发明创造名称：激光二极管装置
外观设计名称：
决定号：201832
决定日：2020-01-19
委内编号：1F270135
优先权日：2012-03-19
申请（专利）号：201510583595.2
申请日：2013-03-19
复审请求人：欧司朗光电半导体有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：丁芃
合议组组长：张礅
参审员：王咪娜
国际分类号：H01S5/022,H01S5/024,H01S5/028
外观设计分类号：
法律依据：专利法第33条
决定要点
：如果修改后的权利要求的技术方案是本领域技术人员根据原申请文件记载的内容可以直接地、毫无疑义地确定的，那么修改后的权利要求没有超出原申请文件记载的范围，符合专利法第33条的规定。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510583595.2、发明名称为“激光二极管装置”的发明专利申请（下称本申请），本申请的申请人为欧司朗光电半导体有限公司，申请日为2013年03月19日，优先权日为2012年03月19日，公开日为2015年12月30日。本申请为分案申请，其原申请的申请号为201310088321.7，分案申请提交日为2015年09月14日。
国家知识产权局专利实质审查部门以本申请权利要求1-3的修改不符合专利法第33条的规定为由于2018年11月07日驳回了本申请。
驳回决定所针对的审查文本为：分案申请提交日2015年09月14日提交的说明书附图第1-7页、说明书摘要、摘要附图；2018年01月29日提交的权利要求第1-18项、说明书第1-22页。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 激光二极管装置，具有：
壳体(1)，所述壳体具有壳体部件(10)和与所述壳体部件(10)连接的装配件(11)，所述装配件沿着延伸方向(110)远离所述壳体部件(10)地延伸；以及
在所述装配件(11)上的激光二极管芯片(2)，所述激光二极管芯片在衬底(20)上具有半导体层，所述半导体层带有用于射出光的有源层(23)，
其中，
在所述激光二极管芯片(2)和所述装配件(11)之间设置有第一焊料层(3)，所述第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度，并且所述激光二极管芯片(2)具有辐射耦合输出面(27)，在所述辐射耦合输出面上施加有结晶保护层(6)。
2. 激光二极管装置，具有：
壳体(1)，所述壳体具有壳体部件(10)和与所述壳体部件(10)连接的装配件(11)，所述装配件沿着延伸方向(110)远离所述壳体部件(10)地延伸；以及
在所述装配件(11)上的激光二极管芯片(2)，所述激光二极管芯片在衬底(20)上具有半导体层，所述半导体层带有用于射出光的有源层(23)，
其中，
所述壳体部件(10)和所述装配件(11)具有铜制基体，并且至少所述壳体部件(10)被钢包封，
在所述激光二极管芯片(2)和所述装配件(11)之间设置有第一焊料层(3)，并且所述激光二极管芯片(2)具有辐射耦合输出面(27)，在所述辐射耦合输出面上施加有结晶保护层(6)。
3. 激光二极管装置，具有：
壳体(1)，所述壳体具有壳体部件(10)和与所述壳体部件(10)连接的装配件(11)，所述装配件沿着延伸方向(110)远离所述壳体部件(10)地延伸；以及
在所述装配件(11)上的激光二极管芯片(2)，所述激光二极管芯片在衬底(20)上具有半导体层，所述半导体层带有用于射出光的有源 层(23)，
其中，
在所述激光二极管芯片(2)和所述装配件(11)之间设置有第一焊料层(3)，并且所述激光二极管芯片(2)具有辐射耦合输出面(27)，在所述辐射耦合输出面上施加有结晶保护层(6)。
4. 如权利要求1至3中任一项所述的激光二极管装置，其中，所述结晶保护层(6)由介电材料构成。
5. 如权利要求1至3中任一项所述的激光二极管装置，其中，所述结晶保护层(6)由氧化物构成。
6. 如权利要求1至3中任一项所述的激光二极管装置，其中，所述结晶保护层(6)具有多个结晶层。
7. 如权利要求1至3中任一项所述的激光二极管装置，其中，在所述辐射耦合输出面(27)上施加有光学层(7)。
8. 如权利要求7所述的激光二极管装置，其中，所述光学层(7)设置在所述辐射耦合输出面(27)和所述结晶保护层(6)之间并且由所述结晶保护层(6)覆盖。
9. 如权利要求7所述的激光二极管装置，其中，所述结晶保护层(6)设置在所述辐射耦合输出面(27)和所述光学层(7)之间。
10. 如权利要求7所述的激光二极管装置，其中，所述光学层(7)由所述结晶保护层(6)构成。
11. 如权利要求1至3中任一项所述的激光二极管装置，其中，在所述激光二极管芯片(2)的与所述辐射耦合输出面(27)相对置的后侧面(28)上施加有结晶保护层(6)。
12. 如权利要求11所述的激光二极管装置，其中，在所述激光二极管芯片(2)的连接所述后侧面(28)和所述辐射耦合输出面(27)的 侧面(29)上施加有结晶保护层(6)。
13. 如权利要求1至3中任一项所述的激光二极管装置，其中，所述第一焊料层(3)的厚度大于或等于3μm。
14. 如权利要求1至3中任一项所述的激光二极管装置，其中，在所述激光二极管芯片(2)和所述装配件(11)之间设置有导热元件(4)。
15. 如权利要求14所述的激光二极管装置，其中，所述导热元件(4)借助所述第一焊料层(3)固定在所述装配件(11)上，并且所述激光二极管芯片(2)借助第二焊料层(5)固定在所述导热元件(4)上，所述第二焊料层具有大于或等于2μm的厚度。
16. 如权利要求15所述的激光二极管装置，其中所述导热元件(4)具有AlN、SiC、BN、CuW或金刚石。
17. 如权利要求1至3中任一项所述的激光二极管装置，其中，在所述壳体部件(10)上施加有壳体盖(14)并且将所述壳体盖与所述壳体部件(10)焊接。
18. 如权利要求17所述的激光二极管装置，其中，所述装配件(11)沿着所述壳体部件(10)的延伸方向(110)伸入到所述壳体盖(14)中。”
驳回决定的具体理由是：本申请为分案申请，权利要求1在母案权利要求书和说明书的基础上删除了以下技术特征：“壳体部件（10）和所述安装部件（11）具有由铜制成的基体，并且至少所述壳体部件（10）是钢包封的”；权利要求2在母案权利要求书和说明书的基础上删除了以下技术特征：“第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度”；权利要求3在母案权利要求书和说明书的基础上删除了以下技术特征：“壳体部件（10）和所述安装部件（11）具有由铜制成的基体，并且至少所述壳体部件（10）是钢包封的”和“第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度”。删去该部分内容之后的技术方案并未记载在母案的说明书和权利要求中，因此超出了原母案说明书和权利要求书记载的范围，这样的修改不符合专利法第33条的规定。
申请人欧司朗光电半导体有限公司（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年01月02日提出了复审请求，未修改申请文件。复审请求人在意见陈述中认为：1）在说明书第22段中指出，虽然大于2微米的层厚度具有较高的热阻，但是能够实现在几瓦的范围内，尤其在大于3W的范围内的更高的光学输出功率，以及将电输入功率转换为光学输出功率的更高的转换系数。本申请的目的是提高激光二极管芯片的光学输出功率，也就是说，即使没有技术特征“壳体部件（10）和所述安装部件（11）具有由铜制成的基体，并且至少所述壳体部件（10）是钢包封的”，技术特征“第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度”也可以单独实现本申请的技术目的。改进散热这并非是本申请的技术目的，只是在和技术特征“第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度”组合时作为一个更优选的技术方案。根据说明书第21段的记载，大于2微米的层厚度虽然有较高的热阻，但是应当接受，因为可以补偿壳体和激光二极管之间的温度应力。显然，只要能提高输出功率，即使具有散热方面的缺陷，也是实现本发明的技术特征的一个技术手段。不能因其不是最优的技术手段就认为其不能实现本发明的技术目的。2）根据说明书第30段所记载的内容，结晶保护层是尤其重要的辐射耦合输出面的确保激光二极管装置的可靠使用的额外保护，换言之，技术特征“激光二极管芯片的辐射耦合输出面上施加有结晶保护层”单独也能够实现改善激光二极管的输出功率的技术目的，因为其保护了辐射输出面，这并不依赖于技术特征“壳体部件（10）和所述安装部件（11）具有由铜制成的基体，并且至少所述壳体部件（10）是钢包封的”和技术特征“第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度”。因此，本申请权利要求的技术方案明确记载在原申请的说明书中，修改并未超出原申请说明书的记载范围。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年01月10日依法受理了该复审请求，并将其转送至原专利实质审查部门进行前置审查。
原专利实质审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年08月30日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1仅限定了“第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度”，未限定“壳体部件（10）和所述安装部件（11）具有由铜制成的基体，并且至少所述壳体部件（10）是钢包封的”；权利要求2仅限定了“壳体部件（10）和所述安装部件（11）具有由铜制成的基体，并且至少所述壳体部件（10）是钢包封的”，未限定“第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度”，上述仅限定“壳体部件（10）和所述安装部件（11）具有由铜制成的基体，并且至少所述壳体部件（10）是钢包封的”或“第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度”的技术方案在原申请的说明书和权利要求书中没有记载。原申请权利要求1记载以及说明书记载的是由特征“壳体部件（10）和所述安装部件（11）具有由铜制成的基体，并且至少所述壳体部件（10）是钢包封的”和“第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度”限定的方案。根据原申请的说明书和权利要求书的记载，单独采用“壳体部件（10）和所述安装部件（11）具有由铜制成的基体，并且至少所述壳体部件（10）是钢包封的”导致产生应力，单独采用“第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度”具有较高热阻不利于散热，只有结合特征“壳体部件（10）和所述安装部件（11）具有由铜制成的基体，并且至少所述壳体部件（10）是钢包封的”和“第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度”才能提高激光二极管的输出功率，因此，由原申请说明书和权利要求书的记载，不能直接地毫无疑义地得到仅限定了“第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度”而未限定“壳体部件（10）和所述安装部件（11）具有由铜制成的基体，并且至少所述壳体部件（10）是钢包封的”的权利要求1的技术方案以及仅限定了“壳体部件（10）和所述安装部件（11）具有由铜制成的基体，并且至少所述壳体部件（10）是钢包封的”而未限定“第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度”的权利要求2的技术方案。因此，权利要求1、2的修改超出了原申请的权利要求书和说明书记载的范围，不符合专利法第33条的规定。
复审请求人于2019年10月11日提交了意见陈述书，未修改申请文件。复审请求人陈述了权利要求1、2的修改符合专利法第33条的规定的理由。
复审请求人于2019年12月16日再次提交了意见陈述书和权利要求书全文修改替换页，具体修改涉及：删除独立权利要求1和2，并适应性修改权利要求的编号和引用关系。
新提交的修改后的权利要求书如下：
“1. 激光二极管装置，具有：
壳体(1)，所述壳体具有壳体部件(10)和与所述壳体部件(10)连接的装配件(11)，所述装配件沿着延伸方向(110)远离所述壳体部件(10)地延伸；以及
在所述装配件(11)上的激光二极管芯片(2)，所述激光二极管芯片在衬底(20)上具有半导体层，所述半导体层带有用于射出光的有源层(23)，
其中，
在所述激光二极管芯片(2)和所述装配件(11)之间设置有第一焊料层(3)，并且所述激光二极管芯片(2)具有辐射耦合输出面(27)，在所述辐射耦合输出面上施加有结晶保护层(6)。
2. 如权利要求1所述的激光二极管装置，其中，所述结晶保护层(6)由介电材料构成。
3. 如权利要求1所述的激光二极管装置，其中，所述结晶保护层(6)由氧化物构成。
4. 如权利要求1所述的激光二极管装置，其中，所述结晶保护层(6)具有多个结晶层。
5. 如权利要求1所述的激光二极管装置，其中，在所述辐射耦合输出面(27)上施加有光学层(7)。
6. 如权利要求5所述的激光二极管装置，其中，所述光学层(7)设置在所述辐射耦合输出面(27)和所述结晶保护层(6)之间并且由所述结晶保护层(6)覆盖。
7. 如权利要求5所述的激光二极管装置，其中，所述结晶保护层(6)设置在所述辐射耦合输出面(27)和所述光学层(7)之间。
8. 如权利要求5所述的激光二极管装置，其中，所述光学层(7)由所述结晶保护层(6)构成。
9. 如权利要求1所述的激光二极管装置，其中，在所述激光二极管芯片(2)的与所述辐射耦合输出面(27)相对置的后侧面(28)上施加有结晶保护层(6)。
10. 如权利要求9所述的激光二极管装置，其中，在所述激光二极管芯片(2)的连接所述后侧面(28)和所述辐射耦合输出面(27)的侧面(29)上施加有结晶保护层(6)。
11. 如权利要求1所述的激光二极管装置，其中，所述第一焊料层(3)的厚度大于或等于3μm。
12. 如权利要求1所述的激光二极管装置，其中，在所述激光二极管芯片(2)和所述装配件(11)之间设置有导热元件(4)。
13. 如权利要求12所述的激光二极管装置，其中，所述导热元件(4)借助所述第一焊料层(3)固定在所述装配件(11)上，并且所述激光二极管芯片(2)借助第二焊料层(5)固定在所述导热元件(4)上，所述第二焊料层具有大于或等于2μm的厚度。
14. 如权利要求13所述的激光二极管装置，其中所述导热元件(4)具有AlN、SiC、BN、CuW或金刚石。
15. 如权利要求1所述的激光二极管装置，其中，在所述壳体部件(10)上施加有壳体盖(14)并且将所述壳体盖与所述壳体部件(10)焊接。
16. 如权利要求15所述的激光二极管装置，其中，所述装配件(11)沿着所述壳体部件(10)的延伸方向(110)伸入到所述壳体盖(14)中。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人于2019年12月16日答复复审通知书时提交了权利要求书的全文修改替换页。因此，本复审请求审查决定所针对的审查文本为：分案申请提交日2015年09月14日提交的说明书附图第1-7页、说明书摘要、摘要附图；2018年01月29日提交的说明书第1-22页；2019年12月16日提交的权利要求第1-16项。
2、关于专利法第33条
专利法第33条规定：申请人可以对其专利申请文件进行修改，但是，对发明和实用新型专利申请文件的修改不得超出原说明书和权利要求书记载的范围，对外观设计专利申请文件的修改不得超出原图片或者照片表示的范围。
如果修改后的权利要求的技术方案是本领域技术人员根据原申请文件记载的内容可以直接地、毫无疑义地确定的，那么修改后的权利要求没有超出原申请文件记载的范围，符合专利法第33条的规定。
具体到本案：
1）复审请求人删除了权利要求1和2，驳回决定和复审通知书中指出的权利要求1、2修改超范围的缺陷已被克服。
2）修改后的权利要求1的技术方案相对于原申请权利要求1，删除了技术特征“所述壳体部件（10）和所述安装部件（11）具有由铜制成的基体，并且至少所述壳体部件（10）被钢包封”和“所述第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度”。a.原申请说明书第[0028]段记载了“根据另一实施形式，激光二极管芯片至少在辐射耦合输出面上具有结晶保护层”，第[0062]段记载了“根据另一实施例，激光二极管芯片2至少在辐射耦合输出面27上具有结晶保护层6”，可见，原申请说明书中记载了由“激光二极管芯片在辐射耦合输出面上施加有结晶保护层”限定的技术方案；b.原申请说明书第[0030]段记载了“结晶保护层能够保护激光二极管芯片的被结晶保护层覆盖的面，即至少辐射耦合输出面抵御例如为有害气体的环境影响”和“结晶保护层是尤其重要的辐射耦合输出面的确保激光二极管装置的可靠使用的额外保护”，第[0063]段记载了“下面的实施例的激光二极管芯片2至少在辐射耦合输出面27上具有结晶保护层6，所述结晶保护层适于并且设置用于至少保护辐射耦合输出面27抵御例如通过环境空气引起的有害的环境影响”，第[0031]段记载了“此外，在结晶的介电材料的情况下，通过结晶保护层能够实现击穿场强的明显提高，由此，例如由于向上伸展（hochlaufenden）的焊料层或在棱面上的p型金属化部能够实现抵御电击穿的保护”，第[0065]段记载了“结晶保护层6在介电材料的情况下能够导致击穿场强的明显的提升”，第[0083]段记载了“为了应付由于增加的焊料供应而产生的危险，即焊料颗粒迁移到激光二极管芯片2的表面之上尤其激光棱面之上并且能够穿过棱面覆层扩散，这会导致在激光棱面27、28之上的漏电流，激光二极管芯片2优选具有结晶保护层6。此外，通过结晶保护层6能够实现击穿场强的显著的提升。由此例如由于向上伸展的焊料层或在棱面之上的p型金属化部能够实现免于电击穿的保护”，通过上述记载可知：在辐射耦合输出面设置结晶保护层能抵御有害气体的环境影响，提供确保激光二极管装置的可靠使用的额外保护，并且通过结晶保护层能够实现击穿场强的明显提高，实现抵御电击穿的保护，上述技术效果是不依赖于技术特征“所述壳体部件（10）和所述安装部件（11）具有由铜制成的基体，并且至少所述壳体部件（10）被钢包封”和“所述第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度”即能实现的；c.原申请说明书第[0032]段记载了：“因此能够通过激光二极管芯片的低的应力、来自激光二极管芯片的良好的热传输和高的组件可靠性的最优的组合确保光学输出功率的显著提升”，第[0084]段记载了“将壳体1的高的导热性、激光二极管芯片2和必要时导热元件4到壳体 1的良好的热连接、对于辐射耦合输出面27的抵御环境影响和焊料颗粒的保护、以及辐射耦合输出面27的覆层的高的击穿强度相互组合，因此能够相比于已知的激光二极管器件实现光学输出功率的提高”，从上述记载可知，通过设置结晶保护层而带来的“高的组件可靠性”、“对于辐射耦合输出面27的抵御环境影响的保护、以及辐射耦合输出面27的覆层的高的击穿强度”的优势可以使激光二极管器件实现光学输出功率的提高。由上述分析可知，单独的技术特征“在辐射耦合输出面上施加有结晶保护层”的实施可以使激光二极管芯片的辐射耦合输出面抵御有害气体的环境影响，提供确保激光二极管装置的可靠使用的额外保护，并且能够实现击穿场强的明显提高，实现抵御电击穿的保护，通过提供的额外保护以及抵御电击穿的保护可以使激光二极管器件提高光学输出功率。因此，“在辐射耦合输出面上施加有结晶保护层”与删除了的技术特征“所述壳体部件（10）和所述安装部件（11）具有由铜制成的基体，并且至少所述壳体部件（10）被钢包封”和“所述第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度”并非紧密关联，仅由技术特征“在辐射耦合输出面上施加有结晶保护层”限定的权利要求1的技术方案同样能实现提高激光二极管器件的光学输出功率的技术效果，本领域技术人员根据原申请文件记载的内容可以直接地、毫无疑义地确定权利要求1的技术方案。因此，权利要求1的修改未超出原申请说明书和权利要求书记载的范围，符合专利法第33条的规定。
驳回决定和前置审查意见中指出：
1）虽然说明书第[0028]段-[0029]段记载了激光二极管装置至少在辐射耦合输出面上具有结晶保护层的实施例，但仅仅从此段的记载，本领域技术人员不能确定此激光二极管装置的壳体以及第一焊料层厚度限定的技术特征的具体情况。且根据说明书第[0033]段记载了：同时具有技术特征（1）“壳体部件（10）和所述安装部件（11）具有由铜制成的基体，并且至少所述壳体部件（10）是钢包封的”、（2）“第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度”和（3）“激光二极管芯片的辐射耦合输出面上施加有结晶保护层”的激光二极管，虽然在厚的焊料层的情况下的特征的组合阻止了改善的排热，尽管如此，对于激光二极管装置而言仍然能够实现改善的散热，并且从而实现较高的输出功率。即激光二极管输出功率的提高是通过散热的改善实现的。而技术特征（3）并不具备改善散热的能力。由此可知，除技术特征（3）之外，说明书第[0028]段-[0029]段记载的实施例中必然还包括技术特征（1）和（2）。即，技术特征（3）并不是以平行的实施方式记载在说明书中。
2）虽然说明书第[0032]段中记载了激光二极管中具有技术特征（2）和技术特征（3），但仅仅从此段的记载，本领域技术人员不能够确定其他技术特征的具体情况。此外，说明书第[0032]段记载的内容为技术特征（3）的使用能够弥补技术特征（2）的使用引起的焊料颗粒对激光二极管芯片的损害。而说明书第[0033]段记载了：同时具有技术特征（1）、（2）和（3）的激光二极管，虽然在厚的焊料层的情况下的特征的组合阻止了改善的排热，尽管如此，对于激光二极管装置而言仍然能够实现改善的散热，并且从而实现较高的输出功率。即激光二极管输出功率的提高是通过散热的改善实现的。本领域技术人员可以明确地是技术特征（3）的使用并不会弥补技术特征（2）引起的高热阻的缺陷，即仅仅是技术特征（2）和（3）的组合不能够改善激光二极管的散热，进而不能够提高激光二极管的光输出功率。因此本领域技术人员可以直接地、毫无疑义地确定说明书第[0032]段记载的技术方案中除了技术特征（2）和（3）以外还包含技术特征（1）。
3）原申请说明书记载了“结晶保护层是尤其重要的辐射耦合输出面的确保激光二极管装置的可靠使用的额外保护”，即结晶保护层能够保护辐射输出面。但激光二极管装置可靠使用的额外保护并不等同于激光二极管的输出功率被改善。说明书中没有任何地方文字记载了激光二极管装置的可靠使用的额外保护能够提高激光输出功率，且本领域技术人员也不能直接、毫无疑义地确定只要确保了激光二极管装置可靠使用的额外保护，就一定能够提高激光二极管的输出功率。因此，仅仅通过原申请说明书第[0030]段文字的记载，本领域技术人员并不能直接地、毫无疑义的确定仅仅包含“辐射耦合输出面上施加有结晶保护层”的技术特征的激光二极管装置能够提高激光二极管的光输出功率。
对此，合议组认为：
1）参见权利要求1的评述意见，根据原申请说明书第[0030]段、第[0063]段、第[0031]段、第[0065]段、第[0083]段的记载可知：在辐射耦合输出面设置结晶保护层能抵御有害气体的环境影响，从而提供确保激光二极管装置的可靠使用的额外保护，并且通过结晶保护层能够实现击穿场强的明显提高，从而实现抵御电击穿的保护。而通过设置结晶保护层所带来的上述技术效果是不依赖于技术特征“所述壳体部件（10）和所述安装部件（11）具有由铜制成的基体，并且至少所述壳体部件（10）被钢包封”和“所述第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度”所限定的激光二极管器件即能实现的，即在任何一个激光二极管器件的辐射耦合输出面设置结晶保护层均能实现其所能带来的上述有益效果。
2）原申请说明书第[0032]段记载了：“因此能够通过激光二极管芯片的低的应力、来自激光二极管芯片的良好的热传输和高的组件可靠性的最优的组合确保光学输出功率的显著提升”，第[0084]段记载了“将壳体1的高的导热性、激光二极管芯片2和必要时导热元件4到壳体 1的良好的热连接、对于辐射耦合输出面27的抵御环境影响和焊料颗粒的保护、以及辐射耦合输出面27的覆层的高的击穿强度相互组合，因此能够相比于已知的激光二极管器件实现光学输出功率的提高”，由上述记载可知，激光二极管器件光学输出功率的提高并不是仅仅通过改善散热实现的。虽然技术特征“激光二极管芯片的辐射耦合输出面上施加有结晶保护层”不能改善散热，但其能带来“高的组件可靠性”、“对于辐射耦合输出面27的抵御环境影响的保护、以及辐射耦合输出面27的覆层的高的击穿强度”的有益效果。上述说明书记载中“高的组件可靠性”、“对于辐射耦合输出面27的抵御环境影响的保护、以及辐射耦合输出面27的覆层的高的击穿强度”是与“激光二极管芯片的低的应力”、“来自激光二极管芯片的良好的热传输”相组合实现激光二极管器件光学输出功率的提高，然而“高的组件可靠性”、“对于辐射耦合输出面27的抵御环境影响的保护、以及辐射耦合输出面27的覆层的高的击穿强度”与“激光二极管芯片的低的应力”、“来自激光二极管芯片的良好的热传输”在提高光学输出功率时，两者之间并无必然联系。本领域均知，激光二极管器件一般都会存在抵御环境影响的保护和提高击穿场强的需求，而不仅限于由技术特征“所述壳体部件（10）和所述安装部件（11）具有由铜制成的基体，并且至少所述壳体部件（10）被钢包封”和“所述第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度”限定的具有“激光二极管芯片的低的应力”和“良好的热传输”的特定激光二极管器件。当结晶保护层应用于其他激光二极管器件时，同样能带来“高的组件可靠性”、“对于辐射耦合输出面27的抵御环境影响的保护、以及辐射耦合输出面27的覆层的高的击穿强度”的技术效果，从而提高激光二极管器件的光学输出功率。因此，通过设置结晶保护层导致的“高的组件可靠性”、“对于辐射耦合输出面27的抵御环境影响的保护、以及辐射耦合输出面27的覆层的高的击穿强度”从而使激光二极管器件实现光学输出功率的提高，该技术手段的实施并不依赖于由技术特征“所述壳体部件（10）和所述安装部件（11）具有由铜制成的基体，并且至少所述壳体部件（10）被钢包封”和“所述第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度”限定的激光二极管器件，其同样可以单独作用于激光二极管器件。因此，权利要求1修改符合专利法第33条的规定。
基于上述事实和理由，合议组依法作出如下审查决定。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018年11月07日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局专利实质审查部门在本复审请求审查决定所针对的文本的基础上对本申请继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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