发明创造名称：面阵式金针负氧离子粒子流发射器制造方法
外观设计名称：
决定号：190933
决定日：2019-09-24
委内编号：1F266409
优先权日：
申请（专利）号：201510404730.2
申请日：2015-07-10
复审请求人：深圳康源佳科技发展有限公司 张仁祥
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：杨金辉
合议组组长：庞立敏
参审员：宋岩
国际分类号：A61L9/22,H01T19/00
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果本申请与最接近的现有技术之间存在区别技术特征，该最接近现有技术中并不存在采用该区别技术特征以解决本申请所解决技术问题的启示，同时也没有证据表明该区别技术特征属于本领域的公知常识，则基于现有的证据认为本申请要求保护的技术方案相对于现有技术是非显而易见的。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510404730.2，名称为“面阵式金针负氧离子粒子流发射器制造方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为深圳康源佳科技发展有限公司和张仁祥，申请日为2015年7月10日，公开日为2015年11月25日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年8月3日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-8不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。驳回决定所依据的文本为：申请日2015年7月10日提交的说明书摘要、说明书附图图1-图9和摘要附图；2018年1月10日提交的权利要求第1-7项和说明书第1-109段。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种面阵式金针负氧离子粒子流发射器制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供多个发射针及针架，所述发射针符合L/D≤15，其中，L为所述发射针的针体长度，D为所述针体的最大直径；
将所述多个发射针通过工装或自动焊接的方式阵列排布组装于所述针架上形成发射针组件；及
对所述发射针组件注胶成型以形成第一绝缘包履层，所述发射针的尖端部露出所述第一绝缘包履层以电晕放电形成负氧离子，所述针架的电极露出所述第一绝缘包履层；
将多个所述发射针组件面阵组装于导通金属片上；及
将导通金属片安装于高绝缘承载安装条上；
所述发射针组件面阵组装后，检测每个所述发射针是否相互导通，若导通，则对所述发射针组件间所述导通金属片露出部分注胶成型以形成第二绝缘包履层。
2. 根据权利要求1所述的面阵式金针负氧离子流发射器制造方法，其特征在于，所述导通金属片焊接上出线端子，将所述导通金属片放入高绝缘承载安装条上，用螺钉将所述发射针组件、所述导通金属片及所述高绝缘承载安装条连接并固定。
3. 根据权利要求1所述的面阵式金针负氧离子流发射器制造方法，其特征在于，所述尖端部的裸露长度为3mm～5mm。
4. 根据权利要求1所述的面阵式金针负氧离子流发射器制造方法，其特征在于，所述针体的最大直径为1.2mm，所述针体的长度为12mm～15mm。
5. 根据权利要求1所述的面阵式金针负氧离子流发射器制造方法，其特征在于，所述发射针采用不锈钢材料通过机械加工制成且外表面镀金。
6. 根据权利要求1所述的面阵式金针负氧离子流发射器制造方法，其特征在于，每个所述发射针与所述针架的平面垂直且每个所述发射针相互平行，所述发射针的针尖都 处于同一个平面。
7. 根据权利要求1所述的面阵式金针负氧离子流发射器制造方法，其特征在于，所述针架为PCB板。”
驳回决定认为：权利要求1与对比文件1（CN201750041U，公告日为2011年2月16日）的区别在于：权利要求1要求保护设备的制造方法，加入了检测步骤，还限定了发射针符合L/D≤15。但是，在生产电子元件的过程中通过通电测试两点间是否断路也是本领域的常用方法，如专利文件CN1096587A、CN104181353A、CN201156069Y等均提供了电路板上断路测试的设备，其也是为了提高电子元件的成品率。对比文件1公开了与本申请相同的锥形发射针的形状、结构及安装方式，且发射针尖端的曲率会影响电子发射是本领域的公知常识，因而在对比文件1公开的发射针的构造的基础之上，为了优化电晕放电及便于加工、安装，本领域技术人员有动机去调整发射针的长度和直径，进而得到具有一定曲率尖端的发射针，如本申请中的L/D≤15的技术方案是根据一定尺寸和曲率尖端通过简单计算就能得出的。基于上述理由，权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具有创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。从属权利要求2-7的附加技术特征或者被对比文件1公开，或者属于本领域技术人员的常规技术手段，因此，权利要求2-7也不具有创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2017年11月10日向国家知识产权局提出了复审请求，未修改申请文件。复审请求人认为：本申请相比于对比文件1要解决的技术问题是避免生产出不良产品并能够简化制造步骤。对比文件1并没有公开检测发射针是否相互导通以及在相互导通后，再对发射针组件间导通金属片露出部分注胶成型以形成第二绝缘包覆层的技术特征，同时，面阵式金针负氧离子流发射器的制造方法需要考虑的因素很多，采用该特征检测发射针也不是本领域技术人员很容易想到的。此外，本申请中控制发射针的尺寸符合L/D≤15能够实现最优曲率尖端的发射针，使得发射针能较好的电晕放电形成负氧离子。
经形式审查合格，国家知识产权局于2017年11月30日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为上述技术特征是本领域技术人员的常规技术手段，因而坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出复审请求审查决定。
二、决定的理由
关于审查文本的认定
复审请求人在提交复审请求时没有修改申请文件。因此，本复审请求审查决定针对的审查文本为：申请日2015年7月10日提交的说明书摘要、说明书附图图1-图9和摘要附图；2018年1月10日提交的权利要求第1-7项和说明书第1-109段。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定，创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步。
如果本申请与最接近的现有技术之间存在区别技术特征，该最接近现有技术中并不存在采用该区别技术特征以解决本申请所解决技术问题的启示，同时也没有证据表明该区别技术特征属于本领域的公知常识，则基于现有的证据认为本申请要求保护的技术方案相对于现有技术是非显而易见的。
权利要求1要求保护一种面阵式金针负氧离子粒子流发射器制造方法，对比文件1（参见说明书具体实施方式和附图1-2）公开了一种矩阵式负离子物质流发射器，包括多个发射针组件，每个发射针组件包括针架，针架用于与外部负离子发射电路连接，呈矩阵式排布设于针架上且与针架连接的多个发射针4，针架及发射针包覆有绝缘层5，发射针4包括自绝缘层5露出的针尖部，用于电晕放电形成负氧离子，从附图2可以直接看出，针架包括自绝缘层5漏出的电极；发射针组件的数目为多个，发射器还包括连通条2，连通条2为导电体（相当于导通金属片），绝缘安装条1，多个发射针组件通过连通条2相连，连通条2安装在绝缘安装条1，针架为条状的印刷电路板，发射针4穿透印刷电路板与其焊接。因此，权利要求1与对比文件1公开的技术方案相比，区别特征至少包括：权利要求1限定了所述制造方法中包括“所述发射针组件面阵组装后，检测每个所述发射针是否相互导通，若导通，则对所述发射针组件间所述导通金属片露出部分注胶成型以形成第二绝缘包履层”。
针对该区别特征，驳回决定和前置审查意见认为：在生产电子元件的过程中上通过通电测试两点间是否断路也是本领域的常用方法，如专利文件CN1096587A、CN104181353A、CN201156069Y等均提供了电路板上断路测试的设备，其也是为了提高电子元件的成品率。
对此，合议组认为：
本申请说明书记载了通过上述技术特征能够避免生产出不良产品。
对比文件1中并未公开上述检测以及导通后形成第二绝缘包履层的步骤，从对比文件1整体记载也无法得到通过上述技术特征实现上述技术效果的技术启示。
驳回决定和前置审查意见中列举的三篇专利文献中，CN1096587A公开了一种电路板单元，例如印刷电路板PCB的测试系统，其包括连通性测试装置对电路板实施连通性测试；CN104181353A公开了一种电路板短路断路元件检测治具，依靠检测程序实现检测，以解决提高流水线上的检测效率；CN201156069Y公开了一种电路板PCB生产制造过程中的测试装置，通过感测组与两个差动放大器之间的组接，有效计算出感测电路板与待测电路板之线路件的电容量，从而对PCB断路、短路和微短路进行判定。综上，虽然这些专利文献的最终目的都是为了提高产品的良品率，但是这些专利文献均涉及电路板PCB的测试领域，与本申请涉及空气净化的负氧离子发射器领域差异较大，提高良品率在不同技术领域中所需要考虑的技术因素和面临的技术问题并不相同，而且这些专利文献中均没有公开本申请权利要求1中“检测发射针是否导通”以及“导通后形成第二绝缘包履层”的技术手段。因此，上述专利文献无法证明上述区别技术特征是本领域技术人员的常规技术手段，从而给出解决本申请技术问题的技术启示。
因此根据现有的证据，驳回决定中关于权利要求1不符合专利法第22条第3款规定的理由不成立。
从属权利要求2-7都至少包括以上区别技术特征，基于同样的理由，驳回决定关于权利要求2-7不符合专利法第22条第3款规定的理由均不成立。
根据上述事实和理由，合议组作出如下复审请求审查决定。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018年8月3日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门在本复审请求审查决定所针对文本的基础上对本发明专利申请继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
郑重声明：本文版权归原作者所有，转载文章仅为传播更多信息之目的，如作者信息标记有误，请第一时间联系我们修改或删除，多谢。
