发明创造名称：发光元件及其制造方法
外观设计名称：
决定号：195460
决定日：2019-11-18
委内编号：1F271798
优先权日：
申请（专利）号：201310653460.X
申请日：2013-12-06
复审请求人：晶元光电股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：徐健
合议组组长：骆素芳
参审员：李晓明
国际分类号：H01L33/48,H01L33/00
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款，专利法第33条
决定要点
：如果一项权利要求的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，且该区别技术特征一部分被其它对比文件公开，其余部分属于本领域的公知常识，在作为最接近的现有技术的对比文件的基础上结合其它对比文件和本领域的公知常识得出该项权利要求所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，则该项权利要求相对于上述对比文件和本领域的公知常识的结合不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性。
全文：
本复审请求审查决定涉及申请号为201310653460.X，名称为“发光元件及其制造方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为晶元光电股份有限公司，申请日为2013年12月06日，公开日为2015年06月10号。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年10月08日以权利要求1-10不符合专利法第22条第3款的规定为由驳回了本申请，其理由是：独立权利要求1与对比文件1（CN102222760A，公开日为2011年10月19日）的区别技术特征为：阻障层位于该金属连接结构和金属反射层之间，包含第一多层金属层，位于该金属连接结构之上，及第二多层金属层，位于该第一多层金属层之上；其中该第一多层金属层包含由一第一金属材料构成的第一金属层及由一第二金属材料构成的第二金属层，该第一金属层较该第二金属层接近该金属连接结构，且该第二多层金属层包含由一第三金属材料构成的第三金属层及由一第四金属材料构成的第四金属层，该第三金属层较该第四金属层接近该第二金属层，且该第一金属材料和该第二金属材料不同，该第三金属材料和该第四金属材料不同。上述区别技术特征被对比文件2（US2013/0153920A1，公开日为2013年06月20日）公开了，在对比文件1的基础上结合对比文件2从而得出权利要求1所要求保护的技术方案对本领域技术人员是显而易见的，因而权利要求1不具备专利法第22条第3款所规定的创造性。从属权利要求2、3、5的附加技术特征被对比文件1公开了，从属权利要求9的附加技术特征属于本领域的常规选择，从属权利要求4、6的附加技术特征被对比文件1和对比文件2公开了，从属权利要求7、8的附加技术特征被对比文件3（CN102044613A，公开日为2011年05月04日）公开了，因而也都不具备创造性。独立权利要求10与对比文件1的区别技术特征为：阻障层，位于该金属连接结构之上，包含至少两个多层金属层位于该金属连接结构上，其中各该多层金属层包含一第一金属层由一第一金属元素组成及一第二金属层由一第二金属元素组成，其中该第一金属元素不同于该第二金属元素。上述区别技术特征被对比文件2公开了，在对比文件1的基础上结合对比文件2从而得出权利要求10所要求保护的技术方案对本领域技术人员是显而易见的，因而权利要求10不具备创造性。驳回决定所依据的文本为：申请日提交的说明书第1-56段、说明书附图图1-3B、说明书摘要、摘要附图、2018年05月17日提交的权利要求第1-10项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种发光元件，包含:
金属连接结构；
阻障层，位于该金属连接结构之上，包含第一多层金属层，位于该金属连接结构之上，及第二多层金属层，位于该第一多层金属层之上；
金属反射层，位于该阻障层之上；以及
发光叠层，电连接该金属反射层；
其中该第一多层金属层包含由一第一金属材料构成的第一金属层及由一第二金属材料构成的第二金属层，该第一金属层较该第二金属层接近该金属连接结构，且该第二多层金属层包含由一第三金属材料构成的第三金属层及由一第四金属材料构成的第四金属层，该第三金属层较该第四金属层接近该第二金属层，且该第一金属材料和该第二金属材料不同，该第三金属材料和该第四金属材料不同，其中该金属连接结构与该金属反射层包含一相同的金属元素。
2. 如权利要求1所述的发光元件，其中该金属连接结构包含一熔点，小于或等于300℃的低温熔合材料。
3. 如权利要求2所述的发光元件，其中该低温熔合材料包含铟(In)。
4. 如权利要求1所述的发光元件，其中该金属反射层包含金(Au)。
5. 如权利要求1所述的发光元件，其中该金属连接结构包含铟(In)及金的合金。
6. 如权利要求1所述的发光元件，其中该第一金属材料及该第三金属材料包含镍(Ni)或铂(Pt)，且该第二金属材料及该第四金属材料包含钛(Ti)。
7. 如权利要求1所述的发光元件，还包含介电层，位于该金属反射层与该发光叠层之间，该介电层具有一折射率，小于与该发光叠层的折射率。
8. 如权利要求7所述的发光元件，其中该介电层包含一材料选自氧化硅(SiOx)、氟化镁(MgF2)，及氮化硅(SiNx)所构成的群组。
9. 如权利要求3所述的发光元件，其中该低温熔合材料在该金属反射层中的含量与该低温熔合材料在该发光叠层的含量大致相同，或该低温熔合材料在该金属反射层中的含量小于该低温熔合材料在该金属连接结构中的含量的二分之一。
10. 一种发光元件，包含:
一基板；
金属连接结构，位于该基板上；
阻障层，位于该金属连接结构之上，包含至少两个多层金属层位于该金属连接结构上；
金属反射层，位于该阻障层之上；以及
发光叠层，电连接该金属反射层，且该阻障层位于该基板与该发光叠层之间；
其中各该多层金属层包含一第一金属层由一第一金属元素组成及一第二金属层由一第二金属元素组成，其中该第一金属元素不同于该第二金属元素，该金属连接结构与该金属反射层包含一相同的金属元素。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年01月22日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书，包括权利要求第1-10项。复审请求人认为：在独立权利要求1、10中新补入了部分技术特征“介电层，位于该发光叠层及该金属反射层之间，且由该发光元件的剖面观之，该介电层具有互相分离的一第一部份及一第二部分”、“第一延伸电极及第二延伸电极，位于该发光叠层上且远离该金属反射层，该第一延伸电极及该第二延伸电极分别对位于该第一部份及该第二部分”以及“由该发光元件的剖面观之，该第一延伸电极具有一第一宽度，该第一部份具有一第二宽度大于该第一宽度”。对比文件1、2并未涉及第一延伸电极、第二延伸电极、介电层部件，更不会公开与上述部件相关的技术特征，对比文件3并未涉及第一延伸电极、第二延伸电极。通过以上技术特征，可以有效增加发光元件中的电流散布均匀性，并达到增加出光效率的功效。因而修改后的权利要求具备创造性。复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种发光元件，包含:
金属连接结构；
阻障层，位于该金属连接结构之上，包含第一多层金属层，位于该金属连接结构之上，及第二多层金属层，位于该第一多层金属层之上；
金属反射层，位于该阻障层之上；
发光叠层，电连接该金属反射层；
介电层，位于该发光叠层及该金属反射层之间，且由该发光元件的剖面观之，该介电层具有互相分离的第一部份及第二部分；以及
第一延伸电极及第二延伸电极，位于该发光叠层上且远离该金属反射层，该第一延伸电极及该第二延伸电极分别对位于该第一部份及该第二部分；
其中该第一多层金属层包含由一第一金属材料构成的第一金属层及由一第二金属材料构成的第二金属层，该第一金属层较该第二金属层接近该金属连接结构，且该第二多层金属层包含由一第三金属材料构成的第三金属层及由一第四金属材料构成的第四金属层，该第三金属层较该第四金属层接近该第二金属层，且该第一金属材料和该第二金属材料不同，该第三金属材料和该第四金属材料不同，其中该金属连接结构与该金属反射层包含一相同的金属元素；
其中，由该发光元件的剖面观之，该第一延伸电极具有第一宽度，该第一部份具有第二宽度大于该第一宽度。
2. 如权利要求1所述的发光元件，其中该介电层包含穿孔，位于该第一部份及该第二部分之间。
3. 如权利要求2所述的发光元件，其中该低温熔合材料包含铟(In)。
4. 如权利要求1所述的发光元件，其中该金属反射层包含金(Au)。
5. 如权利要求1所述的发光元件，其中该金属连接结构包含铟(In)及金的合金。
6. 如权利要求1所述的发光元件，其中该第一金属材料及该第三金属材料包含镍(Ni)或铂(Pt)，且该第二金属材料及该第四金属材料包含钛(Ti)。
7. 如权利要求2所述的发光元件，其中该第一延伸电极及该第二延伸电 极均与该穿孔互相错位。
8. 如权利要求2所述的发光元件，还包含导电氧化层位于该发光叠层及该金属反射层之间，该导电氧化层填入该穿孔中。
9. 如权利要求8所述的发光元件，其中该导电氧化层与该发光叠层直接接触。
10. 一种发光元件，包含:
一基板；
金属连接结构位於該基板上；
阻障层，位于该金属连接结构之上，包含至少两个多层金属层位于该金属连接结构上；
金属反射层，位于该阻障层之上；
发光叠层，电连接该金属反射层，且该阻障层位于该基板与该发光叠层之间；
介电层，位于该发光叠层及该金属反射层之间，且由该发光元件的剖面观之，该介电层具有互相分离的第一部份及第二部分；以及
第一延伸电极及第二延伸电极，位于该发光叠层上且远离该金属反射层，该第一延伸电极及该第二延伸电极分别对位于该第一部份及该第二部分；
其中各该多层金属层包含一第一金属层由一第一金属元素组成及一第二金属层由一第二金属元素组成，其中该第一金属元素不同于该第二金属元素，该金属连接结构与该金属反射层包含一相同的金属元素；
其中，由该发光元件的剖面观之，该第一延伸电极具有第一宽度，该第一部份具有第二宽度大于该第一宽度。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年01月28日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：修改的权利要求1和10的如下三个技术特征超出了原申请文件的范围：（1）由该发光元件的剖面观之，介电层具有相互分离的第一部分及第二部分；（2）第一延伸电极及第二延伸电极分别对位于第一部分及第二部分；（3）由该发光元件的剖面观之，第一延伸电极具有第一宽度，第一部分具有第二宽度大于该第一宽度。假设申请人克服了上述超范围的缺陷，将剖面限定为特定的剖面，修改后的权利要求1和10依然不具备创造性。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年06月21日向复审请求人发出复审通知书，指出复审请求人添加的部分技术特征在原申请文件中并没有记载且也不能由原申请文件直接地、毫无疑义地得到，因而权利要求1、2、7、10的修改超出了原申请记载的范围，不符合专利法第33条的规定。即使复审请求人对权利要求1、2、7、10进行修改，克服修改超范围的缺陷，修改后的权利要求1、10相对于对比文件1和对比文件2、或对比文件1、对比文件2、对比文件3和本领域公知常识的结合不具备创造性。原从属权利要求2、从属权利要求3、5的附加技术特征被对比文件1、对比文件2公开了，从属权利要求4、6的附加技术特征被对比文件1和对比文件2公开了，原从属权利要求7的附加技术特征被对比文件3公开了，从属权利要求8-9的附加技术特征属于本领域的公知常识，因而也都不具备创造性。并且针对复审请求人的意见陈述作了答复。
复审请求人于2019年08月06日提交了意见陈述书，同时修改了权利要求书，包括权利要求第1-10项，其中删除了导致权利要求1、2、7、10超范围的技术特征，并补入了说明书中记载的部分技术特征。复审请求人认为：对比文件1-3中都没有公开“发光层具有第一宽度，金属反射层具有第二宽度且阻障层具有第三宽度，且该第二宽度及该第三宽度皆大于该第一宽度”。而本申请的该区别技术特征可以使发光元件具有较大的反射面积，提高发光强度，有效阻止金属反射层和金属连接结构之间的金属扩散。因而修改后的权利要求具备创造性。答复复审通知书时提交的权利要求书如下：
“1. 一种发光元件，包含:
金属连接结构；
阻障层，位于该金属连接结构之上，包含第一多层金属层，位于该金属连接结构之上，及第二多层金属层，位于该第一多层金属层之上；
金属反射层，位于该阻障层之上；以及
发光叠层，包含发光层且电连接该金属反射层；
其中该第一多层金属层包含由第一金属材料构成的第一金属层及由第二金属材料构成的第二金属层，该第一金属层较该第二金属层接近该金属连接结构，且该第二多层金属层包含由一第三金属材料构成的第三金属层及由一第四金属材料构成的第四金属层，该第三金属层较该第四金属层接近该第二金属层，且该第一金属材料和该第二金属材料不同，该第三金属材料和该第四金属材料不同，其中该金属连接结构与该金属反射层包含相同的金属元素；
其中，由该发光元件的剖面观之，该发光层具有第一宽度，该金属反射层具有第二宽度且该阻障层具有第三宽度，且该第二宽度及该第三宽度皆大于该第一宽度。
2. 如权利要求1所述的发光元件，其中该第二宽度等于该第三宽度。
3. 如权利要求1所述的发光元件，另包含介电层，其中，该介电层包含穿孔且位于该发光叠层及该金属反射层之间，由切割线穿过该穿孔而剖开的该发光元件的剖面观之，该介电层具有互相分离的第一部分及第二部分。
4. 如权利要求1所述的发光元件，其中该金属反射层包含金(Au)。
5. 如权利要求1所述的发光元件，其中该金属连接结构包含铟(In)及金的合金。
6. 如权利要求1所述的发光元件，其中该第一金属材料及该第三金属材料包含镍(Ni)或铂(Pt)，且该第二金属材料及该第四金属材料包含钛(Ti)。
7. 如权利要求3所述的发光元件，另包含第一延伸电极及第二延伸电极，位于该发光叠层上且远离该金属反射层，该第一延伸电极及该第二延伸电极分别对位于该第一部分及该第二部分。
8. 如权利要求3所述的发光元件，还包含导电氧化层位于该发光叠层 及该金属反射层之间，其中，该导电氧化层填入该穿孔中。
9. 如权利要求8所述的发光元件，其中该导电氧化层与该发光叠层直接接触。
10. 一种发光元件，包含:
基板；
金属连接结构，位于该基板上；
阻障层，位于该金属连接结构之上，包含至少两个多层金属层位于该金属连接结构上；
金属反射层，位于该阻障层之上；以及
发光叠层，包含发光层且电连接该金属反射层，其中该阻障层位于该基板与该发光叠层之间；
其中各该多层金属层包含第一金属层由第一金属元素组成及第二金属层由第二金属元素组成，其中该第一金属元素不同于该第二金属元素，该金属连接结构与该金属反射层包含相同的金属元素；
其中，由该发光元件的剖面观之，该发光层具有第一宽度，该金属反射层具有第二宽度且该阻障层具有第三宽度，且该第二宽度及该第三宽度皆大于该第一宽度。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在答复复审通知书时提交了修改后的权利要求书全文替换页，包括权利要求第1-10项。经审查，所作修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。因而本复审请求审查决定针对的审查文本为：申请日2013年12月06日提交的说明书第1-56段、说明书附图图1-3B、说明书摘要、摘要附图、2019年08月06日提交的权利要求第1-10项。
具体理由的阐述
2.1 专利法第33条
专利法第33条规定：申请人可以对其专利申请文件进行修改，但是，对发明和实用新型专利申请文件的修改不得超出原说明书和权利要求书记载的范围。
对权利要求书进行修改时改变了技术内容，如果改变后的内容已在原说明书和权利要求书中记载，则修改没有超出原说明书和权利要求书记载的范围。
2.1.1 权利要求1、2、7、10符合专利法第33条的规定。
复审请求人在答复复审通知书时，对权利要求1、2、7、10作了修改，删除了“介电层，位于该发光叠层及该金属反射层之间，且由该发光元件的剖面观之，该介电层具有互相分离的第一部份及第二部分；以及第一延伸电极及第二延伸电极，位于该发光叠层上且远离该金属反射层，该第一延伸电极及该第二延伸电极分别对位于该第一部份及该第二部分”、“其中，由该发光元件的剖面观之，该第一延伸电极具有第一宽度，该第一部份具有第二宽度大于该第一宽度”、“其中该介电层包含穿孔，位于该第一部份及该第二部分之间”、“其中该第一延伸电极及该第二延伸电极均与该穿孔互相错位”这部分导致权利要求1、2、7、10修改超范围的技术特征，并加入了说明书中记载的部分技术特征，修改后的权利要求1、2、7、10要求保护的技术方案记载在原申请文件中，因而修改没有超出原申请记载的范围，符合专利法第33条的规定。
2.2专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，且该区别技术特征一部分被其它对比文件公开，其余部分属于本领域的公知常识，在作为最接近的现有技术的对比文件的基础上结合其它对比文件和本领域的公知常识得出该项权利要求所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，则该项权利要求相对于上述对比文件和本领域的公知常识的结合不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性。
本复审请求审查决定所引用的对比文件1-3和驳回决定以及复审通知书所引用的对比文件1-3相同，即：
对比文件1：CN102222760A，公开日为2011年10月19日；
对比文件2：US2013/0153920A1，公开日为2013年06月20日；
对比文件3：CN102044613A，公开日为2011年05月04日。
其中，以对比文件1作为最接近的现有技术。
2.2.1.权利要求1不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求1要求保护一种发光元件，对比文件1公开了一种半导体发光器件，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第[0021]-[0038]段，图2-9）：金属键合层113（对应于金属连接结构），反射金属层111（对应于金属反射层），以及发光叠层100，发光叠层100电连接反射金属层111，金属键合层113的材料为AuSn合金，反射金属层111的材料首选NiAu（参见说明书第[0035]段），金属键合层113和反射金属层111都包含相同的金属元素Au，欧姆接触层112形成于金属键合层113和反射金属层111之间，欧姆接触层112的材料可以为Cu、Al、Pt等，Pt金属材料能够起到防止金属键合层113和反射金属层111之间的金属扩散的作用，因而欧姆接触层112采用Pt时必然也同时起到发光器件的阻挡层的功能，即此时层112虽然称为欧姆接触层，但实际上也可以称为阻挡层。
由此可知，权利要求1与对比文件1的区别技术特征为：（1）阻障层包含第一多层金属层，位于该金属连接结构之上，及第二多层金属层，位于该第一多层金属层之上；其中该第一多层金属层包含由一第一金属材料构成的第一金属层及由一第二金属材料构成的第二金属层，该第一金属层较该第二金属层接近该金属连接结构，且该第二多层金属层包含由一第三金属材料构成的第三金属层及由一第四金属材料构成的第四金属层，该第三金属层较该第四金属层接近该第二金属层，且该第一金属材料和该第二金属材料不同，该第三金属材料和该第四金属材料不同；（2）由该发光元件的剖面观之，该发光层具有第一宽度，该金属反射层具有第二宽度且该阻障层具有第三宽度，且该第二宽度及该第三宽度皆大于该第一宽度。
基于上述区别技术特征，本申请实际解决的技术问题是：提高发光效率和防止金属连接结构和金属反射层之间的金属扩散。
关于区别技术特征（1），对比文件2中公开了一种发光元件，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第[0010]-[0031]段，图1-4）：在键合层30（对应于金属连接结构）和反射电极50之间设置有扩散阻挡层40a（对应于阻障层），扩散阻挡层40a由Ni金属层41和Ti金属层43和交替重叠形成多周期的叠层结构，其中从下至上第一周期(对应于第一多层金属层)中包含第一Ni金属层（对应于第一金属层）和第一Ti金属层（对应于第二金属层），第一Ni金属层较第一Ti金属层更接近键合层30，从下至上第二周期（对应于第二多层金属层）位于第一周期之上，且第二周期包含第二Ni金属层（对应于第三金属层）和第二Ti金属层（对应于第四金属层），且第二Ni金属层较第二Ti金属层更接近第一Ti金属层。由此可知，上述区别技术特征（1）被对比文件2公开了，并且其在对比文件2中所起的作用与其在本发明中所起的作用相同，均为防止反射层和键合层之间的金属扩散，由此可知，对比文件2给出了将上述技术特征应用于对比文件1的技术启示。
关于区别技术特征（2），在垂直发光二极管领域中，将发光二极管的发光层设置成宽度小于位于其下的基板、反射层、透明导电氧化物等结构早已属于本领域常用技术，本领域技术人员容易想到可以根据需要将发光层的宽度设置成小于其下的反射层、透明导电氧化物、阻挡层等的宽度，由此进一步防止金属扩散并提高反射效果以提高发光效率，因而可见其效果也是可以预期的，因而区别技术特征（2）属于本领域的公知常识。
因此在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的公知常识从而得出权利要求1所要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1不具备突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备专利法第22条第3款所规定的创造性。
2.2.2.权利要求2、5不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求2、5为独立权利要求1的从属权利要求，对比文件1公开（参见说明书第[0035]段）：键合层113材料首选AuSn合金，也可以包括Ag、Ni、Sn、Cu、Au等在内的任何一种合金，阻挡层的宽度等于反射层的宽度。由此可知，权利要求2、5附加技术特征被对比文件1公开了，当其引用的权利要求不具备创造性时，上述权利要求也不具备专利法第22条第3款所规定的创造性。
2.2.3.权利要求4、6不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求4、6引用权利要求1，对比文件1公开：反射金属层111的材料首选NiAu（参见说明书第[0035]段），对比文件2公开：扩散阻挡层40a由Ni金属层41和Ti金属层43和交替重叠形成多周期的叠层结构。由此可知，上述权利要求附加技术特征被对比文件1和对比文件2公开，当其引用的权利要求不具备创造性时，上述权利要求也不具备专利法第22条第3款所规定的创造性。
2.2.4.权利要求3不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求3引用权利要求1，对比文件3公开了一种发光结构，并具体公开（参见说明书第[0082]-[0107]段，图1）：在反射层150和氮化物半导体发光叠层135之间设置有介电层140和145，介电层140和145之间具有孔且其材料可以选自Si3N4，SiO2，由此可知，权利要求3的附加技术特征被对比文件3公开了，其也是用于形成绝缘结构，即对比文件3给出了将其用于对比文件1的技术启示，当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求3也不具备专利法第22条第3款所规定的创造性。
2.2.5.权利要求7-9不符合专利法第22条第3款的规定。
对本领域技术人员来说，在LED器件的正面形成多个电极且使得每个电极与相应介电层对位属于本领域的常用技术，在半导体领域中根据实际需要在反射层和发光叠层之间设置透明导电氧化物层来提高电流特性属于本领域常用技术手段，为本领域的公知常识，且根据实际需要调整穿孔与导电氧化物的位置关系使得透明导电氧化物填充穿孔并接触发光叠层对本领域技术人员来说是容易想到的。因而在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求7-9也不具备专利法第22条第3款所规定的创造性。
2.2.6.权利要求10不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求10要求保护一种发光元件，对比文件1公开了一种半导体发光器件，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第[0021]-[0038]段，图2-9）：散热基板200，金属键合层113（对应于金属连接结构），反射金属层111（对应于金属反射层），以及发光叠层100，金属键合层113的材料为AuSn合金，反射金属层111的材料首选NiAu（参见说明书第[0035]段），金属键合层113和反射金属层111都包含相同的金属元素Au，欧姆接触层112形成于金属键合层113和反射金属层111之间，欧姆接触层112的材料可以为Cu、Al、Pt等，Pt金属材料能够起到防止金属键合层113和反射金属层111之间的金属扩散的作用，因而欧姆接触层112采用Pt时必然也同时起到发光器件的阻挡层的功能，即此时层112虽然称为欧姆接触层，但实际上也可以称为阻挡层。
由此可知，权利要求10与对比文件1的区别技术特征为：（1）阻障层包含至少两个多层金属层位于该金属连接结构上，其中各该多层金属层包含一第一金属层由一第一金属元素组成及一第二金属层由一第二金属元素组成，其中该第一金属元素不同于该第二金属元素；（2）由该发光元件的剖面观之，该发光层具有第一宽度，该金属反射层具有第二宽度且该阻障层具有第三宽度，且该第二宽度及该第三宽度皆大于该第一宽度。
基于上述区别技术特征，本申请实际解决的技术问题是：提高发光效率和防止金属连接结构和金属反射层之间的金属扩散。
关于区别技术特征（1），对比文件2中公开了一种发光元件，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第[0010]-[0031]段，图1-4）：在键合层30（对应于金属连接结构）和反射电极50之间设置有扩散阻挡层40a（对应于阻障层），扩散阻挡层40a由Ni金属层41和Ti金属层43和交替重叠形成多周期的叠层结构，其中从下至上第一周期(对应于第一多层金属层)中包含第一Ni金属层（对应于第一金属层）和第一Ti金属层（对应于第二金属层），第一Ni金属层较第一Ti金属层更接近键合层30，从下至上第二周期（对应于第二多层金属层）位于第一周期之上，且第二周期包含第二Ni金属层（对应于第三金属层）和第二Ti金属层（对应于第四金属层），且第二Ni金属层较第二Ti金属层更接近第一Ti金属层。由此可知，上述区别技术特征（1）被对比文件2公开了，并且其在对比文件2中所起的作用与其在本发明中所起的作用相同，均为防止反射层和键合层之间的金属扩散，由此可知，对比文件2给出了将上述技术特征应用于对比文件1的技术启示。
关于区别技术特征（2），在垂直发光二极管领域中，将发光二极管的发光层设置成宽度小于位于其下的基板、反射层、透明导电氧化物等结构早已属于本领域常用技术，本领域技术人员容易想到可以根据需要将发光层的宽度设置成小于其下的反射层、透明导电氧化物、阻挡层等的宽度，由此进一步防止金属扩散并提高反射效果以提高发光效率，因而可见其效果也是可以预期的，因而区别技术特征（2）属于本领域的公知常识。
因此在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的公知常识从而得出权利要求10所要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求10不具备突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备专利法第22条第3款所规定的创造性。
对复审请求人相关意见的评述
复审请求人在答复复审通知书时认为：对比文件1-3中都没有公开“发光层具有第一宽度，金属反射层具有第二宽度且阻障层具有第三宽度，且该第二宽度及该第三宽度皆大于该第一宽度”。而本申请的该区别技术特征可以使发光元件具有较大的反射面积，提高发光强度，有效阻止金属反射层和金属连接结构之间的金属扩散。因而修改后的权利要求具备创造性。
对此，合议组认为：在垂直发光二极管领域中，阻障层用于阻挡金属扩散，反射层用于提高发光效率，将发光二极管的发光层设置成宽度小于位于其下的基板、反射层、透明导电氧化物等结构早已属于本领域已知知识或常用技术，因而即对本领域的普通技术人员来说容易想到可以根据需要将发光层的宽度设置成小于反射层和阻障层的宽度，这不需要付出创造新的劳动就可得到，且也没有取得预料不到的技术效果。因此合议组对复审请求人的陈述理由不予支持。
综上，合议组依法作出如下复审请求审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年10月08日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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