发明创造名称：用于碳化硅器件的对准标记及其制备方法
外观设计名称：
决定号：188371
决定日：2019-08-27
委内编号：1F277715
优先权日：
申请（专利）号：201510434277.X
申请日：2015-07-22
复审请求人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：见姬
合议组组长：白燕
参审员：林少华
国际分类号：H01L21/02，H01L23/544
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求的技术方案相对于作为最接近的现有技术的对比文件存在区别技术特征，而该区别技术特征属于本领域的公知常识，则该权利要求的技术方案不具有突出的实质性特点，从而不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510434277.X，名称为“用于碳化硅器件的对准标记及其制备方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为泰科天润半导体科技（北京）有限公司，申请日为2015年07月22日，公开日为2015年11月11日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年12月12日发出驳回决定，以本申请权利要求1-5不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由，驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：申请日2015年07月22日提交的说明书摘要、摘要附图、说明书第1-4页、说明书附图第1-3页、以及权利要求第1-5项。
驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种用于碳化硅器件的对准标记的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在碳化硅衬底表面形成图案化掩膜；
借助上述图案化掩膜，对上述碳化硅衬底表面除对准标记区域之外的区域进行干法刻蚀以形成微掩模区，使得对准标记区域与微掩模区的亮度形成反差并由此构成对准标记。
2. 根据权利要求1所述的用于碳化硅器件的对准标记的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：在进行所述干法刻蚀之后，去除所述图案化掩膜。
3. 根据权利要求1或2所述的用于碳化硅器件的对准标记的制备方法，其特征在于，进行所述干法刻蚀时，所述图案化掩膜的刻蚀速率低于所述碳化硅衬底的刻蚀速率。
4. 一种用于碳化硅器件的对准标记，其特征在于，在碳化硅衬底表面形成的对准标记区域，对准标记区域与微掩模区的亮度形成反差。
5. 根据权利要求4所述用于碳化硅器件的对准标记，其特征在于，所述微掩模区为通过对碳化硅衬底表面除对准标记区域之外的区域进行干法刻蚀形成的区域。”
驳回决定中引用了如下对比文件：
对比文件1：CN102034891A，公开日为2011年04月27日；
对比文件2：CN102054877A，公开日为2011年05月11日；
对比文件3：CN103299425A，公开日为2013年09月11日。
驳回决定的具体理由是：（1）独立权利要求1相对于对比文件2和对比文件1以及公知常识的结合不具备创造性。从属权利要求2的附加技术特征被对比文件1公开，从属权利要求3的附加技术特征属于本领域的公知常识，因此，权利要求2和3也不具备创造性。（2）独立权利要求4相对于对比文件1与公知常识的结合、或对比文件3与公知常识的结合不具备创造性。从属权利要求要求5的附加技术特征被对比文件1公开，因此，权利要求5也不具备创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年03月27日向国家知识产权局提出了复审请求，未修改申请文件。复审请求人认为：（1）对比文件1解决的技术问题与本申请不同，对比文件1中还包含局部扩散工艺从而形成掺杂区18，对比文件1中对准标记的用途与本申请不同，对比文件1至少没有公开“碳化硅衬底”、“对准标记区域”、“干法刻蚀”、和“对准标记”等多个技术特征，对比文件1也不存在解决本申请技术问题的技术启示，本申请通过对准标记区域与微掩膜区的亮度形成反差并由此构成对准标记，通过人工肉眼和图像识别设备都能够实现识别定位，从而减少误操作，降低返工率，权利要求1具有突出的实质性特点和显著的进步；（2）权利要求4为产品权利要求，对比文件1虽然公开了形成图形化可视标记，但只是过程中的标记，不同于本申请中碳化硅器件上的对准标记，将对比文件1中适用于硅衬底的工艺应用于碳化硅衬底不属于公知常识。因此，权利要求1和4具备创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年04月03日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年06月26日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-5相对于对比文件1和公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。对于复审请求人的意见陈述，合议组认为：（1）对比文件1公开了与本申请基本相同的对准标记的制备方法，而且对比文件1实际上也解决了精准对准的技术问题，这与本申请是一致的，对比文件1中的扩散工艺形成掺杂区并不是上述对准标记制备方法的必然步骤，权利要求1中并未记载所述对准标记的后续使用，其对于权利要求没有限定作用，对比文件1公开了技术特征“对准标记区域”和“对准标记”，对比文件1与本申请采用了基本相同的制备方法形成对准标记，即其技术手段是基本相同的，且其技术问题和技术效果与本申请中记载的技术问题（对准标记与背景反差不够，定位困难）和技术效果（实现识别定位，减少误操作）也是能够对应的，两者并不存在本质的区别；（2）对比文件1公开了硅基底上的对准标记，碳化硅与硅均是半导体领域中常见的半导体基底材料，将所述在硅基底上形成对准标记的方法应用于碳化硅基底是本领域的常规选择，该种选择不需要付出创造性的劳动，也不存在技术上的障碍，其技术效果也是能够预期的。
复审请求人于2019年08月09日提交了意见陈述书，并提交了权利要求书的全文修改替换页，包括权利要求第1-5项。所做的修改为：将权利要求1-5主题名称中的技术特征 “用于碳化硅器件的对准标记”修改为“用于碳化硅器件套刻对准的对准标记”。修改后的权利要求1-5的内容如下：
“1. 一种用于碳化硅器件套刻对准的对准标记的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在碳化硅衬底表面形成图案化掩膜；
借助上述图案化掩膜，对上述碳化硅衬底表面除对准标记区域之外的区域进行干法刻蚀以形成微掩模区，使得对准标记区域与微掩模区的亮度形成反差并由此构成对准标记。
2. 根据权利要求1所述的用于碳化硅器件套刻对准的对准标记的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：在进行所述干法刻蚀之后，去除所述图案化掩膜。
3. 根据权利要求1或2所述的用于碳化硅器件套刻对准的对准标记的制备方法，其特征在于，进行所述干法刻蚀时，所述图案化掩膜的刻蚀速率低于所述碳化硅衬底的刻蚀速率。
4. 一种用于碳化硅器件套刻对准的对准标记，其特征在于，在碳化硅衬底表面形成的对准标记区域，对准标记区域与微掩模区的亮度形成反差。
5. 根据权利要求4所述用于碳化硅器件套刻对准的对准标记，其特征在于，所述微掩模区为通过对碳化硅衬底表面除对准标记区域之外的区域进行干法刻蚀形成的区域。”
复审请求人认为：（1）本申请所要解决的是光刻工艺中的对准问题，而对比文件1解决的则是太阳能电池中选择性射极结构的电极图形的对准问题，对比文件1中的图形化可视标记随着电极图形的形成而消失，其无法解决本申请的技术问题，而且碳化硅材料是半透明的，对比文件1公开的是硅基材，本领域技术人员没有动机将硅基材的处理工艺应用于碳化硅加工工艺中，本申请形成的对准标记能够减少误操作，降低返工率，具有突出的实质性特点和显著的进步；（2）权利要求4请求保护的对准标记可应用于不同光刻步骤之间实现精确的套刻对准，对比文件1解决的问题和采用的技术方案不同于权利要求4请求保护的技术方案，对比文件1对解决本申请的技术问题不存在技术启示。因此，权利要求1和4具备创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人于2019年08月09日提交了权利要求书的全文修改替换页，包括权利要求第1-5项。经审查，所作的修改符合专利法实施细则第61条第1款和专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所依据的审查文本为：复审请求人于申请日2015年07月22日提交的说明书摘要、摘要附图、说明书第1-4页、说明书附图第1-3页、以及2019年08月09日提交的权利要求第1-5项。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求的技术方案相对于作为最接近的现有技术的对比文件存在区别技术特征，而该区别技术特征属于本领域的公知常识，则该权利要求的技术方案不具有突出的实质性特点，从而不具备创造性。
本复审请求审查决定所引用的对比文件与复审通知书中所引用的对比文件相同，即：
对比文件1：CN102034891A，公开日为2011年04月27日。
本申请的权利要求1-5不具备专利法第22条第3款规定的创造性，具体理由如下：
2.1、权利要求1请求保护一种用于碳化硅器件套刻对准的对准标记的制备方法，对比文件1公开了一种选择性射极结构的电极图形的对齐方法，并具体公开了（参见说明书第[0002]-[0019]段、附图1-7）一种对准标记的制备方法，包括如下步骤：在基材（相当于衬底）表面形成一障壁图案（相当于图案化掩膜），且障壁图案覆盖的基材的表面定义出第一区域（相当于对准标记区域），障壁图案未覆盖的基材的表面定义出第二区域（相当于对准标记区域以外的区域），改变第二区域的基材的表面特性，借此使第一区域与第二区域的基材具有不同的表面性质，而形成一图形化可视标记，由基材的表面移除障壁图案，最后以图形化可视标记作为一对准标记，所述基材选用半导体硅基材，障壁图案是作为一蚀刻屏蔽，通过蚀刻工艺对第二区域的表面进行蚀刻以改变第二区域的表面粗糙度，而造成第一区域与第二区域的基材表面具有光学性质的差异（相当于借助上述图案化掩膜，对上述衬底表面除对准标记区域以外的区域进行刻蚀以形成微掩膜区，使得对准标记区域与微掩膜区域的亮度形成反差并由此构成对准标记）。权利要求1与对比文件1相比，其区别技术特征在于：该对准标记用于碳化硅器件套刻对准，衬底为碳化硅衬底，刻蚀为干法刻蚀。基于该区别技术特征，权利要求1实际解决的技术问题为：选择何种对准标记用途以及具体的刻蚀工艺。
对于所述区别技术特征，套刻对准是半导体领域中光刻的常规操作，其也需要设置对准标记，将对比文件1公开的设置对准标记的方法应用于光刻操作中的套刻对准属于本领域的常规选择，该种选择不需要付出创造性劳动，其技术效果也是能够预料的，而且碳化硅与硅均是本领域常用的半导体衬底，将对比文件1公开的所述硅衬底的对准标记的制备方法用于碳化硅衬底以制备碳化硅器件是本领域的常规选择，且该选择不存在技术上的障碍，另外，干法刻蚀是刻蚀的常见方式之一，通过常规选择即可获得。因此，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识以获得该权利要求1的技术方案，对本领域的技术人员而言是显而易见的，该权利要求1不具有突出的实质性特点，因而不具备创造性。
2.2、权利要求2引用权利要求1，对比文件1还公开了，在改变第二区域的基材的表面特性（采用蚀刻工艺）后，由基材的表面移除障壁图案（相当于去除图案化掩膜），最后以图形化可视标记作为一对准标记（参见同上）。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
2.3、权利要求3引用权利要求1或2，在进行所述干法刻蚀时，为了防止图案化掩膜的保护作用降低，使得图案化掩膜的刻蚀速率低于碳化硅衬底的刻蚀速率是本领域的常规选择，其技术效果也是本领域技术人员能够预期的。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
2.4、权利要求4请求保护一种用于碳化硅器件套刻对准的对准标记，对比文件1公开了一种选择性射极结构的电极图形的对齐方法，并具体公开了（参见说明书第[0002]-[0019]段、附图1-7）一种对准标记，其制备包括如下步骤：在基材（相当于衬底）表面形成一障壁图案，且障壁图案覆盖的基材的表面定义出第一区域（相当于对准标记区域），障壁图案未覆盖的基材的表面定义出第二区域（相当于对准标记区域以外的区域），改变第二区域的基材的表面特性，借此使第一区域与第二区域的基材具有不同的表面性质，而形成一图形化可视标记，由基材的表面移除障壁图案，最后以图形化可视标记作为一对准标记，所述基材选用半导体硅基材，障壁图案是作为一蚀刻屏蔽，通过蚀刻工艺对第二区域的表面进行蚀刻以改变第二区域的表面粗糙度（相当于对上述衬底表面除对准标记区域以外的区域进行刻蚀以形成微掩膜区），而造成第一区域与第二区域的基材表面具有光学性质的差异（相当于对准标记区域与微掩膜区域的亮度形成反差）。权利要求4与对比文件1相比，其区别技术特征在于：该对准标记用于碳化硅器件套刻对准，衬底为碳化硅衬底。基于该区别技术特征，权利要求4实际解决的技术问题为：对对准标记的用途进行选择。
对于所述区别技术特征，套刻对准是半导体领域中光刻的常规操作，其也需要设置对准标记，将对比文件1公开的对准标记的设置方式应用于光刻操作中的套刻对准属于本领域的常规选择，该种选择不需要付出创造性劳动，其技术效果也是能够预料的，而且碳化硅与硅均是本领域常用的半导体衬底，将对比文件1公开的硅衬底上的对准标记应用于碳化硅衬底以制备碳化硅器件是本领域的常规选择，且该选择不存在技术上的障碍。因此，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识以获得该权利要求4的技术方案，对本领域的技术人员而言是显而易见的，该权利要求4不具有突出的实质性特点，因而不具备创造性。
2.5、权利要求5引用权利要求4，对比文件1还公开了，通过蚀刻工艺对第二区域的表面进行蚀刻以改变第二区域的表面粗糙度（相当于对上述衬底表面除对准标记区域以外的区域进行刻蚀以形成微掩膜区）（参见同上）。权利要求5进一步限定了刻蚀为干法刻蚀，然而干法刻蚀是刻蚀的常见方式之一，通过常规选择即可获得。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
3、对复审请求人相关意见的答复
对于复审请求人答复复审通知书提出的意见，合议组认为：
（1）对比文件1公开了与本申请基本相同的对准标记的制备方法，虽然本申请与对比文件1具体的用途有差异，本申请用于碳化硅器件光刻套刻对准，对比文件1用于太阳能电池硅衬底电极对准，然而其均是用于解决半导体器件制备中的对准问题，且采用了的相同的技术手段，即通过亮度的反差形成对准标记，本领域技术人员在看到对比文件1公开的技术内容时，容易想到将其应用于同样存在对准、对齐问题的光刻半导体领域，上述用途的选择属于本领域的常规选择，且将用于硅衬底的对准标记用于碳化硅衬底并不存在技术上的障碍，另外，对比文件1采用的硅衬底也是光刻领域中的常见加工衬底，所述在硅衬底上形成对准标记的方法能够应用于光刻领域另一种常见衬底碳化硅，对本领域技术人员来说是显而易见的；对于复审请求人陈述的技术效果，对比文件1公开了基于所述对准标记能够实现准确对齐，其自然也能够实现减少误操作、降低返工率的技术效果；
（2）本申请与对比文件1均是采用形成对准标记的方式来解决半导体衬底上的对准问题，虽然具体的应用领域两者有差异，然而所述应用领域均属于本领域的常规选择，该种选择不需要付出创造性的劳动，其技术效果也是能够预期的。
综上所述，复审请求人的意见陈述不具有说服力，合议组不予支持。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年12月12日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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