发明创造名称：腐蚀剂和具有用腐蚀剂蚀刻之铜线的阵列式基片
外观设计名称：
决定号：16147
决定日：2011-02-24
委内编号：4W100521
优先权日：
申请（专利）号：01144495.9
申请日：2001-12-19
复审请求人：
无效请求人：刘智刚
授权公告日：2006-05-24
审定公告日：
专利权人：乐金显示有限公司
主审员：
合议组组长：王冬
参审员：吕慧敏
国际分类号：C23F1/16 (2006.01)
外观设计分类号：
法律依据：原专利法实施细则第68条第1款规定
决定要点：在无效程序中，如果专利权人对权利要求书的修改符合专利法实施细则和审查指南的有关规定，且请求人所提出的无效理由并不涉及修改后的权利要求书，则应当在该修改之后的权利要求书的基础之上作出维持专利权有效的决定。
全文：
一、案由
本无效宣告请求涉及中华人民共和国国家知识产权局于2006年5月24日授权公告的、名称为“腐蚀剂和具有用腐蚀剂蚀刻之铜线的阵列式基片”的发明专利权（下称本专利），其专利号是01144495.9，申请日是2001年12月19日，优先权日是2000年12月20日，专利权人是LG．菲利浦LCD株式会社，后变更为乐金显示有限公司。本专利授权公告的权利要求书如下：
“1．一种腐蚀剂，包括：
过氧化氢；
过氧化氢稳定剂；和
包含有机酸、无机酸以及中性盐中至少一种物质的混合溶液。
2．如权利要求1所述的腐蚀剂，其中腐蚀剂能腐蚀包含铜层和钼层的双层金属层。
3．如权利要求1所述的腐蚀剂，其中腐蚀剂能腐蚀包含铜合金层和钼层的双层金属层。
4．如权利要求1所述的腐蚀剂，其中有机酸包括乙酸。
5．如权利要求1所述的腐蚀剂，其中从包括硫酸、硝酸、盐酸和磷酸的一组物质中选择无机酸。
6．如权利要求1所述的腐蚀剂，其中从包括氯化钾、氯化钠、硫酸氢钾、以及偏高碘酸钾的一组物质中选择中性盐。
7．制作薄膜晶体管液晶显示装置中使用的阵列式基片的方法，包括：
在基片上形成第一金属层；
在第一金属层上进行构图以形成栅极线和从栅极线上延出的栅极；
在基片上形成栅极绝缘层以覆盖已有构图的第一金属层；
在栅极绝缘层和栅极的上方形成活性层；
在活性层上形成欧姆接触层；
在栅极绝缘层上形成第二金属层以覆盖欧姆接触层和活性层；
在第二金属层上形成第三金属层；
用包含过氧化氢、过氧化氢稳定剂，和有机酸、无机酸以及中性盐中至少一种的腐蚀剂在第二金属层和第三金属层上同时进行构图以形成双层数据线、双层源极和双层漏极；和
形成与双层漏极接触的象素电极。
8．如权利要求7所述的方法，其中第一金属由铜构成。
9．如权利要求7所述的方法，其中第二金属由钼构成。
10．如权利要求7所述的方法，其中第三金属由铜构成。
11．如权利要求7所述的方法，其中第三金属由铜合金构成。
12．如权利要求7所述的方法，其中双层数据线、双层源极和双层漏极由铜层和钼层构成。
13．如权利要求7所述的方法，其中双层数据线、双层源极和双层漏极由铜合金层和钼层构成。
14．如权利要求7所述的方法，其中有机酸包括乙酸。
15．如权利要求7所述的方法，其中从包括硫酸、硝酸、盐酸和磷酸的一组物质中选择无机酸。
16．如权利要求7所述的方法，其中从包括氯化钾、氯化钠、硫酸氢钾、以及偏高碘酸钾的一组物质中选择中性盐。”
针对本专利权，刘智刚（下称请求人）于2010年9月25日向专利复审委员会提出无效宣告请求，认为本专利不符合专利法实施细则第20条第2款、专利法第26条第3、4款、以及专利法第22条第2、3款的规定；其同时提交了如下证据：
证据1：公开号为昭61-591的日本公开特许公报及其中文译文，公开日为1986年1月6日，共8页；
证据2：公开号为昭54-122696的日本公开特许公报及其中文译文，公开日为1979年9月22日，共10页；
证据3：公开号为昭58-197277的日本公开特许公报及其中文译文，公开日为1983年11月16日，共14页；
证据4：公开号为昭63-26385的日本公开特许公报及其中文译文，公开日为1988年2月3日，共11页；
证据5：公开号为特开平11-251598的日本公开特许公报及其中文译文，公开日为1999年9月17日，共36页；
证据6：公开号为特开2000-208773的日本公开特许公报及其中文译文，公开日为2000年7月28日，共31页；
证据7：公开号为昭55-138078的日本公开特许公报及其中文译文，公开日为1980年10月28日，共5页；
证据8：《化学词典》，大木道则等编集、东京化学同人株式会社，1994年10月1日第1版，封面页、书名页、版权页、第854页、第1673页复印件和相关中文译文，以及国家图书馆科技查新中心为此出具的文件复制证明复印件，共12页；
证据9：本专利申请审批案卷复制件，共40页；
证据10：《无机精细化学品手册》，天津化工研究设计院编，乐志强、薄胜民、王光建主编，化学工业出版社，2001年1月第1版，封面页、书名页、版权页、目录页第9页、正文第902-903、909-910页复印件，以及国家图书馆科技查新中心为此出具的文件复制证明复印件，共9页；
证据11：《化工辞典》，王箴主编，化学工业出版社，2000年8月第4版，封面页、书名页、版权页、目录页、索引第11页、正文第345-346页复印件，以及国家图书馆科技查新中心为此出具的文件复制证明复印件，共8页；
证据12：请求人声称本专利的日本同族专利申请审批案卷复印件及相关中文译文，共56页；
证据13：本专利授权公告文本，共17页。
经形式审查合格，专利复审委员会依法受理了上述无效宣告请求，于2010年10月20日向请求人和专利权人发出无效宣告请求受理通知书，同时将专利权无效宣告请求书及其附件清单中所列附件的副本转送给专利权人，并要求专利权人在指定的期限内陈述意见。
专利复审委员会本案合议组于2010年11月17日向请求人和专利权人发出无效宣告请求口头审理通知书，定于2011年1月7日在专利复审委员会举行口头审理。
针对专利复审委员会发出的无效宣告请求受理通知书，专利权人于2010年12月6日提交了权利要求书的修改文本；认为请求人提供的相关证据中文译文不准确，同时提交了上述证据1-8的修正中文译文；提交了上述证据11所涉及《化工辞典》的正文第1051页复印件；认为修改后的权利要求符合专利法及实施细则的相关规定，应予维持有效。其中，修改后的权利要求书为：
“1．一种腐蚀剂，包括：
过氧化氢；
过氧化氢稳定剂；和
包含中性盐的混合溶液。
2．一种腐蚀剂，包括：
过氧化氢；
过氧化氢稳定剂；和
包含中性盐的混合溶液，
其中腐蚀剂能腐蚀包含铜层和钼层的双层金属层。
3．一种腐蚀剂，包括：
过氧化氢；
过氧化氢稳定剂；和
包含中性盐的混合溶液，
其中腐蚀剂能腐蚀包含铜合金层和钼层的双层金属层。
4．一种腐蚀剂，包括：
过氧化氢；
过氧化氢稳定剂；和
包含中性盐的混合溶液，
其中从包括氯化钾、氯化钠、硫酸氢钾以及偏高碘酸钾的一组物质中选择中性盐。
5．一种腐蚀剂，包括：
过氧化氢；
过氧化氢稳定剂；和
包含中性盐的混合溶液，
其中腐蚀剂能腐蚀包含铜层和钼层的双层金属层，并且
其中从包括氯化钾、氯化钠、硫酸氢钾以及偏高碘酸钾的一组物质中选择中性盐。
6．一种腐蚀剂，包括：
过氧化氢；
过氧化氢稳定剂；和
包含中性盐的混合溶液，
其中腐蚀剂能腐蚀包含铜合金层和钼层的双层金属层，并且
其中从包括氯化钾、氯化钠、硫酸氢钾以及偏高碘酸钾的一组物质中选择中性盐。
7．制作薄膜晶体管液晶显示装置中使用的阵列式基片的方法，包括：
在基片上形成第一金属层；
在第一金属层上进行构图以形成栅极线和从栅极线上延出的栅极；
在基片上形成栅极绝缘层以覆盖己有构图的第一金属层；
在栅极绝缘层和栅极的上方形成活性层；
在活性层上形成欧姆接触层；
在栅极绝缘层上形成第二金属层以覆盖欧姆接触层和活性层，其中第二金属由钼构成；
在第二金属层上形成第三金属层，其中第三金属由铜构成；
用包含过氧化氢、过氧化氢稳定剂、和中性盐的腐蚀剂在第二金属层和第三金属层上同时进行构图以形成双层数据线、双层源极和双层漏极；和
形成与双层漏极接触的象素电极。
8．制作薄膜晶体管液晶显示装置中使用的阵列式基片的方法，包括：
在基片上形成第一金属层；
在第一金属层上进行构图以形成栅极线和从栅极线上延出的栅极；
在基片上形成栅极绝缘层以覆盖已有构图的第一金属层；
在栅极绝缘层和栅极的上方形成活性层；
在活性层上形成欧姆接触层；
在栅极绝缘层上形成第二金属层以覆盖欧姆接触层和活性层，其中第二金属由钼构成；
在第二金属层上形成第三金属层，其中第三金属由铜合金构成；
用包含过氧化氢、过氧化氢稳定剂、和中性盐的腐蚀剂在第二金属层和第三金属层上同时进行构图以形成双层数据线、双层源极和双层漏极；和
形成与双层漏极接触的象素电极。
9．制作薄膜晶体管液晶显示装置中使用的阵列式基片的方法，包括：
在基片上形成第一金属层，其中第一金属由铜构成；
在第一金属层上进行构图以形成栅极线和从栅极线上延出的栅极；
在基片上形成栅极绝缘层以覆盖已有构图的第一金属层；
在栅极绝缘层和栅极的上方形成活性层；
在活性层上形成欧姆接触层；
在栅极绝缘层上形成第二金属层以覆盖欧姆接触层和活性层，其中第二金属由钼构成；
在第二金属层上形成第三金属层，其中第三金属由铜构成；
用包含过氧化氢、过氧化氢稳定剂、和中性盐的腐蚀剂在第二金属层和第三金属层上同时进行构图以形成双层数据线、双层源极和双层漏极；和
形成与双层漏极接触的象素电极。
10．制作薄膜晶体管液晶显示装置中使用的阵列式基片的方法，包括：
在基片上形成第一金属层，其中第一金属由铜构成；
在第一金属层上进行构图以形成栅极线和从栅极线上延出的栅极；
在基片上形成栅极绝缘层以覆盖己有构图的第一金属层；
在栅极绝缘层和栅极的上方形成活性层；
在活性层上形成欧姆接触层；
在栅极绝缘层上形成第二金属层以覆盖欧姆接触层和活性层，其中第二金属由钼构成；
在第二金属层上形成第三金属层，其中第三金属由铜合金构成；
用包含过氧化氢、过氧化氢稳定剂、和中性盐的腐蚀剂在第二金属层和第三金属层上同时进行构图以形成双层数据线、双层源极和双层漏极；和
形成与双层漏极接触的象素电极。
11．制作薄膜晶体管液晶显示装置中使用的阵列式基片的方法，包括：
在基片上形成第一金属层；
在第一金属层上进行构图以形成栅极线和从栅极线上延出的栅极；
在基片上形成栅极绝缘层以覆盖已有构图的第一金属层；
在栅极绝缘层和栅极的上方形成活性层；
在活性层上形成欧姆接触层；
在栅极绝缘层上形成第二金属层以覆盖欧姆接触层和活性层，其中第二金属由钼构成；
在第二金属层上形成第三金属层，其中第三金属由铜构成；
用包含过氧化氢、过氧化氢稳定剂、和中性盐的腐蚀剂在第二金属层和第三金属层上同时进行构图以形成双层数据线、双层源极和双层漏极；和
形成与双层漏极接触的象素电极，
其中双层数据线、双层源极和双层漏极由铜层和钼层构成。
12．制作薄膜晶体管液晶显示装置中使用的阵列式基片的方法，包括：
在基片上形成第一金属层；
在第一金属层上进行构图以形成栅极线和从栅极线上延出的栅极；
在基片上形成栅极绝缘层以覆盖己有构图的第一金属层；
在栅极绝缘层和栅极的上方形成活性层；
在活性层上形成欧姆接触层；
在栅极绝缘层上形成第二金属层以覆盖欧姆接触层和活性层，其中第二金属由钼构成；
在第二金属层上形成第三金属层，其中第三金属由铜合金构成；
用包含过氧化氢、过氧化氢稳定剂、和中性盐的腐蚀剂在第二金属层和第三金属层上同时进行构图以形成双层数据线、双层源极和双层漏极；和
形成与双层漏极接触的象素电极，
其中双层数据线、双层源极和双层漏极由铜合金层和钼层构成。
13．制作薄膜晶体管液晶显示装置中使用的阵列式基片的方法，包括：
在基片上形成第一金属层，其中第一金属由铜构成；
在第一金属层上进行构图以形成栅极线和从栅极线上延出的栅极；
在基片上形成栅极绝缘层以覆盖己有构图的第一金属层；
在栅极绝缘层和栅极的上方形成活性层；
在活性层上形成欧姆接触层；
在栅极绝缘层上形成第二金属层以覆盖欧姆接触层和活性层，其中第二金属由钼构成；
在第二金属层上形成第三金属层，其中第三金属由铜构成；
用包含过氧化氢、过氧化氢稳定剂、和中性盐的腐蚀剂在第二金属层和第三金属层上同时进行构图以形成双层数据线、双层源极和双层漏极；和
形成与双层漏极接触的象素电极，
其中双层数据线、双层源极和双层漏极由铜层和钼层构成。
14．制作薄膜晶体管液晶显示装置中使用的阵列式基片的方法，包括：
在基片上形成第一金属层，其中第一金属由铜构成；
在第一金属层上进行构图以形成栅极线和从栅极线上延出的栅极；
在基片上形成栅极绝缘层以覆盖已有构图的第一金属层；
在栅极绝缘层和栅极的上方形成活性层；
在活性层上形成欧姆接触层；
在栅极绝缘层上形成第二金属层以覆盖欧姆接触层和活性层，其中第二金属由钼构成；
在第二金属层上形成第三金属层，其中第三金属由铜合金构成；
用包含过氧化氢、过氧化氢稳定剂、和中性盐的腐蚀剂在第二金属层和第三金属层上同时进行构图以形成双层数据线、双层源极和双层漏极；和
形成与双层漏极接触的象素电极，
其中双层数据线、双层源极和双层漏极由铜合金层和钼层构成。
15．制作薄膜晶体管液晶显示装置中使用的阵列式基片的方法，包括：
在基片上形成第一金属层；
在第一金属层上进行构图以形成栅极线和从栅极线上延出的栅极；
在基片上形成栅极绝缘层以覆盖己有构图的第一金属层；
在栅极绝缘层和栅极的上方形成活性层；
在活性层上形成欧姆接触层；
在栅极绝缘层上形成第二金属层以覆盖欧姆接触层和活性层，其中第二金属由钼构成；
在第二金属层上形成第三金属层，其中第三金属由铜构成；
用包含过氧化氢、过氧化氢稳定剂、和中性盐的腐蚀剂在第二金属层和第三金属层上同时进行构图以形成双层数据线、双层源极和双层漏极；和
形成与双层漏极接触的象素电极，
其中从包括氯化钾、氯化钠、硫酸氢钾以及偏高碘酸钾的一组物质中选择中性盐。
16．制作薄膜晶体管液晶显示装置中使用的阵列式基片的方法，包括：
在基片上形成第一金属层；
在第一金属层上进行构图以形成栅极线和从栅极线上延出的栅极；
在基片上形成栅极绝缘层以覆盖己有构图的第一金属层；
在栅极绝缘层和栅极的上方形成活性层；
在活性层上形成欧姆接触层；
在栅极绝缘层上形成第二金属层以覆盖欧姆接触层和活性层，其中第二金属由钼构成；
在第二金属层上形成第三金属层，其中第三金属由铜合金构成；
用包含过氧化氢、过氧化氢稳定剂、和中性盐的腐蚀剂在第二金属层和第三金属层上同时进行构图以形成双层数据线、双层源极和双层漏极；和
形成与双层漏极接触的象素电极，
其中从包括氯化钾、氯化钠、硫酸氢钾以及偏高碘酸钾的一组物质中选择中性盐。
17．制作薄膜晶体管液晶显示装置中使用的阵列式基片的方法，包括：
在基片上形成第一金属层，其中第一金属由铜构成；
在第一金属层上进行构图以形成栅极线和从栅极线上延出的栅极；
在基片上形成栅极绝缘层以覆盖已有构图的第一金属层；
在栅极绝缘层和栅极的上方形成活性层；
在活性层上形成欧姆接触层；
在栅极绝缘层上形成第二金属层以覆盖欧姆接触层和活性层，其中第二金属由钼构成；
在第二金属层上形成第三金属层，其中第三金属由铜构成；
用包含过氧化氢、过氧化氢稳定剂、和中性盐的腐蚀剂在第二金属层和第三金属层上同时进行构图以形成双层数据线、双层源极和双层漏极；和
形成与双层漏极接触的象素电极，
其中从包括氯化钾、氯化钠、硫酸氢钾以及偏高碘酸钾的一组物质中选择中性盐。
18．制作薄膜晶体管液晶显示装置中使用的阵列式基片的方法，包括：
在基片上形成第一金属层，其中第一金属由铜构成；
在第一金属层上进行构图以形成栅极线和从栅极线上延出的栅极；
在基片上形成栅极绝缘层以覆盖已有构图的第一金属层；
在栅极绝缘层和栅极的上方形成活性层；
在活性层上形成欧姆接触层；
在栅极绝缘层上形成第二金属层以覆盖欧姆接触层和活性层，其中第二金属由钼构成；
在第二金属层上形成第三金属层，其中第三金属由铜合金构成；
用包含过氧化氢、过氧化氢稳定剂、和中性盐的腐蚀剂在第二金属层和第三金属层上同时进行构图以形成双层数据线、双层源极和双层漏极；和
形成与双层漏极接触的象素电极，
其中从包括氯化钾、氯化钠、硫酸氢钾以及偏高碘酸钾的一组物质中选择中性盐。
19．制作薄膜晶体管液晶显示装置中使用的阵列式基片的方法，包括：
在基片上形成第一金属层；
在第一金属层上进行构图以形成栅极线和从栅极线上延出的栅极；
在基片上形成栅极绝缘层以覆盖已有构图的第一金属层；
在栅极绝缘层和栅极的上方形成活性层；
在活性层上形成欧姆接触层；
在栅极绝缘层上形成第二金属层以覆盖欧姆接触层和活性层，其中第二金属由钼构成；
在第二金属层上形成第三金属层，其中第三金属由铜构成；
用包含过氧化氢、过氧化氢稳定剂、和中性盐的腐蚀剂在第二金属层和第三金属层上同时进行构图以形成双层数据线、双层源极和双层漏极；和
形成与双层漏极接触的象素电极，
其中从包括氯化钾、氯化钠、硫酸氢钾以及偏高碘酸钾的一组物质中选择中性盐，并且
其中双层数据线、双层源极和双层漏极由铜层和钼层构成。
20．制作薄膜晶体管液晶显示装置中使用的阵列式基片的方法，包括：
在基片上形成第一金属层；
在第一金属层上进行构图以形成栅极线和从栅极线上延出的栅极；
在基片上形成栅极绝缘层以覆盖已有构图的第一金属层；
在栅极绝缘层和栅极的上方形成活性层；
在活性层上形成欧姆接触层；
在栅极绝缘层上形成第二金属层以覆盖欧姆接触层和活性层，其中第二金属由钼构成；
在第二金属层上形成第三金属层，其中第三金属由铜合金构成；
用包含过氧化氢、过氧化氢稳定剂、和中性盐的腐蚀剂在第二金属层和第三金属层上同时进行构图以形成双层数据线、双层源极和双层漏极；和
形成与双层漏极接触的象素电极，
其中从包括氯化钾、氯化钠、硫酸氢钾以及偏高碘酸钾的一组物质中选择中性盐，并且
其中双层数据线、双层源极和双层漏极由铜合金层和钼层构成。
21．制作薄膜晶体管液晶显示装置中使用的阵列式基片的方法，包括：
在基片上形成第一金属层，其中第一金属由铜构成；
在第一金属层上进行构图以形成栅极线和从栅极线上延出的栅极；
在基片上形成栅极绝缘层以覆盖已有构图的第一金属层；
在栅极绝缘层和栅极的上方形成活性层；
在活性层上形成欧姆接触层；
在栅极绝缘层上形成第二金属层以覆盖欧姆接触层和活性层，其中第二金属由钼构成；
在第二金属层上形成第三金属层，其中第三金属由铜构成；
用包含过氧化氢、过氧化氢稳定剂、和中性盐的腐蚀剂在第二金属层和第三金属层上同时进行构图以形成双层数据线、双层源极和双层漏极；和
形成与双层漏极接触的象素电极，
其中从包括氯化钾、氯化钠、硫酸氢钾以及偏高碘酸钾的一组物质中选择中性盐，并且
其中双层数据线、双层源极和双层漏极由铜层和钼层构成。
22．制作薄膜晶体管液晶显示装置中使用的阵列式基片的方法，包括：
在基片上形成第一金属层，其中第一金属由铜构成；
在第一金属层上进行构图以形成栅极线和从栅极线上延出的栅极；
在基片上形成栅极绝缘层以覆盖已有构图的第一金属层；
在栅极绝缘层和栅极的上方形成活性层；
在活性层上形成欧姆接触层；
在栅极绝缘层上形成第二金属层以覆盖欧姆接触层和活性层，其中第二金属由钼构成；
在第二金属层上形成第三金属层，其中第三金属由铜合金构成；
用包含过氧化氢、过氧化氢稳定剂、和中性盐的腐蚀剂在第二金属层和第三金属层上同时进行构图以形成双层数据线、双层源极和双层漏极；和
形成与双层漏极接触的象素电极，
其中从包括氯化钾、氯化钠、硫酸氢钾以及偏高碘酸钾的一组物质中选择中性盐，并且
其中双层数据线、双层源极和双层漏极由铜合金层和钼层构成。”
2010年12月22日，本案合议组将专利权人于2010年12月6日提交的权利要求书修改文本、相关附件以及意见陈述书等转给请求人。
2011年1月7日，口头审理如期举行，双方当事人的委托代理人均参加了口头审理。在口头审理中，本案合议组向双方当事人阐释了根据国家知识产权局制定的《实施修改后的专利法的过渡办法》，本案应适用2001年专利法以及专利法实施细则（下称原专利法及原专利法实施细则）进行审查；并认为专利权人于2010年12月6日提交的权利要求书符合专利法、专利法实施细则以及审查指南的相关规定，本次口头审理的审查基础为此权利要求书。
请求人当庭提交了意见陈述书以及如下补充证据（编号续前）：
证据14：《中国中学教学百科全书 化学卷》，沈阳出版社，1990年12月第1版，封面及书脊、书名页、版权页、目录首页、目录第11-12页、正文第307页复印件；以及国家图书馆科技查新中心为此出具的文件复制证明复印件，共8页；
证据15：《中国成人教育百科全书 化学?化工》，林崇德等主编，南海出版公司，1994年8月第1版，封面页、书名页、版权页、目录首页、目录第1-3页、正文第87-88页复印件；以及国家图书馆科技查新中心为此出具的文件复制证明复印件，共10页；
证据16：《环境科学大辞典》，中国环境科学出版社出版，1991年3月第1版，封面书脊、书名页、版权页、目录首页、目录第44页、正文第509页复印件；以及国家图书馆科技查新中心为此出具的文件复制证明复印件，共6页。
请求人针对专利权人于2010年12月6日提交的权利要求书，认为权利要求1-22不符合原专利法第26条第3、4款以及原专利法实施细则第21条第2款的规定；权利要求4-6和15-22不符合原专利法实施细则第20条第1款的规定；涉案专利权利要求1-22不符合原专利法第22条第3款的规定。
专利权人当庭亦提交了意见陈述以及如下附件：
附件1：《化学基础论》，安托万-洛朗?拉瓦锡著、任定成译，武汉出版社，1993年9月第1版，封面页、书名、版权页、目录页、第95页复印件；以及国家图书馆科技查新中心为此出具的文件复制证明复印件，共8页。
附件2：专利权人声称用于证实本专利具有优异实验效果的实验数据报告复印件，共23页；并声称其于口头审理之前向专利复审委员会提交了上述附件的公证认证书。
专利权人认为本专利修改之后的权利要求书符合原专利法及实施细则的相关规定，并请求针对当庭提出的新无效宣告理由进行庭后答辩。2011年1月24日，本案合议组再次举行了口头审理。双方当事人的代理人均参加了口头审理。在口头审理中，请求人坚持认为专利权人于2010年12月6日提交的权利要求书中权利要求1-3和权利要求7-14不符合原专利法和实施细则的相关规定，应予无效，涉及上述权利要求的无效理由和证据使用情况同上次口头审理；放弃涉及权利要求4-6、15-22的无效理由。专利权人当庭请求以删除方式修改权利要求，具体为，在2010年12月6日提交的权利要求书基础上，删除权利要求1-3、7-14，保留权利要求4-6、15-22；坚持认为权利要求4-6、15-22符合原专利法和实施细则的的相关规定；并于庭后当日提交了权利要求书的修改替换页。修改后的权利要求书为，
“1．一种腐蚀剂，包括：
过氧化氢；
过氧化氢稳定剂；和
包含中性盐的混合溶液，
其中从包括氯化钾、氯化钠、硫酸氢钾以及偏高碘酸钾的一组物质中选择中性盐。
2．一种腐蚀剂，包括：
过氧化氢；
过氧化氢稳定剂；和
包含中性盐的混合溶液，
其中腐蚀剂能腐蚀包含铜层和钼层的双层金属层，并且
其中从包括氯化钾、氯化钠、硫酸氢钾以及偏高碘酸钾的一组物质中选择中性盐。
3．一种腐蚀剂，包括：
过氧化氢；
过氧化氢稳定剂；和
包含中性盐的混合溶液，
其中腐蚀剂能腐蚀包含铜合金层和钼层的双层金属层，并且
其中从包括氯化钾、氯化钠、硫酸氢钾以及偏高碘酸钾的一组物质中选择中性盐。
4．制作薄膜晶体管液晶显示装置中使用的阵列式基片的方法，包括：
在基片上形成第一金属层；
在第一金属层上进行构图以形成栅极线和从栅极线上延出的栅极；
在基片上形成栅极绝缘层以覆盖已有构图的第一金属层；
在栅极绝缘层和栅极的上方形成活性层；
在活性层上形成欧姆接触层；
在栅极绝缘层上形成第二金属层以覆盖欧姆接触层和活性层，其中第二金属由钼构成；
在第二金属层上形成第三金属层，其中第三金属由铜构成；
用包含过氧化氢、过氧化氢稳定剂、和中性盐的腐蚀剂在第二金属层和第三金属层上同时进行构图以形成双层数据线、双层源极和双层漏极；和
形成与双层漏极接触的象素电极，
其中从包括氯化钾、氯化钠、硫酸氢钾以及偏高碘酸钾的一组物质中选择中性盐。
5．制作薄膜晶体管液晶显示装置中使用的阵列式基片的方法，包括：
在基片上形成第一金属层；
在第一金属层上进行构图以形成栅极线和从栅极线上延出的栅极；
在基片上形成栅极绝缘层以覆盖已有构图的第一金属层；
在栅极绝缘层和栅极的上方形成活性层；
在活性层上形成欧姆接触层；
在栅极绝缘层上形成第二金属层以覆盖欧姆接触层和活性层，其中第二金属由钼构成；
在第二金属层上形成第三金属层，其中第三金属由铜合金构成；
用包含过氧化氢、过氧化氢稳定剂、和中性盐的腐蚀剂在第二金属层和第三金属层上同时进行构图以形成双层数据线、双层源极和双层漏极；和
形成与双层漏极接触的象素电极，
其中从包括氯化钾、氯化钠、硫酸氢钾以及偏高碘酸钾的一组物质中选择中性盐。
6．制作薄膜晶体管液晶显示装置中使用的阵列式基片的方法，包括：
在基片上形成第一金属层，其中第一金属由铜构成；
在第一金属层上进行构图以形成栅极线和从栅极线上延出的栅极；
在基片上形成栅极绝缘层以覆盖已有构图的第一金属层；
在栅极绝缘层和栅极的上方形成活性层；
在活性层上形成欧姆接触层；
在栅极绝缘层上形成第二金属层以覆盖欧姆接触层和活性层，其中第二金属由钼构成；
在第二金属层上形成第三金属层，其中第三金属由铜构成；
用包含过氧化氢、过氧化氢稳定剂、和中性盐的腐蚀剂在第二金属层和第三金属层上同时进行构图以形成双层数据线、双层源极和双层漏极；和
形成与双层漏极接触的象素电极，
其中从包括氯化钾、氯化钠、硫酸氢钾以及偏高碘酸钾的一组物质中选择中性盐。
7．制作薄膜晶体管液晶显示装置中使用的阵列式基片的方法，包括：
在基片上形成第一金属层，其中第一金属由铜构成；
在第一金属层上进行构图以形成栅极线和从栅极线上延出的栅极；
在基片上形成栅极绝缘层以覆盖已有构图的第一金属层；
在栅极绝缘层和栅极的上方形成活性层；
在活性层上形成欧姆接触层；
在栅极绝缘层上形成第二金属层以覆盖欧姆接触层和活性层，其中第二金属由钼构成；
在第二金属层上形成第三金属层，其中第三金属由铜合金构成；
用包含过氧化氢、过氧化氢稳定剂、和中性盐的腐蚀剂在第二金属层和第三金属层上同时进行构图以形成双层数据线、双层源极和双层漏极；和
形成与双层漏极接触的象素电极，
其中从包括氯化钾、氯化钠、硫酸氢钾以及偏高碘酸钾的一组物质中选择中性盐。
8．制作薄膜晶体管液晶显示装置中使用的阵列式基片的方法，包括：
在基片上形成第一金属层；
在第一金属层上进行构图以形成栅极线和从栅极线上延出的栅极；
在基片上形成栅极绝缘层以覆盖已有构图的第一金属层；
在栅极绝缘层和栅极的上方形成活性层；
在活性层上形成欧姆接触层；
在栅极绝缘层上形成第二金属层以覆盖欧姆接触层和活性层，其中第二金属由钼构成；
在第二金属层上形成第三金属层，其中第三金属由铜构成；
用包含过氧化氢、过氧化氢稳定剂、和中性盐的腐蚀剂在第二金属层和第三金属层上同时进行构图以形成双层数据线、双层源极和双层漏极；和
形成与双层漏极接触的象素电极，
其中从包括氯化钾、氯化钠、硫酸氢钾以及偏高碘酸钾的一组物质中选择中性盐，并且
其中双层数据线、双层源极和双层漏极由铜层和钼层构成。
9．制作薄膜晶体管液晶显示装置中使用的阵列式基片的方法，包括：
在基片上形成第一金属层；
在第一金属层上进行构图以形成栅极线和从栅极线上延出的栅极；
在基片上形成栅极绝缘层以覆盖已有构图的第一金属层；
在栅极绝缘层和栅极的上方形成活性层；
在活性层上形成欧姆接触层；
在栅极绝缘层上形成第二金属层以覆盖欧姆接触层和活性层，其中第二金属由钼构成；
在第二金属层上形成第三金属层，其中第三金属由铜合金构成；
用包含过氧化氢、过氧化氢稳定剂、和中性盐的腐蚀剂在第二金属层和第三金属层上同时进行构图以形成双层数据线、双层源极和双层漏极；和
形成与双层漏极接触的象素电极，
其中从包括氯化钾、氯化钠、硫酸氢钾以及偏高碘酸钾的一组物质中选择中性盐，并且
其中双层数据线、双层源极和双层漏极由铜合金层和钼层构成。
10．制作薄膜晶体管液晶显示装置中使用的阵列式基片的方法，包括：
在基片上形成第一金属层，其中第一金属由铜构成；
在第一金属层上进行构图以形成栅极线和从栅极线上延出的栅极；
在基片上形成栅极绝缘层以覆盖已有构图的第一金属层；
在栅极绝缘层和栅极的上方形成活性层；
在活性层上形成欧姆接触层；
在栅极绝缘层上形成第二金属层以覆盖欧姆接触层和活性层，其中第二金属由钼构成；
在第二金属层上形成第三金属层，其中第三金属由铜构成；
用包含过氧化氢、过氧化氢稳定剂、和中性盐的腐蚀剂在第二金属层和第三金属层上同时进行构图以形成双层数据线、双层源极和双层漏极；和
形成与双层漏极接触的象素电极，
其中从包括氯化钾、氯化钠、硫酸氢钾以及偏高碘酸钾的一组物质中选择中性盐，并且
其中双层数据线、双层源极和双层漏极由铜层和钼层构成。
11．制作薄膜晶体管液晶显示装置中使用的阵列式基片的方法，包括：
在基片上形成第一金属层，其中第一金属由铜构成；
在第一金属层上进行构图以形成栅极线和从栅极线上延出的栅极；
在基片上形成栅极绝缘层以覆盖已有构图的第一金属层；
在栅极绝缘层和栅极的上方形成活性层；
在活性层上形成欧姆接触层；
在栅极绝缘层上形成第二金属层以覆盖欧姆接触层和活性层，其中第二金属由钼构成；
在第二金属层上形成第三金属层，其中第三金属由铜合金构成；
用包含过氧化氢、过氧化氢稳定剂、和中性盐的腐蚀剂在第二金属层和第三金属层上同时进行构图以形成双层数据线、双层源极和双层漏极；和
形成与双层漏极接触的象素电极，
其中从包括氯化钾、氯化钠、硫酸氢钾以及偏高碘酸钾的一组物质中选择中性盐，并且
其中双层数据线、双层源极和双层漏极由铜合金层和钼层构成。”
至此，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、法律依据
根据国家知识产权局制定的《实施修改后的专利法的过渡办法》，本案应适用2001年专利法以及专利法实施细则进行审查。
2、审查基础
原专利法实施细则第68条第1款规定：在无效宣告请求的审查过程中，发明或者实用新型专利的专利权人可以修改其权利要求书，但是不得扩大原专利的保护范围。
《审查指南》第四部分第三章第4.6节在“无效宣告程序中专利文件的修改”中对修改原则、修改方式和修改方式的限制进行了规定。合议组经审查后认为，专利权人于2011年1月24日提交的权利要求书的修改文本符合《审查指南》的上述规定，且修改后的权利要求书符合原专利法第33条的规定，故本决定以此权利要求书为基础进行。
2、关于请求人的无效理由
在无效程序中，如果专利权人对权利要求书的修改符合专利法实施细则和审查指南的有关规定，且请求人所提出的无效理由并不涉及修改后的权利要求书，则应当在该修改之后的权利要求书的基础之上作出维持专利权有效的决定。
专利权人于2011年1月24日提交的权利要求书的修改文本中删除了请求人提出无效宣告请求所涉及的权利要求，即请求人提出无效宣告请求所针对的对象已不复存在；且请求人亦未对上述修改文本提出无效宣告请求，故合议组在该修改后权利要求书的基础上维持专利权有效。
根据上述的事实和理由，本案合议组依法做出以下决定。
三、决定
在专利权人2011年1月24日提交的权利要求书的修改文本的基础上维持01144495.9号发明专利权有效。当事人对本决定不服的，可以根据专利法第46条第2款的规定，自收到本决定之日起三个月内向北京市第一中级人民法院起诉。根据该款的规定，一方当事人起诉后，另一方当事人应当作为第三人参加诉讼。
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