发明创造名称：MOS直流固态继电器
外观设计名称：
决定号：11305
决定日：2008-04-08
委内编号：
优先权日：
申请（专利）号：200420019474.2
申请日：2004-01-14
复审请求人：
无效请求人：北京市科通电子继电器总厂
授权公告日：2005-02-09
审定公告日：
专利权人：曹骥
主审员：骆素芳
合议组组长：詹靖康
参审员：刘微
国际分类号：
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：如果一项权利要求相对于一份对比文件的区别技术特征被另一对比文件公开，且该特征在后一对比文件中的作用与其在权利要求的技术方案中起的作用相同；或者该特征属于本领域的公知常识，则该权利要求不具备创造性。
全文：
案由
本无效请求案涉及国家知识产权局于2005年2月9日授权公告的专利号为20042001974.2、名称为“MOS直流固态继电器”的实用新型专利（下称本专利），其申请日为2004年1月14日，专利权人为曹骥。
本专利授权公告的权利要求书内容如下：
“1、一种MOS直流固态继电器，包括输入端子、控制回路、开关回路、输出端子，其特征在于：
所述的控制回路包括以三极管Q1为中心的振荡电路、磁隔离变压器 T1、以二极管D2为中心的整流电路；
所述的开关电路是MOSFET开关管；
所述的振荡电路设置在输入端子与磁隔离变压器T1的原边之间，变压器T1的副边与MOSFET管Q2之间设有整流电路，MOSFE管Q2 的漏极接输出端子正极，MOSFET管Q2的源极接输出端子负极。
2、如权利要求1所述的MOS直流固态继电器，其特征在于：所述的振荡电路包括三极管Q1、电阻R1、R2、R3，电容C1、C2、二极管D1以及变压器的原边，电阻R1、C1、变压器T1原边的正极与输入端子的正极连接，输入端子的负极连接所述的二极管D1的负极，二极管D1的正极连接电阻R2、R3，电阻R1、R2、电容C1、C2与三极管Q1的基极连接，电阻R3、电容C2的一个端子与Q1的发射极连接，Q1的集电极与变压器T1原边的负极连接。
3、如权利要求1或者2所述的MOS直流固态继电器，其特征在于：所述的整流电路包括二极管D2、电容C3、电阻R4、R5，所述的二极管D2、电阻R4串接在磁隔离变压器T1副边的正极与MOSFET管Q2的栅极之间，所述的电阻R5并接在MOSFET管Q2的栅极与源极之间，二极管D2与电阻R4之间的节点通过电容C3与磁隔离变压器T1副边的负极连接，同时T1副边的负极与MOSFET管Q2的源极连接。
4、如权利要求3所述的MOS直流固态继电器，其特征在于：所述的整流电路还包括稳压管D3，所述的稳压管D3并接在MOSFET管Q2的栅极与源极之间。”
针对上述专利权，北京市科通电子继电器总厂（下称请求人）于2007年5月14日向专利复审委员会提出了无效宣告请求，认为本专利不符合专利法第22条第2款、第3款的规定，并提交了如下证据：
证据1：授权公告号为CN2577506Y的中国实用新型专利说明书，授权公告日为2003年10月1日，共6页；
证据2：《TMOS功率场效应晶体管原理及应用》，沈耀忠、任志纯、罗毅编，电子工业出版社，1995年11月第1版第1次印刷，封面、出版页、前言、目录第1页、正文第81页复印件，共5页。
请求人的理由主要是：1、证据1公开了权利要求1的全部技术内容，并且证据2公开了MOSFET开关管采用的是并联的结构形式，权利要求1不具备新颖性和创造性；2、权利要求2的附加技术特征与证据1公开的内容相比没有实质性特点，权利要求2不具备创造性；3、证据1中公开的整流电路的连接结构与权利要求3的附加技术特征实质相同，权利要求3不具备创造性；证据1公开的连接结构与权利要求4的附加技术特征相同，权利要求4不具备创造性。
经形式审查合格，专利复审委员会依法受理了上述无效宣告请求，于2007年6月11日向双方当事人发出无效宣告请求受理通知书，并将请求人提交的无效宣告请求书及其附件清单中所列附件的副本转送给专利权人，要求其在指定的期限内答复。
专利权人期满未答复。
2007年6月22日，专利复审委员会收到请求人于2007年6月7日提交的意见陈述书，其中陈述的意见主要为：1、权利要求2不具备创造性，证据1与本专利都采用了晶体管电容三点式振荡电路，其区别之一在于本专利中用三极管Q1的集电极与发射极之间的极电容Cec来充当C3，但由于在实际应用中电容C1取值远大于C2和C3（即Cec），证据1与权利要求2的两电路实质上是一样的；区别之二在于本专利中二极管D1在电路中的连接方式与证据1中二极管V1的连接方式不同，但是它们都用作反极性保护，本专利中串联二极管D1以防止电路极性接反而毁坏是本领域的基本常识；2、权利要求3、4不具备创造性，证据1与本专利的区别仅在于MOSFET管栅极电阻接入位置不同，但由于实际应用中其阻值远小于电阻本专利中的R5的阻值，因此它们实质上相同。
2007年9月12日，专利复审委员会将请求人于2007年6月7日提交的意见陈述书转送专利权人，并要求其在指定期限内答复。
专利权人期满未答复。
2007年11月27日，合议组向请求人和专利权人发出了口头审理通知书，拟定于2008年1月7日进行口头审理。
口头审理如期举行。请求人出席口头审理，专利权人未出席口头审理，本案缺席审理。请求人对合议组成员无回避请求。请求人当庭提交了证据2的原件，当庭放弃专利法第22条第2款的无效理由，并明确其无效的理由为：权利要求1相对于证据1与证据2的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性；权利要求2、3、4相对于证据1、2与公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
至此，合议组认为本案事实已经调查清楚，现依法作出审查决定。
二、决定的理由
关于审查的文本
本决定所依据的审查文本是本专利授权公告的文本。
2、关于证据认定
证据1是中国实用新型专利说明书，其公开日为2003年10月1日，早于本专利的申请日，经核实，可以作为评价本专利的创造性的现有技术。证据2是公开出版物，请求人在口头审理时提交了证据2的原件，经核实，其复印件与原件一致，且其公开时间为1995年11月，早于本专利的申请日，可以作为评价本专利的创造性的现有技术。
3、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定，创造性，是指同申请日以前已有的技术相比，该实用新型有实质性特点和进步。
权利要求1保护一种MOS直流固态继电器，证据1公开了一种大功率直流固体继电器，该继电器包括（参见证据1说明书第2页“具体实施方式”中第1段，图1）：继电器的正负输入端与一个由三极管V2（相当于权利要求1中的三极管Q1）、电R1、R2、R3和电容C1、C2、C3组成的电容三点式考比兹振荡电路相连接，所述的振荡电路输出接隔直变压器的初级线圈，隔直变压器次级线圈接有一个由C4、R4、V3（相当于权利要求1中的二极管D2）、V4组成的整流电路。所述整流电路输出端接一个由四个功率场效应管并接的场效应管栅极，所述四个场效应管的漏极、源极为本继电器的正、负输出端。证据1中的振荡电路和整流电路分别对应于权利要求1中的振荡电流和整流电流，从而证据1中振荡电流与整流电路组合得到的电路相当于权利要求1中的控制回路，四个功率场效应管并接的电路相当于权利要求1的开关电路。参见证据1的图1，其中还公开了：振荡电路设置在输入端与T1的原边之间，整流电路设置在T1的副边与功率场效应管之间，功率场效应管的漏籍接输出端的正极，其源极接输出端的负极。
可见，权利要求1与证据1的区别仅在于：权利要求1中限定的开关管为MOSFET开关管，而证据1中为功率场效应晶体管。
证据2（参见证据2第81页7.1节）中公开了以下技术特征：在开关应用中功率MOSFET的并联使用，功率MOSFET最大的优点就是它们可以并联在一起以增加导通电流和开关功率容量。可见，证据2公开了上述区别技术特征并给出了应用MOSFET作开关管的技术启示。证据2是一本应用手册性质的工具书，证据1与权利要求1涉及相同的直流固态继电器的技术领域，因此，本领域的普通技术人员很容易想到将证据2结合到证据1中从而得到权利要求1的技术方案，权利要求1不具备实质性特点和进步，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求2的附加技术特征对振荡电路的结构及连接关系做了进一步限定，参见证据1的说明书第2页“具体实施方式”中第1段及图1，其中公开的振荡电路具有以下结构及连接关系：振荡电路包括三极管V2（相当于权利要求2中的三极管Q1）、电阻R1、R2、R3和电容C1、C2、二极管V1（相当于权利要求2中的二极管D1）、以及T1的原边，电阻R1、C1、变压器T1原边的正极与输入端的正极连接，输入端的正极连接所述的二极管V1的负极，二极管V1的正极连接电阻R1、R2，电阻R1、R2、电容C1、C2与三极管V2的基极连接，电阻R3、电容C2的一个端子与V2的发射极连接，V2的集电极与变压器T1原边的负极连接。
可见，权利要求2的附加技术特征与证据1的区别仅在于：权利要求2中二极管D1在电路中的连接关系与证据1中二极管V1在电路中的连接方式不同。但是，证据1中的二极管V1与权利要求2中的二极管D1在电路中都是用作反极性保护，并且，权利要求2中用作反极性保护的二极管D1在电路中的连接方式是本领域的公知连接方式。因此，鉴于其引用的权利要求1不具备创造性，权利要求2也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
另外，请求人认为，权利要求2的附加技术特征与证据1之间还存在一点区别：证据1中还包括电容C3，而权利要求2中不包括该电容C3。并且，请求人认为权利要求2的技术方案中是利用三极管Q的集电极与发射极之间的极间电容Cec来充当C3，且在实际应用中电容C1取值远大于C2和C3（即Cec），因此，证据1与权利要求2的两电路实质上一样。
对此，合议组认为，对于权利要求2中的技术特征“所述的振荡电路包括三极管Q1、电阻R1、R2、R3，电容C1、C2、二极管D1以及变压器的原边”，其中的“振荡电路包括……”的限定是一种“开放式”的限定，其解释为还可以含有权利要求2中没有述及的结构组成部分。
证据1所公开的振荡电路包括（参见证据1图1）三极管V2（相当于权利要求2中的三极管Q1）、电阻R1、R2、R3和电容C1、C2、二极管V1（相当于权利要求2中的二极管D1）、以及T1的原边。虽然证据1中还包含有电容C3，而权利要求2中未记载电容C3，但并不影响证据1已经公开了权利要求2中的上述全部技术特征。因此，权利要求2的附加技术特征与证据1的区别仅在于二极管D1在电路中的连接方式不同。
权利要求3引用权利要求1或2，其附加技术特征对整流电路的结构及连接关系做了进一步限定，参见证据1说明书第2页“具体实施方式”中第1段及图1，其中的整流电路包括二极管V3（相当于权利要求3的二极管D2）、电容C4（相当于权利要求3的电容C3）、电阻R4（相当于权利要求3的电阻R5）、R5（相当于权利要求3的电阻R4）；二极管V3和电阻R5串接在隔直变压器T1副边的正极与场效应晶体管的栅极之间；电阻R5与场效应晶体管的栅极串接，电阻R4并接在电阻R5与场效应晶体管的源极之间；二极管V3和电阻R5之间的节点通过电容C4与变压器T1的副边的负极连接；T1的副边的负极与场效应晶体管的源极连接。
可见，权利要求3的附加技术特征与证据1的区别仅在于：权利要求3中电阻R5并接在MOSFET管的栅极与源极之间，而证据1中电阻R5与场效应晶体管的栅极串接，电阻R4并接在电阻R5与场效应晶体管的源极之间。在实际应用中，本领域的普通技术人员可以根据电路的需要，如提供分流、分压或调整电路参数等，对电阻的连接位置做调整，将电阻R5直接并接在MOSFET管的栅极与源极之间，这是本领域的普通技术人员很容易想到的，并且，没有给权利要求3的技术方案带来实质性特点和进步，因此，鉴于其引用的权利要求1和2不具备创造性，权利要求3也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求4的附加技术特征是“所述的整流电路还包括稳压管D3，所述的稳压管D3并接在MOSFET管Q2的栅极与源极之间”，证据1公开的继电器的整流电路中包括二极管V4（相当于权利要求4的MOSFET管Q2），并接在场效应晶体管的栅极与源极之间（参见证据1图1），可见，证据1公开了权利要求4的附加技术特征，鉴于其引用的权利要求3不具备创造性，权利要求4也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
综上所述，本专利的权利要求1-4不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
在此基础上，本案合议组依法作出如下决定。
三．决定
宣告200420019474.2号实用新型专利权全部无效。
当事人对本决定不服的，可以根据专利法第46条第2款的规定，自收到本决定之日起三个月内向北京第一中级人民法院起诉。根据该款的规定，一方当事人起诉后，另一方当事人应当作为第三人参加讼诉。
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