发明创造名称：LED灯具及其制备方法
外观设计名称：
决定号：190639
决定日：2019-09-24
委内编号：1F266833
优先权日：
申请（专利）号：201310636297.6
申请日：2013-11-27
复审请求人：深圳市达特照明股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：全宇军
合议组组长：李燕
参审员：徐泽昕
国际分类号：F21S2/00,F21V29/83,F21Y101/02
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，如果一部分区别技术特征被另一篇对比文件公开，且其在该另一篇对比文件中所起的作用与其在该权利要求中所起的作用相同，而其他区别技术特征属于本领域的常用技术手段，则该权利要求相对于该两篇对比文件和本领域常用技术手段的结合不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201310636297.6，名称为“LED灯具及其制备方法”的发明专利申请。申请人为深圳市达特照明股份有限公司。本申请的申请日为2013年11月27日，公开日为2015年6月03日。
经实质审查，国家知识产权局专利实质审查部门以本申请权利要求1-5不符合专利法第22条第3款的规定为由于2018年08月07日驳回了本申请。
驳回决定中引用了如下对比文件：
对比文件1：CN203162602U，公告日为2013年08月28日；
对比文件3：CN101001515A，公开日为2007年07月18日。
驳回决定所依据的文本为申请日2013年11月27日提交的说明书第1-10页、说明书附图第1-2页、说明书摘要、摘要附图；2018年04月09日提交的权利要求第1-5项。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种LED灯具，包括外壳(1)以及设于所述外壳(1)内的电路板(2)，所述电路板(2)包括相对的第一侧面(21)和第二侧面(22)，所述第一侧面(21)上设有若干LED发光体(3)，其特征在于，所述第二侧面(22)上涂覆有磁性催化剂薄膜(4)，在所述磁性催化剂薄膜(4)上设有用于对所述电路板(2)和所述LED发光体(3)产生的热量进行辐射散热的第一碳纳米管(5)，所述第一碳纳米管(5)垂直地凸设在所述第二侧面(22)上，其中，所述磁性催化剂薄膜(4)包括Co薄膜或者Ni薄膜，所述第一碳纳米管(5)采用PECVD方法定向生长制备；
其中，所述磁性催化剂薄膜(4)厚度为50纳米～55纳米，所述第一碳纳米管(5)的直径为30纳米～50纳米，所述第一碳纳米管(5)呈阵列设于所述磁性催化剂薄膜(4)上，相邻所述第一碳纳米管(5)之间的间距为5纳米～8纳米。
2. 根据权利要求1所述的LED灯具，其特征在于，所述LED灯具还包括设于所述外壳(1)内的驱动器(6)，所述驱动器(6)与所述电路板(2)电连接。
3. 根据权利要求2所述的LED灯具，其特征在于，所述外壳(1)包括相互连接的底壳(11)和上盖(12)；所述底壳(11)内形成有相连通的第一凹槽(13)和第二凹槽(14)，所述驱动器(6)设于所述第一凹槽(13)内，所述电路板(2)设于所述第二凹槽(14)内、且所述电路板(2)位于所述驱动器(6)的上方，所述LED发光体(3)上还罩设有透镜(15)；所述上盖(12)包括主体(16)以及嵌设在所述主体(16)内用于透光的玻璃层(17)；所述底壳(11)和所述上盖(12)之间还设置有密封圈(18)。
4. 根据权利要求3所述的LED灯具，其特征在于，所述底壳(11)的内层面和/或外层面上还设有第二碳纳米管，和/或所述上盖(12)的内层面和/或外层面上还设有第三碳纳米管。
5. 一种LED灯具的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：在电路板(2)的第二侧面(22)上沉积磁性催化剂薄膜(4)，所述磁性催化剂薄膜(4)包括Co薄膜或者Ni薄膜；
S2：将所述电路板(2)放入反应炉中，向所述反应炉中通入惰性气体排出所述反应炉内的空气，然后退火刻蚀所述磁性催化剂薄膜(4)，再引入碳源气体，加入负偏压，使所述碳源气体电离产生等离子体，采用PECVD方法使所述等离子体在所述磁性催化剂薄膜(4)上沉积形成垂直地凸设在所述第二侧面(22)上的第一碳纳米管(5)；
S3：将所述电路板(2)装入所述外壳(1)内，封装得到所述LED灯具；
其中，所述磁性催化剂薄膜(4)厚度为50纳米～55纳米，所述第一碳纳米管(5)的直径为30纳米～50纳米，所述第一碳纳米管(5)呈阵列设于所述磁性催化剂薄膜(4)上，相邻所述第一碳纳米管(5)之间的间距为5纳米～8纳米。”
驳回决定中指出：1、权利要求1请求保护一种LED灯具，对比文件1公开了一种LED灯具，该权利要求相对于对比文件1的区别技术特征为：所述第二侧面上涂覆有磁性催化剂薄膜在所述磁性催化剂薄膜上设有用于所述电路板和所述LED发光体产生的热量进行辐射散热的第一碳纳米管，所述碳纳米管垂直地凸设在所述第二侧面上；所述磁性催化剂薄膜包括Co薄膜或者Ni薄膜，所述第一碳纳米管采用PECVD方法定向生长制备；所述磁性催化剂薄膜厚度为50纳米～55纳米，所述第一碳纳米管的直径为30纳米～50纳米, 所述第一碳纳米管呈阵列设于所述磁性催化剂薄膜上，相邻所述第一碳纳米管之间的间距为5纳米～8纳米。上述区别特征中的部分特征被对比文件3所公开，且该特征在对比文件3中所起的作用与其在本申请中为解决其技术问题所起的作用相同，都是为了提高散热效果。上述区别特征中未被对比文件3公开的部分，即对催化剂薄膜厚度、阵列排布的碳纳米管的直径和间距的限定，属于本领域的常规技术选择。因此，权利要求1请求保护的技术方案相对于对比文件1、3以及公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2、权利要求2-4的附加技术特征或者被对比文件1、2公开，或者属于本领域的公知常识，因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求2-4也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、权利要求5请求保护一种LED灯具的制备方法，对比文件1公开了一种LED灯具的制备方法，该权利要求相对于对比文件1的区别技术特征为：该LED灯具包括导热塑料壳体1和固定在导热塑料壳体1上的上盖4（导热塑料壳体1和上盖4组合相当于权利要求8中外壳），LED组件6包括印刷电路板和均布在印刷电路板上的多个LED颗粒；在组装灯具时，将LED驱动电源5放置在导热塑料壳体1的电源凹槽中，并把电源线与正上方LED组件6的电源输入焊盘进行焊接，再用防水硅橡胶对LED驱动电源5进行密封灌胶，对置于凹槽内的LED组件6表面均匀涂布高导热硅脂，进一步用粘合胶将光学透镜7固定在LED组件6上，在导热塑料壳体1相应凹槽分别放置硅胶套和面罩钢化玻璃，最后用螺丝将导热塑料壳体1与上盖紧密固定，这样形成的灯具能快速将热量从发热源传导至壳体表面进行散热（相当于权利要求8中S3:将所述电路板装入所述外壳内，封装得到所述LED灯具）。上述区别特征中的部分特征被对比文件3所公开，且该特征在对比文件3中所起的作用与其在本申请中为解决其技术问题所起的作用相同，都是为了提高散热效果。上述区别特征中的未被对比文件3公开的部分，即催化剂薄膜和碳纳米管的具体生长条件，以及对催化剂薄膜的厚度、阵列排布的碳纳米管的直径和间距的限定，属于本领域的常规技术选择。因此，权利要求5请求保护的技术方案相对于对比文件1、3以及公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年11月22日向国家知识产权局提出了复审请求，没有修改申请文件，陈述了权利要求具备创造性的理由。
复审请求人认为：对比文件3虽然公开了区别技术特征1和2，但是并没有公开区别技术特征3。对比文件3公开了催化剂层的厚度可以为1-100nm，但仅是列举了催化剂层的常规厚度尺寸选择，没有给出在催化剂层上生长的碳纳米管的尺寸选择，更没有给出整体散热结构（催化剂层和碳纳米管）的整体尺寸设计的技术方案。而在本申请中，针对电路板2第二侧面22上的散热结构（包括磁性催化剂薄膜4和第一碳纳米管5）的整体尺寸设计是有多方面考虑的，既考虑了磁性催化剂薄膜4和第一碳纳米管5之间连接的牢靠性，又考虑了第一碳纳米管5的生长效率，同时还考虑了第一碳纳米管5的散热效果。这些对比文件3均没有公开，也没有相应的技术启示。具体来说：本申请在考虑磁性催化剂薄膜（4）和第一碳纳米管（5）的结构尺寸时，还考虑了它们之间连接的牢靠性及第一碳纳米管（5）的生长效率。当磁性催化剂薄膜4厚度为50纳米～55纳米时，第一碳纳米管5与磁性催化剂薄膜4的连接最牢固；第一碳纳米管5的直径为30纳米～50纳米时，制备第一碳纳米管5较容易，制备效率较高，同时第一碳纳米管5的辐射散热效果较好；第一碳纳米管5呈阵列设于磁性催化剂薄膜4上，这样可以增强散热效果，而且相邻第一碳纳米管5之间的间距介于5纳米至8纳米之间时可以达到最好的散热效果。即所述磁性催化剂薄膜（4）厚度为50纳米～55纳米，所述第一碳纳米管（5）的直径为30纳米～50纳米，所述第一碳纳米管（5）呈阵列设于所述磁性催化剂薄膜（4）上，相邻所述第一碳纳米管（5）之间的间距为5纳米～8纳米。这样的整体尺寸设计，既兼顾了散热结构的整体牢靠性、又兼顾了其制备效率、同时还兼顾了其整体散热效果，这些都不是对比文件3中技术方案能够简单得到的。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年11月28日依法受理了该复审请求，并将其转送至专利实质审查部门进行前置审查。
专利实质审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局依法成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年07月31日向复审请求人发出复审通知书，指出：1、权利要求1请求保护一种LED灯具，对比文件1公开了一种LED灯具，该权利要求相对于对比文件1的区别技术特征为：在电路板的第二侧面上涂覆有磁性催化剂薄膜，在所述磁性催化剂薄膜上设有用于对所述电路板和所述LED发光体产生的热量进行辐射散热的第一碳纳米管，所述第一碳纳米管垂直地凸设在所述第二侧面上；所述磁性催化剂薄膜包括Co薄膜或者Ni薄膜，所述第一碳纳米管采用PECVD方法定向生长制备；所述磁性催化剂薄膜厚度为50纳米～55纳米，所述第一碳纳米管的直径为30纳米～50纳米，所述第一碳纳米管呈阵列设于所述磁性催化剂薄膜上，相邻所述第一碳纳米管之间的间距为5纳米～8纳米。上述区别特征中的部分特征被对比文件3所公开，且该特征在对比文件3中所起的作用与其在本申请中为解决其技术问题所起的作用相同，都是为了提高对电子元器件的散热效果。上述区别特征中未被对比文件3公开的部分，即对催化剂薄膜厚度、阵列排布的碳纳米管的直径和间距的限定，属于本领域的常规技术选择。因此，权利要求1请求保护的技术方案相对于对比文件1、3以及公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2、权利要求2-4的附加技术特征或者被对比文件1、2公开，或者属于本领域的公知常识，因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求2-4也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、权利要求5请求保护一种LED灯具的制备方法，对比文件1公开了一种LED灯具的制备方法，该权利要求相对于对比文件1的区别技术特征为：还包括S1：在电路板第二侧面上沉积磁性催化剂薄膜，所述磁性催化剂薄膜包括Co薄膜或者Ni薄膜；S2：将所述电路板放入反应炉中，向所述反应炉中通入惰性气体排出所述反应炉的空气，然后退火刻蚀所述磁性催化剂薄膜，再引入碳源气体，加入负偏压，使所述碳源气体电离产生等离子体，采用PECVD方法使所述等离子体在所述磁性催化剂薄膜上沉积形成垂直地凸设在所述第二侧面上的第一碳纳米管；所述磁性催化剂薄膜厚度为50纳米～55纳米，所述第一碳纳米管的直径为30纳米～50纳米，所述第一碳纳米管呈阵列设于所述磁性催化剂薄膜上，相邻所述第一碳纳米管之间的间距为5纳米～8纳米。上述区别特征中的部分特征被对比文件3所公开，且该特征在对比文件3中所起的作用与其在本申请中为解决其技术问题所起的作用相同，都是为了提高对电子元器件的散热效果。上述区别特征中的未被对比文件3公开的部分，即催化剂薄膜和碳纳米管的具体生长条件，以及对催化剂薄膜的厚度、阵列排布的碳纳米管的直径和间距的限定，属于本领域的常规技术选择。因此，权利要求5请求保护的技术方案相对于对比文件1、3以及公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人于2019年08月09日提交了意见陈述书，但未修改申请文件。复审请求人在意见陈述中陈述了权利要求1-5具备创造性的理由。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
复审请求人在提出复审请求以及答复复审通知书时都未对申请文件进行修改。因此，本复审请求审查决定针对的文本与驳回决定所针对的文本相同，即：申请日2013年11月27日提交的说明书第1-10页、说明书附图第1-2页、说明书摘要、摘要附图；2018年04月09日提交的权利要求第1-5项。
（二）关于创造性
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
决定要点：一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，如果一部分区别技术特征被另一篇对比文件公开，且其在该另一篇对比文件中所起的作用与其在该权利要求中所起的作用相同，而其他区别技术特征属于本领域的常用技术手段，则该权利要求相对于该两篇对比文件和本领域常用技术手段的结合不具备创造性。
具体到本案：
1. 权利要求1请求保护一种LED灯具，对比文件1公开了一种LED灯具，并具体公开了（参见说明书第[0019]-[0025]段、附图1-3）：该LED灯具包括导热塑料壳体1和通过螺钉固定在导热塑料壳体1上的上盖4（导热塑料壳体1和上盖4组合相当于本申请的外壳），设置于壳体1内的LED组件6，LED组件6包括印刷电路板和设置于电路板上表面（即第一侧面）的多个LED颗粒（即LED发光体，参见附图1-2），由附图1可知印刷电路板包括相对的第一侧面和第二侧面。
权利要求1与对比文件1相比，区别技术特征在于：在电路板的第二侧面上涂覆有磁性催化剂薄膜，在所述磁性催化剂薄膜上设有用于对所述电路板和所述LED发光体产生的热量进行辐射散热的第一碳纳米管，所述第一碳纳米管垂直地凸设在所述第二侧面上；所述磁性催化剂薄膜包括Co薄膜或者Ni薄膜，所述第一碳纳米管采用PECVD方法定向生长制备；所述磁性催化剂薄膜厚度为50纳米～55纳米，所述第一碳纳米管的直径为30纳米～50纳米，所述第一碳纳米管呈阵列设于所述磁性催化剂薄膜上，相邻所述第一碳纳米管之间的间距为5纳米～8纳米。
基于上述区别技术特征，可以确定权利要求1实际解决的技术问题是：如何增强散热性能。对比文件3公开了一种板式散热管，其中包括高效导热传热的碳纳米管结构，并具体公开了（参见说明书第3-7页、附图2-6）：其在底板内表面具有碳纳米管阵列，有效提高了底板吸收热源所发出的热量的效率，热源固定在底板下表面上，底板的内表面涂覆催化剂，在催化剂层上生长碳纳米管，形成碳纳米管阵列，催化剂层可为钴(Co)或镍(Ni)等过渡金属，厚度为1-100nm，可利用PECVD法形成碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列大约垂直的凸设在该底板的内表面，有效提高了底板吸收热源所发出的热量的效率（参见附图3-6）。可见，对比文件3已公开了上述区别技术特征中的一部分，且二者都属于导热散热领域，该部分区别技术特征在本申请中所起作用与其在对比文件3中所起作用相同，都是为了提高对电子元器件的散热效果。即对比文件3给出了将上述区别技术特征的一部分应用于对比文件1中的启示。为了进一步提高对比文件1中承载LED发光体的电路板的散热效果，在对比文件3的技术启示下，本领域技术人员有动机改进对比文件1中的电路板，在其与LED发光体相对的第二侧面上涂覆Co或者Ni磁性催化剂薄膜，并采用PECVD方法在催化剂薄膜上定向生长、形成垂直凸设于第二侧面上的碳纳米管阵列从而更好的将LED发光体和电路板产生的热量传导至散热外壳表面进行散热。进一步考虑到制备工艺难度、碳纳米管稳固性和散热效果等常规技术效果，本领域技术人员容易想到对催化剂薄膜和碳纳米管的尺寸参数进行优化选择，将磁性催化剂薄膜厚度设置为50纳米～55纳米，从而使得碳纳米管通过催化剂层稳固连接基板的侧面，将第一碳纳米管的直径设置为30纳米～50纳米，从而保证较优的散热效果，以及将第一碳纳米管之间的间距选择为5纳米～8纳米，从而同时保证较优的散热效果和方便制备，以上均属于本领域的常规技术选择，并未带来预料不到的技术效果。
由此可知，在对比文件1的基础上结合对比文件3以及本领域的常用技术手段得到权利要求1请求保护的技术方案，对于本领域技术人员来说是显而易见的。因此，权利要求1请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2. 权利要求2是权利要求1的从属权利要求，其附加技术特征被对比文件1公开（参见说明书第[0019]-[0025]段、附图1-3）：该LED灯具包括设置于导热塑料壳体1内的LED驱动电源5，所述驱动电源5通过导线与LED组件6中的印刷电路板连接（参见说明书第[0020]段）。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3. 权利要求3是权利要求2的从属权利要求，对比文件1进一步公开了其附加技术特征中的大部分特征：导热塑料壳体1（即底壳）和上盖4通过螺钉固定连接，导热塑料壳体1内形成有相连接的电源凹槽（即第一凹槽）和设置LED组件的凹槽（即第二凹槽，参见附图1-2），LED驱动电源5设置于电源凹槽内，LED组件6设置于LED组件凹槽内，且LED组件6设置于驱动电源5的上方，LED组件6上设置有多个LED颗粒，在LED颗粒上罩设有光学透镜7（参见附图1），硅胶圈2（即密封圈）和钢化玻璃3（即用于透光的玻璃层）依次置于导热塑料壳体1与上盖4之间（参见说明书第[0020]段），从附图1可以看出上盖4包括主体、硅胶圈2（即密封圈）设置在导热塑料壳体1（即底壳）与上盖4之间；在组装该LED灯具时，在导热塑料壳体1相应凹槽分别放置硅胶套和面罩钢化玻璃，最后用螺丝将导热塑料壳体1与上盖紧密固定（参见说明书第[0024]段、附图1-2）。至于为了实际组装便利的需要，而将用于透光的玻璃嵌设在上盖内，则属于本领域的常规技术选择。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4. 权利要求4是权利要求3的从属权利要求，对于其附加技术特征，对比文件1公开的导热塑料壳体（即底壳）具有高导热性能，将灯具的热量进行传导散热（参见同上），且对比文件3公开了碳纳米管阵列可高效进行热量传导（参见同上），为了进一步提高散热效果，本领域技术人员容易想到在所述底壳内层面和/或外层膜上设有第二碳纳米管，和/或所述上盖的内层面和/或外层面上还设有第三碳纳米管，达到更加有效散热的目的。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
5. 权利要求5请求保护一种LED灯具的制备方法，对比文件1公开了一种LED灯具的制备方法，并具体公开了（参见说明书第[0019]-[0025]段、附图1-3）：该LED灯具包括导热塑料壳体1和固定在导热塑料壳体1上的上盖4（导热塑料壳体1和上盖4组合相当于本申请的外壳），LED组件6包括印刷电路板和均布在印刷电路板上的多个LED颗粒；将LED组件6装入壳体1内，并封装得到LED灯具（即S3：将所述电路板装入所述外壳内，封装得到所述LED灯具）。
权利要求5与对比文件1相比，区别技术特征在于：还包括S1：在电路板第二侧面上沉积磁性催化剂薄膜，所述磁性催化剂薄膜包括Co薄膜或者Ni薄膜；S2：将所述电路板放入反应炉中，向所述反应炉中通入惰性气体排出所述反应炉的空气，然后退火刻蚀所述磁性催化剂薄膜，再引入碳源气体，加入负偏压，使所述碳源气体电离产生等离子体，采用PECVD方法使所述等离子体在所述磁性催化剂薄膜上沉积形成垂直地凸设在所述第二侧面上的第一碳纳米管；所述磁性催化剂薄膜厚度为50纳米～55纳米，所述第一碳纳米管的直径为30纳米～50纳米，所述第一碳纳米管呈阵列设于所述磁性催化剂薄膜上，相邻所述第一碳纳米管之间的间距为5纳米～8纳米。
基于上述区别技术特征，可以确定权利要求5实际解决的技术问题为：如何制备增强散热性能的LED灯具。对比文件3公开了一种高效导热传热的碳纳米管结构的制备方法，并具体公开了（参见说明书第2-7页、附图2-6）：在底板212的下表面设置有热源，在底板212的上表面上沉积催化剂层230，催化剂层230为钴（Co）或镍（Ni）等磁性金属，采用PECVD法使得等离子体在所述催化剂层230上沉积形成大致垂直凸设在上表面上的碳纳米管阵列240（参见说明书第4页和附图3）。可见，对比文件3已公开了上述区别技术特征中的一部分，且二者都属于导热散热领域，该部分区别技术特征在本申请中所起作用与其在对比文件3中所起作用相同，都是为了提高对电子元器件的散热效果。即对比文件3给出了将上述区别技术特征的一部分应用于对比文件1中的启示。为了进一步提高对比文件1中承载LED发光体的电路板的散热效果，在对比文件3的技术启示下，本领域技术人员有动机改进对比文件1中的电路板，在其与LED发光体相对的第二侧面上沉积Co或者Ni磁性催化剂薄膜，以及采用常规的PECVD步骤在催化剂薄膜上制备碳纳米管阵列，如将电路板放入反应炉中，向反应炉中通入惰性气体排出所述反应炉的空气，然后退火刻蚀所述磁性催化剂薄膜，再引入碳源气体，加入负偏压，使所述碳源气体电离产生等离子体，使所述等离子体在所述磁性催化剂薄膜上沉积形成垂直地凸设在第二侧面上的第一碳纳米管阵列，从而更好的将LED发光体和电路板产生的热量传导至散热外壳表面进行散热。进一步考虑到制备工艺难度、碳纳米管稳固性和散热效果等常规技术效果，本领域技术人员容易想到对催化剂薄膜和碳纳米管的尺寸参数进行优化选择，将磁性催化剂薄膜厚度设置为50纳米～55纳米，从而使得碳纳米管通过催化剂层稳固连接基板的侧面，第一碳纳米管的直径选择为30纳米～50纳米，从而保证较优的散热效果，以及将第一碳纳米管之间的间距选择为5纳米～8纳米，从而同时保证较优的散热效果和方便制备，以上均属于本领域的常规技术选择，其并未带来预料不到的技术效果。
由此可知，在对比文件1的基础上结合对比文件3以及本领域的常用技术手段得到该权利要求5请求保护的技术方案，对于本领域技术人员来说是显而易见的。因此，该权利要求5请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（三）对复审请求人相关意见的评述
复审请求人认为：（1）对比文件3是重点应用到计算机机箱中的散热器，而且其本身就是一种散热器，其无需考虑稳固性问题。而本申请是应用到LED灯中的，LED灯的散热要求与计算机机箱的散热要求差别很大。LED灯的电路板在引入碳纳米管时，因为直接在电路板上制备散热结构，所以必须考虑电路板的承载性能、制备的效率。
（2）本申请在考虑磁性催化剂薄膜（4）和第一碳纳米管（5）的结构尺寸时，还考虑了它们之间连接的牢靠性及第一碳纳米管（5）的生长效率。当磁性催化剂薄膜4厚度为50纳米～55纳米时，第一碳纳米管5与磁性催化剂薄膜4的连接最牢固；第一碳纳米管5的直径为30纳米～50纳米时，制备第一碳纳米管5较容易，制备效率较高，同时第一碳纳米管5的辐射散热效果较好；第一碳纳米管5呈阵列设于磁性催化剂薄膜4上，这样可以增强散热效果，而且相邻第一碳纳米管5之间的间距介于5纳米至8纳米之间时可以达到最好的散热效果。即所述磁性催化剂薄膜（4）厚度为50纳米～55纳米，所述第一碳纳米管（5）的直径为30纳米～50纳米，所述第一碳纳米管（5）呈阵列设于所述磁性催化剂薄膜（4）上，相邻所述第一碳纳米管（5）之间的间距为5纳米～8纳米。对比文件3仅公开了散热结构的一个参数的常规范围，本申请相对于对比文件3来说，具备好几个维度的参数改进，例如包括催化剂层的厚度、纳米管的间距、纳米管的直径，当多个维度的参数改进时，并非有限次试验即可得到的。更何况，对比文件3并未考虑纳米管的间距、纳米管的直径，也未意识到其带来的效果。
对此，合议组认为：（1）首先，虽然对比文件3中的散热对象与本申请散热对象不同，一个是对计算机的机箱进行散热，一个是对LED灯进行散热，然而都是采用在催化剂层上生长的碳纳米管阵列进行散热，且作用都是为了提高散热效率，本领域技术人员在面对如何提高散热效率的技术问题时，有动机将对比文件3中的碳纳米管阵列应用于对比文件1中的LED灯，达到提高散热效率的目的。其次，本申请的权利要求并没有对电路板的材质进行限定，本申请在电路板的侧面上涂覆磁性催化剂薄膜，在催化剂薄膜上生长碳纳米管，与对比文件1中在底板的内表面涂覆催化剂，在催化剂层上生长碳纳米管，实质上是一样的，所需考虑的承载性能和制备的效率并没有区别。
（2）对比文件3已经公开了采用PECVD法在催化剂层上生长碳纳米管阵列（参见说明书第4页第4段），虽然对比文件3没有公开催化剂薄膜厚度，碳纳米管直径和间距等参数，然而上述三个参数都是采用PECVD法在催化剂层上生长碳纳米管阵列时通常需要考虑的参数。在对比文件3已经公开采用PECVD方法在催化剂层上生长碳纳米管阵列和碳纳米管、且碳纳米管是通过催化剂层连接固定在热源基板的侧面的基础上，本领域技术人员在对于对比文件1的LED组件进行改进时，通常需要考虑到催化剂层的厚度将影响到碳纳米管与催化剂层连接的稳固性、直径不同的碳纳米管将带来不同的散热效果和制备难度，从而本领域技术人员为解决上述通常面临的技术问题时容易想到对催化剂薄膜和碳纳米管的尺寸参数进行优化选择，并获得综合的优化效果；例如，将磁性催化剂薄膜厚度选择为50纳米～55纳米，从而使得碳纳米管通过催化剂层稳固连接基板的侧面，第一碳纳米管的直径选择为30纳米～50纳米，从而保证较优的散热效果，以及将第一碳纳米管之间的间距选择为5纳米～8纳米，从而同时保证较优的散热效果和方便制备，上述选择都是本领域技术人员基于实际工艺制备经验和有限次的实验所能够实现的，通过上述选择所达到的兼顾散热结构的整体牢靠性、制备效率、及其整体散热效果，也是本领域技术人员可以预期的。
综上，复审请求人的意见陈述不具有说服力。
基于以上事实和理由，合议组作出如下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年08月07日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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