发明创造名称：多晶硅氢还原炉
外观设计名称：
决定号：11682
决定日：2008-06-13
委内编号：
优先权日：
申请（专利）号：200420060144.8
申请日：2004-07-08
复审请求人：
无效请求人：李培茂
授权公告日：2005-07-06
审定公告日：
专利权人：成都蜀菱贸易发展有限公司
主审员：欧岚
合议组组长：刘敏飞
参审员：王博
国际分类号：F27D11/10，F27B5/16
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：如果一项实用新型权利要求所保护的技术方案与一份作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别，但请求人提供的该份对比文件或公知常识给出了将该区别应用到最接近的现有技术中得到该权利要求所保护的技术方案的技术启示，则该权利要求对本领域技术人员来说是显而易见的，不具有实质性特点。
全文：
一、案由
本无效宣告请求涉及中华人民共和国国家知识产权局于2005年7月6日授权公告的、名称为“多晶硅氢还原炉”的实用新型专利权（下称本专利），其专利号是200420060144.8，申请日是2004年7月8日，专利权人是成都蜀菱贸易发展有限公司。本专利授权公告时的权利要求书如下：
“1、一种多晶硅氢还原炉，包括带有冷却水腔的封头和炉体，底板，底板下的进气管和排气管，底板上的电极，其特征在于，所述电极为12对、即24个电极，且在底板(9)上沿两个圆周均布设置；所述进气管(7)主要由一个水平环管和9个喷嘴连通构成，其中8个喷嘴位于两圈电极之间、且沿同一圆周均布设置在底板(9)上，一个喷嘴设置在底板中心位置。
2、根据权利要求1所述的多晶硅氢还原炉，其特征在于，所述8对电极设置在外圆周上，其余4对电极设置在内圆周上。
3、根据权利要求2所述的多晶硅氢还原炉，其特征在于，所述电极中，正、负电极在底板上逐一间隔设置。
4、根据权利要求3所述的多晶硅氢还原炉，其特征在于，所述底板(9)是水冷式结构，其上设置冷却水进口和出口。
5、根据权利要求4所述的多晶硅氢还原炉，其特征在于，所述炉体(13)上设置有双层玻璃结构的视窗(14)。
6、根据权利要求5所述的多晶硅氢还原炉，其特征在于，所述封头(3)顶部设置有连接法兰(1)。”
针对本专利权，李培茂（下称请求人）于2007年10月18日向专利复审委员会提出无效宣告请求，认为本专利的权利要求1－6不符合专利法第22条第3款、专利法实施细则第20条第1款的规定，请求人同时提交了如下附件：
附件1：公开日为2001年10月23日的日本专利文献JP2001-294416A及其中文译文，共10页；
附件2：公开日为1986年12月11日的日本专利文献JP昭61-281009A及其中文译文，共8页；
附件3：本专利的专利说明书。
请求人认为：本专利权利要求1相对于附件1和公知常识的结合或附件1、2和公知常识的结合不具备创造性；附件1的说明书附图已给出权利要求2的附加技术特征的技术启示，而且其也是本领域的公知常识，权利要求3的附加技术特征是本领域技术人员不需要经过创造性思维就很容易想到的，权利要求4－6的附加技术特征属于本领域的常规技术手段，故在引用在先的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求2－6也不具备创造性。
经形式审查合格，专利复审委员会依法受理了上述无效宣告请求，并于2007年10月19日向请求人和专利权人发出无效宣告请求受理通知书，同时将专利权无效宣告请求书及其附件清单中所列附件的副本转送给专利权人，并要求专利权人在指定的期限内陈述意见。
专利权人逾期未答复。
专利复审委员会依法成立合议组，对上述无效宣告请求进行审理。
本案合议组于2008年1月22日向双方发出无效宣告请求口头审理通知书，定于2008年3月25日在专利复审委员会举行口头审理。
口头审理如期举行，请求人参加了口头审理，专利权人未出席口头审理。
在口头审理中，请求人明确无效的理由、范围和证据是：本专利的权利要求1－6不符合专利法第22条第3款的规定，放弃本专利不符合专利法实施细则第20条第1款的理由，权利要求1相对于附件1加公知常识或者附件1和附件2的结合或者附件1加附件2加公知技术的结合不具有创造性，权利要求2的附加技术特征由附件1公开的内容可容易地想到，权利要求3的附加技术特征是公知技术，权利要求4的附加技术特征在附件1中公开了或是公知技术，权利要求5、6的附加技术特征是公知技术。请求人对本专利不具备创造性充分发表了意见。
至此，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、关于证据和现有技术
请求人提交的附件1和2均为日本专利文献，专利权人未在指定期限内对附件1和2的真实性发表意见，合议组经审查认为附件1和2可以作为本案证据使用。同时由于附件1和2均为公开出版物，其公开日期均在本专利的申请日之前，因此可以作为本专利的现有技术使用。由于专利权人也未在指定期限内对请求人提交的附件1和2的中文译文的准确性发表意见，因此附件1和2公开的内容以其中文译文为准。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指同申请日以前已有的技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型有实质性特点和进步。
如果一项实用新型权利要求所保护的技术方案与一份作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别，但请求人提供的该份对比文件或公知常识给出了将该区别应用到最接近的现有技术中得到该权利要求所保护的技术方案的技术启示，则该权利要求对本领域技术人员来说是显而易见的，不具有实质性特点。
本专利权利要求1要求保护一种多晶硅氢还原炉。附件1公开了一种多晶硅的制造装置，具体公开了以下特征（参见附件1的中文译文第3页左栏倒数第2段的第1－13行和图1、3）：多晶硅反应炉包括炉台11、真空钟罩12、硅芯棒13、电极14、原料气体引入口15、排气口16等部分，为防止炉台11和真空钟罩12产生热损伤，设置了水冷套等冷却装置。在附件1的图1中给出了2对电极的实施例，附件1的图3中给出了17对电极的实施例，且在炉台11上沿三个圆周均布设置。
合议组经审查认为，附件1的真空钟罩12相当于本专利的封头和炉体，附件1的炉台11相当于本专利的底板，附件1真空钟罩上设的水冷套冷却装置相当于本专利的封头和炉体带有的冷却水腔，附件1的原料进气口15和排气口16相当于本专利底板下的进气管和排气管。由上述可知，本专利权利要求1与附件1相比区别在于：1）权利要求1中的电极为12对、即24个电极，且在底板(9)上沿两个圆周均布设置；2）权利要求1的进气管(7)主要由一个水平环管和9个喷嘴连通构成，其中8个喷嘴位于两圈电极之间、且沿同一圆周均布设置在底板(9)上，一个喷嘴设置在底板中心位置。关于区别1），合议组认为，由于附件1的图1中公开了2对电极，图3中公开了17对电极在炉台11上沿三个圆周均布设置，一对电极之间为硅芯棒13，电极用于给硅芯棒通电，而且附件1的中文译文第3页左栏倒数第2段中描述了“硅芯棒的排列和个数可根据炉的大小进行相应的设置”，因此本领域的技术人员由附件1公开的上述内容很容易想到根据炉的大小来设置电极的对数并进行沿圆周均匀布设；关于区别2），合议组认为，进气喷嘴均布设置是为了保证进气均匀以及进气的压力一致，从而保证多晶硅的生长均匀性，这是本领域的公知技术，而且附件1的中文译文第3页左栏倒数第2段中描述的“原料气体引入口和排气口的排列和个数可根据炉的大小进行相应的设置”给出了技术启示，因此本领域的技术人员由本领域的公知技术和附件1公开的上述内容很容易想到根据炉的大小来设置进气管喷嘴个数以及均匀布设，从而得到区别特征2。综上所述，附件1和本领域的公知常识给出了将上述区别应用到附件1中从而获得权利要求1的技术方案的技术启示。因此权利要求1对本领域技术人员来说相对于附件1和公知常识的结合是显而易见的，不具有实质性特点，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求2的附加技术特征进一步限定了电极的设置方式。合议组认为，附件1的图3中公开了17对电极在炉台11上沿三个圆周均布设置，其中从外向内圆周分别为8对、6对、3对，因此本领域的技术人员由附件1公开的上述内容很容易想到根据炉的大小来设置电极的对数并调整电极的分布，故在其引用的权利要求1不具备创造性的前提下，权利要求2也不具备创造性。
权利要求3的附加技术特征进一步限定了电极的正、负电极在底板上逐一间隔设置。合议组认为，为了保持电场均衡、使硅棒生长均匀，因此将正、负电极间隔设置，这是本领域技术人员经常采用的技术手段，不需要经过创造性劳动就很容易想到。故在其引用的权利要求2不具备创造性的前提下，权利要求3也不具备创造性。
权利要求4的附加技术特征为底板是水冷式结构，其上设置冷却水进口和出口。合议组认为，附件1公开了为防止炉台11和真空钟罩12产生热损伤、设置了水冷套等冷却装置，该装置必然包括冷却水进口和出口，因此附件1公开了权利要求4的附件技术特征，而且在还原炉底板上设水冷式结构也属于本领域的公知常识。故在其引用的权利要求3不具备创造性的前提下，权利要求4也不具备创造性。
权利要求5和权利要求6的附加技术特征分别为在炉体上设有双层玻璃结构的视窗和在封头顶部设有连接法兰。合议组认为，在还原炉上通常应设有视窗用于观察，双层玻璃结构和连接法兰也是本领域现有的部件，本领域技术人员在还原炉上设置双层玻璃结构的视窗和连接法兰也是很容易想到的。故在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求5和6也不具备创造性。
鉴于上述已经得出本专利权利要求1－6不符合专利法第22条第3款的规定，本决定对请求人提出的关于创造性的其他证据组合方式不作评述。
根据上述的事实和理由，本案合议组依法做出以下决定。
三、决定
宣告第200420060144.8号实用新型专利权全部无效。
当事人对本决定不服的，可以根据专利法第46条第2款的规定，自收到本决定之日起三个月内向北京市第一中级人民法院起诉。根据该款的规定，一方当事人起诉后，另一方当事人应当作为第三人参加诉讼。
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