发明创造名称：具有低矫顽磁力特性的偏磁元件的磁力式电子货品监视用标识器
外观设计名称：
决定号：18161
决定日：2011-12-26
委内编号：4W100275
优先权日：1996-08-28
申请（专利）号：97197519.1
申请日：1997-08-21
复审请求人：
无效请求人：宁波迅强电子科技有限公司
授权公告日：2003-12-10
审定公告日：
专利权人：传感电子有限责任公司
主审员：王荣
合议组组长：宋瑞
参审员：关刚
国际分类号：G08B13/181
外观设计分类号：
法律依据：专利法第26条第3、4款、第22条第3款、第33条及专利法实施细则第20条第1款
决定要点
：?如果一项权利要求限定的保护范围中包含了申请人推测得到的技术方案且效果难以确定，则应当认为该项权利要求的概括得不到说明书的支持，不符合专利法第26条第4款的规定。
全文：
本无效宣告请求涉及国家知识产权局于2003年12月10日授权公告的、名称为“具有低矫顽磁力特性的偏磁元件的磁力式电子货品监视用标识器”的97197519.1号发明专利（下称本专利），其申请日为1997年8月21日，优先权日为1996年8月28日，专利权人原为传感电子公司，后变更为传感电子有限责任公司。本专利授权公告时的权利要求书共包括47项权利要求，具体如下：
“1．一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，包括：
(a)一个非结晶型磁致伸缩元件；
(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，
其特征在于所述标识器有随退活化磁场变化的共振频率漂移特性，漂移梯度大于100Hz/Oe。
2．一种如权利要求1所述的标识器，其特征在于所述的标识器的随退活化磁场变化的共振频率漂移特性的梯度大于200Hz/Oe。
3．一种如权利要求2所述的标识器，其特征在于所述的标识器的随退活化磁场变化的共振频率漂移特性的梯度大于400Hz/Oe。
4．一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，包括：
(a)一个非结晶型磁致伸缩元件；
(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，
其特征在于所述的偏磁元件由具有小于55 Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成。
5．一种如权利要求4所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性，当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为4 Oe的AC磁场Hms中时，所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上。
6．一种如权利要求4所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件由具有小于40 Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成。
7．一种如权利要求6所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件由具有小于20 Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成。
8．一种如权利要求7所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性，当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为4 Oe的AC磁场Hms中时，所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上。
9．一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，包括：
(a)一个非结晶型磁致伸缩元件；
(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，
其特征在于所述偏磁元件由具有DC磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成，使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于350 Oe。
10．一种如权利要求9所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性，当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为4 Oe的AC磁场Hms中时，所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上。
11．一种如权利要求10所述的标识器，其特征在于所述的DC磁化特性使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于200 Oe。
12．一种如权利要求11所述的标识器，其特征在于所述的DC磁化特性使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于150 Oe。
13．一种如权利要求12所述的标识器，其特征在于所述的DC磁化特性使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于50 Oe。
14．一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，包括：
(a)一个非结晶型磁致伸缩元件；
(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，
其特征在于所述偏磁元件由具有AC退磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成，当将其峰值幅度小于150 Oe的AC退磁化磁场Hmd施加在处于完全磁化状态的偏磁元件上时，所述偏磁元件退磁化至不超过完全磁化水平的5％的磁平。
15．一种如权利要求14所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性，当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为4 Oe的AC磁场Hms中时，所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上。
16．一种如权利要求15所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性，当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为20 Oe的AC磁场Hms中时，所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上。
17．一种如权利要求15所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件的AC退磁化磁场特性使得将其峰值幅度小于100 Oe的AC退磁化磁场Hmd施加在处于完全磁化状态的偏磁元件上时，所述偏磁元件退磁化至不超过完全磁化水平的5％的磁平。
18．一种如权利要求17所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件的AC退磁化磁场特性使得所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为12 Oe的AC磁场Hmd中时，所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上。
19．一种如权利要求15所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件的AC退磁化磁场特性使得将其峰值幅度小于30 Oe的AC退磁化磁场Hmd施加在处于完全磁化状态的偏磁元件上时，所述偏磁元件退磁化至不超过完全磁化水平的5％的磁平。
20．一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，包括：
(a)一个非结晶型磁致伸缩元件；
(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，
其特征在于所述标识器的目标共振频率与所述电子货品监视用系统的操作频率相对应，所述标识器具有与退活化磁场相关的共振频率漂移特性，从而使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为50 Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为1.5kHz。
21．一种如权利要求20所述的标识器，其特征在于所述与退活化磁场相关的共振频率漂移特性使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为50 Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为2kHz。
22．一种如权利要求21所述的标识器，其特征在于所述与退活化磁场相关的共振频率漂移特性使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为35 Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为2kHz。
23．一种如权利要求21所述的标识器，其特征在于所述与退活化磁场相关的共振频率漂移特性使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为35 Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为1kHz。
24．一种如权利要求23所述的标识器，其特征在于所述与退活化磁场相关的共振频率漂移特性使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为20 Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为1kHz。
25．一种使用在可以按预定频率发出呈间歇式脉冲串的标识器问询信号的磁力式电子货品监视用系统中的标识器，这种标识器包括：
(a)一个非结晶型磁致伸缩元件；
(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，
其特征在于所述标识器的随退活化磁场变化的输出信号特性使得将该标识器曝露在峰值幅度低于35 Oe的AC退活化磁场中时，由所述标识器产生的A1输出信号水平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号水平的至少50％，其中的A1输出信号是由标识器在施加在标识器处的问询信号脉冲结束后1毫秒时产生的信号。
26．一种如权利要求25所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性，当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为4 Oe的AC磁场中时，所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上。
27．一种如权利要求26所述的标识器，其特征在于所述标识器的随退活化磁场变化的输出信号特性使得将该标识器曝露在峰值幅度低于25 Oe的AC退活化磁场中时，由所述标识器产生的A1输出信号水平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号水平的至少50％。
28．一种如权利要求26所述的标识器，其特征在于所述标识器的随退活化磁场变化的输出信号特性使得将该标识器曝露在峰值幅度低于30 Oe的AC退活化磁场中时，由所述标识器产生的A1输出信号水平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号水平的至少75％。
29．一种如权利要求26所述的标识器，其特征在于所述标识器的随退活化磁场变化的输出信号特性使得将该标识器曝露在峰值幅度低于35 Oe的AC退活化磁场中时，由所述标识器产生的A1输出信号水平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号水平的至少75％。
30．一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，包括：
(a)一个非结晶型磁致伸缩元件；
(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，
其特征在于所述偏磁元件由具有AC退磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成，从而使所述偏磁元件在完全磁化且未设置在所述标识器中时曝露在具有一定峰值幅度的AC磁场中时，所述AC磁场将使所述的偏磁元件的磁化水平产生明显降低，
而且当所述偏磁元件被完全磁化且配置在所述标识器中与所述磁致伸缩元件相邻近的位置处，并且使所述偏磁元件在曝露在具有一定峰值幅度的AC磁场中时，所述磁致伸缩元件使磁通由所述偏磁元件处偏移开，从而使所述偏磁元件的磁化基本上不会受到所述AC磁场的影响。
31．一种如权利要求30所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件由Metg1as 2605SB1材料形成。
32．一种如权利要求31所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件由Metglas 2628MB材料形成。
33．一种如权利要求31所述的标识器，其特征在于所述非结晶型磁致伸缩元件由Metglas 2628CoA材料形成。
34．一种如权利要求30所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件由Vacozet材料形成。
35．一种如权利要求34所述的标识器，其特征在于所述非结晶型磁致伸缩元件由Metglas 2628CoA材料形成。
36．一种如权利要求30所述的标识器，其特征在于所述AC磁场的一定峰值幅度范围由5 Oe至15 Oe。
37．一种对使用在磁力式EAS系统中的EAS标识器实施活化和退活化用的方法，这种方法包括以下步骤：
设置一个由一个非结晶型磁致伸缩元件和一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件构成的EAS标识器；
磁化所述偏磁元件，使所述偏磁元件产生一个对所述磁致伸缩元件实施偏置的磁场，以便在所述EAS系统的运行频率下形成共振；
通过将所述标识器曝露在其峰值幅度低于150 Oe的AC磁场中的方式，对所述EAS标识器实施退活化。
38．一种如权利要求37所述的方法，其特征在于当所述标识器曝露在其峰值幅度等于或低于4 Oe的AC磁场中时，所述标识器的共振特性不会发生变化。
39．一种如权利要求38所述的方法，其特征在于当所述标识器曝露在其峰值幅度等于或低于20 Oe的AC磁场中时，所述标识器的共振特性不会发生变化。
40．一种如权利要求38所述的方法，其特征在于所述的退活化步骤是通过将所述标识器曝露在其峰值幅度低于100 Oe的AC磁场中的方式实施的。
41．一种如权利要求40所述的方法，其特征在于当所述标识器曝露在其峰值幅度等于或低于12 Oe的AC磁场中时，所述标识器的共振特性不会发生变化。
42．一种如权利要求37所述的方法，其特征在于所述的退活化步骤是通过将所述标识器曝露在其峰值幅度低于30 Oe的AC磁场中的方式实施的。
43．一种如权利要求42所述的方法，其特征在于当所述标识器曝露在其峰值幅度等于或低于4 Oe的AC磁场中时，所述标识器的共振特性不会发生变化。
44．一种如权利要求37所述的方法，其特征在于所述的退活化步骤是通过将所述标识器曝露在其峰值幅度低于16 Oe的AC磁场中的方式实施的。
45．一种如权利要求44所述的方法，其特征在于当所述标识器曝露在其峰值幅度等于或低于6 Oe的AC磁场中时，所述标识器的共振特性不会发生变化。
46．一种如权利要求37所述的方法，其特征在于所述的磁化步骤是在将所述偏磁元件安装在所述标识器中之后实施的。
47．一种如权利要求37所述的方法，其特征在于所述的磁化步骤是在将所述偏磁元件安装在所述标识器中之前实施的。”
针对上述专利权，宁波讯强电子科技有限公司（下称请求人）于2010年4月27日向专利复审委员会提出无效宣告请求，其理由是：本专利权利要求1-47不符合专利法第26条第4款的规定，权利要求1-47不符合专利法实施细则第20条第1款的规定，独立权利要求1、4、9、14、20、25、30和37不符合专利法实施细则第21条第2款的规定，本专利说明书未对发明作出清楚、完整的说明，不符合专利法第26条第3款的规定，本专利权利要求1-3不符合专利法第22条第3款的规定，请求宣告本专利全部无效。请求人提交了以下证据：
证据1：专利复审委员会第11696号无效宣告请求审查决定书；
证据2：公开号为WO98/09263的国际申请公开文本，其公开日期为1998年3月5日；
证据3：欧洲专利EP0922274 B1授权文本，其公开日期为2004年12月29日。
结合其提交的证据，请求人认为：
1、关于专利法第26条第4款：
（1）权利要求1中的特征“所述标识器有随退活化磁场变化的共振频率漂移特性，漂移梯度大于100Hz/Oe”无法从说明书充分公开的内容中得到或概括得出，同时未对偏磁元件的矫顽磁力加以限定,权利要求1得不到说明书支持；同理，权利要求2、3作为权利要求1的从属权利要求，也不符合专利法第26条第4款的规定；
（2）权利要求4中的特征“所述的偏磁元件由具有小于55 Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成”不能从说明书充分公开的内容得到或概括得出，权利要求4得不到说明书的支持，权利要求5作为权利要求4的从属权利要求，也不符合专利法第26条第4款的规定；权利要求6和7中的特征“所述的偏磁元件由具有小于40 Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成”和“所述的偏磁元件由具有小于20 Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成”不能从说明书充分公开的内容得到或概括得出，权利要求6和7得不到说明书的支持，权利要求8作为权利要求7的从属权利要求，也得不到说明书的支持；
（3）权利要求9中的特征“使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于350 Oe”没有以说明书为依据来限定使偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场强度的范围，得不到说明书的支持，权利要求9不符合专利法第26条第4款的规定；同理，权利要求10-13作为权利要求9的从属权利要求，也不符合专利法第26条第4款的规定；
（4）权利要求14中的特征“当将其峰值幅度小于150 Oe的AC退磁化磁场Hmd施加在处于完全磁化状态的偏磁元件上时，所述偏磁元件退磁化至不超过完全磁化水平的5％的水平”没有以说明书为依据来限定AC退磁化磁场强度的范围，得不到说明书的支持，不符合专利法第26条第4款的规定；同理，权利要求15-19也不符合专利法第26条第4款的规定；
（5）权利要求20中的特征“从而使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为50 Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为1.5kHz”没有以说明书为依据来限定AC退磁化磁场强度的范围，得不到说明书的支持，同时，未限定偏磁元件的矫顽磁力，权利要求20不符合专利法第26条第4款的规定；权利要求21中的特征“将所述标识器曝露在其峰值幅度为50 0e以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为2kHz”及权利要求22中的特征“将所述标识器曝露在其峰值幅度为35 Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为2kHz”都没有以说明书为依据来限定AC退磁化磁场强度的范围，不符合专利法第26条第4款的规定；权利要求23中的“将所述标识器曝露在其峰值幅度为35 Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为1kHz”及权利要求24中的“将所述标识器曝露在其峰值幅度为2O Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为1kHz”都不能从说明书充分公开的内容得到或概括得出，不符合专利法第26条第4款的规定。
（6）权利要求25中的特征“将该标识器曝露在峰值幅度低于35 Oe的AC退活化磁场中时，由所述标识器产生的A1输出信号水平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号水平的至少50%” 没有以说明书为依据来限定AC退磁化磁场强度的范围，且图5的数据与权利要求25相矛盾，同时权利要求25中未对偏磁材料的矫顽磁力加以限定，因此权利要求25得不到说明书的支持；权利要求26从属于权利要求25，也不符合专利法第26条第4款的规定；权利要求27-29也未以说明书为依据来限定AC退活化磁场强度的范围，得不到说明书的支持，不符合专利法第26条第4款的规定。
（7）权利要求30中包括的特征“具有一定峰值幅度的AC磁场”描述不清楚，且未对偏磁元件的材料进行限定，使得该权利要求30得不到说明书的支持，不符合专利法第26条第4款的规定，同理，从属于权利要求30的权利要求31-35也不符合专利法第26条第4款的规定；权利要求36从属于权利要求30，虽对“AC磁场的一定峰值幅度范围”进行了限定，但同样未限定偏磁元件的材料，因而也不符合专利法第26条第4款的规定。
（8）权利要求37中的特征“将所述标识器曝露在其峰值幅度低于150 Oe的AC磁场中的方式，对所述EAS标识器实施退活化”没有以说明书为依据来限定AC退活化磁场强度的范围，不符合专利法第26条第4款的规定；同理，权利要求42、44中也未以说明书为依据来限定AC退活化磁场强度的范围，得不到说明书的支持；从属权利要求38-41、43、45-47因而也不符合专利法第26条第4款的规定。
2、关于专利法实施细则第20条第1款
（1）关于权利要求1-47：独立权利要求1、4、9、14、20、25、30、37中均未清楚说明磁致伸缩元件与偏磁元件两者之间的位置关系、磁致伸缩元件与偏磁元件的形状和大小、磁致伸缩元件与偏磁元件的相对尺寸、及磁致伸缩元件的个数，使得它们请求的保护范围不清楚，它们各自的从属权利要求也存在相同问题，不符合专利法实施细则第20条第1款的规定。
（2）关于权利要求15-19：从属权利要求15中的特征“当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为4 Oe的AC磁场HmS中时，所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95%以上”与其引用的权利要求14中的特征“当将其峰值幅度小于150 Oe的AC退磁化磁场Hmd施加在处于完全磁化状态的偏磁元件上时，所述偏磁元件退磁化至不超过完全磁化水平的5%的水平”相矛盾，导致权利要求15请求的保护范围不清楚，从属权利要求16和18与其引用的权利要求14也存在相似的矛盾，导致权利要求16和18请求的保护范围不清楚；从属权利要求17和19与其引用的权利要求15自相矛盾，导致其请求的保护范围不清楚，不符合专利法实施细则第20条第1款的规定。
（3）关于权利要求23、24：从属权利要求23、24中的特征“将所述标识器曝露在其峰值幅度为35 0e以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为1kHz”和“将所述标识器曝露在其峰值幅度为20 0e以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为1kHz”与其引用的权利要求20中的特征“将所述标识器曝露在其峰值幅度为50 Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为1.5kHz”相矛盾，导致其保护范围不清楚，不符合专利法实施细则第20条第1款的规定。
（4）关于权利要求25-29：权利要求25、27-29中的“由所述标识器产生的Al输出信号水平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号水平的至少50%（或75%）”描述不清楚，不符合专利法实施细则第20条第1款的规定，权利要求25的从属权利要求26因而也不符合专利法实施细则第20条第1款的规定。
（5）关于权利要求30-36：权利要求30中的特征“一定峰值幅度”含义不确定，不符合专利法实施细则第20条第1款的规定；其从属权利要求31-35也因此不符合专利法实施细则第20条第1款的规定。
3、关于专利法实施细则第21条第2款
独立权利要求1、4、9、14、20、25、30、37缺少必要技术特征“标识器在比常规标识器更低的退活化磁场水平下才具有急剧的共振频率漂移特性（更低的退活化场强度区间）”、“偏磁元件的矫顽力（低矫顽力区间）”和“标识器曝露在常规的运输、储存或装卸期间可能出现的低水平磁场中时，其偏磁元件必须具有“不被意外地退磁化”的稳定性（低场稳定性区间）”，不符合专利法实施细则第21条第2款的规定；并且认为证据2和3可证明独立权利要求4、9、14、20、25、30、37缺少必要技术特征。
4、关于专利法第26条第3款
（1）说明书中的MagnaDur材料不存在；（2）附图5与说明书第7页第18-22行及权利要求20、25、图3中的内容相互矛盾；（3）附图4与说明书第7页第18-22行中的内容相互矛盾；（4）未说明附图7中横轴参量为AC或DC退磁化磁场；（5）说明书第12页第28行-第13页第1行内容与附图11相互矛盾；（6）说明书第13页第21-25行内容不准确；（7）附图9中的内容不准确；（8）附图10与附图11的内容相矛盾；（9）附图11中的内容与说明书中的内容“Vacozet材料的矫顽磁力为22.7 Oe”相矛盾；（10）图9与图11的内容相矛盾；（11）说明书中提及的“铸造型Metglas 2628MB”材料无法找到，且铸造法不能制造非晶体金属和合金材料；（12）说明书中的术语“磁化水平”、“磁化”使用不规范；（13）说明书和权利要求中对Hmd的定义不同；（14）附图11的横轴标识“DC磁化磁场”与说明书第13页第5行的描述相矛盾；（15）附图5中的漂移梯度小于100Hz/Oe。说明书中的上述缺陷导致本领域技术人员无法清楚、正确地理解本专利，该说明书不符合专利法第26条第3款的规定。
5、关于专利法第22条第3款
本专利权利要求1与现有技术的区别在于“漂移梯度大于100Hz/Oe”，而标识器在长度方向饱和充磁后，其长度方向平行于螺线管长度方向的漂移梯度大于100Hz/Oe是标识器固有性能，因此该权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性，其从属权利要求2-3也因此不具备创造性。
随后，请求人又于2010年5月27日提交了意见陈述书，认为本专利权利要求1-3不具备专利法第22条第2、3款规定的新颖性和创造性，权利要求4、6、7、9、11、12、20-25、37、42、44、46、47不具备专利法第22条第3款规定的创造性；权利要求5-8、10-19、25-35不符合专利法第33条的规定；权利要求1-3、20-29不符合专利法实施细则第20条第1款的规定，请求宣告本专利权利要求1-35、37、42、44、46和47无效。同时，请求人提交了以下证据（编号续前）：
证据4：US5495230号美国专利文献说明书及其中文译文，共55页，其公开日期为1996年2月27日；
证据5：US5469140号美国专利文献说明书及其中文译文，共33页，其公开日期为1995年11月21日；
证据6：US3974000号美国专利文献说明书及其中文译文，共14页，其公开日期为1976年8月10日；
证据7：《磁路设计原理》，林其壬、赵佑民编著，机械工业出版社，1987年11月出版，封面、扉页及第70-71页的复印件，共3页；
证据8：中国专利文献ZL97197519.1的公开文本，共34页，其公开日期为1999年9月15日；
证据9：《录放磁头的原理与应用》，李传钟编著，上海翻译出版公司，1990年2月出版，封面、扉页及第8页的复印件，共3页；
证据10：欧洲专利局针对申请号为97938515.0号欧洲专利的异议决定书及相关部分中文译文，共17页；
证据11：WO98/09263号国际专利申请公开文本的部分中文译文，共8页；
证据12：EP0922274号欧洲专利授权文本的中文译文，共8页。
结合其此次提交的证据，请求人认为：
关于专利法第22条第2、3款
（1）本专利权利要求1-3相对于证据4不具备专利法第22条第2款规定的新颖性；
（2）权利要求1-3、37、42和44相对于证据4不具备创造性；
（3）权利要求20-24、46、47相对于证据4与本领域常用技术手段的结合不具备创造性；
（4）权利要求1-4、20-25、37、42、44、46-47相对于证据4和6的结合不具备创造性；
（5）权利要求1-4、6-7、9、11-12、20-25、37、42、44、46-47相对于证据4、5和6的结合不具备创造性。
2、关于专利法第33条
将权利要求5、8、10、14-19、25、26、30中的“磁平”修改为“水平”超出了原说明书和权利要求书记载的范围，其从属权利要求6-7、11-13、27-29、31-35因此也不符合专利法第33条的规定。
3、关于专利法实施细则第20条第1款
权利要求1、20、25未对偏磁元件的矫顽力进行限定，未清楚说明磁致伸缩元件与偏磁元件两者矫顽力的关系，因此保护范围不清楚，其从属权利要求2-3、21-24、26-29也因此不符合专利法实施细则第20条第1款的规定。
经形式审查合格，专利复审委员会依法受理了该无效宣告请求，并于2010年6月4日向双方当事人发出无效宣告请求受理通知书，同时将专利权无效宣告请求书及附件清单中所列附件副本转送给专利权人。
针对请求人于2010年4月27提交的无效宣告请求书及其附件，专利权人于2010年7月19日提交了意见陈述书，同时提交了以下反证：
反证1：US4510489号美国专利文献及其部分中文译文，其公开日期为1985年4月9日，共14页；
反证2：US5949318号美国专利文献及其部分中文译文，其公开日期为1999年9月7日，共12页。
结合上述证据，专利权人认为：
请求人提交的证据2和3为外文证据，且未提供其中文译文，因此应视为未提交。
专利法第22条第3款、专利法第26条第3款的无效理由已在之前针对本专利的无效宣告请求审查中审理过，且在本次无效宣告请求中没有提交任何新证据，因此依据“一事不再理原则”不应当受理和审理本次无效宣告请求时提出的专利法第22条第3款、专利法第26条第3款的无效理由。
关于专利法第26条第4款
（1）关于权利要求1-3：本专利说明书已公开了共振频率漂移梯度大于100、200和400Hz/Oe的多个实施例，其中随退活化磁场变化的漂移部分对应的退活化磁场的具体区间范围均不同，说明本专利可在不同的“随退活化磁场变化”的区间获得大于100Hz/Oe的漂移梯度，由此能够概括得出权利要求1中的技术方案，同理权利要求2、3也能从说明书的多个实施例中概括得出；
（2）关于权利要求4-8：权利要求4中的“具有小于55 Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料”是克服现有技术中矫顽力应较大的技术偏见的教导，本领域技术人员知晓如何调整偏磁元件的矫顽力至多个需要水平，因此权利要求4的技术方案能够从说明书的多个实施例中概括得到，同理权利要求5-8也能从说明书的多个实施例中概括得出；
（3）关于权利要求9-13：权利要求9中的“在小于350 Oe的磁化磁场下获得饱和”是克服现有技术中DC磁化磁场大于450 Oe的技术偏见的教导，其中“使所述偏磁元件达到饱和所需要的”作为DC磁场的定义对其进行了限定，排除了无法使偏磁元件达到饱和的那些DC磁场，同时，本领域技术人员知晓如何调整偏磁元件以在各种不同的磁化磁场下实现饱和，因此权利要求9的技术方案能够从说明书的多个实施例中概括得到，同理权利要求10-13也能从说明书的多个实施例中概括得出；
（4）关于权利要求14-19：权利要求14中的在小于150 Oe的退磁化磁场下实现退磁化是克服现有技术中需要接近200 Oe的AC退磁化磁场实施95%的退磁化的技术偏见的教导，其中“AC退磁化磁场Hmd”已经排除了无法使材料退磁化至饱和状态5%以下的那些AC磁场水平（例如，请求人所举出的小于5 Oe的AC磁场），同时，本领域技术人员知晓如何调整偏磁元件以在多个退磁化磁场水平下实现退磁化，因此权利要求14的技术方案能够从说明书的多个实施例中概括得到，同理权利要求15-19也能从说明书的多个实施例中概括得出；
（5）关于权利要求20-24：权利要求20中的在50 Oe以下的AC退活化磁场中获得漂移至少为1.5kHz是克服现有技术中技术偏见的教导，其中“AC退活化磁场”已经排除了无法使标识器退活化的那些低AC磁场水平（例如，请求人所举出的峰值幅度为12 Oe或更低的AC磁场），同时，本领域技术人员知晓如何调整偏磁元件以实现AC退活化，因此权利要求20的技术方案能够从说明书的多个实施例中概括得到，同理权利要求21-24也能从说明书的多个实施例中概括得出；
（6）关于权利要求25-29：权利要求25中的在低于35 Oe的AC退活化磁场中降低A1输出信号水平的至少50%是克服现有技术的技术偏见的教导，其中“AC退活化磁场”已经排除了无法使标识器退活化的那些低AC磁场水平（例如，请求人所举出的峰值幅度为15 Oe或更低的AC磁场），权利要求25对应于图3、7所示实施例，图5不涉及标识器的退活化特性或图3、7显示的频率漂移，因此权利要求25并不与图5矛盾，符合专利法第26条第4款的规定，同理，权利要求26-29也符合专利法第26条第4款的规定；
（7）关于权利要求30-36：权利要求30的技术方案至少对应于使用SB1和vacozet的实施例，由此能够概括得出该权利要求30的技术方案，且基于本专利的充分教导，本领域技术人员可以想到使用其它各种材料来实施该权利要求30的技术方案，也知晓如何确定AC磁场的峰值幅度，因此没有必要限定材料和AC磁场的具体数值；同理，权利要求31-36也符合专利法第26条第4款的规定；
（8）关于权利要求37-47：参见有关权利要求14、20和25的理由，权利要求37-47符合专利法第26条第4款的规定。
4、本专利权利要求请求的保护范围清楚，符合专利法实施细则第20条第1款的规定。
5、根据本专利说明书背景技术部分的记载，现有技术中存在至少以下技术问题：①偏磁元件的矫顽力至少要为60 Oe；②DC磁场为450 Oe或更高；③AC退磁化磁场需要接近200 Oe；④使用比较高的AC退活化磁场，产生AC退活化磁场的常规装置必须按脉冲方式运行；⑤标识器在退活化磁场脉冲出现时在该装置附近；⑥增大退活化装置的成本；⑦增大退活化装置的消耗能量；⑧源标记中，标识器可能会被定位粘接在商业制品上难以、甚至不可能与常规的退磁化装置相接近的位置。针对上述多个技术问题，本专利提供多个技术方案，其中权利要求14、20、25针对技术问题③，权利要求1、4、14、20、25和30针对技术问题③至⑥，权利要求9针对技术问题②，本专利的各个独立权利要求均已记载了解决其技术问题所必要的全部技术特征，符合专利法实施细则第21条第2款的规定。
6、本专利说明书符合专利法第26条第3款的规定。
7、请求人未提交任何证据作为现有技术评价本专利的创造性，因此对于有关专利法第22条第3款的无效理由应当不予受理或视为未提出。
请求人于2010年8月11日提交了其于2010年5月27日提交的意见陈述书的修改替换页（共6页），对该次意见陈述书中存在的部分笔误进行了更正，同时提交了以下证据：
证据13：（2010）京长安内经证字第10471号公证书及附件一、附件二的复印件，共333页。
上述公证书对请求人从互联网上获得上述证据1和证据2的过程进行了公证。
针对上述无效宣告请求，专利复审委员会依法成立合议组，并于2010年8月26日向双方当事人发出无效宣告请求口头审理通知书，指出本案定于2010年10月19日进行口头审理。同时将请求人于2010年5月27日和2010年8月11日提交的意见陈述书及其所附附件副本转送给专利权人，将专利权人于2010年7月19日提交的意见陈述书及其所附附件副本转送给请求人。
请求人对专利权人提交的反证1、2的部分译文有异议，于2010年9月29日提交了反证1-2的部分中文译文。
针对请求人于2010年5月27日和2010年8月11日提交的意见陈述书及附件，专利权人于2010年10月11日提交了意见陈述书及以下反证（编号续前）：
反证3：美国专利文献US5495230的译文校对手稿，共21页；
反证4：美国专利文献US5469140的译文校对手稿，共16页；
反证5：美国专利文献US3974000的译文校对手稿，共1页；
反证6：请求人提供的欧洲专利EP0922274的异议决定的译文校对手稿，共2页；
反证7：欧洲专利EP0922274的欧洲异议程序的异议决定及部分中文译文，共27页；
反证8：中国专利申请公开文本CN 1106947A，共20页；
反证9：美国专利文献US5729200的扉页及其部分译文，共2页；
反证10：（2008）一中行初字第1155号行政判决书，共20页；
反证11：（2009）高行终字第344号行政判决书，共24页。
结合上述证据，专利权人认为：
1、本专利权利要求1-3具备新颖性，权利要求1-4、6-7、9、11-12、20-25、37、42、44、46-47具备创造性。
2、本专利是经PCT申请进入中国国家阶段的，其修改依据为原始提交的国际申请文件，根据原始提交的国际申请文件中的“level”将“磁平”修改为“水平”符合专利法第33条的规定。
3、权利要求1、20、25的技术方案是清楚的，符合专利法实施细则第20条第1款的规定。
口头审理如期举行，请求人委托广州三环专利代理有限公司专利代理人郝传鑫、公民代理人姚佳和请求人的法定代表人李霖参加了口头审理，专利权人委托中国贸促会专利商标事务所专利代理人秦晨、宋海宁参加了口头审理。
口头审理过程中，
请求人明确其无效理由、范围和证据为：本专利权利要求1-47不符合专利法第26条第3、4款的规定；本专利权利要求1－47不符合专利法实施细则第20条第1款的规定；独立权利要求1、4、9、14、20、25、30、37不符合专利法实施细则第21条第2款的规定；权利要求5-8、10-19、25-35的修改不符合专利法第33条的规定；权利要求1-3、20-24、37、42、44、46、47相对于证据4不符合专利法第22条第2、3款关于新颖性、创造性的规定；权利要求1-4、20-25、37、42、44、46、47相对于证据4、6的结合不符合专利法第22条第3款关于创造性的规定；权利要求1-4、6-7、9、11-12、20-25、37、42、44、46、47相对于证据4-6的结合不符合专利法第22条第3款关于创造性的规定；放弃将证据2-3、10-13作为证据使用，仅供合议组参考。请求人表示对反证1-2的真实性无异议。
专利权人对证据7、9的真实性无异议，对证据4-6的译文正确性有异议，当庭将证据4-6译文的校对稿转交给请求人，并说明该译文校对稿对应为其于2010年10月11日向专利复审委员会提交的反证3-5，同时表示反证6-7仅供合议组参考，不作为证据使用。
随后，双方针对本次无效宣告请求所涉及的理由充分陈述意见，具体如下：
1、关于本专利权利要求1-47是否符合专利法第26条第4款
请求人认为：权利要求1中关于“所述标识器有随退活化磁场变化的共振频率漂移特性，漂移梯度大于100Hz/Oe”的概括使权利要求1所要求保护的范围包括了“无论所施加的退活化磁场强度的值是多少，标识器均具有共振频率漂移梯度大于100Hz/Oe的特性”的方式，其不能从说明书充分公开的内容得到或概括得出。
专利权人认为：标识器共振频率漂移的区间随退活化磁场变化而不同，不能用具体的数值范围限定。
请求人认为：权利要求4-8得不到说明书支持，其中的数值范围端点未在说明书中公开。
专利权人认为：说明书中给出的多个实施例已能充分支持权利要求4-8。
请求人认为：权利要求9-13不符合专利法第26条第4款的规定，说明书中未给出实施例证明在饱和DC磁化磁场接近350 Oe附近的情形，由此认为将Ha限定成小于350 Oe得不到说明书支持。
专利权人认为：将Ha限定成小于350 Oe是用于区别现有技术。
请求人认为：权利要求14-19得不到说明书的四个实施例的支持，不符合专利法第26条第4款的规定。
专利权人坚持书面意见。
请求人认为：权利要求20-24不符合专利法第26条第4款，其中限定的标志器在0-50 Oe的AC退活化磁场中的频率漂移都应大于1.5kHz得不到说明书支持。
专利权人认为：本专利说明书图7、图11的实施例支持该权利要求20。
请求人认为：权利要求25-29不符合专利法第26条第4款，说明书的实施例不能完全支持权利要求25概括的范围。
专利权人认为：本专利说明书图7的实施例支持权利要求25的方案。
请求人认为：权利要求30-36不符合专利法第26条第4款，说明书的第一个实施例中不产生屏蔽作用。
专利权人认为：本专利说明书公开的第二、第三个实施例都可以支持本专利权利要求30。
请求人认为：权利要求37-47不符合专利法第26条第4款，得不到说明书提供的实施例的支持。
专利权人认为：意见同前述关于权利要求14的意见。
2、关于实施细则第20条第1款的规定
请求人认为：权利要求25未清楚表述A1输出信号水平是至少降低至50%还是降低了50%。
专利权人认为：为至少减少了50%。
请求人认为：权利要求30-36不清楚，其中未具体限定AC磁场，“一定峰值幅度”、“明显”、“基本上”无明确定义。
专利权人认为：本领域技术人员能理解AC磁场峰值幅度范围，不需要限定，不引起报警即可，“明显”和“基本上”等用词对于本领域技术人员是可以理解的。
3、关于实施细则第21条第2款的规定
请求人认为：独立权利要求1缺少大漂移梯度、低场稳定性，更低的退活化场强度区间、防止意外消磁等必要技术特征，还缺少有关标识器退活化磁场方向的限定。
专利权人认为：本发明有多个要解决的技术问题，其分别对应于多个独立权利要求，且反证1和2可以证明标识器长度方向和AC退磁场的方向已被现有技术公开，没有必要限定在权利要求1中。
4、关于专利法第26条第3款、专利法第33条
双方均坚持之前提交的书面意见。
5、关于专利法第22条第2、3款
请求人明确表示：放弃有关新颖性的无效理由，并且放弃以本专利说明书中记载的现有技术直接作为现有技术评述权利要求1-3创造性的无效理由，保留其它评述方式，具体意见同之前提交的书面意见。
专利权人：坚持之前提交的书面意见。
6、关于专利法实施细则第20条第1款
请求人表示：本专利权利要求15-19、23-24、1、4、9、14、20、30、37、25-29、30-36不符合专利法实施细则第20条第1款的规定，涉及的事实以书面陈述意见为准；本专利权利要求4、9、14、30均有术语“半硬化磁性材料”，该术语在说明书中定义是不清楚的，其中的“大约”一词导致下限不确定。
专利权人认为：说明书中清楚定义了半硬化磁性材料，具体意见与书面意见一致。
另外，请求人表示对专利权人提交的译文有异议，合议组要求请求人在规定期限内告知专利复审委员会是否接受专利权人的译文。
在口头审理结束之后，请求人于2010年10月26日提交意见陈述书，表示对专利权人于2010年10月19日当庭转交的反证3-5的内容无异议，同意将其作为US5495230、US5469140和US3974000号美国专利文献的中文译文使用。
专利权人于2010年10月26日提交了口头审理的答辩词。
至此，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
1、关于证据
请求人提交的证据4-6均为美国专利文献，专利权人对于证据4-6的真实性未提出异议，经审查，合议组对证据4-6的真实性予以确认，由于其公开日期均在本专利申请日之前，因此其上记载的内容构成本专利的现有技术，且由于请求人同意以专利权人提交的反证3-5的内容作为证据4-6的中文译文使用，因此证据4-6的公开内容以反证3-5的中文内容为准；证据7和9为中文书籍，专利权人对证据7和9的真实性无异议，由于其公开日期在本专利申请日之前，因此其上记载的内容构成本专利的现有技术。
2、关于专利法第33条
专利法第33条规定，申请人可以对其专利申请文件进行修改，但是，对发明和实用新型专利申请文件的修改不得超出原说明书和权利要求书记载的范围。
请求人认为：将权利要求5、8、10、14-19、25-26、30中的“磁化磁平”和“信号磁平”修改为“磁化水平”和“信号水平”超出了原说明书和权利要求书记载的范围，相应的从属权利要求6-7、11-13、27-29、31-35的修改也不符合专利法第33条的规定。
对此，合议组认为：本申请属于国际申请，对于国际申请，专利法第33条所说的原说明书和权利要求书是指原始提交的国际申请的说明书、权利要求书和附图。本申请原权利要求5、8、10、14-19、25-26、30中记载有“magnetization level”或“cause an A1 output signal generated by said marker to be reduced in level by at least 50% relative to an A1 output signal generated by said marker prior to exposing said deactivation field”，其中“level”为“水平”之意。因此，将“磁化磁平”或“信号磁平”修改为“磁化水平”或“信号水平”并未超出原申请文件记载的范围，符合专利法第33条的规定，请求人的上述理由不成立。
3、关于专利法第26条第3款
专利法第26条第3款规定，说明书应当对发明或者实用新型作出清楚、完整的说明，以所属技术领域的技术人员能够实现为准。
《审查指南》第二部分第二章第2.1.3节指出，“能够实现”，是指所属技术领域的技术人员按照说明书记载的内容，就能够实现请求保护的发明的技术方案，解决其技术问题，并且产生预期的技术效果。
请求人认为本专利说明书未对发明作出清楚、完整的说明，其理由具体如下：（1）本专利说明书中指出可以采用MagnaDur材料制作偏磁元件，而本领域不存在MagnaDur材料，只有MagneDur20-4，说明书没有准确表述制作偏磁元件的材料名称，使得本领域技术人员无法找到MagnaDur来实现本发明；（2）说明书第7页第18－22行中记载MagnaDur材料矫顽磁力约为2O Oe，但在附图5的AC退磁化曲线中，在35 Oe时MagnaDur偏磁元件还有饱和磁化水平的约99％，且在45 Oe时还保持有饱和磁化水平的95％，即图5中的偏磁材料矫顽力肯定大于45 Oe，因此说明书文字内容与图5矛盾；图4的起始磁化曲线表明Magnadur达到10%磁化时需要62Oe的磁化场，由此可知该材料的矫顽力远高于20 Oe，因此说明书文字内容还与图4矛盾，致使本领域技术人员无法实现本发明；（3）说明书未准确表达图7的退磁化磁场为AC或DC磁场；（4）对应图10的说明书第12页第28行-第13页第1行记载了当Vacozet材料曝露在例如峰值幅度为6-15 Oe的AC磁场中时具有一定稳定性，且在第13页第10-20行中指出采用Vacozet材料的标识器具有一定屏蔽效应，但图11表明在10-14 Oe的退磁场中被退磁化，因此说明书文字内容与图11相互矛盾；（5）由于“低矫顽磁力特性”与“具有相当高的磁通密度”不存在必然的因果关系，因此说明书第13页第21-25行中的内容“材料具有相当低的矫顽磁力特性，所有具有相当高的磁通密度”属于误导描述；（6）图9中的Vacozet材料DC磁化特性曲线的起始点在10Oe，但是公知起始磁化特性曲线的起始点应当在0 Oe，因此图9未清楚表达Vacozet材料的DC磁化特性；（7）在图10的Vacozet材料AC退磁化特性曲线中，当AC退磁化磁场为350e时，Vacozet材料才完全退磁化，但在图11的共振频率漂移特性曲线中，采用Vacozet材料的标识器在退磁化磁场强度约为17 Oe时已完全退磁化，因此图10、11的Vacozet材料的退磁化特性前后矛盾，图9与图11相矛盾；（8）从图11可以推断Vacozet材料的矫顽力在12 Oe-18 Oe区间，这与说明书第12页第22行的内容 “Vacozet材料的矫顽磁力为22.7 Oe”不吻合；（9）说明书中的“铸造型Metglas 2628MB”材料不存在，且“铸造”不能制造出非晶体金属和合金材料，因此说明书对可激活元件材料的公开不清楚、不充分，本领域技术人员无法实现本发明；（10）说明书中的术语“磁化水平”、“磁化”使用不规范，使得无法实现本发明；（11）权利要求18中将使得偏磁材料的“磁化水平”保持在95%以上的幅度为12 Oe的AC磁场被标为Hmd，而说明书中将Hmd定义为“当其施加在处于饱和状态的材料上时，将使该材料退磁化至饱和状态的5%以下的AC磁场的水平”，即，说明书与权利要求书中对Hmd的定义完全不符；（12）附图11的水平横轴标为“DC磁化磁场”，说明书第13页第5行提及图11中的曲线32随着所施加的退磁化磁场的强度变化而变化，两部分内容相矛盾；（13）从附图5中计算得出的漂移梯度小于100Hz/Oe，因此MagnaDur偏磁材料制作的标识器的特性与常规标识器无区别，因此根据说明书附图的内容，本领域技术人员无法实现本发明；（14）说明书及其附图中未清楚表述Ming R.Lian等人给出的本发明，使得本领域技术人员无法实施本发明；（15）从图5中可知AC退磁化为35 Oe时MagnaDur材料仍有99%的剩磁，无法实现图3所示的在35 Oe时取得60.5kHz的频率漂移。
专利权人认为有关专利法第26条第3款的无效理由已在前两次无效请求审查过程中审理过，且认为本专利符合专利法第26条第3款的规定，且请求人没有提交任何新证据，根据“一事不再理原则”不应对该无效理由进行审理。另外，针对请求人的具体意见，认为：（1）本专利说明书第7页第20-22行已公开了可以从Carpenter公司获得MagnaDur 20-4材料；（2）图4、5所示的并非磁性材料的BH回线，因此无法从图4、5中推断偏磁元件的矫顽磁力，图3是标识器的特性曲线，图5是偏磁材料的特性曲线，认为两者相矛盾是没有根据的；（3）图3和7中显然是AC退磁化磁场；（4）图10记载的是使用Vacozet材料的偏磁元件自身在低磁场中的不稳定特性，图11记载的是该偏磁元件被用于标识器中时，标识器在低磁场中的共振频率的稳定性，认为两者相矛盾是没有根据的；（5）说明书第13页第21-25行中的内容“材料具有相当低的矫顽磁力特性，所以具有相当高的磁通密度”是特别针对Vacozet材料的，并非表达低的矫顽磁力特性能够导致相当高的磁通密度；（6）图9中由于从0-10Oe的磁化很小，可以忽略不计，因此未在图9中示出；（7）图10显示的是偏磁元件的磁化水平，图11显示的是标识器（偏磁元件与磁致伸缩元件的组合）的频率漂移，两者是不同的技术特征，因此图10与图11并不矛盾；（8）图11显示的是标识器（偏磁元件与磁致伸缩元件的组合）的频率漂移，标识器的特性不仅依赖于偏磁元件，还依赖于磁致伸缩元件，因此从标识器的特性曲线无法确定偏磁元件的矫顽磁力，请求人认为图11与说明书的记载相矛盾是没有根据的，请求人认为从图9中可以看出该材料的矫顽磁力高于22 Oe的结论也是错误的，图11与图9不相矛盾；（9）说明书第7页倒数4-6行公开了各种Metglas材料均能够从例如AlliedSignal公司得到，且本领域技术人员熟知“铸造”工艺可以用于获得非晶材料的快速固化；（10）本领域技术人员根据说明书的描述能够理解磁化、退磁化特性和归一化磁化水平等概念；（11）权利要求18中的“AC磁场Hmd”应为“AC磁场Hms”，属于明显错误；（12）图11中的“DC磁化磁场”为打字错误，如说明书第13页第5行所记载的，应为“DC退磁化磁场”；（13）图5显示的是材料在退磁化磁场中的退磁特性，而非漂移梯度；（14）说明书中没有认为Ming R.lian是本发明的发明人；（15）图3显示的是标识器的特性曲线，图5显示偏磁材料的特性曲线，无法仅从图5得到图3的标识器特性，图5与图3不矛盾。
对此，合议组认为：
关于“一事不再理原则”，本专利的在先无效宣告请求中，是以本专利说明书实施例部分仅说明其列举的材料具有相应的共振频率漂移特性，未给出相应的技术启示，使得所属技术领域人员无从得知选用哪类合金作为偏磁元件可以达到发明目的为由认为本专利说明书未充分公开，其涉及的证据事实与本次无效宣告请求所涉及的证据事实完全不同，因此本次无效宣告请求中有关专利法第26条第3款的理由不属于“一事不再理”的范围，合议组对于专利权人的上述意见不予支持。
另外，根据本专利说明书背景技术中的记载，对于标识器的偏磁元件，现有技术中一般认为其矫顽磁力至少要为60 Oe，以防止偏置元件在标识器储存、运输或装卸期间可能会出现的磁场作用下意外退磁化，进而使标识器退活化，因此需要使用较高的AC退活化磁场，而在这种情况下为减少能量损耗以符合规章规定，AC退活化磁场的产生装置必须按脉冲方式运行，相应地，标识器必须确保在退活化磁场脉冲出现时在该装置附近，同时例举了现有技术中采用的一种偏磁元件材料“SemiVac 90”，并对该材料的磁学特性进行了描述，例如其矫顽力约为70至80 Oe，至少需要450 Oe的DC磁场才能达到99%的磁化饱和，需要约200 Oe的AC退磁化磁场才能实现95%的退磁化。由此不难得出，本发明所要解决的技术问题和所要得到的技术效果是获得退活化磁场小于常规标识器且在标识器运输、储存或装卸期间暴露在可能出现的低水平磁场中时不被意外退活化的标识器。
本专利说明书第11页第17行至第12页第12行及附图6-7中记载了一种标识器，其中以SB1材料制作偏磁元件，2628CoA合金材料制作可激活型元件，该SB1材料的矫顽磁力大约为19 Oe，当AC退磁化磁场的水平大约为15 Oe或更低时，标识器的频率漂移和输出信号特性可基本保持稳定，即，本专利说明书记载的采用SB1材料的标识器在运输、储存或装卸期间暴露在所可能出现的低水平磁场中时不会被意外地退磁化，当退磁化磁场水平为20至25 Oe之间时，共振频率漂移特性曲线的梯度将超过100Hz/Oe，且从图7中可以看到，当退磁化磁场水平达到40 Oe时，该标识器已被退活化，偏磁元件基本已完全退磁化，而对于现有技术中采用矫顽磁力至少为60 Oe的偏磁元件的标识器，使偏磁元件完全退磁化的AC退磁化磁场至少要大于60 Oe，即本专利说明书记载的采用SB1材料的标识器与常规标识器相比可以通过强度更低的退活化磁场实施退活化，即本专利说明书中记载的该技术方案能够解决现有技术中标识器退活化所需退磁化磁场大，只能采用脉冲方式运行的技术问题，能够获得使用较低退磁化磁场对标识器进行退活化的技术效果，同时具备一定的低场稳定性。由此可见，本领域技术人员按照本专利说明书公开的上述内容，能够实现该发明的技术方案，解决其技术问题，并且产生预期的技术效果，因此，本专利说明书符合专利法第26条第3款的规定。
请求人的理由（1）、（2）、(13)和（15），其涉及本专利说明书公开的以MagnaDur为偏磁元件的实施方式，理由（4）、（5）、（6）、（7）和（8）涉及本专利说明书公开的以Vacozet为偏磁元件的实施方式，请求人认为这两个实施方式中存在的上述缺陷会导致本发明无法实现。
对此，合议组认为：
关于本专利说明书中以MagnaDur为偏磁元件的实施例，说明书附图3是表示以MagnaDur为偏磁元件的标识器的共振频率和输出信号振幅与施加在标识器上的退磁化磁场之间变化关系的曲线，附图5是表示图3所示的标识器中的偏磁元件的磁化水平与所施加的AC退活化磁场强度之间变化关系用的曲线。众所周知，标识器的退活化实际是其中的偏磁元件在退活化磁场中退磁的过程，当标识器被退活化磁场完全退活化时，通常意味着其中的偏磁元件在该退活化磁场中完全退磁，从附图3中可以看到，当AC退活化磁场的峰值幅度达到35 Oe时，标识器的共振频率相对于目标共振频率发生最大漂移，这通常意味着标识器中的偏磁元件在35 Oe的AC退活化磁场中基本退磁，而根据附图5的描述，该偏磁元件在35 Oe的AC退活化磁场中基本不退磁，即，在说明书公开的以MagnaDur为偏磁元件的实施例中，有关标识器性能的描述与有关偏磁元件性能的描述相矛盾，致使本领域技术人员无法确信该实施例能达到所声称的技术效果。但是，如上所述，本领域技术人员依据说明书中公开的以SB1为偏磁元件的实施例能够实现本发明，解决本发明所要解决的技术问题和获得期望的技术效果，亦即，请求人认为本发明说明书未充分公开的理由（15）不成立，同理，与该实施例相关的理由（1）、（2）、（13）也不成立。
关于本专利说明书中以Vacozet为偏磁元件的实施例，说明书附图11是表示根据本发明第三实施例的以Vacozet为偏磁元件的标识器的共振频率和输出信号振幅与所施加的退磁场强度之间变化关系用的曲线，其描述的是标识器在DC退磁化磁场下的退磁特性，其中显示当DC磁化磁场大于18 Oe之后，标识器的共振频率重新向标准共振频率（58kHz）漂移，即意味着标识器中的Vacozet偏磁元件开始获得反向充磁，根据矫顽磁力的定义可知，该标识器中的Vacozet偏磁元件的矫顽磁力应当不大于18 Oe，而在与该实施例对应的说明书第12页第22行中记载了“Vacozet材料的矫顽磁力为22.7 Oe”，即，在说明书公开的以Vacozet为偏磁元件的实施例中，有关标识器性能的描述与有关偏磁元件性能的描述存在矛盾之处。但是，如上所述，本领域技术人员依据说明书中公开的以SB1为偏磁元件的实施例能够实现本发明，解决本发明所要解决的技术问题和获得期望的技术效果，亦即，即使本专利说明书某部分存在缺陷，只要在本专利说明书中已经存在本领域技术人员能够实现的实施例，则应当认为本专利说明书中对于该技术方案已充分公开，请求人认为本发明说明书未充分公开的理由（8）不成立，同理，与该实施例相关的理由（4）、（5）、（6）、（7）也不成立。
至于请求人的理由（3），合议组认为：众所周知，当向磁性材料施加DC退磁化磁场时，磁性材料在受到大小等于其矫顽磁力的退磁化磁场时完全退磁，随着退磁化磁场进一步增大，磁性材料则会发生反向充磁；而当磁性材料施加AC退磁化磁场时，磁性材料会在受到大于其矫顽磁力的退磁化磁场时出现完全退磁，并且随着退磁化磁场进一步增大，磁性材料不会发生反向充磁。而在图7中可以看到，当退磁化磁场达到某一值后，共振频率漂移达到最大（即，偏磁元件基本完全退磁），当进一步增大退磁化磁场时，频率漂移曲线保持不变，即意味着偏磁元件未发生反向充磁，因此可以直接地、毫无疑义地推断该曲线是在施加AC退磁化磁场的情况下获得的，本专利说明书对图7的这部分描述是清楚的，请求人的理由（3）不成立。
至于请求人的理由（9），合议组认为：铸造型Metglas 2628MB是说明书列举的可激活型元件材料之一，在本专利说明书已充分公开可以以其它材料（例如2628CoA）来实施本发明的情况下，与铸造型Metglas 2628MB的相关描述并不会导致本发明无法实施，因此请求人的理由（9）不成立。
至于请求人的理由（10），合议组认为：根据本专利说明书的记载，本领域技术人员容易理解其中的“磁化”、“磁化水平”为磁性材料在经历磁化过程后的剩磁，即，说明书的上述用词含义是清楚的，不会导致本发明无法实施例，请求人的理由（10）不成立。
至于请求人的理由（11），合议组认为：根据本专利说明书第9页倒数第2段的记载，用于表示“当其施加在处于饱和状态的材料上时，将使该材料退磁化至饱和状态的95%以下的AC磁场的水平”的参考标号为Hms，由此可以理解权利要求18中的“AC磁场Hmd”为“AC磁场Hms”的明显笔误，因此，请求人的理由（11）不成立。
至于请求人的理由（12），合议组认为：根据本专利说明书的相关描述可以确定附图11中的水平横轴表征的是退磁化磁场，即“DC磁化磁场”应为“DC退磁化磁场”，因此请求人的理由（12）不成立。
至于请求人的理由（14），合议组认为：本专利说明书第14页的相关记载只是表明Ming R.Lian是对本发明有贡献的人员，其给出的发明即为本专利说明书中已充分公开的本发明，因此请求人的理由（14）不成立。
4、关于专利法实施细则第20条第1款
专利法实施细则第20条第1款规定，权利要求书应当说明发明或者实用新型的技术特征，清楚、简要地表述请求保护的范围。
请求人认为：
（1）从属权利要求15中的特征“当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为4 Oe的AC磁场Hms中时，所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95%以上”与其引用的权利要求14中的特征“当将其峰值幅度小于150 Oe的AC退磁化磁场Hmd施加在处于完全磁化状态的偏磁元件上时，所述偏磁元件退磁化至不超过完全磁化水平的5%的水平”相矛盾，导致权利要求15请求的保护范围不清楚，从属权利要求16和18与其引用的权利要求14也存在相似的矛盾，导致权利要求16和18请求的保护范围不清楚；从属权利要求17和19与其引用的权利要求15自相矛盾，导致其请求的保护范围不清楚，不符合专利法实施细则第20条第1款的规定。
对此，合议组认为：从属权利要求15中的特征“当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为4 Oe的AC磁场Hms中时，所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95%以上”是对权利要求14的保护范围的进一步限定，其与权利要求14中的特征“当将其峰值幅度小于150 Oe的AC退磁化磁场Hmd施加在处于完全磁化状态的偏磁元件上时，所述偏磁元件退磁化至不超过完全磁化水平的5%的水平”一起清楚地限定了该标识器的AC退磁化磁场的Hms值为4 Oe且Hmd值小于150 Oe，两者不相矛盾，不会导致权利要求15的保护范围不清楚，请求人的上述理由不成立；基于类似的理由，有关权利要求16-19的类似理由也不成立。
（2）从属权利要求23、24中的特征“将所述标识器曝露在其峰值幅度为35 0e以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为1kHz”和“将所述标识器曝露在其峰值幅度为20 0e以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为1kHz”与其引用的权利要求20中的特征“将所述标识器曝露在其峰值幅度为50 Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为1.5kHz”相矛盾，导致其保护范围不清楚，不符合专利法实施细则第20条第1款的规定。
对此，合议组认为：权利要求23和24中的上述特征是对权利要求20的上述特征的进一步限定，它们之间并不存在前后矛盾，不会导致权利要求23和24的保护范围不清楚，请求人的上述理由不能成立。
（3）权利要求25、27-29中的“由所述标识器产生的Al输出信号水平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号水平的至少50%（或75%）”描述不清楚，不符合专利法实施细则第20条第1款的规定，权利要求25的从属权利要求26因而也不符合专利法实施细则第20条第1款的规定。
专利权人认为：权利要求中限定的“…至少50%”的含义为“等于或大于50%”，其含义是清楚的。
对此，合议组认为：特征“由所述标识器产生的Al输出信号水平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号水平的至少50%（或75%）”具有确切的含义，即，应理解成由标识器产生的A1输出信号水平的降低量至少为标识器暴露在退磁化磁场之前产生的A1输出信号水平的50%，亦即降低量等于或大于标识器暴露在退磁化磁场之前产生的A1输出信号水平的50%，其不会导致权利要求的保护范围不清楚，因此，请求人的上述理由不成立。
（4）权利要求30中的特征“一定峰值幅度”含义不确定，不符合专利法实施细则第20条第1款的规定；其从属权利要求31-35也因此不符合专利法实施细则第20条第1款的规定。
对此，合议组认为：权利要求30中包括“所述偏磁元件由具有AC退磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成，从而使所述偏磁元件在完全磁化且未设置在所述标识器中时曝露在具有一定峰值幅度的AC磁场中时，所述AC磁场将使所述的偏磁元件的磁化水平产生明显降低，而且当所述偏磁元件被完全磁化且配置在所述标识器中与所述磁致伸缩元件相邻近的位置处，并且使所述偏磁元件在曝露在具有一定峰值幅度的AC磁场中时，所述磁致伸缩元件使磁通由所述偏磁元件处偏移开，从而使所述偏磁元件的磁化基本上不会受到所述AC磁场的影响”，其中清楚地限定了“一定峰值幅度”是使得完全磁化且单独置于AC磁场中的偏磁元件的磁化水平产生明显降低，而使得完全磁化且配置在标识器中与磁致伸缩元件相邻近位置处的偏磁元件的磁化水平基本不受影响的AC磁场值，即，特征“一定峰值幅度”在权利要求30中的含义是清楚、确定的，不会导致该权利要求的保护范围不清楚，因此，请求人的上述理由不成立。
（5）独立权利要求1、4、9、14、20、25、30、37中均未清楚说明磁致伸缩元件与偏磁元件两者之间的位置关系、磁致伸缩元件与偏磁元件的形状和大小、磁致伸缩元件与偏磁元件的相对尺寸、及磁致伸缩元件的个数，使得它们请求的保护范围不清楚，它们各自的从属权利要求也存在相同问题；权利要求1、20、25未对偏磁元件的矫顽力进行限定，未清楚说明磁致伸缩元件与偏磁元件两者矫顽力的关系，因此保护范围不清楚，其从属权利要求2-3、21-24、26-29也因此不符合专利法实施细则第20条第1款的规定。
对此，合议组认为：权利要求应当清楚，是指该权利要求应当类型清楚、保护范围清楚，类型清楚是要求权利要求的主题名称能够清楚地表明该权利要求的类型，保护范围清楚要求权利要求中所用词语、标点及语句构成的表述含义清楚。权利要求1、4、9、14、20、25、30的主题名称均为一种…的标识器，其清楚地表明权利要求的类型为产品权利要求，权利要求37的主题名称为一种…的方法，其清楚地表明权利要求的类型为方法权利要求，并且，权利要求1、4、9、14、20、25、30、37中所用词语、标点及语句构成的表述含义清楚，能够清楚地限定其保护范围，请求人认为上述权利要求中所缺少的这些技术特征，并不会造成上述权利要求保护范围的不清楚。由此可见，权利要求1、4、9、14、20、25、30、37是清楚的，符合专利法实施细则第20条第1款的规定。
5、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指同申请日以前已有的技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型有实质性特点和进步。
（1）关于权利要求1-3
请求人认为本专利权利要求1-3相对于证据4、或者证据4与证据6的结合、或者证据4-6的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
本专利权利要求1请求保护一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器。证据4（参见反证3的第4页第11-16行、第6页倒数第2段-第8页第4段，图1-3）公开了一种具有可调共振频率的磁力式货物监视标识器及其制造方法，所述标识器包括非结晶型磁致伸缩元件和安装在与磁致伸缩元件相邻处的偏磁元件，当偏磁元件提供的偏置磁场为6 Oe时，标识器的共振频率约为58kHz，当因退活化使得偏置磁场降低到1 Oe或更低时，标识器的共振频率超过60kHz，其中通过提供较大体积的偏磁元件，使得偏磁元件在被磁化到低于饱和的磁化度时仍可提供约为6 Oe的偏置磁场，因此可以通过调整偏磁元件的磁化度而调整偏置磁场的强度，调谐标识器的共振频率至所需频率（例如58kHz的标准共振频率），并且可以通过将偏磁元件饱和而使其退活化，而不是消磁或接触性退活化。
本专利权利要求1与证据4的区别在于标识器有随退活化磁场变化的共振频率漂移特性，漂移梯度大于100Hz/Oe。
对于该区别技术特征，请求人的理由（1.1）认为：
证据4中教导了调节偏磁片的大小可以调节偏置场的大小，对较大体积的偏磁元件可以用调节磁化度的方法来使得标识器的共振频率到达58kHz，且本领域技术人员知晓标识器的偏磁元件的矫顽力越小，则标识器所需要的退活化磁场强度越小，根据证据4公开的标识器的共振频率漂移特性，结合本领域常用的技术手段和证据4的上述教导，本领域技术人员容易想到采用矫顽力小于5 Oe的磁化材料制作偏磁元件，使标识器的偏置磁场为6 Oe，获得58kHz的共振频率，使用例如5 Oe的退活化磁场使共振频率漂移超过60kHz，即在证据4的基础上结合本领域常用的技术手段得到该权利要求1的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，该权利要求1不具备创造性。
对此，合议组认为：证据4中公开的是通过增加偏磁元件的体积使得能够在偏磁元件未达到饱和磁化时实现标识器的标准共振频率，从而能够通过调节偏磁元件的磁化度来对标识器进行调谐，以及能够通过使偏磁元件饱和磁化来实现标识器的退活化，其中仅提及了实现标准共振频率所需要的偏置磁场为6 Oe，并未公开可以采用例如5 Oe的磁化材料制作偏磁元件或使标识器的共振频率漂移梯度大于100Hz/Oe，也没有给出相关的技术启示，尽管证据4中教导了可以通过增加偏置片的体积来增大饱和偏置磁场，且本领域技术人员知晓偏磁元件的矫顽力越小，则标识器所需要的退活化磁场通常越小，但是在现有技术中，为了防止标识器意外被退活化，要采用具有一定矫顽力（例如Hc不小于60 Oe）的材料作为偏磁元件，通常会选择半硬化材料作为偏磁元件，而不会想到选择矫顽力低至5 Oe的软磁材料，而且证据4中并不存在使用矫顽力低至5 Oe的磁性材料作为偏磁元件或使标识器的共振频率漂移梯度大于100Hz/Oe的技术启示，因此，请求人认为该权利要求1相对于证据4和本领域常用技术手段的结合不具备创造性的上述理由不成立。
请求人的理由（1.2）认为，证据6公开了一种低矫顽力磁性材料的制作方法，不同的低矫顽力磁性材料可以通过使用特定冷加工与热处理结合的方式获得，因此本领域技术人员可以根据证据6公开的内容，选取不同矫顽力的磁性材料应用于证据4所揭露的标识器中，例如可以选取其中揭露的矫顽力为4.3 Oe的磁性材料作为偏磁元件，因此在证据4的基础上结合证据6得到该权利要求1对于本领域技术人员而言是显而易见的，该权利要求1不具备创造性。
对此，合议组认为：证据6（参见反证5）涉及半硬磁材料，其在实施例3中记载了一种线材的制作过程，其中并未公开例如矫顽力为4.3 Oe的磁性材料，未公开可以将这种低矫顽力的磁性材料选择用于制作标识器的偏磁元件或使标识器的共振频率漂移梯度大于100Hz/Oe，也没有给出相关的技术启示，且如前面关于理由（1.1）的评述可知，这种选择也不属于本领域的常规选择，证据4也不存在将例如矫顽力为4.3 Oe的磁性材料用于偏磁元件或者使标识器的共振频率漂移梯度大于100Hz/Oe的技术启示，因此，请求人认为该权利要求1相对于证据4和证据6的结合不具备创造性的上述理由不成立。
请求人的理由（1.3）认为，证据5公开了一种标识器，其包括磁致伸缩元件12和偏磁元件16，从附图3的曲线（a）描述的磁致伸缩元件12的磁滞回线中可以看到元件12的矫顽力小于1 Oe，而证据4中公开了偏磁元件与磁致伸缩元件相比具有较高矫顽力，因此在证据4和证据5的启示下，本领域技术人员有动机采用矫顽力在1 Oe至5 Oe的磁性材料制作偏磁元件，且证据6公开了不同矫顽力的磁化材料，因此本领域技术人员可以根据证据6公开的内容进一步选择采用矫顽力为4.3 Oe的磁性材料制作偏磁元件，由此得到共振频率漂移梯度大于465Hz/Oe的标识器，即，在证据4的基础上结合证据5和6得到该权利要求1的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，该权利要求1不具备创造性。
对此，合议组认为：证据5（参见反证4的第11页第3段及图3）公开了标识器，其包括磁致伸缩元件12和偏磁元件16，从附图3的曲线（a）描述的磁致伸缩元件12的磁滞回线中可以看到元件12的矫顽力小于1 Oe，未公开可以将例如矫顽力为4.3 Oe的磁性材料选择用于制作标识器的偏磁元件或使标识器的共振频率漂移梯度大于100Hz/Oe，也没有给出相关的技术启示；证据4中公开了偏磁元件与磁致伸缩元件相比具有较高矫顽力，这也是本领域的公知常识，然而在现有技术中，为了防止标识器意外被退活化，本领域技术人员对偏磁元件的矫顽力有一定要求，通常会选择半硬化材料（Hc不小于60 Oe）作为偏磁元件，而不会想到选择矫顽力例如低至5 Oe的软磁材料，即，在偏磁元件材料的选择上不只是以其矫顽力大于磁致伸缩元件的矫顽力为唯一条件，而又如前面关于理由（1.1）和（1.2）的评述可知，证据4和6中都没有给出将例如矫顽力为4.3 Oe的磁性材料用于偏磁元件或者使标识器的共振频率漂移梯度大于100Hz/Oe的技术启示，这些选择也不属于本领域的常规选择，本领域技术人员基于证据4-6的公开内容和本领域的公知常识不会想到将矫顽力为4.3 Oe的材料用于证据4中的偏磁元件，或者使标识器的共振频率漂移梯度大于100Hz/Oe，因此，请求人认为该权利要求1相对于证据4、5和6的结合不具备创造性的上述理由不成立。
综上，请求人认为该权利要求1不具备创造性的理由不成立，该权利要求1相对于证据4、或者证据4与证据6的结合、或者证据4-6的结合均具备创造性，相应地，其从属权利要求2－3也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（2）关于权利要求4、6-7
本专利权利要求4请求保护一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器。由前面关于证据4公开内容的评述可知，该权利要求4与证据4的区别在于权利要求4中的偏磁元件由具有小于55 Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成。
对于该区别技术特征，请求人的理由（2）认为：
证据4揭示了偏磁元件与磁致伸缩元件相比具有较高矫顽力，证据5公开的标识器中磁致伸缩元件的矫顽力小于1 Oe，证据6公开了低矫顽力磁性材料的制作方法，本领域技术人员可以选取不同矫顽力的磁性材料应用于证据4揭露的标识器中，如表IV中的Hc=10、12、18、25、39、41 Oe等矫顽力在10 Oe至55 Oe之间的半硬化磁性材料，在上述证据的教导下，本领域技术人员容易想到该区别技术特征，因此本专利权利要求4相对于证据4与证据6的结合、或者证据4与证据5、6的结合不具备创造性。
对此，合议组认为：如关于理由（1）中所述，证据6的中文译文中并未公开Hc=10、12、18、25、39、41 Oe等矫顽力在10 Oe至55 Oe之间的半硬化磁性材料，也没有教导可以将矫顽力在10 Oe至55 Oe之间的磁性材料应用于制造标识器的偏磁元件，证据5中也未公开或给出启示将矫顽力在10 Oe至55 Oe之间的磁性材料用于标识器的偏磁元件，证据4中也不存在相关的技术启示，因此，请求人的上述理由（2）不成立，权利要求4相对于证据4与证据6的结合、证据4与证据5、6的结合具备专利法第22条第3款规定的创造性。
相应地，其从属权利要求6－7也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（3）关于权利要求9、11-12
本专利权利要求9请求保护一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器。由前面关于证据4公开内容的评述可知，该权利要求9与证据4的区别在于使偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于350 Oe。
对于该区别技术特征，请求人的理由（3）认为：
证据6中的表V列出的100 Oe磁化场时的磁感应强度B100表明该材料的饱和磁感为16.5kGs，其中对应表IV中的矫顽力为29 Oe（97%冷拔截面缩小率，600摄氏度时效热处理）的半硬磁的B100已高达16.1kGs，由此可以相信该材料的饱和场低于350 Oe，因此权利要求9相对于证据5、6和7的结合不具备创造性。
对此，合议组认为：证据6中并未记载请求人指出的上述内容，且如前面关于理由（1）所述，证据6中未公开DC饱和磁场Ha小于350 Oe的半硬化磁性材料，也没有教导可以将DC饱和磁场小于350 Oe的磁性材料应用于制造标识器的偏磁元件，证据5中也未公开或给出启示将DC饱和磁场小于350 Oe的磁性材料应用于制造标识器的偏磁元件，证据4中也不存在相关的技术启示，因此，请求人的上述理由（3）不成立，权利要求9相对于证据4与证据5、6的结合具备专利法第22条第3款规定的创造性。
相应地，其从属权利要求11－12也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（4）关于权利要求20-24
本专利权利要求20请求保护一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器。由前面关于证据4公开内容的评述可知，该权利要求20与证据4的区别在于“所述标识器具有与退活化磁场相关的共振频率漂移特性，从而使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为50 Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为1.5kHz”。
对于该区别技术特征，请求人的理由（4.1）认为：
证据4中教导了调节偏磁片的大小可以调节偏置场的大小，对较大体积的偏磁元件可以用调节磁化度的方法来使得标识器的共振频率到达58kHz，由此，本领域技术人员通过各种设置和调节，总可以使得不同矫顽力（如Hc约为5 Oe）的偏磁材料为磁致伸缩元件提供的偏置磁场为6 Oe，获得58kHz的共振频率，然后通过5 Oe的退活化磁场使标识器的共振频率超过60kHz，即，在证据4的基础上概括得到该权利要求20的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，该权利要求20不具备创造性。
对此，合议组认为：
如前面所述，尽管证据4中教导了调节偏磁片的大小可以调节偏置场的大小，对较大体积的偏磁元件可以用调节磁化度的方法来使得标识器的共振频率到达58kHz，但是在现有技术中，为了防止标识器意外被退活化，会采用具有一定矫顽力（例如Hc不小于60 Oe）的材料作为偏磁元件，通常是选择半硬化材料作为偏磁元件，不会想到选择矫顽力低至5 Oe的偏磁材料，而证据4中也不存在让本领域技术人员使用矫顽力低至5 Oe的磁性材料作为偏磁元件的技术启示，同时也未教导使得将标识器曝露在峰值幅度为50 Oe以下的AC退活化磁场中时，标识器共振频率相对于目标共振频率漂移至少1.5kHz，因此，请求人认为该权利要求20相对于证据4不具备创造性的上述理由（4.1）不成立。
请求人的理由（4.2）认为，本领域技术人员可以根据证据6公开的内容，选取不同矫顽力的磁性材料应用于证据4所揭露的标识器中，例如可以选取其中揭露的矫顽力为4.3 Oe的磁性材料作为偏磁元件，因此在证据4的基础上结合证据6得到该权利要求20对于本领域技术人员而言是显而易见的，该权利要求20不具备创造性。
对此，合议组认为：如前所述，证据6中未公开例如矫顽力为4.3 Oe的磁性材料，也未教导可以将这种低矫顽力的磁性材料选择用于制作标识器的偏磁元件，证据4中也不存在将例如矫顽力为4.3 Oe的磁性材料用于偏磁元件的技术启示，同时上述证据中也未教导使得将标识器曝露在峰值幅度为50 Oe以下的AC退活化磁场中时，标识器共振频率相对于目标共振频率漂移至少1.5kHz，因此，请求人认为该权利要求20相对于证据4和证据6的结合不具备创造性的上述理由不成立。
请求人的理由（4.3）认为，证据5公开了一种标识器，其中磁致伸缩元件的矫顽力小于1 Oe，证据4中公开了偏磁元件与磁致伸缩元件相比具有较高矫顽力，证据6公开了不同矫顽力的磁化材料，根据上述证据的教导，本领域技术人员有动机选择矫顽力为4.3 Oe的磁性材料来制作偏磁元件，并应用于证据4揭露的标识器中，从而得到当标识器曝露在峰值幅度为4.3 Oe的退活磁场中时，标识器的共振频率相对于58kHz的目标共振频率漂移大于2kHz的技术方案，即，在证据4的基础上结合证据5和6得到该权利要求20的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，该权利要求20不具备创造性。
对此，合议组认为：如前所述，证据4-6中均未公开或教导将矫顽力为4.3 Oe的磁性材料用于制作偏磁元件，或者使标识器曝露在峰值幅度为50 Oe以下的AC退活化磁场中时，标识器的共振频率相对于目标共振频率漂移至少为1.5kHz，该区别技术特征也不属于本领域的常规选择，本领域技术人员基于证据4-6的公开内容和本领域的公知常识不会想到将矫顽力为4.3 Oe的材料用于证据4中的偏磁元件，或者使标识器曝露在峰值幅度为50 Oe以下的AC退活化磁场中时，标识器的共振频率相对于目标共振频率漂移至少为1.5kHz，因此，请求人认为该权利要求20相对于证据4、5和6的结合不具备创造性的上述理由不成立。
综上，请求人认为该权利要求20不具备创造性的理由不成立，该权利要求20相对于证据4、或者证据4与证据6的结合、或者证据4-6的结合均具备创造性，相应地，其从属权利要求21-24也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（5）关于权利要求25
本专利权利要求25请求保护一种使用在按预定频率发出呈间歇式脉冲串的标识器问询信号的磁力式电子货品监视系统中的标识器。由前面关于证据4公开内容的评述可知，该权利要求25与证据4的区别在于“所述标识器的随退活化磁场变化的输出信号特性使得将该标识器曝露在峰值幅度低于35 Oe的AC退活化磁场中时，由所述标识器产生的A1输出信号水平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号水平的至少50％，其中的A1输出信号是由标识器在施加在标识器处的问询信号脉冲结束后1毫秒时产生的信号”。
对于该区别技术特征，请求人的理由（5.1）认为：
证据6公开了Hc=4.3 Oe的磁性材料，本领域技术人员可以将该Hc=4.3 Oe的材料用于证据4的标识器的偏磁元件，此时当施加峰值为30 Oe的AC退磁场时，标识器的A1信号将降低至远小于暴露之前的50%，因此在证据4的基础上结合证据6得到该权利要求25对于本领域技术人员而言是显而易见的，该权利要求25不具备创造性。
对此，合议组认为：如前所述，证据6中未公开例如矫顽力为4.3 Oe的磁性材料，也未教导可以将这种低矫顽力的磁性材料选择用于制作标识器的偏磁元件，证据4中也不存在将例如矫顽力为4.3 Oe的磁性材料用于偏磁元件的技术启示，同时上述证据中也未教导使得将标识器曝露在峰值幅度低于35 Oe的AC退活化磁场中时，由标识器产生的A1输出信号水平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号水平的至少50％，因此，请求人认为该权利要求25相对于证据4和证据6的结合不具备创造性的上述理由不成立。
请求人的理由（5.2）认为，证据5公开了一种标识器，其中磁致伸缩元件的矫顽力小于1 Oe，证据4中公开了偏磁元件与磁致伸缩元件相比具有较高矫顽力，证据6公开了不同矫顽力的磁化材料，根据上述证据的教导，本领域技术人员有动机选择矫顽力为4.3 Oe的磁性材料来制作偏磁元件，并应用于证据4揭露的标识器中，从而得到当施加峰值为30 Oe的AC退磁场时，标识器的A1信号将降低至远小于暴露之前的50%的技术方案，即，在证据4的基础上结合证据5和6得到该权利要求25的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，该权利要求25不具备创造性。
对此，合议组认为：如前所述，证据4-6中均未公开或教导将矫顽力为4.3 Oe的磁性材料用于制作偏磁元件，或者使得当施加峰值为30 Oe的AC退磁场时标识器的A1信号将降低至远小于暴露之前的50%，该区别技术特征也不属于本领域的常规选择，本领域技术人员基于证据4-6的公开内容和本领域的公知常识不会想到将矫顽力为4.3 Oe的材料用于证据4中的偏磁元件，或者使得当施加峰值为30 Oe的AC退磁场时，标识器的A1信号将降低至远小于暴露之前的50%，因此，请求人认为该权利要求25相对于证据4、5和6的结合不具备创造性的上述理由不成立。
综上，请求人认为该权利要求25不具备创造性的理由不成立，该权利要求25相对于证据4与证据6的结合、或者证据4-6的结合均具备创造性。
（6）关于权利要求37、42、44、46、47
本专利权利要求37请求保护一种对使用在磁力式EAS系统中的EAS标识器实施活化和退活化用的方法。证据4（参见反证3的权利要求12-20、第4页第11-16行、第6页倒数第2段-第8页第4段，图1-3）公开了一种使用在磁力式电子货品监视系统的标识器的制造方法，其包括通过在一磁致伸缩元件相邻处安装一偏磁元件形成标识器，所述磁致伸缩元件具有随偏磁元件施加的偏置磁场水平而改变的共振频率，当偏磁元件提供的偏置磁场为6 Oe时，标识器的共振频率约为58kHz，当因退活化使得偏置磁场降低到1 Oe或更低时，标识器的共振频率超过60kHz，其中通过提供较大体积的偏磁元件，使得偏磁元件在被磁化到低于饱和的磁化度时仍可提供约为6 Oe的偏置磁场，因此可以通过调整偏磁元件的磁化度而调整偏置磁场的强度，调谐标识器的共振频率至所需频率（例如58kHz的标准共振频率），并且可以通过将偏磁元件饱和而使其退活化，而不是消磁或接触性退活化。
本专利权利要求37与证据4的区别在于“通过将所述标识器曝露在其峰值幅度低于150 Oe的AC磁场中的方式，对所述EAS标识器实施退活化”。
对于该区别技术特征，请求人的理由（6.1）认为：
证据4中教导了调节偏磁片的大小可以调节偏置场的大小，对较大体积的偏磁元件可以用调节磁化度的方法来使得标识器的共振频率到达58kHz，且本领域技术人员知晓标识器的偏磁元件的矫顽力越小，则标识器所需要的退活化磁场强度越小，根据证据4公开的标识器的共振频率漂移特性，结合本领域常用的技术手段和证据4的上述教导，本领域技术人员容易想到采用矫顽力小于5 Oe的磁化材料制作偏磁元件，使标识器的偏置磁场为6 Oe，获得58kHz的共振频率，使用例如5Oe的退活化磁场使共振频率漂移超过60kHz，即，使得能够通过将标识器暴露在低于150 Oe的退活化磁场中的方式对标识器实施退活化。由此可见，在证据4的基础上概括得到该权利要求37的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，该权利要求37不具备创造性。
对此，合议组认为：证据4中公开的是通过增加偏磁元件的体积使得能够在偏磁元件未达到饱和磁化时实现标识器的标准共振频率，从而能够通过调节偏磁元件的磁化度来对标识器进行调谐，以及能够通过使偏磁元件饱和磁化来实现标识器的退活化，其中仅提及了实现标准共振频率所需要的偏置磁场为6 Oe，并未公开可以采用例如5 Oe的磁性材料制作偏磁元件或使标识器暴露在低于150 Oe的退活化磁场中来实施标识器的退活化，也没有给出相关的技术启示，尽管证据4中教导了可以通过增加偏置片的体积来增大饱和偏置磁场，且本领域技术人员知晓偏磁元件的矫顽力越小，则标识器所需要的退活化磁场通常越小，但是在现有技术中，为了防止标识器意外被退活化，要采用具有一定矫顽力（例如Hc不小于60 Oe）的材料作为偏磁元件，证据4中也未教导采用5 Oe的磁性材料制作偏磁元件，因此本领域技术人员通常也不会想到选择矫顽力低至5 Oe的偏磁材料用于标识器的偏磁元件，因此，请求人认为该权利要求37相对于证据4不具备创造性的理由不成立。
请求人的理由（6.2）认为，证据6公开了Hc=4.3 Oe的磁性材料，本领域技术人员可以将该Hc=4.3 Oe的材料用于证据4的标识器的偏磁元件，使得能够通过将标识器暴露在低于150 Oe的退活化磁场中的方式对标识器实施退活化。因此在证据4的基础上结合证据6得到该权利要求37对于本领域技术人员而言是显而易见的，该权利要求25不具备创造性。
对此，合议组认为：如前所述，证据6中未公开例如矫顽力为4.3 Oe的磁性材料，也未教导可以将这种低矫顽力的磁性材料选择用于制作标识器的偏磁元件，证据4中也不存在将例如矫顽力为4.3 Oe的磁性材料用于偏磁元件的技术启示，同时上述证据中也未教导通过将标识器暴露在低于150 Oe的退活化磁场中的方式对标识器实施退活化的方式。因此，请求人认为该权利要求37相对于证据4和证据6的结合不具备创造性的理由不成立。
请求人的理由（6.3）认为，证据5公开了一种标识器，其中磁致伸缩元件的矫顽力小于1 Oe，证据4中公开了偏磁元件与磁致伸缩元件相比具有较高矫顽力，证据6公开了不同矫顽力的磁化材料，根据上述证据的教导，本领域技术人员有动机选择矫顽力为4.3 Oe的磁性材料来制作偏磁元件，并应用于证据4揭露的标识器中，从而得到通过将标识器暴露在低于150 Oe的退活化磁场中的方式对标识器实施退活化的技术方案，即，在证据4
郑重声明：本文版权归原作者所有，转载文章仅为传播更多信息之目的，如作者信息标记有误，请第一时间联系我们修改或删除，多谢。
