发明创造名称：具有聚合物基质的插件框架及其制造方法
外观设计名称：
决定号：195698
决定日：2019-10-28
委内编号：1F263750
优先权日：2014-05-05
申请（专利）号：201410498486.6
申请日：2014-09-25
复审请求人：珠海越亚半导体股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：芦婧
合议组组长：刘晓华
参审员：王宏雨
国际分类号：H05K1/02；H05K3/10
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：如果一项权利要求请求保护的技术方案与一篇对比文件公开的内容相比存在多项区别特征，其中部分区别特征在其它对比文件中公开，其余区别特征属于本领域的惯用手段，则该项权利要求请求保护的技术方案相对于上述对比文件和本领域惯用手段的结合不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
全文：
本复审请求审查决定涉及申请号为201410498486.6，名称为“具有聚合物基质的插件框架及其制造方法”的发明专利申请（以下称本申请）。申请人为珠海越亚封装基板技术股份有限公司。本申请的申请日为2014年09月25日，优先权日为2014年05月05日，公开日为2015年01月07日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年07月09日发出驳回决定，驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：申请日2014年09月25日提交的说明书第1-141段（即第1-15页），说明书附图第1-10页，说明书摘要以及摘要附图；2017年06月20日提交的权利要求第1-26项。
驳回决定所针对的权利要求书的内容如下：
“1. 一种芯片插座阵列，所述芯片插座阵列被有机基质框架所限定，所述有机基质框架包围穿过所述有机基质框架的贯穿插座，所述芯片插座阵列还包括穿过所述有机基质框架的铜通孔柱栅格，其中包围至少一个插座的框架包括交替的铜通孔柱层和铜特征层，并且包括嵌入在所述有机基质框架内的至少一个铜通孔柱层和至少一个铜特征层。
2. 如权利要求1所述的芯片插座阵列，其中每个芯片插座被有机基质框架所包围，所述有机基质框架包括穿过所述框架的铜通孔柱。
3. 如权利要求1所述的芯片插座阵列，其中所述有机基质框架还包括玻璃纤维束。
4. 如权利要求1所述的芯片插座阵列，其中每个铜通孔柱的宽度在25微米至500微米的范围内。
5. 如权利要求1所述的芯片插座阵列，其中每个铜通孔柱是圆柱形的并且具有在25微米至500微米的范围内的直径。
6. 如权利要求1所述的芯片插座阵列，其中穿过所述有机基质框架的铜通孔柱栅格包括多个铜通孔柱层。
7. 如权利要求1所述的芯片插座阵列，其中包围至少一个插座的框架包括交替的铜通孔柱层和铜特征层的连续线圈，所述连续线圈跨越至少一个铜通孔柱层和至少一个铜特征层。
8. 如权利要求1所述的芯片插座阵列，其中所述铜通孔柱包括细长的铜通孔柱。
9. 如权利要求7所述的芯片插座阵列，其中由交替的铜通孔柱层和铜特征层构成的连续线圈跨越多个铜通孔柱层。
10. 如权利要求1所述的芯片插座阵列，包括具有不同外形尺寸的相邻芯片插座。
11. 如权利要求10所述的芯片插座阵列，包括具有不同尺寸的相邻芯片插座。
12. 如权利要求10所述的芯片插座阵列，包括具有不同形状的 相邻芯片插座。
13. 一种包括芯片插座阵列的面板，每个芯片插座被有机基质框架所包围和限定，所述有机基质框架包括穿过所述有机基质框架的铜通孔柱栅格，其中包围至少一个插座的框架包括交替的铜通孔柱层和铜特征层，并且包括嵌入在所述有机基质框架内的至少一个铜通孔柱层和至少一个铜特征层，其中所述面板包括具有用于接纳第一类型芯片的第一组外形尺寸的插座的至少一个区域，以及具有用于接纳第二类型芯片的第二组外形尺寸的插座的第二区域。
14. 一种制造如权利要求1所述的芯片插座阵列的方法，包括：获得牺牲载体；布设光刻胶层并且将所述光刻胶层图案化为具有铜通孔柱栅格；在所述栅格中镀覆铜；用聚合物电介质层压；对所述聚合物电介质进行减薄和平坦化以暴露出铜通孔的端部；移除所述载体；以及在所述聚合物电介质中机械制造芯片插座。
15. 如权利要求14所述的方法，其中所述载体是铜载体，其通过将铜溶解而被移除。
16. 如权利要求14所述的方法，还包括在沉积所述铜通孔之前，在所述载体上施加蚀刻阻挡层。
17. 如权利要求14所述的方法，其中所述蚀刻阻挡层包括镍。
18. 如权利要求14所述的方法，其中在蚀刻掉铜载体的同时，利用蚀刻阻挡材料保护具有暴露的铜通孔柱端部的平坦化聚合物电介质。
19. 如权利要求18所述的方法，其中所述蚀刻阻挡材料是光刻胶。
20. 如权利要求16所述的方法，其中在所述镍上电镀铜种子层。
21. 如权利要求16所述的方法，其中在沉积镍阻挡层之前，电镀铜种子层。
22. 如权利要求14所述的方法，其中通过选自通过冲压出插座并保留形成框架或通过数控成型中的一种来机械制造所述栅格。
23. 一种制造如权利要求1所述的芯片插座阵列的方法，包括：获得牺牲载体；布设光刻胶层并且将所述光刻胶层图案化为具有铜通 孔柱栅格和芯片插座阵列；在所述栅格中镀覆铜；用聚合物电介质层压；对所述聚合物电介质进行减薄和平坦化以暴露出铜通孔的端部和所述阵列；遮蔽所述铜通孔柱的端部；溶解所述阵列；以及移除所述载体。
24. 如权利要求23所述的方法，其中所述铜通孔柱是细长的铜通孔柱，并且至少一个芯片插座被具有嵌入式金属结构的有机基质框架所包围，所述嵌入式金属结构包括至少一个细长的铜通孔柱和至少一个特征层。
25. 如权利要求23所述的方法，其中所述细长的铜通孔柱和特征层包括连续线圈。
26. 如权利要求23所述的方法，其中至少一个插座被有机框架和嵌入在所述有机框架中的多层金属结构所包围，所述多层金属结构包括多个延伸的铜通孔柱层，使得每一对相邻的铜通孔柱层被铜特征层分隔开，并且所述多层金属结构包括连续线圈。”
驳回决定中引用的对比文件为：
对比文件1：US2010/0013081A1，公开日为2010年01月21日；
对比文件3：CN102792520A，公开日为2012年11月21日；
对比文件4：CN101241861A，公开日为2008年08月13日；
对比文件6：CN103187365A，公开日为2013年07月03日。
驳回决定主要认为：1、（1）独立权利要求1、13请求保护的技术方案与对比文件1所公开的技术内容相比，区别特征在于：包围至少一个插座的框架包括交替的铜通孔柱层和铜特征层，并且包括嵌入在有机基质框架内的至少一个铜通孔柱层和至少一个铜特征层。上述区别特征部分被对比文件6公开，部分为本领域的公知常识，因此，在对比文件1的基础上结合对比文件6和公知常识，得到权利要求1、13所要求保护的技术方案，对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的，权利要求1、13不具备专利法第22条第3款规定的创造性。同时，独立权利要求1请求保护的技术方案与对比文件6所公开的技术内容相比，区别特征在于：本发明的阵列为芯片插座阵列，有机基质框架包围穿过有机基质框架的贯穿插座。独立权利要求13请求保护的技术方案与对比文件6所公开的技术内容相比，区别特征在于：本发明的阵列为芯片插座阵列，有机基质框架包围穿过有机基质框架的贯穿插座，面板包括具有用于接纳第一类型芯片的第一组外形尺寸的插座的至少一个区域，以及具有用于接纳第二类型芯片的第二组外形尺寸的插座的第二区域。上述区别特征均被对比文件1公开。因此，在对比文件6的基础上结合对比文件1，得到权利要求1、13所要求保护的技术方案，对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的，权利要求1、13不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（2）从属权利要求2-6、8、10-12的附加特征中的特征，或被对比文件1公开，或被对比文件6公开，或为本领域公知常识；从属权利要求7、9的附加特征被对比文件3公开；因此从属权利要求2-12不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2、（1）独立权利要求14、23请求保护一种制造权利要求1所述的芯片插座阵列的方法。如权利要求1所述的芯片插座阵列相对于对比文件1结合对比文件6和本领域的公知常识、或相对于对比文件6结合对比文件1不具有创造性，在此基础上，权利要求14、23的方法中的部分步骤被对比文件4公开了，未被对比文件4公开的方法步骤部分被对比文件1公开，部分为本领域公知常识，因此，在对比文件4的基础上结合对比文件1，6和本领域的公知常识以获得权利要求14、23所要求保护的技术方案，对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的，权利要求14、23不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（2）从属权利要求的15-17、20、21的附加特征被对比文件4公开，从属权利要求18、19、22的附加特征为本领域公知常识，从属权利要求24的附加特征部分被对比文件1公开，部分被对比文件6公开，部分为本领域公知常识；从属权利要求25的附加特征被对比文件3公开；从属权利要求26的附加特征部分被对比文件6公开，部分被对比文件3公开；因此从属权利要求15-22、24-26不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年10月24日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的全文修改替换页。其中，在独立权利要求1中增加特征“其中所述贯穿插座用于嵌入芯片”，形成新的独立权利要求1，其中，新的独立权利要求1的内容如下：
“1. 一种芯片插座阵列，所述芯片插座阵列被有机基质框架所限定，所述有机基质框架包围穿过所述有机基质框架的贯穿插座，所述芯片插座阵列还包括穿过所述有机基质框架的铜通孔柱栅格，其中包围至少一个插座的框架包括交替的铜通孔柱层和铜特征层，并且包括嵌入在所述有机基质框架内的至少一个铜通孔柱层和至少一个铜特征层，其中所述贯穿插座用于嵌入芯片。”
复审请求人在提出复审请求时主要认为：（1）对比文件6不适合作为本申请的最接近的对比文件，二者的产品完全不同，对比文件6公开的是一种多层电子支撑结构，在对比文件6中根本没有教导此种支撑结构可以用于嵌入式芯片封装。也就是说，对比文件6没有给出任何技术启示表明多层电子支撑结构400能够替换为或应用于对比文件1的用于嵌入式芯片封装的框架210。（2）本发明实际所要解决的技术问题是如何使得嵌入式芯片封装体功能化，亦即除了具有扇出裸芯片焊盘触点的基本功能外，还可具备如电磁屏蔽、热沉、同轴通讯、电感器等其他附加功能，对比文件6没有给出可以利用多层电子支撑结构的通孔柱层和特征层来实现特定功能的教导。此外，复审请求人还阐述了对比文件1不适合作为本申请的最接近的对比文件和在对比文件1的基础上结合对比文件6不存在结合启示的理由。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年10月31日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，专利复审委员会成立合议组对本案进行审理。
合议组于2018 年12月27日向复审请求人发出复审通知书，该复审通知书所针对的文本为：申请日2014年09月25日提交的说明书第1-15页、说明书附图第1-10页、说明书摘要和摘要附图；2018年10月24日提交的权利要求第1-26项。复审通知书中引用的对比文件为驳回决定所引用的对比文件1，对比文件4和对比文件6。
复审通知书中指出：1、（1）独立权利要求1请求保护的技术方案与对比文件6所公开的技术内容相比，区别特征在于：插座为贯穿插座，有机基质框架包围穿过有机基质框架的贯穿插座。独立权利要求13请求保护的技术方案与对比文件6所公开的技术内容相比，区别特征在于：每个芯片插座被有机基质框架所包围和限定，面板包括具有用于接纳第一类型芯片的第一组外形尺寸的插座的至少一个区域，以及具有用于接纳第二类型芯片的第二组外形尺寸的插座的第二区域。上述区别特征均被对比文件1公开。因此，在对比文件6的基础上结合对比文件1，得到权利要求1、13所要求保护的技术方案，对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的，权利要求1、13不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（2）从属权利要求2-6、8、10-12的附加特征中的特征，或被对比文件1公开，或被对比文件6公开，或为本领域公知常识；权利要求2-6、8、10-12不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2、（1）独立权利要求14、23请求保护一种制造权利要求1所述的芯片插座阵列的方法。权利要求1所述的芯片插座阵列相对于对比文件6结合对比文件1不具有创造性，在此基础上，权利要求14、23的方法中的部分步骤被对比文件4公开了，未被对比文件4公开的方法步骤部分被对比文件1公开，部分为本领域公知常识，因此，在对比文件4的基础上结合对比文件1，6和本领域的公知常识以获得权利要求14、23所要求保护的技术方案，对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的，对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的，权利要求14、23不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（2）从属权利要求的15-22的附加特征或被对比文件4公开，或为本领域的公知常识；从属权利要求24的附加特征部分被对比文件1公开，部分被对比文件6公开，部分为本领域公知常识；因此从属权利要求15-22、24不具备专利法第22条第3款规定的创造性。复审通知书中同时针对复审请求人的意见进行了回应。
复审请求人于2019年02月02日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文修改替换页。其中，删除权利要求7，将权利要求7的附加特征 “其中包围至少一个插座的框架包括交替的铜通孔柱层和铜特征层的连续线圈，所述连续线圈跨越至少一个铜通孔柱层和至少一个铜特征层”分别加入权利要求1，13中，形成新的权利要求1，12，对权利要求的编号和引用关系进行适应性修改，修改后的权利要求书的内容如下：
“1. 一种芯片插座阵列，所述芯片插座阵列被有机基质框架所限定，所述有机基质框架包围穿过所述有机基质框架的贯穿插座，所述芯片插座阵列还包括穿过所述有机基质框架的铜通孔柱栅格，其中包围至少一个插座的框架包括交替的铜通孔柱层和铜特征层，并且包括嵌入在所述有机基质框架内的至少一个铜通孔柱层和至少一个铜特征层，其中所述贯穿插座用于嵌入芯片，其中包围至少一个插座的框架包括交替的铜通孔柱层和铜特征层的连续线圈，所述连续线圈跨越至少一个铜通孔柱层和至少一个铜特征层。
2. 如权利要求1所述的芯片插座阵列，其中每个芯片插座被有机基质框架所包围，所述有机基质框架包括穿过所述框架的铜通孔柱。
3. 如权利要求1所述的芯片插座阵列，其中所述有机基质框架还包括玻璃纤维束。
4. 如权利要求1所述的芯片插座阵列，其中每个铜通孔柱的宽度在25微米至500微米的范围内。
5. 如权利要求1所述的芯片插座阵列，其中每个铜通孔柱是圆柱形的并且具有在25微米至500微米的范围内的直径。
6. 如权利要求1所述的芯片插座阵列，其中穿过所述有机基质框架的铜通孔柱栅格包括多个铜通孔柱层。
7. 如权利要求1所述的芯片插座阵列，其中所述铜通孔柱包括细长的铜通孔柱。
8. 如权利要求1所述的芯片插座阵列，其中由交替的铜通孔柱层和铜特征层构成的连续线圈跨越多个铜通孔柱层。
9. 如权利要求1所述的芯片插座阵列，包括具有不同外形尺寸的相邻芯片插座。
10. 如权利要求9所述的芯片插座阵列，包括具有不同尺寸的相邻芯片插座。
11. 如权利要求9所述的芯片插座阵列，包括具有不同形状的相邻芯片插座。
12. 一种包括芯片插座阵列的面板，每个芯片插座被有机基质框架所包围和限定，所述有机基质框架包括穿过所述有机基质框架的铜通孔柱栅格，其中包围至少一个插座的框架包括交替的铜通孔柱层和铜特征层，并且包括嵌入在所述有机基质框架内的至少一个铜通孔柱层和至少一个铜特征层，其中所述面板包括具有用于接纳第一类型芯片的第一组外形尺寸的插座的至少一个区域，以及具有用于接纳第二类型芯片的第二组外形尺寸的插座的第二区域，其中包围至少一个插座的框架包括交替的铜通孔柱层和铜特征层的连续线圈，所述连续线圈跨越至少一个铜通孔柱层和至少一个铜特征层。
13. 一种制造如权利要求1所述的芯片插座阵列的方法，包括：获得牺牲载体；布设光刻胶层并且将所述光刻胶层图案化为具有铜通孔柱栅格；在所述栅格中镀覆铜；用聚合物电介质层压；对所述聚合物电介质进行减薄和平坦化以暴露出铜通孔的端部；移除所述载体；以及在所述聚合物电介质中机械制造芯片插座。
14. 如权利要求13所述的方法，其中所述载体是铜载体，其通过将铜溶解而被移除。
15. 如权利要求13所述的方法，还包括在沉积所述铜通孔之前，在所述载体上施加蚀刻阻挡层。
16. 如权利要求13所述的方法，其中所述蚀刻阻挡层包括镍。
17. 如权利要求13所述的方法，其中在蚀刻掉铜载体的同时，利用蚀刻阻挡材料保护具有暴露的铜通孔柱端部的平坦化聚合物电介质。
18. 如权利要求17所述的方法，其中所述蚀刻阻挡材料是光刻胶。
19. 如权利要求15所述的方法，其中在所述镍上电镀铜种子层。
20. 如权利要求15所述的方法，其中在沉积镍阻挡层之前，电镀铜种子层。
21. 如权利要求13所述的方法，其中通过选自通过冲压出插座并保留形成框架或通过数控成型中的一种来机械制造所述栅格。
22. 一种制造如权利要求1所述的芯片插座阵列的方法，包括： 获得牺牲载体；布设光刻胶层并且将所述光刻胶层图案化为具有铜通孔柱栅格和芯片插座阵列；在所述栅格中镀覆铜；用聚合物电介质层压；对所述聚合物电介质进行减薄和平坦化以暴露出铜通孔的端部和所述阵列；遮蔽所述铜通孔柱的端部；溶解所述阵列；以及移除所述载体。
23. 如权利要求22所述的方法，其中所述铜通孔柱是细长的铜通孔柱，并且至少一个芯片插座被具有嵌入式金属结构的有机基质框架所包围，所述嵌入式金属结构包括至少一个细长的铜通孔柱和至少一个特征层。
24. 如权利要求22所述的方法，其中所述细长的铜通孔柱和特征层包括连续线圈。
25. 如权利要求22所述的方法，其中至少一个插座被有机框架和嵌入在所述有机框架中的多层金属结构所包围，所述多层金属结构包括多个延伸的铜通孔柱层，使得每一对相邻的铜通孔柱层被铜特征层分隔开，并且所述多层金属结构包括连续线圈。”
复审请求人在意见陈述书中指出：复审通知书中没有针对权利要求7提出任何评述，申请人认为复审合议组已经确认权利要求7具备创造性。因此，并入有权利要求7的附加技术特征的经修改的权利要求1、13、引用了权利要求1的权利要求14和权利要求24也就具备了创造性。
合议组于2019年04月28日再次向复审请求人发出复审通知书，复审通知书所针对的文本是：申请日2014年09月25日提交的说明书第1-15页、说明书附图第1-10页、说明书摘要和摘要附图；2019年02月02日提交的权利要求第1-25项。复审通知书中引用的对比文件与驳回决定所引用的对比文件相同，即对比文件1，对比文件3，对比文件4和对比文件6。
复审通知书中指出：1、（1）独立权利要求1请求保护的技术方案与对比文件6所公开的技术内容相比，区别特征在于：1）插座为贯穿插座，有机基质框架包围穿过有机基质框架的贯穿插座。2）在权利要求1中，包围至少一个插座的框架包括交替的铜通孔柱层和铜特征层的连续线圈，所述连续线圈跨越至少一个铜通孔柱层和至少一个铜特征层。而在对比文件6中，框架包括交替的铜通孔柱层和铜特征层，铜特征层可以为图案，不同层的铜特征层图案间经由铜通孔柱层电连接，并跨越至少一个铜通孔柱层和至少一个铜特征层。独立权利要求12请求保护的技术方案与对比文件6所公开的技术内容相比，区别特征在于：1）每个芯片插座被有机基质框架所包围和限定，面板包括具有用于接纳第一类型芯片的第一组外形尺寸的插座的至少一个区域，以及具有用于接纳第二类型芯片的第二组外形尺寸的插座的第二区域；2）在权利要求12中，包围至少一个插座的框架包括交替的铜通孔柱层和铜特征层的连续线圈，所述连续线圈跨越至少一个铜通孔柱层和至少一个铜特征层。而在对比文件6中，框架包括交替的铜通孔柱层和铜特征层图案，铜特征层可以为图案，不同层的铜特征层图案间经由铜通孔柱层电连接，并跨越至少一个铜通孔柱层和至少一个铜特征层。上述区别特征1）均被对比文件1公开，上述区别特征2）均被对比文件3公开。因此，在对比文件6的基础上结合对比文件1和对比文件3，得到权利要求1、12所要求保护的技术方案，对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的，权利要求1、12不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（2）从属权利要求2-11的附加特征中的特征，或被对比文件1公开，或被对比文件3公开，或被对比文件6公开，或为本领域公知常识；权利要求2-11不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2、（1）独立权利要求13、22请求保护一种制造权利要求1所述的芯片插座阵列的方法。权利要求1所述的芯片插座阵列相对于对比文件6结合对比文件1和对比文件3不具有创造性，在此基础上，权利要求13、22的方法中的部分步骤被对比文件4公开了，未被对比文件4公开的方法步骤部分被对比文件1公开，部分为本领域公知常识，因此，在对比文件4的基础上结合对比文件1，6，3和本领域的公知常识以获得权利要求13、22所要求保护的技术方案，对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的，对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的，权利要求13、22不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（2）从属权利要求的14-21的附加特征或被对比文件4公开，或为本领域的公知常识；从属权利要求23-25的附加特征中的特征或被对比文件1公开，或被对比文件3公开，或被对比文件6公开，或为本领域公知常识；因此从属权利要求14-21、23-25不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人于2019 年08 月13日提交了意见陈述书和权利要求书全文修改替换页。其中，对权利要求22进行如下修改：将“布设光刻胶层并且将所述光刻胶层图案化为具有铜通孔柱栅格和芯片插座阵列”修改为“布设光刻胶层并且将所述光刻胶层图案化为具有铜通孔柱栅格和芯片插座阵列的图案”，将“在所述栅格中镀覆铜”修改为“在所述图案中镀覆铜”，将“对所述聚合物电介质进行减薄和平坦化以暴露出铜通孔的端部和所述阵列”修改为“对所述聚合物电介质进行减薄和平坦化以暴露出铜通孔柱的端部和所述芯片插座阵列”，将“溶解所述阵列”修改为“溶解掉所述芯片插座阵列中的铜”。修改后的权利要求22的内容如下：
“22.一种制造如权利要求1所述的芯片插座阵列的方法，包括：获得牺牲载体；布设光刻胶层并且将所述光刻胶层图案化为具有铜通孔柱栅格和芯片插座阵列的图案；在所述图案中镀覆铜；用聚合物电介质层压；对所述聚合物电介质进行减薄和平坦化以暴露出铜通孔柱的端部和所述芯片插座阵列；遮蔽所述铜通孔柱的端部；溶解掉所述芯片插座阵列中的铜；以及移除所述载体。”
复审请求人在意见陈述书中指出：（1）复审通知书在引用对比文件6时，是将对比文件6中公开的互不相关的多个技术方案组合在一起作为最接近的现有技术与本申请权利要求1的技术方案进行比对，这种评述创造性的方式明显不符合审查指南中关于创造性判断三步法的规定。具体而言，对比文件6的[0018]段、[0020]段分别公开了作为该对比文件6的2个独立的现有技术方案，[0056]-[0087]段公开了作为对比文件6的一个现有技术的技术方案（图1）以及对比文件6的制造方法（图2-3）。复审通知书显然是将上述四个完全独立的技术方案进行了组合，并强行将本申请权利要求1与经过组合的技术方案进行对比。其次，对比文件6仅仅在背景技术部分对多个现有技术方案的评述中简要介绍了诸如一种多层互连结构可以包括堆叠元件的空腔以及一种IC支撑体可包括粘合在IC支撑体内空腔中的第二IC芯片。然而对比文件6的发明内容和具体实施方案部分完全没有涉及任何空腔或芯片插座，更没有给出在对比文件6的多层电子支撑结构中制造或形成嵌入芯片的空腔或插座的任何技术启示。也就是说，本领域技术人员根据对比文件6的教导，根本不可能有动机在对比文件6的多层电子支撑结构中形成芯片插座阵列。（2）对比文件4是本申请发明人的在先专利，公开了一种基本的面板镀覆形成多层无芯支撑结构的方法，其中根本没有教导在多层结构中形成嵌入芯片的芯片插座，也没有公开利用光刻胶在牺牲载体上形成芯片插座阵列，在芯片插座阵列中填充铜以及通过溶解蚀刻芯片插座阵列中的铜来形成芯片插座阵列，更没有教导可以在形成多层通孔柱结构的同时，通过遮蔽通孔柱底端而同时进行面板镀覆的方式在一次制程中同时形成多层通孔柱结构和芯片插座阵列。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
复审请求人于2019 年08 月13日提交了权利要求书全文修改替换页。经审查，上述修改文件的修改之处符合专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所针对的文本是：申请日2014年09月25日提交的说明书第1-15页、说明书附图第1-10页、说明书摘要和摘要附图；2019 年08 月13日提交的权利要求第1-25项。
（二）关于专利法第22条第3款
创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
本复审请求审查决定引用的对比文件与驳回决定以及2019年04月28日发出的复审通知书中所引用的对比文件相同，为：
对比文件1：US2010/0013081A1，公开日为2010年01月21日；
对比文件3：CN102792520A，公开日为2012年11月21日；
对比文件4：CN101241861A，公开日为2008年08月13日；
对比文件6：CN103187365A，公开日为2013年07月03日。
1.权利要求1请求保护一种芯片插座阵列。对比文件6公开了一种多层电子支撑结构阵列，并具体公开了以下内容（参见说明书第[0018]段、[0020]段、[0056]-[0087]段、附图1-7）：由金属通孔或特征结构构成的图案或面板镀覆的多层结构可包括用于堆叠元件的空腔；例如，IC支撑体包括在绝缘周围材料中的铜特征结构和通孔的交替层的堆叠，所述第一IC芯片可粘合至所述 IC支撑体，所述第二IC芯片可粘合在所述IC支撑体内部的空腔中（相当于芯片插座，用于嵌入芯片）；多层电子支撑结构通常被制造成类似的多层电子支撑结构的阵列（包含空腔的阵列相当于一种芯片插座阵列）的一部分，其然后被分离；多层支撑结构100包括被绝缘各层的介电层110、112、114、116隔离的特征结构108的功能层102、104、106；穿过介电层的通孔118提供在相邻的特征结构层之间的电连接；功能层102、104、106包括在X- Y平面上通常敷设在所述层内的特征结构108，以及跨介电层110、112、 114、116导通电流的通孔118；包括特征结构或焊盘层以及其上的通孔层的每个双层可通过以下步骤制造：获得包括下方通孔层的基板，所述通孔层被处理以暴露出所述通孔层的铜—步骤a)，并用种子层，通常是铜，来覆盖所述基板—步骤b)；将第一光刻胶薄层覆在种子层上—步骤c)，以及将所述第一光刻胶薄层曝光并显影以形成负性特征结构图案—步骤d)；将金属，通常是铜，沉积在所述负性特征图案上—步骤e)；并剥除所述第一光刻胶薄层—步骤f)，以留下直立的特征层；现在覆第二光刻胶厚层—步骤g)，并在其中曝光和显影出第二负性通孔柱图案—步骤h)；在第二图案显影出的沟槽内沉积金属层，通常是铜—步骤i)，以制造包括不同尺寸的通孔柱（相当于穿过所述有机基质框架的铜通孔柱栅格）的通孔层；剥除第二光刻胶层—步骤j)，以留下包括至少两个不同尺寸的通孔柱的通孔柱层以及直立的特征结构层（相当于交替的铜通孔柱层和铜特征层）；移除暴露的种子层—步骤k)；然后，在包括不同尺寸的通孔柱的通孔层上层压介电材料（相当于有机基质框架，包括嵌入在所述有机基质框架内的至少一个铜通孔柱层和至少一个铜特征层）—步骤l)；为了能够进一步构建额外的层，可将介电材料减薄以暴露出金属—步骤 m)，所述减薄可利用机械研磨或抛光、化学抛光或化学机械抛光CMP来完成；所述减薄也使结构平坦化；然后，可以在经减薄的表面上沉积金属种子层，如铜—步骤n)，以使得进一步的层能够被构建。
此外，由于在对比文件6中，铜通孔柱层和铜特征层是通过光刻胶薄层曝光并显影形成负性特征结构图案，然后将金属，通常是铜，沉积在所述负性特征图案上形成，通孔提供在相邻的特征结构层之间的电连接，则本领域技术人员可以直接地、毫无疑义地确定，在对比文件6中，框架包括交替的铜通孔柱层和铜特征层，铜特征层可以为图案，不同层的铜特征层图案间经由铜通孔柱层电连接，并跨越至少一个铜通孔柱层和至少一个铜特征层。
权利要求1与对比文件6的区别在于：（1）插座为贯穿插座，有机基质框架包围穿过有机基质框架的贯穿插座。（2）在权利要求1中，包围至少一个插座的框架包括交替的铜通孔柱层和铜特征层的连续线圈，所述连续线圈跨越至少一个铜通孔柱层和至少一个铜特征层。而在对比文件6中，框架包括交替的铜通孔柱层和铜特征层，铜特征层可以为图案，不同层的铜特征层图案间经由铜通孔柱层电连接，并跨越至少一个铜通孔柱层和至少一个铜特征层。基于上述区别特征所能达到的效果，可以确定权利要求1实际解决的技术问题是：如何提高嵌入式芯片封装的空间利用率以及如何实现嵌入式封装芯片的功能化。
对于上述区别（1），对比文件1公开了一种结构元件200，并具体公开了以下内容（参见权利要求1-21，说明书第[0021]-[0057]段、附图1a-4b）：结构元件200（相当于芯片插座阵列）被有机材料的框架210所限定，有机材料的框架210（相当于有机基质框架）包围穿过框架210的顶面与底面的多个开口350（相当于贯穿插座，有机基质框架包围穿过所述有机基质框架的贯穿插座），被封装的晶粒设置在该开口350中，该晶粒包括倒装芯片。结构元件200（相当于芯片插座阵列）还包括穿过框架210顶面与底面的通孔360，该通孔被填充一导电性传导材料365，例如铜（相当于穿过所述有机基质框架的铜通孔柱栅格），其中包围开口350的有机材料的框架210包括通孔360内的铜通孔柱层。结构性组件200提供一通路，将该第一封装内之晶粒耦合于堆栈其上之一第二封装或晶粒上。
由此可见，对比文件1公开了上述区别（1），并且也能起到提高嵌入式芯片封装的空间利用率的作用，因此，对比文件1给出了将其披露的技术内容应用到对比文件6中的技术启示。
对于上述区别（2），对比文件3公开了（参见说明书第[0037]-[0047]段、附图1-2）：供电电路基板15为挠性的层叠基板，在中央部具有空腔16（相当于插座），在该空腔16中收容无线IC芯片10，并填充密封材料17；将多个基材层18a～18e进行层叠、压接，基材层18a～18e由挠性的材料、例如液晶聚合物等那样的热塑性树脂构成，在最上层的基材层18a的中央形成开口部25；在第2～4 层的基材层18b～18d的中央形成开口部25，形成线圈图案21a～21c（相当于连续线圈）；这些线圈图案可通过光刻法对金属膜进行图案化而形成；最下层的线圈图案21d的一端21d-1 经由层间导体而与第4层的线圈图案21c的一端21c-1连接，该线圈图案 21c的另一端21c-2经由层间导体二与第3层的线圈图案21b的一端21b-1 连接；该线圈图案21b的另一端21b-2经由层间导体与第2层的线圈图案 21a的一端21a-1连接；该线圈图案21a的另一端21a-2经由层间导体与设置在最下层的图案21e连接。
由此可见，对比文件3公开了由金属材料形成的线圈图案21a-d和层间导体交替在芯片插座周围形成的连续线圈结构，并且线圈图案21a-d是在基材层中，通过光刻法对金属膜进行图案化而形成的。其在对比文件3中同样具有扩展芯片功能的作用，也就是说对比文件3给出了将其披露的技术内容应用到对比文件6中的技术启示。在对比文件6公开的内容的基础上，结合对比文件3公开的内容，将对比文件6中铜特征层图案具体设计为线圈图案，从而通过铜通孔柱连接形成连续线圈图案，对本领域技术人员是显而易见的。
综上所述，在对比文件6的基础上结合对比文件1和对比文件3，得到权利要求1的方案，对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的，因而该权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.权利要求2是权利要求1的从属权利要求。对比文件6还公开了（参见说明书 [0056]-[0087]段、附图1-7）在第二图案显影出的沟槽内沉积金属层，通常是铜—步骤i)，以制造包括不同尺寸的通孔柱（相当于穿过所述有机基质框架的铜通孔柱）的通孔层；对比文件1还公开了（参见说明书第[0021]-[0045]段、附图1a-4b）：该框架210内包括多个封装区域230，每个封装区域230包括一被周边区域232包围的一开口350（相当于每个芯片插座被有机基质框架所包围），被封装的晶粒设置在该开口350中，该晶粒包括倒装芯片。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3.权利要求3是权利要求1的从属权利要求。对比文件6公开了（参见说明书第[0056]-[0087]段、附图1-7）：介电材料一般是复合材料，为由在含陶瓷填料的聚合物树脂预浸料中的织造玻璃纤维束构成的预浸料。因此，当其引用的权利要求不具有创造性时，该权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4.权利要求4是权利要求1的从属权利要求。本领域技术人员根据实际的需要结合所采用的工艺选择每个通孔宽度在25-500微米的范围内，这是本领域的惯用手段。综上所述，在对比文件6的基础上结合对比文件1、对比文件3和本领域惯用手段以获得权利要求4所要求保护的技术方案，对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的，因而该权利要求不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
5.权利要求5是权利要求1的从属权利要求。对比文件6公开了（参见说明书第[0056]-[0087]段、附图1-7）：通孔通常具有基本圆形截面。本领域技术人员根据实际的需要结合所能采用的工艺选择每个圆柱形通孔柱的直径在25-500微米的范围内，这是本领域的惯用手段。综上所述，在对比文件6的基础上结合对比文件1、对比文件3和本领域惯用手段以获得权利要求5所要求保护的技术方案，对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的，因而该权利要求不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
6.权利要求6是权利要求1的从属权利要求。对比文件6公开了（参见说明书第[0056]-[0087]段、附图1-7）：穿过多层支撑结构的铜通孔柱包括多个铜通孔柱层。因此，当其引用的权利要求不具有创造性时，该权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
7.权利要求7是权利要求1的从属权利要求。本领域技术人员可根据具体器件工艺结构而选择铜通孔柱为细长的铜通孔柱，属于本领域的惯用手段。综上所述，在对比文件6的基础上结合对比文件1、对比文件3和本领域的惯用手段以获得权利要求7所要求保护的技术方案，对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的，因而该权利要求不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
8.权利要求8引用权利要求1，如评述权利要求1时所述，对比文件6公开了，特征层可以为图案，框架包括交替的铜通孔柱层和铜特征层图案，不同层的铜特征层图案间经由铜通孔柱层电连接，并跨越至少一个铜通孔柱层和至少一个铜特征层。对比文件3公开了由金属材料形成的线圈图案21a-d和层间导体交替在芯片插座周围形成的连续线圈结构，并且线圈图案21a-d是在基材层中，通过光刻法对金属膜进行图案化而形成的。其在对比文件3中同样具有扩展芯片功能的作用，也就是说对比文件3给出了将其披露的技术内容应用到对比文件6中的技术启示。在对比文件6公开的内容的基础上，结合对比文件3公开的内容，将对比文件6中铜特征层图案具体设计为线圈图案，从而通过铜通孔柱连接构成连续线圈图案，对本领域技术人员是显而易见的。因而该权利要求不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
9.权利要求9是权利要求1的从属权利要求，权利要求10-11是权利要求9的从属权利要求。对比文件1公开了（参见说明书第[0023]段）：结构元件200壳可以包括不同尺寸和/或形状的开口350（相当于芯片插座），以用于封装不同尺寸和/或形状的晶粒。由此可见，权利要求9-11的附加特征被对比文件1公开，因此，当其引用的权利要求不具有创造性时，权利要求9-11不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
10.权利要求12请求保护一种包括芯片插座阵列的面板。对比文件6公开了一种多层电子支撑结构阵列，并具体公开了以下内容（参见说明书第[0018]段、[0020]段、[0056]-[0087]段、附图1-7）：由金属通孔或特征结构构成的图案或面板镀覆的多层结构可包括用于堆叠元件的空腔；例如，IC支撑体包括在绝缘周围材料中的铜特征结构和通孔的交替层的堆叠，所述第一IC芯片可粘合至所述 IC支撑体，所述第二IC芯片可粘合在所述IC支撑体内部的空腔中（相当于芯片插座，用于嵌入芯片）；多层电子支撑结构通常被制造成类似的多层电子支撑结构的阵列（包含空腔的阵列相当于一种芯片插座阵列）的一部分，其然后被分离；多层支撑结构100包括被绝缘各层的介电层110、112、114、116隔离的特征结构108的功能层102、104、106；穿过介电层的通孔118提供在相邻的特征结构层之间的电连接；包括特征结构或焊盘层以及其上的通孔层的每个双层可通过以下步骤制造：获得包括下方通孔层的基板，所述通孔层被处理以暴露出所述通孔层的铜—步骤a)，并用种子层，通常是铜，来覆盖所述基板—步骤b)；将第一光刻胶薄层覆在种子层上—步骤c)，以及将所述第一光刻胶薄层曝光并显影以形成负性特征结构图案—步骤d)；将金属，通常是铜，沉积在所述负性特征图案上—步骤e)；并剥除所述第一光刻胶薄层—步骤f)，以留下直立的特征层；现在覆第二光刻胶厚层—步骤g)，并在其中曝光和显影出第二负性通孔柱图案—步骤h)；在第二图案显影出的沟槽内沉积金属层，通常是铜—步骤i)，以制造包括不同尺寸的通孔柱（相当于穿过所述有机基质框架的铜通孔柱栅格）的通孔层；剥除第二光刻胶层—步骤j)，以留下包括至少两个不同尺寸的通孔柱的通孔柱层以及直立的特征结构层（相当于包括交替的铜通孔柱层和铜特征层）；移除暴露的种子层—步骤k)。然后，在包括不同尺寸的通孔柱的通孔层上层压介电材料（相当于有机基质框架，包括嵌入在所述有机基质框架内的至少一个铜通孔柱层和至少一个铜特征层）—步骤l)；为了能够进一步构建额外的层，可将介电材料减薄以暴露出金属—步骤 m)，所述减薄可利用机械研磨或抛光、化学抛光或化学机械抛光CMP来完成；所述减薄也使结构平坦化；然后，可以在经减薄的表面上沉积金属种子 层，如铜—步骤n)，以使得进一步的层能够被构建。
此外，由于在对比文件6中，铜通孔柱层和铜特征层是通过光刻胶薄层曝光并显影形成负性特征结构图案,然后将金属通常是铜，沉积在所述负性特征图案上形成，通孔提供在相邻的特征结构层之间的电连接，则本领域技术人员可以直接地、毫无疑义地确定，在对比文件6中，框架包括交替的铜通孔柱层和铜特征层图案，铜特征层可以为图案，不同层的铜特征层图案间经由铜通孔柱层电连接，并跨越至少一个铜通孔柱层和至少一个铜特征层。
权利要求12与对比文件6的区别在于：（1）每个芯片插座被有机基质框架所包围和限定，面板包括具有用于接纳第一类型芯片的第一组外形尺寸的插座的至少一个区域，以及具有用于接纳第二类型芯片的第二组外形尺寸的插座的第二区域。（2）在权利要求12中，包围至少一个插座的框架包括交替的铜通孔柱层和铜特征层的连续线圈，所述连续线圈跨越至少一个铜通孔柱层和至少一个铜特征层。而在对比文件6中，框架包括交替的铜通孔柱层和铜特征层图案，铜特征层可以为图案，不同层的铜特征层图案间经由铜通孔柱层电连接，并跨越至少一个铜通孔柱层和至少一个铜特征层。基于上述区别特征所能达到的效果，可以确定权利要求12实际解决的技术问题是：如何提高嵌入式芯片封装的空间利用率以及如何提高在同一基板上封装芯片的灵活性和嵌入式封装芯片的功能化。
对于上述区别（1），对比文件1公开了一种结构元件200，并具体公开了以下内容（参见权利要求1-21，说明书第[0021]-[0045]段、附图1a-4b）：结构元件200被有机材料的框架210所限定，有机材料的框架210（相当于有机基质框架）包围穿过框架210的顶面与底面的多个开口350，被封装的晶粒设置在该开口350中，该晶粒包括倒装芯片；该框架210内包括多个封装区域230，每个封装区域230包括一被周边区域232包围的该开口350（相当于每个芯片插座被有机基质框架所包围）；结构元件200壳可以包括不同尺寸和/或形状的开口350（相当于所述面板包括具有用于接纳第一类型芯片的第一组外形尺寸的插座的至少一个区域，以及具有用于接纳第二类型芯片的第二组外形尺寸的插座的第二区域），以用于封装不同尺寸和/或形状的晶粒。
由此可见，对比文件1公开了上述区别（1），并且也能起到提高嵌入式芯片封装的空间利用率，以及通过在同一基板上封装不同形状和尺寸的芯片来提高同一基板上封装芯片的灵活性的作用。因此，对比文件1给出了将其披露的技术内容应用到对比文件6中的技术启示，
对于上述区别（2），对比文件3公开了（参见说明书第[0037]-[0047]段、附图1-2）：供电电路基板15为挠性的层叠基板，在中央部具有空腔16（相当于插座），在该空腔16中收容无线IC芯片10，并填充密封材料17；将多个基材层18a～18e进行层叠、压接，基材层18a～18e由挠性的材料、例如液晶聚合物等那样的热塑性树脂构成，在最上层的基材层18a的中央形成开口部25；在第2～4 层的基材层18b～18d的中央形成开口部25，形成线圈图案21a～21c（相当于连续线圈）；这些线圈图案可通过光刻法对金属膜进行图案化而形成；最下层的线圈图案21d的一端21d-1 经由层间导体而与第4层的线圈图案21c的一端21c-1连接，该线圈图案 21c的另一端21c-2经由层间导体二与第3层的线圈图案21b的一端21b-1 连接；该线圈图案21b的另一端21b-2经由层间导体与第2层的线圈图案 21a的一端21a-1连接；该线圈图案21a的另一端21a-2经由层间导体与设置在最下层的图案21e连接。
由此可见，对比文件3公开了由金属材料形成的线圈图案21a-d和层间导体交替在芯片插座周围形成的连续线圈结构，并且线圈图案21a-d是在基材层中，通过光刻法对金属膜进行图案化而形成的。其在对比文件3中同样具有扩展芯片功能的作用，也就是说对比文件3给出了将其披露的技术内容应用到对比文件6中的技术启示。在对比文件6公开的内容的基础上，结合对比文件3公开的内容，将对比文件6中铜特征层图案具体设计为线圈图案，从而通过铜通孔柱连接形成连续线圈图案，对本领域技术人员是显而易见的。
综上所述，在对比文件6的基础上结合对比文件1和对比文件3，得到权利要求12的方案，对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的，因而该权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
11.权利要求13请求保护一种制造权利要求1所述的芯片插座阵列的方法，如上所述，权利要求1所述的芯片插座阵列相对于对比文件6结合对比文件1、对比文件3不具有创造性，在此基础上，对比文件4公开了一种多层无芯支撑结构及其制作方法，并具体公开了以下内容（参见说明书第24页第2段至第28页第2段，第29页第2段到第29页最后一段，附图4-7（viii），10-10（xi））：包括：阶段Ia-利用全板电镀技术在牺牲载体（相当于获得牺牲载体）上制作包含有由绝缘材料包围的传导通孔的膜，包括以下步骤：在牺牲载体0上全板电镀阻挡金属层1；在阻挡金属层1上添加铜种子层2；在铜种子层2上添加光刻胶层，进行曝光、显影，形成光刻胶图形（相当于布设光刻胶层并且将所述光刻胶层图案化为具有铜通孔柱栅格）；光刻胶图形3中添加铜通孔4（相当于在所述栅格中镀覆铜）；剥离光刻胶层3，留下直立的铜通孔4；在铜通孔4外层叠加绝缘材料5（相当于用聚合物电介质层压）；通过湿蚀刻工艺去除牺牲载体0（相当于移除所述载体），去除金属阻挡层；阶段II，从牺牲载体层中上剥离上述膜，对于多个层结构，可以在膜的一侧制作一个或两个附加层，在该膜上的两侧添加金属功能层铜焊盘（相当于特征层）和通孔，将该膜转变为内部子结构，然后在其上添加终端金属层和焊接掩模，构成用作芯片支撑的支撑结构；如后面可选阶段III 和阶段IV中所描述一样；阶段V，该结构被减薄、平整（相当于聚合物电介质进行减薄和平坦化以暴露出铜通孔的端部）成一个平的内部子结构；阶段VI，这种子结构的两侧都成对添加各种其他层以获得需要的结构，图5a和5b中为两个这样的结构的示意图。
由此可见，对比文件4公开了制造铜通孔柱层和铜特征层的聚合物电介质（即权利要求1中的包括铜通孔柱层和铜特征层的有机质框架）的方法步骤，该聚合物电介质可被用于芯片支撑的支撑结构，对比文件4没有公开在聚合物介电层中机械制造芯片插座。在权利要求1所述的芯片插座阵列相对于对比文件6、对比文件1和对比文件3的结合不具备创造性的情况下，对于本领域技术人员来说，采用对比文件4公开的方法步骤来制造权利要求1中的具有交替的铜通孔柱层和铜特征层的有机质框架，这对本领域技术人员是显而易见的；并且，如评述权利要求1时所述，对比文件1已经公开了有机基质框架包围穿过所述有机基质框架的贯穿插座，而为了使有机基质框架包围穿过所述有机基质框架的贯穿插座，而在制造步骤中，在制造有机基质框架的聚合物介电层中形成芯片插座，这是本领域的惯用手段。
综上所述，在对比文件4的基础上结合对比文件6、1、3和本领域的惯用手段以获得权利要求13所要求保护的技术方案，对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的，因而该权利要求不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
12.权利要求14是权利要求13的从属权利要求。对比文件4公开了（参见说明书第24页第2段至第28页第2段，第29页第2段到第29页最后一段，附图4-7（viii），10-10（xi））：牺牲载体0 的材料一般为铜或者铜合金，蚀刻掉牺牲载体0的湿蚀刻工艺中的蚀刻剂就采就采用氢氧化铵溶液（相当于通过将铜溶解而被移除），且该湿蚀刻工艺在较高的温度下完成。因此，当其引用的权利要求不具有创造性时，该权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
13.权利要求15是权利要求13的从属权利要求。对比文件4公开了（参见说明书第24页第2段至第28页第2段，第29页第2段到第29页最后一段，附图4-7（viii），10-10（xi））：在沉积铜通孔4之前，在载体0上施加阻挡金属层1（相当于蚀刻阻挡层）。因此，当其引用的权利要求不具有创造性时，该权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
14.权利要求16是权利要求13的从属权利要求。对比文件4公开了（参见说明书第27页第1段、附图7-7（i））：阻挡金属层1（相当于蚀刻阻挡层）包括镍。因此，当其引用的权利要求不具有创造性时，该权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
15.权利要求17是权利要求13的从属权利要求，权利要求18是权利要求17的从属权利要求。对于本领域技术人员而言，蚀刻液具有腐蚀性，为了保护具有暴露的铜通孔柱端部的平坦化聚合物电介质，在蚀刻掉铜载体的同时，利用蚀刻阻挡材料保护聚合物电介质，这是本领域的惯用手段，而使用光刻胶作为蚀刻阻挡材料也是本领域的惯用手段。因此，当其引用的权利要求不具有创造性时，上述权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
16.权利要求19-20是权利要求15的从属权利要求。对比文件4公开了（参见说明书第27页第1-2段、附图7-7（i））：阻挡金属层1（相当于蚀刻阻挡层）包括镍，在阻挡金属层1上可以添加附着金属层，该附着金属层能够帮助铜淀积在其他金属上，在阻挡金属层1上添加铜种子层2（相当于在所述镍上电镀铜种子层）。而为了保证阻挡层与基板良好地粘附，在沉积镍阻挡层之前，电镀铜种子层，是本领域的惯用手段。因此，当其引用的权利要求不具有创造性时，上述权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
17.权利要求21是权利要求13的从属权利要求。在本领域，冲压出插座并保留形成框架，或通过数控成型制造栅格，均是本领域的惯用手段。因此，当其引用的权利要求不具有创造性时，该权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
18.权利要求22请求保护一种制造如权利要求1所述的芯片插座阵列的芯片插座阵列的方法。如权利要求1所述的芯片插座阵列相对于对比文件6结合对比文件1、对比文件3不具有创造性，在此基础上，对比文件4公开了一种多层无芯支撑结构及其制作方法，并具体公开了以下内容（参见说明书第24页第2段至第28页第2段，第29页第2段到第29页最后一段，附图4-7（viii），10-10（xi））：包括：阶段Ia-利用全板电镀技术在牺牲载体（相当于获得牺牲载体）上制作包含有由绝缘材料包围的传导通孔的膜，包括以下步骤：在牺牲载体0上全板电镀阻挡金属层1；在阻挡金属层1上添加铜种子层2；在铜种子层2上添加光刻胶层，进行曝光、显影，形成光刻胶图形（相当于布设光刻胶层并且将所述光刻胶层图案化为具有铜通孔柱栅格）；光刻胶图形3中添加铜通孔4（相当于在具有铜通孔柱栅格的图案中镀覆铜）；剥离光刻胶层3，留下直立的铜通孔4；在铜通孔4外层叠加绝缘材料5（相当于用聚合物电介质层压）；通过湿蚀刻工艺去除牺牲载体0（相当于移除所述载体），去除金属阻挡层；阶段II，从牺牲载体层中上剥离上述膜，对于多个层结构，可以在膜的一侧制作一个或两个附加层，在该膜上的两侧添加金属功能层铜焊盘（相当于特征层）和通孔，将该膜转变为内部子结构，然后在其上添加终端金属层和焊接掩模，构成用作芯片支撑的支撑结构；如后面可选阶段III 和阶段IV中所描述一样；阶段V，该结构被减薄、平整（相当于聚合物电介质进行减薄和平坦化以暴露出铜通孔的端部）成一个平的内部子结构；阶段VI，这种子结构的两侧都成对添加各种其他层以获得需要的结构，图5a和5b中为两个这样的结构的示意图。
由此可见，对比文件4公开了制造铜通孔柱层和铜特征层的聚合物电介质（即权利要求1中的包括铜通孔柱层和铜特征层的有机质框架）的方法步骤，该聚合物电介质可被用于芯片支撑的支撑结构，对比文件4没有公开将光刻胶层图案化为芯片插座阵列，在所述芯片插座阵列的图案中镀覆铜；对所述聚合物电介质进行减薄和平坦化以暴露出芯片插座阵列；遮蔽铜通孔柱的端部；溶解掉所述芯片插座阵列中的铜。权利要求1所述的芯片插座阵列相对于对比文件6、对比文件1和对比文件3的结合不具备创造性的情况下，对于本领域技术人员来说，采用对比文件4公开的方法步骤来制造权利要求1中的具有交替的铜通孔柱层和铜特征层的有机质框架，这对本领域技术人员是显而易见的；并且，如评述权利要求1时所述，对比文件6已经公开了被有机质框架限定的芯片插座阵列，而为了使有机基质框架包围穿过所述有机基质框架的贯穿插座，而在制造步骤中，同样采用光刻胶层图案化、在图案中镀覆铜、平坦化暴露的方式形成芯片插座以方便芯片插座的形成，这是本领域的惯用手段；同时，为了保护具有暴露的铜通孔柱端部和芯片插座的平坦化聚合物电介质，在蚀刻掉铜载体前，遮蔽铜通孔柱的端部，再溶解掉铜通孔柱和芯片插座阵列中的铜阵列，从而形成被有机基质框架包围的芯片插座阵列，这是本领域的惯用手段。
综上所述，在对比文件4的基础上结合对比文件6、1、3和本领域的惯用手段以获得权利要求22所要求保护的技术方案，对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的，因而该权利要求不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
19.权利要求23是权利要求22的从属权利要求。对比文件6公开了（参见同上）剥除第二光刻胶层—步骤j)，以留下包括至少两个不同尺寸的通孔柱的通孔柱层以及直立的特征结构层（相当于嵌入式金属结构包括至少一个铜通孔柱和至少一个特征层）；对比文件1公开了（参见同上）：结构元件200被有机材料的框架210所限定，有机材料的框架210包围穿过框架210的顶面与底面的多个开口350（相当于芯片插座被有机基质框架所包围），被封装的晶粒设置在该开口350中，该晶粒包括倒装芯片；结构元件200还包括穿过框架210（相当于具有嵌入式金属结构的有机基质框架）顶面与底面的通孔360，该通孔被填充一导电性传导材料365，例如铜，其中包围开口350的有机材料的框架210包括通孔360内的铜通孔柱层。而本领域技术人员可根据具体器件工艺结构而选择细长的铜通孔柱，这属于本领域的惯用手段。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求23不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
20.权利要求24引用权利要求22，如评述权利要求1时所述，对比文件6公开了，特征层可以为图案，框架包括交替的铜通孔柱层和铜特征层图案，不同层的铜特征层图案间经由铜通孔柱层电连接，并跨越至少一个铜通孔柱层和至少一个铜特征层。对比文件3公开了由金属材料形成的线圈图案21a-d和层间导体交替在芯片插座周围形成的连续线圈结构，并且线圈图案21a-d是在基材层中，通过光刻法对金属膜进行图案化而形成的。其在对比文件3中同样具有扩展芯片功能的作用，对比文件3给出了将其披露的技术内容应用到对比文件6中的技术启示。在对比文件6公开的内容的基础上，结合对比文件3公开的内容，将对比文件6中铜特征层图案具体设计为线圈图案，从而通过铜通孔柱连接构成连续线圈图案，对本领域技术人员是显而易见的。而本领域技术人员可根据具体器件工艺结构而选择细长的铜通孔柱，这属于本领域的惯用手段。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求24不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
21.权利要求25引用权利要求22，对比文件6公开了（参见同上）：多层支撑结构100包括被绝缘各层的介电层110、112、114、116隔离的特征结构108的功能层102、104、106；穿过介电层的通孔118提供在相邻的特征结构层之间的电连接（相当于每一对相邻的铜通孔柱层被铜特征层分隔开）。剥除第二光刻胶层—步骤j)，以留下包括至少两个不同尺寸的通孔柱的通孔柱层以及直立的特征结构层；移除暴露的种子层—步骤k)；然后，在包括不同尺寸的通孔柱的通孔层上层压介电材料—步骤l)；为了能够进一步构建额外的层，可将介电材料减薄以暴露出金属—步骤 m)，可以在经减薄的表面上沉积金属种子层，如铜—步骤n)，以使得进一步的层能够被构建（相当于嵌入在所述有机框架中的多层金属结构，多层金属结构包括多个延伸的铜通孔柱层）。对比文件1公开了（参见同上）：结构元件200被有机材料的框架210所限定，有机材料的框架210包围穿过框架210的顶面与底面的多个开口350（相当于芯片插座被有机基质框架所包围），被封装的晶粒设置在该开口350中，该晶粒包括倒装芯片；结构元件200还包括穿过框架210（相当于具有嵌入式金属结构的有机基质框架）顶面与底面的通孔360，该通孔被填充一导电性传导材料365，例如铜，其中包围开口350的有机材料的框架210包括通孔360内的铜通孔柱层。
并且，如评述权利要求1时所述，对比文件6公开了，特征层可以为图案，框架包括交替的铜通孔柱层和铜特征层图案，不同层的铜特征层图案间经由铜通孔柱层电连接，并跨越至少一个铜通孔柱层和至少一个铜特征层。对比文件3公开了由金属材料形成的线圈图案21a-d和层间导体交替在芯片插座周围形成的连续线圈结构，并且线圈图案21a-d是在基材层中，通过光刻法对金属膜进行图案化而形成的。其在对比文件3中同样具有扩展芯片功能的作用，对比文件3给出了将其披露的技术内容应用到对比文件6中的技术启示。在对比文件6公开的内容的基础上，结合对比文件3公开的内容，将对比文件6中铜特征层图案具体设计为线圈图案，从而通过铜通孔柱连接构成连续线圈图案，对本领域技术人员是显而易见的。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求25不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（三）对复审请求人意见的答复
针对复审请求人2019年08月13日提交的意见陈述，合议组认为：
（1）对比文件6涉及多层电子支撑结构，其首先在说明书背景技术中明确了支撑结构涉及IC插件（说明书第[0002]段）；接着，在说明书中具体阐述了多层电子支撑结构：其中在说明书第[0018]段的背景技术中提到由金属通孔或特征结构构成的图案或面板镀覆的多层结构可包括用于堆叠元件的空腔，在说明书第[0020]段的背景技术中进一步阐述了IC芯片如何堆叠在IC支撑体内部的空腔中，并在具体实施方式（说明书第[0056]-[0062]段，图1）中介绍了现有技术中多层电子支撑结构中金属通孔和特征结构；其后，在具体实施方式中（说明书第[0063]-[0087]段，图2-7）进一步阐述多层电子支撑结构中金属通孔和特征结构的具体制造方法。
结合对比文件6说明书的整体来看，其背景技术和具体实施方式中现有技术中的内容，是为了说明现有技术中的多层电子支撑结构的各个部分具体是何种结构、具有何种功能，以在完整阐述现有技术中多层电子支撑结构的各个部分结构的基础上，提出具体实施方式中针对该多层电子支撑结构中的金属通孔和特征结构的制造方法；对比文件6背景技术和具体实施方式中现有技术中的内容、以及具体实施方式中制造方法的方案，并不是对适用对象不同或优缺点不同的相互独立的方案的分别阐述，而是有着紧密的技术联系的，其共同阐述了一个完整的发明构思的技术方案，其公开了由金属通孔或特征结构构成的多层电子支撑结构包括用于嵌入芯片的芯片插座，并公开了多层电子支撑结构通常被制造成类似的多层电子支撑结构的阵列（具体公开的内容参见权利要求评述中对比文件6的公开内容）。
（2）权利要求22请求保护一种制造如权利要求1所述的芯片插座阵列的芯片插座阵列的方法，如评述权利要求22时所述，对比文件4公开了制造铜通孔柱层和铜特征层的聚合物电介质（即权利要求1中的包括铜通孔柱层和铜特征层的有机质框架）的方法步骤，该聚合物电介质可被用于芯片支撑的支撑结构。对比文件4只是没有公开在多层结构中形成芯片插座的以下具体步骤：将光刻胶层图案化为芯片插座阵列，在所述芯片插座阵列的图案中镀覆铜；对所述聚合物电介质进行减薄和平坦化以暴露出芯片插座阵列；遮蔽铜通孔柱的端部；溶解掉所述芯片插座阵列中的铜。而在权利要求1所述的芯片插座阵列相对于对比文件6和对比文件1的结合不具备创造性的情况下，对于本领域技术人员来说，采用对比文件4公开的方法步骤来制造权利要求1中的具有交替的铜通孔柱层和铜特征层的有机质框架，这对本领域技术人员是显而易见的；并且，如评述权利要求1时所述，对比文件6已经公开了被有机质框架限定的芯片插座阵列，而为了使有机基质框架包围穿过所述有机基质框架的贯穿插座，而在制造步骤中，采用与在框架中制造铜通孔柱层和铜特征层类似的光刻胶层图案化、在图案中镀覆铜、平坦化暴露的方式，在框架中形成芯片插座以方便芯片插座的形成，这是本领域的惯用手段；同时，为了保护具有暴露的铜通孔柱端部和芯片插座的平坦化聚合物电介质，在蚀刻掉铜载体前，遮蔽铜通孔柱的端部，再溶解掉铜通孔柱和芯片插座阵列中的铜阵列，从而形成被有机基质框架包围的芯片插座阵列，这也是本领域的惯用手段。因此，在对比文件4的基础上结合对比文件6、1、3和本领域的惯用手段以获得权利要求22所要求保护的技术方案，对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的。
综上所述，对于复审请求人的意见陈述，合议组不予支持。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年07月09日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
郑重声明：本文版权归原作者所有，转载文章仅为传播更多信息之目的，如作者信息标记有误，请第一时间联系我们修改或删除，多谢。
