发明创造名称：铜镓溅射靶材
外观设计名称：
决定号：190681
决定日：2019-09-24
委内编号：1F242203
优先权日：2013-09-27
申请（专利）号：201480053446.9
申请日：2014-09-26
复审请求人：攀时奥地利公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：赵妍妍
合议组组长：倪永乐
参审员：王子瑜
国际分类号：C22C9/00，C23C14/34，B22F3/105
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果要求保护的发明是所属技术领域的技术人员在现有技术的基础上仅仅通过合乎逻辑的分析、推理或者有限的试验就可以得到的，则认为要求保护的发明对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的，即相对于现有技术来说不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201480053446.9，名称为“铜镓溅射靶材”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为“攀时奥地利公司”（下称复审请求人）,申请日为2014年9月26日，公开日为2016年5月11日，优先权日为2013年9月27日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2017年9月21日以不符合专利法第22条第3款的规定为由驳回了本申请。驳回决定认为：在对比文件1（WO2012/098722 A1，公开日期2012年7月26日）的基础上结合本领域公知常识得到权利要求1-19的技术方案显而易见，权利要求1-19不具备创造性。
驳回决定所依据的文本为2017年8月21日提交的权利要求第1-19项， 2016年3月28日提交的说明书第1-161段、说明书附图、说明书摘要。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种具有30至68At％的Ga含量的溅射靶材，所述溅射靶材包括至少一种含有Ga和Cu的金属间相，其特征在于，
CuGa2的体积比大于Cu9Ga4的体积比并且至少有90％的Ga作为CuGa2存在。
2. 根据权利要求1所述的溅射靶材，其特征在于，在具有含Ga和Cu的金属间相的区域中，平均显微硬度为＜500HV0.01。
3. 根据上述权利要求中任意一项所述的溅射靶材，其特征在于，Ga含量为40至68At％。
4. 根据上述权利要求中任意一项所述的溅射靶材，其特征在于，所述溅射靶材包括具有Cu含量＞80At％的富Cu相，所述富Cu相从纯Cu和含Ga的Cu混合晶体组成的类别中选出。
5. 根据权利要求4所述的溅射靶材，其特征在于，所述富Cu相为纯Cu相。
6. 根据上述权利要求中任意一项所述的溅射靶材，其特征在于，所述溅射靶材含有＞30体积％的CuGa2。
7. 根据上述权利要求中任意一项所述的溅射靶材，其特征在于，CuGa2/Cu9Ga4体积比为＞2。
8. 根据上述权利要求中任意一项所述的溅射靶材，其特征在于，所述溅射靶材含有总量为0.01至5At％的、由碱金属的类别中选出的至少一种元素。
9. 一种用于制造溅射靶材的方法，所述溅射靶材具有30至68At％的Ga含量，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：
-制造粉末混合物，所述粉末混合物包括含有CuGa2的颗粒，其中所述含有CuGa2的颗粒中CuGa2的体积比大于Cu9Ga4的体积比，而且
-将所述粉末混合物压实，
其中在至少暂时地使用压力或电场的条件下通过烧结而进行所述压实，或者其中通过冷气喷涂进行压实。
10. 根据权利要求9所述的方法用于制造根据权利要求1至8中任意一项所述的溅射靶材。
11. 根据权利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述粉末混合物包括纯Cu颗粒和/或含Cu混合晶体颗粒。
12. 根据权利要求9至11中任意一项所述的方法，其特征在于，所述粉末混合物包括含有碱金属的颗粒。
13. 根据权利要求9至12中任意一项所述的方法，其特征在于，所述含有CuGa2的颗粒在具有Cu-Ga金属间相的区域中具有硬度分布的一个最大值或多个最大值，其中，至少一个最大值为压痕硬度HIT＜4.5GPa。
14. 根据权利要求9所述的方法，其特征在于，通过所述电场的作用使直流电引导通过所述粉末混合物。
15. 根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述粉末混合物加热至150至250℃的烧结温度。
16. 根据权利要求14至15中任意一项所述的方法，其特征在于，在＞50℃的温度区域内的时间为＜60min。
17. 根据权利要求9所述的方法，其特征在于，具有＞10bar的压力的过程气体在收敛扩散喷管中加速，其中，所述粉末混合物在所述收敛扩散喷管的前方、在所述收敛扩散喷管中或者在所述收敛扩散喷管的后方注入到所述过程气体中，在此加速并且沉积在基底上而且形成紧实的主体。
18. 根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述基底这样形成，即，所述紧实的主体形成管状靶材，其中，所述基底具有载体管的功能。
19. 根据权利要求1至8中任意一项所述的溅射靶材用于制造太阳能电池的薄层的应用。”
复审请求人对上述驳回决定不服，于2018年1月8日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书，具体修改方式为：在原独立权利要求1和9中加入原权利要求2的附加技术特征“在具有含Ga和Cu的金属间相的区域中，平均显微硬度为＜500HV0.01”，删除原权利要求2，并对修改后的权利要求重新编号。
复审请求人认为：1）对比文件1没有提到γ相（Cu9Ga4）和θ相（CuGa2）是否仍存在于热压步骤之后的靶材。2）本申请中，θ相（CuGa2）是优选的，在本申请之前，普遍的认为Cu9Ga4是优选的。在对比文件1中，GuGa2对Ga浸析有负面影响。对比文件1的方法只针对比较低的Ga含量，而高于50at%的Ga浓度仍然会造成Ga的浸析。对比文件1中教导的熔融和浇铸以及热压的步骤导致明显形成Cu9Ga4相。因此，对比文件1使得本领域技术人员偏离了权利要求1的特征，因为对比文件1中教导的工艺步骤很大程度上抑制了GuGa2相的形成。3）对比文件1没有给出细显微硬度和良好可加工性的技术启示。4）本申请的待压实粉末中已经含有显著含量的CuGa2相。本申请通过Ar使熔体（具有相应的Cu和Ga组成）雾化得到期望的CuGa2相。压实在例如放电等离子烧结或冷气喷涂等很难发生扩散的条件下实施。而对比文件1中的热压步骤导致明显的扩散，导致CuGa2相比例降低。
复审请求时提交的修改后的权利要求1和8如下：
“1. 一种具有30至68At％的Ga含量的溅射靶材，所述溅射靶材包括至少一种含有Ga和Cu的金属间相，其特征在于，
CuGa2的体积比大于Cu9Ga4的体积比并且至少有90％的Ga作为CuGa2存在，在具有含Ga和Cu的金属间相的区域中，平均显微硬度为＜500HV0.01。”
“8. 一种用于制造溅射靶材的方法，所述溅射靶材具有30至68At％的Ga含量并且在具有含Ga和Cu的金属间相的区域中，平均显 微硬度为＜500HV0.01，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：
-制造粉末混合物，所述粉末混合物包括含有CuGa2的颗粒，其中所述含有CuGa2的颗粒中CuGa2的体积比大于Cu9Ga4的体积比，而且
-将所述粉末混合物压实，
其中在至少暂时地使用压力或电场的条件下通过烧结而进行所述压实，或者其中通过冷气喷涂进行压实。”
经形式审查合格，国家知识产权局依法受理了该复审请求，于2018年1月19日向复审请求人发出复审请求受理通知书，并将案卷转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2018年11月30日向复审请求人发出复审通知书，指出：1）对比文件1附图1右侧是其实施例中溅射靶材的EPMA分析图，从附图可以明确看出，靶材中存在γ相（Cu9Ga4）和θ相（CuGa2），并且从图1中可以确定CuGa2的体积显著大于Cu9Ga4相的比例。2）对比文件1中仅公开了在融化浇铸的过程中Ga会从θ相（CuGa2）浸析，在后续的热压步骤的合金反应中浸析的Ga消失。没有证据证明GuGa2会对Ga浸析有负面影响，也没有任何记载教导熔融和浇铸以及热压的步骤会导致明显形成Cu9Ga4相。因此，复审请求人所声称的对比文件1使得本领域技术人员偏离了权利要求1的特征，及对比文件1的工艺步骤抑制了GuGa2相的形成是没有依据的。3）尽管对比文件1的文字记载中没有给出细显微硬度和良好可加工性的技术启示，但在生产制备溅射靶材时，对于硬度和良好加工性能要求是显而易见的。4）从上述制备方法的比较可知，对比文件1中的原材料粉末中也具有γ相（Cu9Ga4）和θ相（CuGa2），热压制备靶材的过程中压力和温度都在本申请范围之内。因此，本领域技术人员完全可以推定对比文件1中的待压实粉末中同样含有显著含量的CuGa2相。复审请求人的主张不能成立。
针对上述复审通知书，复审请求人于2019年3月13日提交了意见陈述书，同时对权利要求书进行了修改，具体修改方式为：将从属权利要求9、15的特征并入独立权利要求8中，并对从属权利要求的引用关系进行主动修改。复审请求人认为修改后的权利要求1具备创造性，其他从属权利要求也具备创造性。
修改后的权利要求8为：
“8. 一种用于制造根据权利要求1至7中任意一项所述的溅射靶材的方法，所述溅射靶材具有30至68At％的Ga含量并且在具有含Ga和Cu的金属间相的区域中，平均显微硬度为＜500HV0.01，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：
-制造粉末混合物，所述粉末混合物包括含有CuGa2的颗粒，其中所述含有CuGa2的颗粒中CuGa2的体积比大于Cu9Ga4的体积比，而且
-将所述粉末混合物压实，
其中在至少暂时地使用压力或电场的条件下通过烧结而进行所述压实，在＞50℃的温度区域内的时间为＜60min，或者其中通过冷气喷涂进行压实。”
合议组于2019年5月28日向复审请求人再次发出复审通知书，指出：1）对比文件1附图1右侧是其实施例中溅射靶材的EPMA分析图，从Ga相分离图可以明确看出，靶材中存在γ相（Cu9Ga4）和θ相（CuGa2），并且从图1中可以确定CuGa2的体积显著大于Cu9Ga4相的比例。2）由对比文件1的图1可以确定靶材中CuGa2的体积比大于Cu9Ga4相的体积比。本领域技术人员公知CuGa2具有较低的硬度和较高的压缩性能，因此，为了获得更好的加工性能，本领域技术人员有动机提高靶材中CuGa2的含量，进而也有动机提高作为粉末原料中的CuGa2的含量。而且，对比文件1公开了Ga含量为 42.6%时形成θ相（CuGa2），但实际上Cu-Ga合金中Ga含量为40%时即存在θ相（CuGa2）（参见说明书第[0019]段）。本领域技术人员可以通过原料Ga的含量和工艺参数的调整使得制造粉末组合物中的CuGa2的体积比大于Cu9Ga4的体积比。另外，从上文对于权利要求1的评述中制备方法的比较可知，对比文件1中的原材料粉末中也具有γ相（Cu9Ga4）和θ相（CuGa2），热压制备靶材的过程中压力和温度都在本申请范围之内。对比文件1公开了：热压在混合原材料粉末的熔点和低于熔点10℃之间的温度保持1至3小时（参见该对比文件说明书第[0029]段），而1小时即为60min，可见对比文件1公开的时间与本申请中记载的时间存在非常接近的范围。而且，为了尽量减少扩散，本领域技术人员有动机减少压缩烧结时间，并且在对比文件1的基础上经过简单调整获得适宜的时间范围，如<>
针对上述复审通知书，复审请求人于2019年7月12日提交了意见陈述书，同时对权利要求书进行了修改，具体修改方式为：将从属权利要求6的特征并入独立权利要求1中，将方法权利要求8（现权利要求7）中“在>50℃的温度区域内的时间”修改为“<>
修改后的权利要求1、7为：
“1. 一种具有30至68At％的Ga含量的溅射靶材，所述溅射靶材包括至少一种含有Ga和Cu的金属间相，其特征在于，
CuGa2的体积比大于Cu9Ga4的体积比并且至少有90％的Ga作为CuGa2存在，在具有含Ga和Cu的金属间相的区域中，平均显微硬度为＜500 HV0.01，CuGa2/Cu9Ga4体积比为＞2。”
“7. 一种用于制造根据权利要求1至6中任意一项所述的溅射靶材的方法，所述溅射靶材具有30至68At％的Ga含量并且在具有含Ga和Cu的金属间相的区域中，平均显微硬度为＜500 HV0.01，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：
-制造粉末混合物，所述粉末混合物包括含有CuGa2的颗粒，其中所述含有CuGa2的颗粒中CuGa2的体积比大于Cu9Ga4的体积比，而且
-将所述粉末混合物压实，
其中在至少暂时地使用压力或电场的条件下通过烧结而进行所述压实，在＞50℃的温度区域内的时间为＜30min，或者其中通过冷气喷涂进行压实。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
本复审请求审查决定针对的文本是复审请求人于2019年7月12日提交的权利要求1-15项，2016年3月28日提交的原始国际申请中文译文的说明书第1-161段，说明书附图1-4，说明书摘要。
专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步。
如果要求保护的发明是所属技术领域的技术人员在现有技术的基础上仅仅通过合乎逻辑的分析、推理或者有限的试验就可以得到的，则认为要求保护的发明对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的，即相对于现有技术来说不具备创造性。
2.1权利要求1不具有创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求1请求保护一种具有30至68At%的Ga含量的溅射靶材。对比文件1公开了一种Cu-Ga合金溅射靶材，其中Ga的含量为47at%（参见该对比文件实施例1及附图1，表1）。图1示出了比较例5（铸造法）和实施例（粉末烧结法）制备的靶材表面的电子显微探针分析（EPMA）结果。从图1可以确定采用粉末烧结法制备的靶材中θ相(CuGa2相)的面积显著大于γ相(Cu9Ga4相)的面积。据此，本领域技术人员可以确定所述的Cu-Ga合金溅射靶材中含有CuGa2相和Cu9Ga4相的金属间相，并且CuGa2的体积比大于Cu9Ga4相的体积比。
权利要求1与对比文件1相比，区别在于：至少90%的Ga作为CuGa2存在；在具有含Ga和Cu的金属间相的区域中，平均显微硬度为2。
根据上述区别，确定权利要求1所实际要解决的技术问题是：降低显微硬度，以获得更好的加工性能。
对于上述区别，对比文件1中公开的该溅射靶材制备方法为：以Ga浓度47at%的比例称取铜和镓，将其放入石墨坩埚中进入加热炉中加热，氩气压为5kgf/cm2，升温速度为10℃/min制备原材料。然后将该原材料粉碎过筛，得到粒径小于90微米的颗粒。然后，将制得的粉末放置到压力烧结炉中，加热温度以3℃/min的速度从室温上升到240℃并保持在240℃ 2.5h，然后停止加热自然冷却。当温度达到240℃后30分钟后施加压力400kgf/cm2（40MPa），直至停止加热后30分钟（参见该对比文件实施例1）。对比文件1还公开了：在制备的原料粉末中具有γ相（Cu9Ga4）和θ相（CuGa2）（参见说明书第[0028]段）；尽管在Cu-Ga相图中，Ga含量为 42.6%时才形成θ相（CuGa2），但实际上Cu-Ga合金中Ga含量为40%时即存在θ相（CuGa2）（参见说明书第[0019]段）。
而本申请说明书记载的制备方法为：制造粉末混合物，该粉末混合物中包括含有CuGa2的颗粒，其中所述含有CuGa2的颗粒中CuGa2的体积比大于Cu9Ga4的体积比；将粉末压实，至少暂时使用压力或电场的条件下通过烧结而进行所述压实，或者其中通过冷却喷涂进行压实。尽可能少地发生扩散的条件下进行压实，在SPS烧结方法中，优选烧结温度为150至250℃，压力优选15至100MPa（参见本申请说明书第[0061]-[0090]段）。
从上述制备方法的比较可知，对比文件1中的原材料粉末中Ga浓度47at%，也具有γ相（Cu9Ga4）和θ相（CuGa2），热压制备靶材的过程中压力和温度都在本申请范围之内。本领域技术人员可以推定对比文件1中的溅射靶材中Ga大部分以CuGa2形式存在，并且由于CuGa2具有较低的硬度和较高的压缩性能，因此，为了获得更好的加工性能，本领域技术人员有动机提高靶材中CuGa2的含量，经过简单试验调整工艺参数使得Ga的含量90%以上以CuGa2相存在，并且CuGa2/ Cu9Ga4体积比为>2是容易做到的。在此基础上得到平均显微硬度满足
由此可见，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求1的技术方案，对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，权利要求1不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
2.2权利要求2-6不具有创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求2是权利要求1的从属权利要求，其附加技术特征已经被对比文件1公开。
权利要求3-4是对富铜相的限定，权利要求5是对CuGa2相的进一步限定。参见上文对于权利要求1的评述，从对比文件1的附图1中可以看出，靶材中含有γ相（Cu9Ga4）和θ相（CuGa2）。为了获得更好的加工性能，通过调整烧结浇铸的温度及热压的工艺参数，得到纯铜相、CuGa2的体积%是容易做到的。
权利要求6限定靶材中含有碱金属，碱金属是靶材中常用的改善材料放电效率的元素，本领域技术人员能够根据需要进行选择添加，其添加量也是经过简单实验即可确定的。
因此，在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求2-6也不具备专利法第22条3款所规定的创造性。
2.3权利要求7不具有创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求7要求保护一种制造溅射靶材的方法。对比文件1中公开的该溅射靶材制备方法为：以Ga浓度47at%的比例称取铜和镓，将其放入石墨坩埚中进入加热炉中加热，氩气压为5kgf/cm2，升温速度为10℃/min制备原材料。然后将该原材料粉碎过筛，得到粒径小于90微米的颗粒。然后，将制得的粉末放置到压力烧结炉中，加热温度以3℃/min的速度从室温上升到240℃并保持在240℃2.5h，然后停止加热自然冷却。当温度达到240℃后30分钟后施加压力400kgf/cm2（40MPa），直至停止加热后30分钟（参见该对比文件实施例1）。对比文件1还公开了：在制备的原料粉末中具有γ相（Cu9Ga4）和θ相（CuGa2）（参见说明书第[0028]段）。
权利要求7与对比文件1的区别在于：（1）粉末混合物中所含有的CuGa2的颗粒中CuGa2的体积比大于Cu9Ga4的体积比；（2）在具有含Ga和Cu的金属间相的区域中，平均显微硬度为50℃的温度区域内的时间为<>
因此，权利要求7所实际要解决的技术问题是：降低显微硬度，以获得更好的加工性能。
对于区别（1），由对比文件1的图1可以确定靶材中CuGa2的体积比大于Cu9Ga4相的体积比。本领域技术人员公知CuGa2具有较低的硬度和较高的压缩性能，因此，为了获得更好的加工性能，本领域技术人员有动机提高靶材中CuGa2的含量，进而也有动机提高作为粉末原料中的CuGa2的含量。而且，对比文件1公开了Ga含量为 42.6%时形成θ相（CuGa2），但实际上Cu-Ga合金中Ga含量为40%时即存在θ相（CuGa2）（参见说明书第[0019]段）。本领域技术人员可以通过原料Ga的含量和工艺参数的调整使得制造粉末组合物中的CuGa2的体积比大于Cu9Ga4的体积比。
对于区别（2），参见对权利要求1的评述。
对于区别（3），在电场条件下烧结压实，以及通过冷气喷涂压实均是本领域的常规技术手段。对比文件1还公开了：热压在混合原材料粉末的熔点和低于熔点10℃之间的温度保持1至3小时（参见对比文件1说明书第[0029]段）。为尽量减少扩散，本领域技术人员有动机减少压缩烧结时间，从而在对比文件1的基础上经过简单调整获得适宜的时间范围，如<>
由此可见，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求7的技术方案，对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，权利要求7不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
2.4权利要求8-12不具有创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求8是权利要求7的从属权利要求，对比文件1已经公开了粉末中具有含铜混合晶体颗粒。为了获得更好的加工性能，通过调整烧结浇铸的温度及热压的工艺参数，得到纯铜相也是容易做到的。
权利要求9是权利要求7的从属权利要求，碱金属是靶材中常用的改善材料放电效率的元素，本领域技术人员能够根据需要进行选择添加。
权利要求10是权利要求7的从属权利要求，参见上文对于靶材的评述，本领域技术人员可以预期，通过简单的参数调整即可将对比文件1中浇铸制备含有θ相（CuGa2）的颗粒的硬度分布达到权利要求10相同的数值范围。
权利要求11权利要求7的从属权利要求，使直流电引导粉末混合物是本领域常用的加热烧结方法。
权利要求12权利要求11从属权利要求，其附加技术特征已经被对比文件1公开。
因此，在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求8-12也不具备专利法第22条第3款所规定的创造性。
2.5权利要求13-14不具有创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求13-14是冷气喷涂压实制备靶材的技术方案，其附加技术特征是本领域常规的冷气喷涂压实制备靶材的工艺步骤，而喷气压力也是本领域技术人员根据靶材密度进行调整的。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求13-14也不具备专利法第22条第3款所规定的创造性。
2.6权利要求15不具有创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求15要求保护一种根据权利要求1至6中任意一项所述的溅射靶材用于制造太阳能电池的薄层的应用。而对比文件1中已经公开了该溅射靶材用于制备太阳能薄膜电池的光吸收层（参见说明书第[0001]段）。因此，在权利要求1至6中任意一项所述的溅射靶材不具备创造性的基础上，权利要求15也不具备专利法第22条3款所规定的创造性。
针对复审请求人意见陈述的答复
复审请求人认为本申请具有创造性，理由如下：
1）对比文件1并没有对附图中γ相（Cu9Ga4）和θ相（CuGa2）比例进行文字说明，并且只在左侧铸造法的对比例的Ga相分离图中的箭头标出了γ相、θ相以及θ相中偏析出的Ga，而右侧粉末法的实施例的Ga相分离图中没有对应标注γ相、θ相，由此并不能够直接分辨其中的γ相、θ相。因此，并不能直接毫无疑义地得出根据对比文件1的方法获得溅射靶材中 CuGa2的体积显著大于Cu9Ga4的比例，进而不能得出CuGa2/ Cu9Ga4体积比为>2。
2）对比文件1没有公开原材料中CuGa2的体积比大于Cu9Ga4的体积比，也没有限定压实过程中在>50℃的温度区域内的时间为<><>
对此，合议组经过合议认为：
1）在同一副附图中，相同晶相形貌代表的晶体是相同的，本领域技术人员从左侧铸造法Ga相分离图中标注的γ相、θ相的形貌，可以毫无疑义的确定右侧粉末法的实施例的Ga相分离图中的γ相、θ相，并能明显看出CuGa2的体积显著大于Cu9Ga4。
2）由对比文件1的图1可以确定靶材中CuGa2的体积比大于Cu9Ga4相的体积比。本领域技术人员公知CuGa2具有较低的硬度和较高的压缩性能，因此，为了获得更好的加工性能，本领域技术人员有动机提高靶材中CuGa2的含量，进而也有动机提高作为粉末原料中的CuGa2的含量。而且，对比文件1公开了Ga含量为 42.6%时形成θ相（CuGa2），但实际上Cu-Ga合金中Ga含量为40%时即存在θ相（CuGa2）（参见说明书第[0019]段）。本领域技术人员可以通过原料Ga的含量和工艺参数的调整使得制造粉末组合物中的CuGa2的体积比大于Cu9Ga4的体积比。另外，从上文对于权利要求1的评述中制备方法的比较可知，对比文件1中的原材料粉末中也具有γ相（Cu9Ga4）和θ相（CuGa2），热压制备靶材的过程中压力和温度都在本申请范围之内。对比文件1公开了：热压在混合原材料粉末的熔点和低于熔点10℃之间的温度保持1至3小时（参见该对比文件1说明书第[0029]段）。为尽量减少扩散，本领域技术人员有动机减少压缩烧结时间，从而在对比文件1的基础上经过简单调整获得适宜的时间范围，如<><><><>
复审请求人的理由不足以说明本申请具备创造性。
根据上述事实和理由，合议组作出如下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2017年9月21日对201480053446.9作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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