发明创造名称：电子电路
外观设计名称：
决定号：13407
决定日：2009-05-18
委内编号：
优先权日：
申请（专利）号：03104197.3
申请日：1993-12-09
复审请求人：
无效请求人：郑毅
授权公告日：2006-04-05
审定公告日：
专利权人：株式会社半导体能源研究所
主审员：关刚
合议组组长：王琦琳
参审员：刘亚斌
国际分类号：G02F1/136，G02F1/1343，H01L21/3205，C23C14/34
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款，专利法实施细则第68条
决定要点：在无效宣告程序中，如果专利权人删除了请求人提出无效宣告请求时所针对的权利要求，则视为专利权人承认请求人对该权利要求的无效宣告请求，从而免去请求人对宣告该权利要求无效这一主张的举证责任。如果专利权人以合并方式修改得到一项权利要求，请求人明确表示不再针对该项权利要求增加无效宣告理由，专利复审委员会不再对该修改得到的权利要求进行审查。
全文：
一、案由
本无效宣告请求案涉及国家知识产权局于2006年4月5日授权公告的、名称为“电子电路”的03104197.3号发明专利（下称本专利），其申请日为1993年12月9日，优先权日为1992年12月9日和1993年1月18日，专利权人为株式会社半导体能源研究所。该专利授权公告的权利要求书如下：
“1. 一种有源矩阵显示器件，它包括：
在基片上的一薄膜晶体管和一栅极，在它们之间插入一栅绝缘膜，而所述薄膜晶体管由半导体层构成；和
一个由导电氧化物膜构成的象素电极，它通过一个具有层状结构的电极电连接到半导体层，该具有层状结构的电极包括：与半导体层接触的第一导电层，在第一导电层上形成的第二导电层，和在第二导电层上形成并与所述象素电极接触的第三导电层，
其中，第一导电层包括钛，第二导电层包括铝，而第三导电层包括钛。
2. 按照权利要求1所述的有源矩阵显示器件，其特征在于，所述半导体层包括结晶硅。
3. 按照权利要求1所述的有源矩阵显示器件，其特征在于，所述第一导电层包括氮化钛。
4. 按照权利要求1所述的有源矩阵显示器件，其特征在于，所述第二导电层包括含1％硅的铝。
5. 按照权利要求1所述的有源矩阵显示器件，其特征在于，所述第三导电层包括氮化钛。
6. 按照权利要求1所述的有源矩阵显示器件，其特征在于，所述栅极由选自以下组别中的至少一种构成，该组别包括：铝、硅、钛、钽、钨和钼。
7. 按照权利要求1所述的有源矩阵显示器件，其特征在于，所述栅极在所述半导体层上形成。
8. 按照权利要求1所述的有源矩阵显示器件，其特征在于，所述有源矩阵显示器件是一种有源矩阵型液晶显示器件。
9．按照权利要求1所述的有源矩阵显示器件，其特征在于，所述象素电极由铟锡氧化物构成。
10．按照权利要求1所述的有源矩阵显示器件，其特征在于，所述半导体层的厚度小于1500?。
11．按照权利要求1所述的有源矩阵显示器件，其特征在于，所述第二导电层的厚度等于或小于5000?。”
针对上述专利权，郑毅 (下称请求人)于2008年11月27日向专利复审委员会提出无效宣告请求，理由是本专利权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性，并提交了如下证据:
附件1：公开号为特开平4-253342 A的日本专利文献，公开日为1992年9月9日；
附件2：附件1的中文译文；
附件3: 公开号为US5153754 A的美国专利文献，公开日为1992年10月6日；
附件4：附件3的中文译文；
附件5：公开号为平1-122168A的日本专利文献，公开日为1989年5月15日；
附件6：附件5的中文译文；
请求人认为，本专利权利要求1的全部技术特征都已经在附件1、3和5中公开，且附件1、3和5均是涉及半导体技术的文献，由附件1、3和5中公开的内容可以容易地获得本专利权利要求1的技术方案，因此本专利权利要求1相对于附件1、3和5不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
经形式审查合格，专利复审委员会依法受理了上述无效宣告请求，于2009年1月22日向双方当事人发出无效宣告请求受理通知书，将专利权无效宣告请求书及其附件清单中所列附件的副本转送给专利权人，要求其在指定的期限内答复。
针对上述无效宣告请求，专利权人于2009年3月3日提交了意见陈述书及权利要求书的全文修改替换页。专利权人删除了原权利要求1（本决定中所称“原权利要求”是指本专利授权公告时的权利要求），并将原权利要求2、7和10合并形成新的权利要求1，并对修改后的权利要求进行重新编号。修改后的权利要求书如下:
“1. 一种有源矩阵显示器件，它包括：
在基片上的一薄膜晶体管和一栅极，在它们之间插入一栅绝缘膜，而所述薄膜晶体管由半导体层构成；和
一个由导电氧化物膜构成的象素电极，它通过一个具有层状结构的电极电连接到半导体层，该具有层状结构的电极包括：与半导体层接触的第一导电层，在第一导电层上形成的第二导电层，和在第二导电层上形成并与所述象素电极接触的第三导电层，
其中，第一导电层包括钛，第二导电层包括铝，而第三导电层包括钛；
所述半导体层包括结晶硅；
所述栅极在所述半导体层上形成；
所述半导体层的厚度小于1500?。
2. 按照权利要求1所述的有源矩阵显示器件，其特征在于，所述第一导电层包括氮化钛。
3. 按照权利要求1所述的有源矩阵显示器件，其特征在于，所述第二导电层包括含1％硅的铝。
4. 按照权利要求1所述的有源矩阵显示器件，其特征在于，所述第三导电层包括氮化钛。
5. 按照权利要求1所述的有源矩阵显示器件，其特征在于，所述栅极由选自以下组别中的至少一种构成，该组别包括：铝、硅、钛、钽、钨和钼。
6. 按照权利要求1所述的有源矩阵显示器件，其特征在于，所述有源矩阵显示器件是一种有源矩阵型液晶显示器件。
7．按照权利要求1所述的有源矩阵显示器件，其特征在于，所述象素电极由铟锡氧化物构成。
8．按照权利要求1所述的有源矩阵显示器件，其特征在于，所述第二导电层的厚度等于或小于5000?。”
针对上述无效宣告请求，专利复审委员会依法成立合议组对本案进行审理。
本案合议组于2009年3月27日向双方当事人发出口头审理通知书，定于2009年5月19日对本案进行口头审理。随口头审理通知书，合议组将专利权人于2009年3月3日提交的意见陈述书及权利要求书的全文修改替换页转送给请求人。
专利复审委员会于2009年4月24日收到了请求人提交的意见陈述书，请求人明确表示：1）请求人所提出的无效宣告请求的范围只是本专利权利要求1，在专利权人修改了权利要求后，请求人的全部无效宣告请求理由已经得到了承认；2）请求人没有其他的无效宣告请求理由；3）请求本案合议组在专利权人修改的权利要求的基础上作出审查决定；4）不再参加口头审理。
专利复审委员会于2009年5月12日收到专利权人提交的口头审理通知书回执，专利权人明确表示不参加口头审理。
至此，合议组认为本案的事实清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查基础
专利法实施细则第68条第1款规定，在无效宣告请求的审查过程中，发明或者实用新型专利的专利权人可以修改其权利要求书，但是不得扩大原专利的保护范围。
审查指南第四部分第三章4.6节规定，发明或者实用新型专利文件的修改仅限于权利要求书，其原则是：
不得改变原权利要求的主题名称。
与授权的权利要求相比，不得扩大原专利的保护范围。
不得超出原说明书和权利要求书记载的范围。
一般不得增加未包含在授权的权利要求书中的技术特征。
在满足上述修改原则的前提下，修改权利要求书的具体方式一般限于权利要求的删除、合并和技术方案的删除。
在专利复审委员会作出审查决定之前，仅在下列三种情形的答复期限内，专利权人可以以合并的方式修改权利要求书：
针对无效宣告请求书。
针对请求人增加的无效宣告理由或者补充的证据。
针对专利复审委员会引入的请求人未提及的无效宣告理由或者证据。
就本案而言，在无效宣告程序中，专利权人针对专利权无效宣告请求书在指定的期限内对权利要求书进行了修改。经审查，合议组认为，专利权人删除了原权利要求1，再合并原权利要求2、7和10形成新的权利要求1，符合上述专利法实施细则第68条第1款和审查指南第四部分第三章4.6节的规定，因此这种修改是允许的。
因此，本决定是以专利权人于2009年3月3日提交的权利要求书作为审查基础作出的。
关于请求人的无效宣告请求理由
首先，针对专利权人以合并方式修改的权利要求书，请求人表示不增加其它无效宣告请求理由。
其次，根据《审查指南》第四部分第三章第2.2节的相关规定，专利权人针对请求人提出的无效宣告请求主动缩小专利权保护范围且相应修改已被专利复审委员会接受的，视为专利权人承认大于该保护范围的权利要求自始不符合专利法及实施细则的有关规定，并承认请求人对该权利要求的无效宣告请求，从而免去请求人对宣告该权利要求无效这一主张的举证责任。
因此，由于请求人在专利权无效宣告请求书中所提出的无效宣告请求的范围仅仅是针对本专利的权利要求1，专利权人对权利要求书进行了修改，删除了权利要求1，即请求人的无效宣告请求已经得以承认。
基于以上事实和理由，本案合议组作出如下审查决定。
三、决定
宣告本专利部分无效，在专利权人于2009年3月3日提交的权利要求第1-8项的基础上，维持03104197.3号发明专利权继续有效。
当事人对本决定不服的，可以根据专利法第46条第2款的规定，自收到本决定之日起三个月内向北京市第一中级人民法院起诉。根据该款的规定，一方当事人起诉后，另一方当事人应当作为第三人参加诉讼。
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