要求的技术方案具有有益的技术效果，则该权利要求请求保护的技术方案具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510187553.7，名称为“用于对基板进行等离子切割的方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请是母案为201280013642.4的分案申请，申请人为等离子瑟姆有限公司，申请日为2012年03月12日，优先权日为2011年03月14日和2012年03月05日，分案申请递交日为2015年04月20日，公开日为2015年10月14日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年08月28日发出驳回决定，以权利要求1-5不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：分案申请递交日2015年04月20日提交的说明书摘要、说明书第1-21页、摘要附图、说明书附图第1-16页；2018年06月08日提交的权利要求第1-5项。驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种用于对基板进行等离子切割的方法，所述方法包括：
提供转移臂；
提供具有壁的处理室；
提供与所述处理室的所述壁相邻的等离子源，所述等离子源在所述处理室中产生等离子；
在所述处理室内提供工件支架；
提供所述基板，所述基板具有顶表面和底表面，所述顶表面具有多个器件结构和迹道区域；
将所述基板的所述底表面放置到框架上的支撑膜上，以形成工件；
利用所述转移臂将所述工件转移到所述处理室内及工件支架上，所述转移臂支撑所述工件的框架的下侧，并且所述工件进入所述处理室中的转移在真空下进行；
在所述等离子源与所述工件之间提供屏蔽网；
通过所述等离子源产生等离子；以及
通过从所述等离子源产生的等离子来蚀刻所述等离子处理室中的所述工件的所述基板的所述顶表面上的无保护的所述迹道区域，同时在等离子蚀刻步骤期间，所述屏蔽网减小所述基板的加热。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述屏蔽网还包括导电材料。
3. 根据权利要求2所述的方法，其中，所述屏蔽网还涂有耐等离子涂层。
4. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述屏蔽网还包括多个孔，所述多个孔允许来自所述等离子的中性粒子到达所述基板。
5. 根据权利要求1所述的方法，其中，将所述屏蔽网安装到所述处理室。”
驳回决定中引用了如下对比文件：
对比文件3：US5385624A，授权公告日为1995年01月31日；
对比文件4：JP特开2005-191039A，公开日为2005年07月14日。
驳回的具体理由为：权利要求1请求保护一种用于对基板进行等离子切割的方法，其与对比文件3的区别技术特征为：（1）该方法用于对基板进行等离子切割，基板的顶表面具有多个器件结构和迹道区域，基板的底表面放置到框架上的支撑膜上，以形成工件，等离子蚀刻工件的迹道区域；（2）利用转移臂将工件转移到处理室内及工件支架上，转移臂支撑工件的框架的下侧，并且工件进入处理室中的转移在真空下进行。基于上述区别技术特征，权利要求1请求保护的技术方案实际解决的技术问题是：如何对基板进行切割。对比文件4公开了区别技术特征（1）中的部分特征，并且作用与本申请相同，对于其他部分特征，在等离子体切割方法中，将基板的底表面放置到框架上的支撑膜上以形成工件以用于对半导体器件的切割属于本领域技术人员的惯用手段。区别技术特征（2）属于本领域的常用技术手段。在对比文件3的基础上结合对比文件4以及本领域的公知常识得出权利要求1所请求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的。因此，权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求2、4-5的附加技术特征被对比文件3公开，从属权利要求3的附加技术特征是本领域的常规选择，因此权利要求2-5也不具备创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年12月12日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书，在权利要求1中补入了静电吸盘的特征，同时删除了有关基板的部分特征，复审请求时新修改的权利要求1内容如下：
“1. 一种用于对基板进行等离子切割的方法，所述方法包括：
提供转移臂；
提供具有壁的处理室；
提供与所述处理室的所述壁相邻的等离子源，所述等离子源在所述处理室中产生等离子；
在所述处理室内提供工件支架；
使得所述基板具有一定直径；
将所述基板放置到框架上的支撑膜上，以形成工件；
在所述工件支架中提供静电吸盘，所述静电吸盘的直径大于所述工件的基板的直径；
利用所述转移臂将所述工件放置到所述处理室内及所述静电吸盘上；
在所述等离子源与所述工件之间提供屏蔽网；
通过所述等离子源产生等离子；以及
通过从所述等离子源产生的等离子来蚀刻所述等离子处理室中的所述工件，同时在等离子蚀刻步骤期间，所述屏蔽网减小所述基板的加热，同时所述静电夹具夹紧并且冷却所述支撑膜的、在所述等离子蚀刻步骤期间被暴露至所产生的等离子的一部分。”
复审请求人认为：对比文件3和对比文件4没有公开权利要求1中的区别特征“在所述工件支架中提供静电吸盘，所述静电吸盘的直径大于所述工件的基板的直径”以及“同时所述静电夹具夹紧并且冷却所述支撑膜的、在所述等离子蚀刻步骤期间被暴露至所产生的等离子的一部分”，因此权利要求1具备创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年12月19日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中认为：对比文件3公开了衬底支架23可通过静电卡盘来吸附衬底2，对比文件4公开了高频横向电极23可通过静电吸附的方式来吸附基板1，由于在等离子体切割过程中，基板1是粘附于支撑部件4（相当于支撑膜）上的，因而高频电极23可通过静电吸附的方式吸附支撑部件4，同时对比文件4还公开了通过冷却部件28来冷却基板1以防止在采用等离子进行切割半导体基板过程中基板1的温度过高，在对比文件4的基础上，本领域技术人员容易想到当一部分支撑膜暴露于等离子体时，设置静电吸盘直径大于基板直径，从而使得静电吸盘可以夹紧支撑膜并冷却支撑膜，防止其温度过高；并且，通过静电吸盘来吸附和冷却晶片以防止其温度过高是本领域技术人员的常规设置，因而坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年04月11日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1请求保护的技术方案与对比文件3的区别技术特征为：该方法用于对基板进行等离子切割，将基板放置到框架上的支撑膜上，以形成工件；所述静电吸盘的直径大于所述工件的基板的直径；同时所述静电夹具夹紧并且冷却所述支撑膜的、在所述等离子蚀刻步骤期间被暴露至所产生的等离子的一部分。基于上述区别技术特征，权利要求1请求保护的技术方案实际解决的技术问题是：如何对晶片进行切割，如何较好地固定和冷却工件。上述部分区别技术特征被对比文件4公开，且其在对比文件4中所起的作用与在本申请中所起的作用相同，其他区别技术特征是本领域技术人员的常规手段。因此，相对于对比文件3与对比文件4及本领域的常规技术手段的结合，权利要求1不具备创造性。从属权利要求2-5也不具备创造性。
复审请求人于2019年05月17日提交了意见陈述书，同时修改了权利要求书，在权利要求1中补入了升降机构和盖环的特征，同时删除了有关静电吸盘的特征，在权利要求2中增加了静电吸盘和垫圈的特征，删除了屏蔽网的特征，并对权利要求4和5的引用关系进行了修改。复审请求人于2019年07月10日又重新提交了修改的权利要求书，在权利要求1中进一步补充了有关盖环的技术特征，对权利要求2中垫圈的特征进行了更详细的限定，新修改的权利要求1、2内容如下：
“1．一种用于对基板进行等离子切割的方法，所述方法包括：
提供转移臂；
提供具有壁的处理室；
提供与所述处理室的所述壁相邻的等离子源，所述等离子源在所述处理室中产生等离子；
在所述处理室内提供工件支架，所述工件支架具有升降机构；
使得所述基板具有一定的直径和顶表面，所述基板的顶表面具有多个器件结构和迹道区域；
提供具有下侧的框架；
将所述基板放置到所述框架上的支撑膜上，以形成工件；
利用所述转移臂将所述工件放置到所述处理室内及所述工件支架上，所述升降机构接触所述工件的框架的下侧；
提供保护盖环，所述保护盖环的内径大于所述基板的直径，所述保护盖环被设置在所述工件的框架的上方，所述保护盖环不接触所述框架，
在所述等离子源与所述工件之间提供屏蔽网；
通过所述等离子源产生等离子；
通过从所述等离子源产生的等离子来蚀刻所述等离子处理室中的所述工件的基板的顶表面上的无保护迹道区域，并且对所述盖环进行温度控制，以通过使得所述盖环直接接触所述处理室的壁来对所述盖环进行冷却，在等离子处理期间，使得所述盖环的操作温度低于80摄氏度，所述盖环具有多个孔，所述多个孔允许处理气体的充分传导，并提供从所述盖环排热的路径，同时所述盖环最小化到所述框架和所述支撑膜的区域的热传递，同时在等离子蚀刻步骤期间，所述屏蔽网减小所述基板上的离子轰击并减少所述基板的加热，
从所述处理室转移出所述工件。
2．根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述工件支架中提供静电吸盘，所述静电吸盘具有外径；并且垫圈，所述垫圈从所述静电吸盘的外径延伸至所述升降机构，所述垫圈防止暴露的所述支撑膜的后表面接触所述等离子。”
复审请求人认为：对比文件3或对比文件4均未给出设置保护盖环与屏蔽网的组合结构的教导或启示。所述盖环最小化到所述框架和所述支撑膜的区域的热传递，同时在等离子蚀刻步骤期间，所述屏蔽网减小所述基板上的离子轰击并减少所述基板的加热。其也不属于本领域的公知常识。因此，权利要求1具备创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人于2019年07月10日提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，所作的修改符合专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所依据的文本为：分案申请递交日2015年04月20日提交的说明书摘要、摘要附图、说明书第1-21页、说明书附图第1-16页；2019年07月10日提交的权利要求第1-5项。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与最接近的现有技术相比存在区别技术特征，该区别技术特征没有被其他对比文件公开，并且其他对比文件也没有给出相关的技术启示，其也不是本领域的公知常识，并且该区别技术特征使该权利要求的技术方案具有有益的技术效果，则该权利要求请求保护的技术方案具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
本复审请求审查决定所引用的对比文件与复审通知书和驳回决定中引用的对比文件相同，即：
对比文件3：US5385624A，授权公告日为1995年01月31日；
对比文件4：JP特开2005-191039A，公开日为2005年07月14日。
2.1、权利要求1请求保护一种用于对基板进行等离子切割的方法。对比文件3公开了一种用于对晶片进行等离子体处理的方法，并具体公开了如下的技术内容（参见说明书摘要，说明书第2栏第13-34行，第4栏第20-66行，第5栏第35-41行，图2，5）：提供中空圆筒形的处理部分24（即公开了具有壁的处理室）；在电极28a以及28b的作用下，由气体供给源32a和32b供给到等离子体产生部分25的气体成为等离子体，等离子体产生部分25与处理部分24相邻（即公开了与处理室的壁相邻的等离子源，以下称等离子源，等离子源在处理室中产生等离子）；在处理室内提供晶片支架23（即工件支架），晶片支架23下具有升降机构22；提供晶片2（相当于基板），其具有一定直径和顶表面，晶片支架23通过静电吸盘来保持晶片2（即公开了在所述工件支架中提供静电吸盘），通过搬运手装置（即转移臂）将晶片2从装载室13移入后处理室ATC 14（即等离子处理室）的晶片支架23上（即公开了利用所述转移臂将所述工件放置到所述处理室内及所述工件支架上）；在等离子源与晶片2之间提供离子捕捉器38，离子捕捉器38是由导电铝盘38a上形成大量的孔38b制成，该离子捕捉器38可捕捉等离子体中的离子，减少了晶片2上的离子轰击和对晶片2的加热，所以离子捕捉器38相当于本申请的屏蔽网，其在等离子源与晶片2之间；通过从等离子源产生的等离子来蚀刻等离子处理室中的晶片2，在等离子蚀刻步骤期间，离子捕捉器38能减小晶片2上的离子轰击并减小晶片2的加热。权利要求1请求保护的技术方案与对比文件3的区别技术特征为：（1）该方法用于对基板进行等离子切割，提供具有下侧的框架，将基板放置到所述框架上的支撑膜上，以形成工件；基板的顶表面具有多个器件结构和迹道区域，通过从所述等离子源产生的等离子来蚀刻所述等离子处理室中的所述工件的基板的顶表面上的无保护迹道区域；（2）所述升降机构接触所述工件的框架的下侧；（3）提供保护盖环，所述保护盖环的内径大于所述基板的直径，所述保护盖环被设置在所述工件的框架的上方，所述保护盖环不接触所述框架；并且对所述盖环进行温度控制，以通过使得所述盖环直接接触所述处理室的壁来对所述盖环进行冷却，在等离子处理期间，使得所述盖环的操作温度低于80摄氏度，所述盖环具有多个孔，所述多个孔允许处理气体的充分传导，并提供从所述盖环排热的路径，同时所述盖环最小化到所述框架和所述支撑膜的区域的热传递。基于上述区别技术特征，权利要求1请求保护的技术方案实际解决的技术问题是：如何对晶片进行切割，如何较好地固定和移动工件，如何提高框架和支撑膜的使用寿命。
对于区别技术特征（1），对比文件4公开了一种用于对半导体基板进行等离子切割的方法，并具体公开了如下的技术内容（参见说明书第0007-0026段，图1-4）：基板1具有电路形成面1a（即顶表面）和背面1b，电路形成面1a具有多个电路形成部分2、电极3以及边缘区域5a（相当于迹道区域）；将基板1放置到可与背面1b黏贴在一起的片状的支撑部件4（相当于支撑膜）上，冷却部件28驱动冷却剂在高频侧电极21内循环，从而防止半导体基板1的温度升高，高频侧电极21通过真空吸引或静电吸引来保持承载半导体基板1。在等离子体切割过程中，等离子蚀刻半导体基板1的电路形成面1a的无掩膜层5保护的边缘区域5a。上述技术手段在对比文件4中所起的作用与在本申请中所起的作用相同，均是采用等离子切割半导体基板。因此对比文件4给出了将上述技术手段结合到对比文件3中的技术启示。而将支撑膜设置在框架上，形成工件，以更好地固定保持晶片是本领域技术人员的常规手段。
对于区别技术特征（2），为了方便工件的放置和移出，将所述升降机构接触所述工件的框架的下侧，属于本领域的常规技术手段。
对于区别技术特征（3），对比文件4没有公开此区别技术特征，也没有给出任何关于设置盖环用于保护框架和支撑膜免受等离子体和热影响，从而提高框架和支撑膜的使用寿命的技术启示。并且该区别技术特征（3）也不是本领域的公知常识，同时该区别技术特征（3）的引入可以实现以下技术效果：保护下侧的框架和支撑膜免受等离子体轰击，通过将盖环直接接触处理室的壁而将盖环温度控制在比较低的范围内，从而最小化对框架和支撑膜的热辐射，通过在盖环上设置多个孔，从而有利于处理室气体的流通，便于压力控制，且提供从盖环的排热路径，有利于盖环的散热。
因此，相对于对比文件3与对比文件4及本领域公知常识的结合，权利要求1请求保护的技术方案具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2、从属权利要求2-5直接或间接引用权利要求1，在权利要求1具备创造性的情况下，权利要求2-5也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
关于驳回决定和前置审查的相关意见
对于驳回决定和前置审查意见，合议组认为：复审请求人在复审阶段修改了权利要求1，在其中增加了前述的区别技术特征（3），而该区别技术特征（3）没有被对比文件3-4公开，也不属于本领域的公知常识。同时可以实现以下技术效果：保护下侧的框架和支撑膜免受等离子体轰击，通过将盖环直接接触处理室的壁而将盖环温度控制在比较低的范围内，从而最小化对框架和支撑膜的热辐射，通过在盖环上设置多个孔，有利于处理室气体的流通，便于压力控制，且提供从盖环的排热路径，有利于盖环的散热。因此修改后的权利要求1已经克服了驳回决定和复审通知书所指出的缺陷。
基于上述事实和理由，合议组依法作出如下审查决定。至于本申请中存在的其他不符合专利法以及专利法实施细则规定的缺陷，留待后续程序继续审查。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018年08月28日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局实质审查部门以本复审请求审查决定所针对的文本为基础继续进行审批程序。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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