发明创造名称：一种ITO返工蚀刻液及其制备方法
外观设计名称：
决定号：186010
决定日：2019-08-08
委内编号：1F264236
优先权日：
申请（专利）号：201611231750.5
申请日：2016-12-28
复审请求人：杭州格林达电子材料股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：胡杨
合议组组长：何炜
参审员：刘婷婷
国际分类号：C09K13/06
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：在判断创造性时，首先要将权利要求的技术方案和最接近的现有技术进行对比，找出二者的区别特征，确定该技术方案实际解决的技术问题，进而考察现有技术中是否存在将该区别特征引入到该最接近的现有技术中以解决上述技术问题的启示，如果现有技术中存在这样的启示，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201611231750.5，名称为“一种ITO返工蚀刻液及其制备方法”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为杭州格林达电子材料股份有限公司。本申请的申请日为2016年12月28日，公开日为2017年05月24日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年07月27日发出驳回决定驳回了申请，其理由是：权利要求1-5不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为申请人于2018年07月06日提交的权利要求第1-5项，申请日2016年12月28日提交的说明书第1-12页，说明书附图第1-3页，说明书摘要和摘要附图。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种ITO返工蚀刻液，其特征在于：所述蚀刻液由三氯化铁、硫酸、添加剂、表面活性剂和纯水组成，所述添加剂为硫脲及其衍生物，表面活性剂为直链烷基苯磺酸钠盐阴离子表面活性剂、铵盐阴离子表面活性剂或乙醇胺盐阴离子表面活性剂；
所述制备方法包括如下步骤：
1)按比例将三氯化铁溶解于高纯水中，并添加到混合釜中；
2)在不断搅拌的条件下，按比例加入电子级硫酸，并循环搅拌30min；
3)在不断搅拌的条件下，按比例加入添加剂、表面活性剂，并循环搅拌6h；
4)将混合液体通过0.1μm过滤器进行过滤后，得到ITO返工蚀刻液。
2. 根据权利1所述的一种ITO返工蚀刻液，其特征在于：所述蚀刻液各组分的重量百分比含量如下：10～25％的三氯化铁，5～20％的硫酸，0.01～1％的添加剂，0.01～0.1％的表面活性剂，余量为纯水。
3. 根据权利1所述的一种ITO返工蚀刻液，其特征在于：所述三氯化铁、硫酸原料分别为质量分数99.5％六水三氯化铁和50％电子级硫酸。
4. 根据权利要求1所述的ITO返工蚀刻液，其特征在于：所述添加剂为二甲基硫脲、二乙基硫脲、二异丙基硫脲、甲苯基硫脲或烯丙基硫脲。
5. 根据权利要求1所述的ITO返工蚀刻液，其特征在于：所述直链烷基苯磺酸铵盐阴离子表面活性剂为十二烷基苯磺酸钠盐、铵盐和乙醇胺盐中的一种。”
驳回决定认为，对比文件1（CN 102732253A, 公开日为2012年10月17日）是本申请最接近的现有技术，权利要求1相比对比文件1，区别特征是：权利要求1无机酸为硫酸，对比文件1为盐酸或硝酸；权利要求1使用硫脲及其衍生物作为添加剂，且表面活性剂种类与对比文件1略有不同；权利要求1具体限定了蚀刻液的制备方法。基于上述区别技术特征，权利要求1相对于对比文件1实际解决的技术问题是：如何使蚀刻液环境友好、控制下层金属的腐蚀。对于硫酸的选择是本领域的常规替换，对于添加剂种类对比文件2（CN 103805203A, 公开日为2014年05月21日）和公知常识给出了技术启示，表面活性剂的选择在对比文件1给出了技术启示，对于蚀刻液的制备方法，是本领域技术人员在对比文件1的基础上通过常规技术手段即可获得的，权利要求1相对于对比文件1、2和公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。在其引用的权利要求1不具有创造性的情况下，权利要求2-5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人杭州格林达电子材料股份有限公司（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年10月30日向国家知识产权局提出了复审请求，未修改权利要求书。复审请求人认为：（1）本申请使用硫酸降低粘度、保证蚀刻速率和蚀刻均匀性，现有技术没有给出使用硫酸的报道；同时本申请的硫酸与添加剂协同调节蚀刻速率，且硫酸与硫脲、表面活性剂均存在配合作用。（2）复审请求人引用文献《腐蚀科学与防护技术》第13卷第3期“硫脲及其衍生物的缓释行为研究进展”用于证明硫脲衍生物作为添加剂使用不是常规选择。本申请选择硫脲及其衍生物作为添加剂是为了减少蚀刻液对下层Al和Mo的腐蚀。（3）对比文件2采用的是脂肪醇醚类表面活性剂，与权利要求1采用的表面活性剂极大不同。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年11月26日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年03月22日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1相比对比文件1，区别特征在于：（1）使用的酸不同，权利要求1无机酸为硫酸，对比文件1为盐酸或硝酸；（2）使用的添加剂和表面活性剂不同，权利要求1使用硫脲及其衍生物作为添加剂使用阴离子表面活性剂，对比文件1使用含氯基化合物或硝酸盐化合物作为添加剂且表面活性剂使用阴离子和非离子表面活性剂的混合物；（3）蚀刻液的制备方法不同，权利要求1先将三氯化铁溶解在水中，然后再加入酸、添加剂和表面活性剂，对比文件1先将添加剂和表面活性剂溶解在水中再与三氯化铁混合，最后加入酸混合。基于上述区别技术特征产生的技术效果，权利要求1相对于对比文件1实际解决的技术问题是：提供一种对环境和设备友好且能够控制下层金属不腐蚀的蚀刻液。对于区别特征（1），公知常识（参见《电子工艺技术基础与实训》，韩国栋主编，国防工业出版社，2011年3月第1版第1次印刷，第278-279页）给出了教导，对于区别特征（2），对比文件2和公知常识（参见《压力管道腐蚀与防护》，祝新伟，华东理工大学出版社，第1版，第270页，2015年07月；《水处理药剂及配方手册》，严莲荷，中国石化出版社，第1版，第409页，2004年01月；《现代材料腐蚀与防护》，黄永昌等，上海交通大学出版社，第1版，第375页，2012年09月）给出了教导，区别特征（3）是本领域技术人员通过常规技术手段获得的。权利要求1相对于对比文件1结合对比文件2和本领域的公知常识不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。对于复审请求人的意见，合议组认为，（1）硫酸是本领域已知的ITO蚀刻液用的无机酸类，本领域技术人员能够从本领域常用的无机酸中选择使用硫酸替代对比文件1中的盐酸或硝酸（2）复审请求人引用的文献并未否定硫脲可以在一定的条件下起到缓蚀作用，在对比文件2和公知常识的启示下本领域技术人员有动机使用硫脲及其衍生物作为蚀刻液添加剂防止下层金属的腐蚀，至于硫脲的使用条件和用量，本领域技术人员在公知常识的以及复审请求人引用文献的教导下通过常规技术手段即可获得。此外，本申请说明书中没有涉及对下层Al和Mo的腐蚀的记载，仅笼统描述为ITO下层金属防止腐蚀，该下层金属没有特定性。（3）对比文件1已经给出了使用烷基苯磺酸钠盐的教导。
复审请求人于2019年04月30日提交了意见陈述书，并提交了权利要求书全文修改替换页（共1项），相对于驳回文本，其删除了所有权利要求，将实施例2、4和9作为新的权利要求1。复审请求人认为：（1）本申请加入十二烷基磺酸胺盐的目的是为了改善蚀刻液的润湿性，减少蚀刻残留，与对比文件1减少侧蚀现象解决的是不同的技术问题。（2）《电子工艺技术基础与实训》中披露的硫酸都是与铬酸或双氧水这种强氧化性化合物复合使用，本申请权利要求1中无任何强氧化剂。（3）硫脲添加剂的选择是为了减少蚀刻液对下层金属的腐蚀，Al和Mo是常规使用的蚀刻金属，申请文件中提到的下层金属包括Al和Mo，本专利所述蚀刻液选择的添加剂只针对本专利蚀刻液的配方以及针对Al和Mo制程具有普适性。
修改后的权利要求1如下：
“1. 一种ITO返工蚀刻液，其特征在于：
其组分按重量百分比计包括:22％的三氯化铁，18％的硫酸，0.1％的添加剂二甲基硫脲，0.05％的表面活性剂十二 烷基苯磺酸铵盐和余量纯水，所述ITO返工蚀刻液的制备方法包括如下步骤：
1)按比例将三氯化铁溶解于高纯水中，并添加到混合釜中；
2)在不断搅拌的条件下，按比例加入电子级硫酸，并循环搅拌30min；
3)在不断搅拌的条件下，按比例加入添加剂、表面活性剂，并循环搅拌 6h；
4)将混合液体通过0.1μm过滤器进行过滤后，得到所述ITO返工蚀刻液。
或者，其组分按重量百分比计包括:10％的三氯化铁，5％的硫酸，1.0％的添加剂二异丙基硫脲，0.1％的表面活性剂十二烷基苯磺酸铵盐和余量纯水，所述ITO返工蚀刻液的制备方法包括如下步骤：
1)按比例将三氯化铁溶解于高纯水中，并添加到混合釜中；
2)在不断搅拌的条件下，按比例加入电子级硫酸，并循环搅拌30min；
3)在不断搅拌的条件下，按比例加入添加剂、表面活性剂，并循环搅拌 6h；
4)将混合液体通过0.1μm过滤器进行过滤后，得到所述ITO返工蚀刻液。
或者，其组分按重量百分比计包括:10％的三氯化铁，20％的硫酸，0.6％的添加剂烯丙基硫脲，0.06％的表面活性剂十二烷基苯磺酸乙醇胺盐和余量纯水，所述ITO返工蚀刻液的制备方法包括如下步骤：
1)按比例将三氯化铁溶解于高纯水中，并添加到混合釜中；
2)在不断搅拌的条件下，按比例加入电子级硫酸，并循环搅拌30min；
3)在不断搅拌的条件下，按比例加入添加剂、表面活性剂，并循环搅拌 6h；
4)将混合液体通过0.1μm过滤器进行过滤后，得到所述ITO返工蚀刻液。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人于2019年04月30日提交了修改的权利要求书全文替换页（共1项），其删除了驳回文本中的权利要求1-5项，将说明书记载的实施例2、4和9作为新的权利要求1。经审查，上述修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。
本复审请求审查决定针对的文本为复审请求人于2019年04月30日提交权利要求第1项，以及2016年12月28日提交的说明书第1-12页，说明书附图第1-3页，说明书摘要和摘要附图。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。 在判断创造性时，首先要将权利要求的技术方案和最接近的现有技术进行对比，找出二者的区别特征，确定该技术方案实际解决的技术问题，进而考察现有技术中是否存在将该区别特征引入到该最接近的现有技术中以解决上述技术问题的启示，如果现有技术中存在这样的启示，则该权利要求不具备创造性。
就本申请而言，权利要求1请求保护一种ITO返工蚀刻液（详见案由部分）。
对比文件1公开了一种三氯化铁系ITO蚀刻液及其制备方法，并具体公开了：本发明的技术方案是设计一种三氯化铁系ITO蚀刻液，该蚀刻液由盐酸或硝酸、FeCl3、含氯基化合物或硝酸盐化合物、表面活性剂混合而成。其中，所述表面活性剂为阴离子表面活性剂和聚氧乙烯型非离子表面活性剂的混合物；所述阴离子表面活性剂，为十二烷基苯磺酸钠、十二烷基苯磺酸、脂肪醇硫酸钠、脂肪醇硫酸、十二烷基硫酸钠、十二烷基硫酸中的一种或者几种；所述聚氧乙烯型非离子表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚、脂肪酸聚氧乙烯酯、聚氧乙烯酰胺、聚氧乙烯脂肪胺、聚氧乙烯失水山梨醇单羧酸酯的一种或者几种。所述蚀刻液中各组分的重量百分比如下：硝酸或盐酸5~20 wt %、FeCl3 5~25 wt %、氯基化合物或硝基化合物0.05~5 wt %、阴离子表面活性剂0.01~0.1 wt %、聚氧乙烯型非离子表面活性剂0.05~5 wt %、余量为纯水。ITO蚀刻液的制备方法包括如下加工步骤：第一步：将强酸性离子交换树脂分别加入到盐酸和硝酸中，搅拌混合，然后滤出强酸性离子交换树脂，控制或去除盐酸或硝酸中的杂质离子；第二步：将盐酸或硝酸、FeCl3、氯基化合物或硝基化合物、表面活性剂、纯水配比称重配置（即按比例）；第三步：将氯基化合物或硝基化合物、表面活性剂溶解在水中，该混合物再与FeCl3混合均匀，再将其混合物与硝酸或盐酸混合均匀即可，因为浓硝酸稀释时将放出大量热，因此，优选将硝酸缓慢加入到含有表面活性剂的水溶液中。第四步：将混合物通入过滤器中过滤，得到所述ITO蚀刻液（参见对比文件1说明书0007-0008段、0011段和0015-0016段）。
对比文件1所述“含氯基化合物或硝酸盐化合物”相当于本申请的添加剂，经计算，表面活性剂的质量百分比为0.06-5.1wt%。权利要求1相比对比文件1，区别特征在于：（1）使用的酸不同，权利要求1无机酸为硫酸，对比文件1为盐酸或硝酸；（2）使用的添加剂和表面活性剂不同，权利要求1使用硫脲及其衍生物作为添加剂使用阴离子表面活性剂，对比文件1使用含氯基化合物或硝酸盐化合物作为添加剂且表面活性剂使用阴离子和非离子表面活性剂的混合物；（3）蚀刻液的制备方法不同，权利要求1先将三氯化铁溶解在水中，然后再加入酸、添加剂和表面活性剂，对比文件1先将添加剂和表面活性剂溶解在水中再与三氯化铁混合，最后加入酸混合。（4）权利要求1限定的三个并列技术方案中各组分的含量与对比文件1不完全相同。
根据本申请说明书的记载，目前在工艺处理上，一般都采用化学方法如王水法将铟锡氧化物(ITO) 层蚀刻去除，或者通过物理研磨的方法去除，然而，王水蚀刻法蚀刻过程剧烈，其盐酸和硝酸易挥发，对环境及设备造成很大影响，同时，蚀刻过程不易控制，对下层金属会有腐蚀；物理研磨法研磨后基板厚薄不易控制，同时研磨过程中易导致裂片，造成更大损失。专利CN201510937453.1为将有ITO的基板置于酸液中浸泡进行酸洗，及将酸洗后基板清除表面酸液后置于碱液中进行碱洗，其酸液组分按重量计为20％～ 25％的盐酸、30％～35％的醋酸及其余水，其碱液组分按重量计为8％～10％ 的碱、15％～20％的非离子表面活性剂及其余水，上述处理方法中，处理工艺较为繁琐，效率低，不利于大量返工处理，且会对下层制程(金属)膜层产生腐蚀。本发明在于克服以上处理缺点与不足，开发一种处理工艺简单、对环境及设备友好、对下层制程(金属)膜层无腐蚀且在处理过程中不会造成基板裂片的基板表面铟锡氧化物(ITO)层的返工蚀刻液（参见本申请说明书第1页第2段-第2页第2段）。本申请的蚀刻液由三氯化铁、硫酸、添加剂、表面活性剂和纯水组成，本申请蚀刻液的优点在于，经本发明所述的加入的添加剂为硫脲及其衍生物或咪唑啉衍生物，其有效地对下层制程(金属) 膜层起到保护作用，克服了其他ITO返工蚀刻液处理过程中对下层金属产生腐蚀的缺点；添加的表面活性剂为直链烷基苯磺酸钠盐、铵盐或乙醇胺盐阴离子表面活性剂，其有效地增加了蚀刻液浸润性，减少了蚀刻后的ITO 残留。其次，该返工蚀刻液可通过调节三氯化铁和硫酸的含量配比来调控铟锡氧化物(ITO)的蚀刻速率，能够满足不同膜厚的铟锡氧化物(ITO) 层的去除蚀刻要求，应用范围广。最后，该蚀刻液所用的各组分与常用王水系蚀刻液相比，其组分更加稳定，挥发性非常更小，这大大增加了蚀刻液的安全性；与现有技术相比，其制备工艺简单，对基板返工处理速度快，效率高，适合大规模返工处理。同时各组分原料均无毒，对环境友好，无污染。（参见本申请说明书第3页最后一段）。表3公开了实施例的蚀刻液成分、腐蚀速率和蚀刻后残留及下层腐蚀情况，具体如下：
由对比例3可知，没有加入添加剂硫脲蚀刻液对下层金属有腐蚀，从实施例1-2、4-6和9看出硫脲的加入使下层金属无腐蚀。由实施例3与上述实施例的对比可知，在其它组分相同的情况下，硫脲衍生物和咪唑衍生物两者作为添加剂均起到对下层金属无腐蚀的作用。对比例2和4可知，硫酸和表面活性剂的缺失对蚀刻残留较严重。
对比文件1公开其蚀刻液基本无残留，稳定，蚀刻效率适中，且原料廉价易得，可以有效提高ITO导电薄膜的良率，表面活性剂的加入，使液体更容易进入光刻胶底部，减少侧蚀现象的发生（参见对比文件1第[0005]段和[0013]段）。对比本申请和对比文件1的技术效果可知，（1）本申请与对比文件1的蚀刻液配方中均含有表面活性剂，本领域已知表面活性剂的加入可以改变水溶液表面张力，常用作润湿剂，因而预期表面活性剂在本申请和对比文件1两者蚀刻液中所起作用相同，产生的技术效果也相同；（2）对比文件1蚀刻效率适中但未公开具体的蚀刻速率数值，本申请就蚀刻速率无法与对比文件1直接进行比较，不能确定本申请与对比文件1在蚀刻速率方面效果孰高孰低；（3）对比文件1未关注其蚀刻液中酸的挥发性以及蚀刻液对于下层金属的腐蚀性。基于上述区别技术特征产生的技术效果，权利要求1相对于对比文件1实际解决的技术问题是：提供一种对环境和设备友好且能够控制下层金属不腐蚀的蚀刻液。
对于区别特征（1），本领域已知，硫酸是本领域常用的ITO蚀刻液的无机酸类，例如印刷电路板常用的蚀刻液有酸性氯化铜、碱性氯化铜、三氯化铁、过硫酸铵、硫酸/铬酸和硫酸/双氧水蚀刻液（参见《电子工艺技术基础与实训》，韩国栋主编，国防工业出版社，2011年3月第1版第1次印刷，第278-279页）。此外，本领域技术人员知晓浓盐酸和浓硝酸易挥发，浓硫酸不易挥发，也知晓蚀刻液中无机酸易挥发会造成环境污染；因而本领域技术人员根据实际蚀刻液酸组分不易挥发避免污染环境的需要，能够从本领域常用的无机酸中选择使用常用的不易挥发的硫酸替代对比文件1中的盐酸或硝酸。
对于区别特征（2），对于添加剂的种类，对比文件2公开了选择性氧化铟锡蚀刻液，并具体公开了：一种选择性氧化铟锡蚀刻液，用于蚀刻晶型和非晶型氧化铟锡膜层，其特征在于：由以下占蚀刻液总重量百分比计的各组分组成：盐酸15-25%、醋酸1-10%、铜缓蚀剂0.5-5%、表面活性剂5-500ppm、去离子水余量；其中铜缓蚀剂为长链可水溶性胺类化合物和三氮唑类化合物中的至少一种；咪唑类或长链可水溶性胺类铜缓蚀剂在酸性的溶液中容易质子化，其或者以中性分子形式存在或者以阳离子形式存在。质子化的咪唑和胺缓蚀剂分子可能通过其本身的正电荷与含复合氯离子的金属铜表面相吸附；而中性的缓蚀剂分子取代铜表面的水分子与铜产生络合作用，形成具有聚合物性质的吸附膜；且由于长碳链的排斥力，这两类缓蚀剂本身还具有推电子作用，上述情况都可以使得铜表面得到保护（参见对比文件2说明书0008-0011、0013段）。可见，对比文件2公开了在ITO蚀刻剂中加入咪唑、水溶性胺、三氮唑类化合物，能够在铜表面产生吸附作用，从而抑制蚀刻过程中铜金属的腐蚀。此外，本领域知晓吸附膜型缓蚀剂吸附原理通过极性基团与金属表面吸附，离开金属表面的是憎水基一端，在金属表面形成定向排列，这样缓蚀剂分子能使介质与金属表面分隔开起到保护金属的作用（参见《压力管道腐蚀与防护》，祝新伟，华东理工大学出版社，第1版，第270页，2015年07月），同时本领域知晓硫脲和咪唑类均是本领域常见的吸附膜型缓蚀剂（《水处理药剂及配方手册》，严莲荷，中国石化出版社，第1版，第409页，2004年01月；《现代材料腐蚀与防护》，黄永昌等，上海交通大学出版社，第1版，第375页，2012年09月），在对比文件2给出了ITO蚀刻液中使用咪唑类化合物作为缓蚀剂以防止非ITO的金属腐蚀的技术启示下，本领域技术人员有动机选用同类型的吸附膜型缓蚀剂硫脲及其衍生物作为ITO蚀刻液添加剂以防止下层金属的腐蚀。至于表面活性剂的选择，在对比文件1公开了使用阴离子表面活性剂例如十二烷基苯磺酸钠的基础上，本领域技术人员通过常规选择得到上述阴离子表面活性剂是容易做到的。
对于区别特征（3），蚀刻液均为水溶性组合物，将原料依次加入混合搅拌是本领域常规的蚀刻液制备步骤，本领域技术人员可根据实际制备工艺需要进行调整原料加入顺序。高纯水是本领域常规纯水，混合釜是本领域常规的混合容器，不断搅拌时加料、后续循环搅拌是本领域使原料充分混合的惯用手段，本领域技术人员通过常规技术手段获得的。
对于区别特征（4），对比文件1已经公开了三氯化铁、酸、添加剂、表面活性剂和纯水的含量，在上述基础上，本领域技术人员通过常规技术手段即可得到上述各组分的具体含量。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的公知常识得到权利要求1的技术方案是显而易见的。权利要求1不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
综合复审请求人的主张（详见案由部分），合议组认为，（1）对比文件1公开其蚀刻液配方中含有阴离子表面活性剂，可以是十二烷基苯磺酸钠，且本领域已知表面活性剂能够显著降低水的表面张力，从而改善润湿性能，因此本领域技术人员预期所述阴离子表面活性剂及其类似的阴离子表面活性剂也能达到本身所述改善润湿性能，进而减少蚀刻液残留的效果。（2）尽管前述引用的公知常识中例举了硫酸和铬酸或双氧水的复合体系作为蚀刻液的组分，但其并未教导硫酸必须与所述强氧化剂复合才能作为蚀刻液的组分，因为本领域已知蚀刻液中必然存在起酸蚀作用的酸组分，而强氧化剂起强氧化作用，其并非蚀刻液的必需组分，例如对比文件1使用盐酸作为酸组分时，其蚀刻液配方中也没有强氧化剂的存在，因此本领域技术人员容易想到采用硫酸这种常用酸替代对比文件1中的盐酸或硝酸作为蚀刻液的酸组分以克服酸挥发的问题。（3）复审请求人引用的文献《腐蚀科学与防护技术》公开在一定条件下硫脲起缓蚀作用，一定条件下加速腐蚀，不能成为本领域技术人员使用硫脲作为蚀刻液添加剂起缓蚀作用的技术障碍。此外，根据本申请说明书的记载，其并未关注下层为Al和Mo的腐蚀，仅笼统描述为ITO下层金属防止腐蚀，对于下层金属其没有特定性；而且对于添加剂的选择而言，无论从说明书的描述还是实施例3与其它实施例的比较均可看出，原说明书对于硫脲衍生物和咪唑衍生物并未区别对待，因而在对比文件2和上述公知常识的教导下本领域技术人员容易想到选用硫脲衍生物作为蚀刻液的添加剂以防止下层金属的腐蚀。对于复审请求人的主张，合议组不予支持。
基于上述事实和理由，合议组作出如下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年07月27日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
郑重声明：本文版权归原作者所有，转载文章仅为传播更多信息之目的，如作者信息标记有误，请第一时间联系我们修改或删除，多谢。
