发明创造名称：封装结构及其制法
外观设计名称：
决定号：188853
决定日：2019-08-27
委内编号：1F269282
优先权日：
申请（专利）号：201410727443.0
申请日：2014-12-03
复审请求人：恒劲科技股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：刘红
合议组组长：刘博
参审员：刘乐
国际分类号：H01L23/498；H01L21/48；H01L21/56；H01L21/60
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项发明专利申请的权利要求的技术方案与一篇对比文件相比存在区别特征，但所述区别特征为公知常识，则该权利要求相对于对比文件与公知常识的结合不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201410727443.0，名称为“封装结构及其制法”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为恒劲科技股份有限公司。本申请的申请日为2014年12月03日，公开日为2016年06月29日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年09月05日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-5不具备专利法第22条第3款规定的创造性。在其他说明部分指出权利要求6-11不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
驳回引用的对比文件如下：
对比文件1：US2011/0159643A1，公开日：2011年06年30日；
对比文件2：CN102543907A，公开日：2012年07月04日。
驳回决定认为：权利要求1-5相对于对比文件2和公知常识不具备专利法第22条第3款的规定。针对申请人的意见陈述书，原审查部门认为：1）为避免掉球，将导电柱凹于绝缘层的表面属于惯用技术手段；2）权利要求中并未限定导电柱和线路层上不包括表面处理层，即不包括第一金属层材料层22与第二金属材料层23；3）对比文件2与本申请的主要区别仅在于形成导电柱的具体方式，然而在所属技术领域中，形成导电柱或导电结构的方法大致分为两种，一种是减成法，一种是加成法，加成法相较于减成法具有节约材料的优点，因此，在对比文件2的基础上，为了避免通过刻蚀形成导电柱造成的材料浪费，本领域技术人员很容易想到在导体层上直接形成多个导电柱。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1.一种封装结构，其特征在于，该封装结构包括：
一绝缘层，具有相对的第一表面与第二表面；
多个导电柱，嵌埋于该绝缘层中且其端面低于该绝缘层的第一表面以外露于该绝缘层的第一表面；
一线路层，嵌设于该绝缘层的第二表面上并电性连接所述多个导电柱；
至少一电子元件，设于该线路层上并电性连接该线路层；以及
一包覆层，形成于该线路层与该绝缘层的第二表面上并包覆该电子元件。
2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该线路层供电性连接该电子元件，且该导电柱的端面定义为外接垫。
3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该电子元件为主动元件、被动元件或其二者组合。
4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该电子元件以倒装芯片方式电性连接该线路层。
5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括多个导电元件，形成于该绝缘层的第一表面上并电性连接所述多个导电柱。
6.一种封装结构的制法，其特征在于，包括：
形成多个导电柱于一导体层上；
形成一绝缘层于该导体层与所述多个导电柱上，其中，该绝缘层具有相对的第一表面与第二表面，且令所述多个导电柱的端面低于该绝缘层的第一表面以外露于该绝缘层的第一表面；
移除该导体层的部分材质，使该导体层作为线路层；
于该线路层上设置至少一电子元件，且该电子元件电性连接该线路层；以及
于该线路层与该绝缘层的第二表面上形成一包覆层，使该包覆层包覆该电子元件。
7.一种封装结构的制法，其特征在于，包括：
形成多个导电柱于一导体层上；
形成一绝缘层于该导体层与所述多个导电柱上，并使该绝缘层完全包覆所述多个导电柱及其端面，其中，该绝缘层具有相对的第一表面与第二表面；
移除部分的绝缘层，令所述多个导电柱的端面外露于该绝缘层的第一表面，且所述多个导电柱的端面低于该绝缘层的第一表面；
移除该导体层的部分材质，使该导体层作为线路层；
于该线路层上设置至少一电子元件，且该电子元件电性连接该线路层；以及于该线路层与该绝缘层的第二表面上形成一包覆层，使该包覆层包覆该电子元件。
8.如权利要求6或7所述的封装结构的制法，其特征在于，该线路层供电性连接该电子元件，且该导电柱的端面定义为外接垫。
9.如权利要求6或7所述的封装结构的制法，其特征在于，该电子元件为主动元件、被动元件或其二者组合。
10.如权利要求6或7所述的封装结构的制法，其特征在于，该电子元件以倒装芯片方式电性连接该线路层。
11.如权利要求6或7所述的封装结构的制法，其特征在于，还包括形成多个导电元件于该绝缘层的第一表面上，且所述多个导电元件电性连接所述多个导电柱。”
驳回决定所依据的文本为：申请日2014年12月03日提交的说明书摘要、说明书第1-89段、摘要附图、说明书附图图1A-图2H；2018年06月26日提交的权利要求书第1-11项。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2018年12月20日向国家知识产权局提出了复审请求，未修改申请文件。复审请求人认为：1）对权利要求1，该第一金属材料层22与第二金属材料层23属于对比文件2的工艺的必然要件，因而无法移除，本申请因未设有第一金属材料层22与第二金属材料层23而不会发生对比文件2所产生的相关问题。2）本申请的线路层20’与导电柱21均为铜材料，故其表面的粗糙化作业相对容易，因而其与介电材料23间的结合性极佳。相对地，对比文件2抗蚀刻用的第一金属材料层22与第二金属材料层23，因其属于镍-钯-金镀层的材料特性使然（请详见对比文件2说明书[0094]段落所述），其表面的粗糙化相对较不容易，所以其与介电材料30间的结合力不佳，因而容易产生剥离现象，导致封装产品的质量不佳。3）对权利要求6、7，仅以较薄的导体层20制作一层线路层20’，且于该导体层20上制作该导电柱21以作为外接垫，使该线路层20’结合该电子组件22，而该些导电柱21结合该些导电组件24，以缩短信号传递路径，本申请的封装结构2及其制法通过将多个导电柱21形成于单一线路层20’上的设计，因而不仅大幅降低该封装结构2的整体厚度以符合薄化的需求，且能大幅降低制造成本。相对地，对比文件2的制法以较厚的基材20以蚀刻出上层线路与下层接点（如图10H），因而作为抗蚀刻用的第一金属材料层22与第二金属材料层23不会移除，致使除了信号传递路径较长之外，又会受到传导路径属于异质金属材料的特性而影响到信号质量，所以不仅增加整体厚度及损害电气特性，且增加制造成本。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年12月29日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：1）本申请的权利要求1请求保护一种封装结构，其并未限定导电柱和线路层上不包括表面处理层，即不包括第一金属材料层22与第二金属材料层23；也并未限定导电柱和线路层的具体材料。2）对比文件2的第一金属材料层22与第二金属材料层23可以作为抗蚀层，用于刻蚀形成导电柱和线路层，也可以提高后续倒装焊接的质量，虽然有其重要作用，但是并非必然无法移除，而且在本申请中，线路层20’也是通过图案化（即刻蚀）形成的，虽然其没有明确说明设置抗蚀层，但本领域技术人员可以毫无疑义地确定其设置有抗蚀层。3）对比文件2中的基材20为薄板基材，且材料可以是铜、铜合金；本领域技术人员无法确定对比文件2的导电柱和线路层厚度大于本申请线路层20’与导电柱21的厚度，从而使信号传递路径较长；并且在对比文件2的基础上，为了降低导电路径的电阻值，本领域技术人员也有动机去除第一金属材料层22与第二金属材料层23。据此，原实审部门坚持驳回决定。
随后，专利复审委员会成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年04月28日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-5不具备专利法第22条第3款规定的创造性。针对复审请求人的意见，合议组认为：对比文件2作为最接近的现有技术，权利要求1与对比文件2的区别仅在于：导电柱的端面低于该绝缘层的第一表面以外露于该绝缘层的第一表面。基于上述区别特征，可以确定实际所要解决的问题是：实现外部连接的可靠性。然而，为了实现外部导电元件连接的可靠性，导电柱的端面低于绝缘层的第一表面是所属技术领域技术人员的惯用手段，属于本领域的公知常识。因此，对比文件2给出了与公知常识相结合的技术启示，因此权利要求1不具备创造性。从属权利要求2-5的附加技术特征被对比文件2公开或属于公知常识，因此均不具备创造性。
复审请求人于2019年05月28日提交了复审意见陈述书，陈述了权利要求1-5具备创造性的理由，并未修改申请文件。复审请求人认为：1）对比文件2中的形成绝缘填充材料存在不可实施性，同时去除过多的绝缘填充材料25且同时保留第二金属材料层23的完整性存在不可实施性；2）对比文件2的蚀刻液侵蚀薄膜基材20的下表面20b会损坏引线框架201的完整；3）对比文件2中由于蚀刻工艺特征的限制难以满足细间距、细线路的需求。因此，权利要求1相对于对比文件2具备创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在提交复审请求时未修改权利要求书，因此，本复审决定依据的文本为：申请日2014年12月03日提交的说明书摘要、说明书第1-89段、摘要附图、说明书附图图1A-图2H；以及2018年06月26日提交的权利要求书第1-11项。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指同申请日以前已有的技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型有实质性特点和进步。
如果一项发明专利申请的权利要求的技术方案与一篇对比文件相比存在区别特征，但所述区别特征为公知常识，则该权利要求相对于对比文件与公知常识的结合不具备创造性。
本复审请求审查决定引用的对比文件如下，即：
对比文件2：CN102543907A，公开日：2012年07月04日。
（1）权利要求1不符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
对比文件2公开了一种封装结构，并具体公开了（参见说明书第84-104段以及附图2A-2B、7-10M）：其包括封装结构200a和200b的引线框架201包括芯片载体202和引脚203、第一金属材料层22、第二金属材料层23、绝缘填充材料25、IC芯片26、凸点27、粘贴材料28、散热片29；引脚的横截面为圆形（可见绝缘填充材料之间形成了导电柱）；第一金属材料层22和第二金属材料层23分别配置于引线框架201的上表面20a位置和引线框架201的下表面20b位置；绝缘填充材料25配置于引线框架201的台阶式结构24下，与金属材料层23a处于同一水平面上（绝缘填充材料25具有相对的第一表面和第二表面，位于绝缘填充材料25之间的引线框架部分以及第二金属材料层23构成了导电柱；绝缘填充材料25上表面的引线框架部分和第一金属材料层22构成线路层）；IC芯片26配置于引线框架201的上表面20a的第一金属材料层22的位置（即线路层上）；塑封材料30包覆、IC芯片26、凸点27、贴贴材料28、散热片29；引线框架201和第一金属材料层22；引脚203具有内引脚与外引脚，外引脚作为连接外部电路的通道（其与外部连接的部分为导电柱）。权利要求1与对比文件2的区别在于：导电柱的端面低于该绝缘层的第一表面以外露于该绝缘层的第一表面。上述区别特征可以确定该申请实际所要解决的技术问题在于：实现外部连接的可靠性。
在对比文件2的基础上，为了实现外部导电元件连接的可靠性，导电柱的端面低于绝缘层的第一表面是所属技术领域技术人员的惯用手段，属于本领域的公知常识。由此可知，在对比文件2的基础上结合上述公知常识以获得权利要求1，对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的，因而不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（2）权利要求2，4不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2、4对权利要求1做了进一步的限定。对比文件2公开了（参见说明书第84-104段以及附图2A-2B、7-10M）：IC芯片26配置于引线框架201的上表面20a的第一金属材料层22的位置（即线路层上）；绝缘填充材料25具有相对的第一表面和第二表面，位于绝缘填充材料25之间的引线框架部分以及第二金属材料层23构成了导电柱；引脚203具有内引脚与外引脚，外引脚作为连接外部电路的通道（其与外部连接的部分为导电柱）；IC芯片26以倒装上芯设备倒装配置于引线框架201的上表面20a的第一金属材料层22位置。由此可见，从属权利要求2、4的附加技术特征被对比文件2公开了。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，上述权利要求也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
（3）权利要求3、5不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求3、5对权利要求1做了进一步的限定。封装结构中的电子元件为无源元件或有源元件与无源元件组合是本领域技术人员的公知常识；另外，该封装结构还包括多个导电元件，结合于该绝缘层的第一表面上并电性连接该线路层的第一侧是所属技术领域技术人员的惯用技术手段，属于本领域的公知常识。由此可知，在对比文件2的基础上结合上述公知常识以获得该权利要求所要保护的技术方案，对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的，因而不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3.针对复审请求人的意见的评述
针对复审请求人的上述意见，合议组认为：
1）在凹槽中填充绝缘填充材料以及对其进行蚀刻均是本领域技术人员公知的形成绝缘材料的技术，不存在不可实施性；2）在对半导体器件的某一层进行蚀刻时，本领域技术人员可以根据实际的工艺需要选择设置适合参数而使得降低蚀刻工艺中对于器件结构的损伤，这也是惯用技术手段。不能因为某一技术对器件有损伤就否定该技术，对器件的损伤多少仅是工艺水平的高低问题，而不是不能实施的问题；3）器件的尺寸间距对于本领域技术人员可以根据实际的工艺需要选择设置，也是本领域技术人员的惯用技术手段。因此，在对比文件2的基础上结合公知常识以获得权利要求1，对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的，因而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。其从属权利要求2-5也不具备创造性。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年09月05日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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