发明创造名称：多晶硅氢还原炉
外观设计名称：
决定号：11482
决定日：2008-05-15
委内编号：
优先权日：
申请（专利）号：200420033142.X
申请日：2004-03-08
复审请求人：
无效请求人：李培茂
授权公告日：2005-03-16
审定公告日：
专利权人：成都蜀菱贸易发展有限公司
主审员：王冬
合议组组长：欧岚
参审员：郭建强
国际分类号：C03B20/00
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款;专利法实施细则第20条第1款
决定要点：如果一项实用新型权利要求所保护的技术方案与最接近的现有技术相比存在区别技术特征，请求人提供的其他所有证据也均未公开该区别技术特征，且现有技术中也没有给出将该区别技术特征应用到该最接近的现有技术中得到该权利要求所保护的技术方案的技术启示，则该权利要求对本领域技术人员来说是非显而易见的，具有实质性特点。
全文：
一、案由
本无效宣告请求涉及中华人民共和国国家知识产权局于2005年3月16日授权公告的、名称为“多晶硅氢还原炉”的实用新型专利权（下称本专利），其专利号是200420033142.X，申请日是2004年3月8日，专利权人是成都蜀菱贸易发展有限公司。本专利授权公告时的权利要求书如下：
“1、多晶硅氢还原炉，由炉体、底板和上封头组成，封头上有冷却水腔、冷却出水口和启动装置法兰，炉体上有冷却水腔和冷却水进口，底板上有电极、进气口和排气口，炉体与底板之间用法兰连接，其特征在于氢还原炉内壁上有一层厚度为2-3mm的光滑的银质材料。
2、根据权利要求1所述的多晶硅氢还原炉，其特征在于所述的光滑的银质材料为银复合材料层。
3、根据权利要求2所述的多晶硅氢还原炉，其特征在于炉体由银不锈钢复合板焊接而成，焊缝采用银焊，焊缝平整光滑。”
针对上述专利权，李培茂（下称请求人）于2007年10月18日向专利复审委员会提出无效宣告请求，其提交的附件如下：
附件1：公开日期为2001年10月23日的日本专利文献JP2001－294416A及其中文译文，共10页；
附件2：公告日期为1991年3月8日的日本专利文献JP平3－17769B2及其中文译文，共8页；
附件3：本专利的实用新型专利说明书，共5页。
请求人认为：1、本专利权利要求1－3相对于附件1和2的结合不具有创造性，不符合专利法第22条第3款的规定；2、权利要求2中所述“银质材料为银复合材料层”描述不清楚，不符合专利法实施细则第20条第1款的规定。
经形式审查合格，专利复审委员会依法受理了上述无效宣告请求，并于2007年10月19日向双方发出无效宣告请求受理通知书，同时将专利权无效宣告请求书及其附件清单中所列附件的副本转送给专利权人，并要求专利权人在指定的期限内陈述意见。
在指定期限内专利权人没有提交意见陈述书。
专利复审委员会依法成立合议组，对本案进行审查。
专利复审委员会本案合议组于2008年1月7日向双方发出无效宣告请求口头审理通知书，定于2008年3月4日举行口头审理。
口头审理如期举行，双方当事人均参加了口头审理。
在口头审理中，请求人明确其无效宣告请求的范围、理由和证据为：本专利的权利要求1-3相对于附件2和附件1的结合或者附件2和公知技术的结合不符合专利法第22条第3款的规定，权利要求2不符合专利法实施细则第20条第1款的规定。专利权人对附件1、2的真实性没有异议，对附件1和2的译文的准确性也没有异议。请求人认为，虽然附件2、1和公知技术均没有公开所述氢还原炉内壁所附银质材料的厚度为2－3mm，但附件2所描述的镜面状态已经给出了上述2-3mm的技术启示，本领域技术人员通过阅读附件2是能够知道在金属表面上喷镀的方式来镀银的基本厚度，2-3毫米与本专利的发明目的没有直接的关系。
至此，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、关于证据和现有技术
请求人提交的附件1和2均为日本专利文献，专利权人对附件1和2的真实性没有异议，且经合议组审查，附件1和2可以作为本案证据使用。同时由于附件1和2的公开日期均在本专利的申请日之前，因此可以作为本专利的现有技术使用。由于专利权人对请求人提交的附件1和2的中文译文的准确性没有异议，因此，附件1和2公开的内容以其中文译文为准。
2、关于专利法实施细则第20条第1款
专利法实施细则第20条第1款规定：权利要求书应当说明发明或者实用新型的技术特征，清楚、简要地表述请求保护的范围。
请求人认为，“银质材料”的含义为材料是银，“银复合材料”的含义为包含银质材料在内的材料，因此，“银复合材料”不是“银质材料”的下位概念，所以权利要求2不清楚，不符合专利法实施细则第20条第1款的规定。
对此，合议组认为，本专利说明书第1页第7段对所述“银质材料”的含义进行了具体描述，即所述多晶硅氢还原炉内壁附着的光滑的银质材料是银和不锈钢的复合材料，而权利要求2的附加技术特征根据说明书的上述描述对所述“银质材料”做了进一步限定，即将其具体限定为“银复合材料”，可见，权利要求2要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是清楚地，符合专利法实施细则第20条第1款的规定。
3、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指同申请日以前已有的技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型有实质性特点和进步。
如果一项实用新型权利要求所保护的技术方案与最接近的现有技术相比存在区别技术特征，请求人提供的其他所有证据也均未公开该区别技术特征，且现有技术中也没有给出将该区别技术特征应用到该最接近的现有技术中得到该权利要求所保护的技术方案的技术启示，则该权利要求对本领域技术人员来说是非显而易见的，具有实质性特点。
本专利权利要求1要求保护一种多晶硅氢还原炉，由炉体、底板和上封头组成，封头上有冷却水腔、冷却出水口和启动装置法兰，炉体上有冷却水腔和冷却水进口，底板上有电极、进气口和排气口，炉体与底板之间用法兰连接，其特征在于氢还原炉内壁上有一层厚度为2-3mm的光滑的银质材料。
合议组经审查认为，请求人提交的附件1公开了多晶硅的制造装置，其包含反应炉台、真空钟罩、硅芯棒、电极等部分，附件2也公开了一种多晶硅的制备方法及其制备装置，所述制备装置由钟状盖体与底板构成，反应炉内面，特别是盖体内面被镜面化，盖体基础材料为不锈钢等金属，另外还可以进行镍、银、铬等的喷涂或喷镀使之处于镜面状态。由此可见，附件1、2均至少没有公开所述氢还原炉内壁上的光滑的银质材料层厚度为2-3mm，此外，虽然附件2公开了在所述盖体内壁喷涂或喷镀银以使其处于镜面状态，但本领域技术人员可知通常情况下金属涂层仅需达到微米级就能够达到镜面状态，而无需不计成本的将所述银层厚度增加到2－3mm，且同时会存在涂层附着力下降等缺陷，因此，本领域技术人员根据附件1、2的记载无法得到技术启示将所述银涂层的厚度喷镀或喷镀到2－3mm。同时，请求人认为喷涂和喷镀的金属涂层厚度正常状态为2－5mm，但没有提供足够的证据加以证明，故请求人也不能证明现有技术中存在上述启示。综上，权利要求1要求保护的技术方案相对于附件2和1的结合以及附件2和公知技术的结合是非显而易见的，具有实质性特点，并且本发明的多晶硅还原炉能够生产出高纯度的多晶硅，大幅度降低能耗，大大降低多晶硅的生产成本，具有有益的技术效果，因此，权利要求1具有创造性，符合专利法第22条第3款的规定。
由于权利要求1相对于附件2和1的结合以及附件2和公知技术的结合具有创造性，因此其从属权利要求2和3相对于附件2和1的结合以及附件2和公知技术的结合也具有创造性，符合专利法第22条第3款的规定。
根据上述的事实和理由，本案合议组依法做出以下决定。
三、决定
维持200420033142.X号实用新型专利权有效。
当事人对本决定不服的，可以根据专利法第46条第2款的规定，自收到本决定之日起三个月内向北京市第一中级人民法院起诉。根据该款的规定，一方当事人起诉后，另一方当事人应当作为第三人参加诉讼。
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