发明创造名称：一种三银低辐射膜玻璃
外观设计名称：
决定号：18840
决定日：2012-06-11
委内编号：4W101250，4W101351
优先权日：
申请（专利）号：200910105851.1
申请日：2009-03-06
复审请求人：
无效请求人：第4W101250号：刘月琴
授权公告日：2011-08-17
审定公告日：
专利权人：中国南玻集团股份有限公司
主审员：苑伟康
合议组组长：张艳
参审员：彭敏
国际分类号：C03C17/36
外观设计分类号：
法律依据：原专利法第22条第3款
决定要点
：一项发明权利要求与最接近的现有技术相比存在区别技术特征，如果本领域的公知常识给出了将上述区别技术特征应用到该最接近的现有技术以解决发明实际解决的技术问题的技术启示，则该权利要求的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的。
全文：
本无效宣告请求涉及中华人民共和国国家知识产权局于2011年8月17日授权公告的、名称为“一种三银低辐射玻璃”的发明专利（下称本专利）。本专利的专利号为200910105851.1，申请日为2009年3月6日，专利权人为中国南玻集团股份有限公司。本专利授权公告的权利要求书如下：
“1.一种三银低辐射膜玻璃，其特征在于，该玻璃的膜层结构为：玻璃／基层电介质组合层／第一Ag层／第一阻挡层／第一隔层电介质组合层／第二Ag层／第二阻挡层／第二隔层电介质组介层／第三Ag层／第三阻挡层／第一上层电介质组合层／第二上层电介质组合层；其中所述基层电介质组合层、第一隔层电介质组合层、第二隔层电介质组合层、第一上层电介质组合层、第二上层电介质组合层是选自金属或非金属的氧化物或氮化物TiO2、ZnSnOx、ZnO、Si02、Ta2O5、BiO2、A1203、ZnAl2O4、Nb2O5、Si3N4、AZO中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的三银低辐射膜玻璃，其特征在于，所述基层电介质组合层厚度为10～30nm。
3．根据权利要求1所述的三银低辐射膜玻璃，其特征在于，所述第一隔层电介质组合层的厚度38～90nm；所述第二隔层电介质组合层的厚度为30～110nm。
4.根据权利要求1所述的三银低辐射膜玻璃，其特征在于，所述第一上层电介质组合层的厚度为10～35nm；所述第二上层电介质组合层的厚度为10～3Onm。
5.根据权利要求1所述的三银低辐射膜玻璃，其特征在于，所述第一Ag层、第二Ag层、第三Ag层的厚度为8～35nm。
6.根据权利要求1所述的三银低辐射膜玻璃，其特征在于，所述第一阻挡层、第二阻挡层、第三阻挡层的材料是氧化镍铬或氮化镍铬，层厚1～10nm。
7.权利要求1-6任意一项所述三银低辐射膜玻璃的生产工艺，包括以下步骤：
（1）基础玻璃清洗干燥，并置于真空溅射区；
（2）双旋转阴极、中频反应磁控溅射沉积基层电介质组合层；
（3）平面阴极或旋转阴极、直流或直流加脉冲磁控溅射沉积第一Ag层；
（4）平面阴极或旋转阴极、直流或直流加脉冲磁控溅射沉积第一阻挡层：
（5）双旋转阴极、中频反应磁控溅射沉积第一隔层电介质组合层；
（6）平面阴极或旋转阴极、直流或直流加脉冲磁控溅射沉积第二Ag层；
（7）平面阴极或旋转阴极、直流或直流加脉冲磁控溅射沉积第二阻挡层；
（8）双旋转阴极、中频反应磁控溅射沉积第二隔层电介质组合层；
（9）平面阴极或旋转阴极、直流或直流加脉冲磁控溅射沉积第三Ag层；
（10）平面阴极或旋转阴极、直流或直流加脉冲磁控溅射沉积第三阻挡层；
（11）双旋转阴极、中频反应磁控溅射分别沉积第一、第二上层电介质组合层。
8.根据权利要求7所述的三银低辐射膜玻璃的生产工艺，其特征在于，所述双旋转阴极、中频反应磁控溅射是在氩氮或氩氧氛围中进行，功率30kw－100kw，中频电源频率为30-50kHz。
9.根据权利要求7所述的三银低辐射膜玻璃的生产工艺，其特征在于，所述平面阴极或旋转阴极、直流或直流加脉冲磁控溅射是在氩氧氛围中进行，功率2-8kw。”
案件编号为4W101250的无效宣告请求
针对上述专利权，刘月琴（下称第一请求人）于2011年10月25日向专利复审委员会提出无效宣告请求，请求宣告本专利权利要求1-9无效，理由是权利要求1-9不符合原专利法第22条第3款关于创造性的规定，同时提交了如下证据：
证据1：公开日为2008年12月10日，公开号为CN101321708A的发明专利申请公布说明书，共61页；
证据2：公开日为2008年12月10日，公开号为CN101321702A的发明专利申请公布说明书，共29页。
第一请求人认为：证据1和2均涉及一种低辐射膜玻璃，与本专利属于相同的技术领域，产品独立权利要求1相对于证据1与本领域公知常识的结合不具备创造性；从属权利要求2、3、5和6的附加技术特征被证据1公开，从属权利要求4的附加技术特征被证据1和公知常识公开，因此，从属权利要求2-6也不具备创造性；方法独立权利要求7相对于证据1与本领域公知常识的结合不具备创造性；从属权利要求8-9的附加技术特征被证据1和公知常识公开，从而也不具备创造性。权利要求1-9相对于证据2和公知常识的结合不具备创造性。
经形式审查合格，专利复审委员会受理了上述无效宣告请求，于2011年11月25日向第一请求人和专利权人发出无效宣告请求受理通知书，并将无效宣告请求书及证据副本转给专利权人，要求专利权人在指定期限内陈述意见。同时成立合议组对本案进行审查。
针对上述无效宣告请求，专利权人于2012年1月10日提交了意见陈述书以及修改的权利要求书，具体修改方式为将权利要求1中部分内容删除，修改后的权利要求1为：
“1．一种三银低辐射膜玻璃，其特征在于，该玻璃的膜层结构为：玻璃／基层电介质组合层／第一Ag层／第一阻挡层／第一隔层电介质组合层／第二Ag层／第二阻挡层／第二隔层电介质组介层／第三Ag层／第三阻挡层／第一上层电介质组合层／第二上层电介质组合层；其中所述基层电介质组合层、第一隔层电介质组合层、第二隔层电介质组合层、第一上层电介质组合层、第二上层电介质组合层是选自Ta2O5、A1203、ZnAl2O4、AZO中的至少一种。”
专利权人认为：修改后的权利要求1与第一请求人提交的证据相比具有如下区别技术特征“其中所述基层电介质组合层、第一隔层电介质组合层、第二隔层电介质组合层、第一上层电介质组合层、第二上层电介质组合层是选自Ta2O5、A1203、ZnAl2O4、AZO中的至少一种”；不同化合物之间性质差别很大，对于玻璃膜层来说，不同化学材料的膜层在理化性能上的差异是不可预知的，对最终产品的性能带来的影响也不一样；Ta2O5和A1203是耐磨损材料，有助于提高膜层机械强度；ZnAl2O4可以将Ag层展平，提高Ag层实际效用，对可见光吸收小，可提高对可见光的透过率，降低辐射率；AZO导电性和吸氧能力强，可提高低辐射性能以及对Ag层的保护性能，且可将Ag层展平，提高Ag层实际效用；当为Ta2O5和A1203组合时，折射率一高一低形成减反膜，可增加Ag的使用率，提高性能。证据1和2均未公开上述区别技术特征，不能解决上述技术问题，也没有给出采用上述区别技术特征解决上述技术问题的任何技术启示，因此，权利要求1-9具备创造性。
专利复审委员会本案合议组于2012年3月20日向第一请求人发出转送文件通知书，将专利权人于2012年1月10日提交的意见陈述书以及修改的权利要求书转送给第一请求人，要求第一请求人在指定期限内陈述意见。对此，第一请求人在指定期限内未提交意见陈述。
案件编号为4W101351的无效宣告请求
针对同一专利权，王鹏（下称第二请求人）于2011年12月27日向专利复审委员会提出无效宣告请求，请求宣告本专利权利要求1-9无效，其理由是权利要求1-9不符合原专利法第22条第2款和/或第3款关于新颖性和/或创造性的规定，同时提交了如下证据：
证据1’：公开日为2008年12月10日，公开号为CN101321702A的中国发明专利申请公布说明书，共29页（同4W101250中证据2）；
证据2’：公开日为2007年5月4日，公开号为US20070116967A1的美国专利及其中文译文，共45页；
证据3’：公开日为2006年3月2日，公开号为US20060046072A1的美国专利，共11页。
第二请求人认为：证据1’涉及一种高红外反射涂层，公开了产品权利要求1-6的全部技术特征，权利要求1-6相对于证据1’不具备新颖性；从属权利要求6的附加技术特征被证据3’公开，或属于本领域公知常识，由此权利要求6不具备创造性；方法独立权利要求7相对于证据1’和公知常识的结合不具备创造性，从属权利要求8的附加技术特征被证据1’和公知常识公开，从属权利要求9的附加技术特征被证据1’公开，权利要求8-9也不具备创造性。证据2’涉及一种用于中空玻璃的膜层制品，公开了权利要求1的全部特征，权利要求1相对于证据2’也不具备新颖性。
经形式审查合格，专利复审委员会受理了上述无效宣告请求，于2012年1月19日向第二请求人和专利权人发出无效宣告请求受理通知书，并将无效宣告请求书及证据副本转给专利权人，要求专利权人在指定期限内陈述意见。同时成立合议组对本案进行审查。
针对上述无效宣告请求，专利权人于2012年3月2日提交了意见陈述书，并在意见陈述正文中表示：在答复案件编号为4W101250的无效宣告请求时，专利权人已于2012年1月10日提交了修改后的权利要求书，在此附上其中修改后的权利要求1，供合议组参考。在此基础上，专利权人认为：证据3’未提交中文译文，应不予考虑；修改后的权利要求1与第二请求人提交的证据相比具有如下区别技术特征“其中所述基层电介质组合层、第一隔层电介质组合层、第二隔层电介质组合层、第一上层电介质组合层、第二上层电介质组合层是选自Ta2O5、A1203、ZnAl2O4、AZO中的至少一种”，相对于证据1’和2’，本专利权利要求1-9具备新颖性；上述区别技术特征能解决如在答复案件编号为4W101250的无效宣告请求时提交的意见陈述中所述的技术问题，证据1’和2’均未公开上述区别技术特征，不能解决上述技术问题，也没有给出解决上述技术问题的技术启示，因此，权利要求1-9具备创造性。
专利复审委员会本案合议组于2012年3月20日向第二请求人发出转送文件通知书，将专利权人于2012年3月2日提交的意见陈述书以及专利权人在答复案件编号为4W101250的无效请求时于2012年1月10日提交的意见陈述书以及修改后的权利要求书转送给第二请求人，要求第二请求人在指定期限内陈述意见。对此，第二请求人在指定期限内未提交意见陈述。
4W101250和4W101351的合并口头审理
专利复审委员会本案合议组于2012年3月20日分别向专利权人、第一请求人、第二请求人发出了口头审理通知书，定于2012年5月14日在专利复审委员会对上述两个无效宣告请求举行合并口头审理。
合并口头审理如期举行，专利权人、第一请求人、第二请求人均出席了本次口头审理。在口头审理过程中：
（1）专利权人当庭提交了修改后的权利要求书，内容与其在答复案件编号为4W101250的无效宣告请求时于2012年1月10日提交的修改后的权利要求书相同，合议组当庭将该修改后的权利要求书转送给第二请求人。第二请求人核对后确认该权利要求书与专利权人在答复案件编号为4W101250的无效宣告请求时提交的权利要求书内容相同，当庭接收并签字。合议组经核对后亦确认专利权人当庭提交的修改后的权利要求书内容与其在答复案件编号为4W101250的无效宣告请求时提交的修改后的权利要求书内容相同。
（2）合议组明确专利权人当庭提交的权利要求书的修改方式属于并列技术方案的删除，符合《审查指南》规定的修改时机和修改方式，本次合并口头审理以专利权人当庭提交的修改后的权利要求书为审查基础。
（3）专利权人认可第一请求人提交的证据1和2的真实性、公开性。
（4）第一请求人明确其无效宣告请求的范围、理由和证据结合方式为：
以证据1作为最接近的现有技术，产品权利要求1相对于证据1和公知常识的结合不具备创造性；从属权利要求2-3和5的附加技术特征被证据1公开，从属权利要求4和6的附加技术特征被证据1以及本领域公知常识公开，从而权利要求2-6不具备创造性；方法权利要求7限定的工艺步骤被证据1以及本领域公知常识公开，在引用的权利要求1-6不具备创造性基础上，权利要求7也不具备创造性；从属权利要求8-9的附加技术特征被证据1以及本领域公知常识公开，从而不具备创造性。
以证据2作为最接近的现有技术，产品权利要求1相对于证据2和公知常识的结合不具备创造性；从属权利要求2- 5的附加技术特征被证据2公开，从属权利要求6的附加技术特征被证据2以及本领域公知常识公开，从而权利要求2-6不具备创造性；方法权利要求7限定的工艺步骤被证据2以及本领域公知常识公开，在引用的权利要求1-6不具备创造性基础上，权利要求7也不具备创造性；从属权利要求8-9的附加技术特征被证据2以及本领域公知常识公开，从而不具备创造性。
（5）合议组经调查确认，第二请求人在举证期限内所提出的无效理由均是针对专利权人提交的修改后权利要求书中已经删除的技术方案，因此，针对修改后的权利要求，第二请求人在举证期限内未提出无效理由。
至此，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、关于审查基础
专利权人于编号为4W101250和4W101351的无效宣告请求合并口头审理当庭提交了修改后的权利要求书，修改时机与方式均符合《专利审查指南》的相关规定，因此本无效宣告请求审查决定以专利权人口审当庭提交的修改后的权利要求书为审查基础。
2、证据认定
第一请求人提交的证据2为中国专利文献，且公开日在本专利的申请日之前，可以作为评价本专利创造性的现有技术。
3、关于创造性
原专利法第22条第3款规定：创造性，是指同申请日以前已有的技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步。
一项发明权利要求与最接近的现有技术相比存在区别技术特征，如果本领域的公知常识给出了将上述区别技术特征应用到该最接近的现有技术以解决发明实际解决的技术问题的技术启示，则该权利要求的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的。
（1）权利要求1的创造性
权利要求1请求保护一种三银低辐射膜玻璃。
证据2公开了一种高红外反射涂层（参见证据2说明书第7页12行，第8页6-7行，第16页第2段），并具体公开涂覆的基底12可为玻璃，基底12具有主表面18，涂层7从主表面18向外顺序包括：包含氧化锌锡的第一透明介电膜区域20（相当于本专利的“基层电介质组合层”）、包含银的第一红外反射膜区域100（相当于本专利的“第一Ag层”）、包含钛的第一隔离膜区域105（相当于本专利的“第一阻挡层”）、包含氧化锌锡的第二透明介电膜区域40（相当于本专利的“第一隔层电介质组合层”）、包含银的第二红外反射膜区域200（相当于本专利的“第二Ag层”）、包含钛的第二隔离膜区域205（相当于本专利的“第二阻挡层”）、包含氧化锌锡的第三透明介电膜区域60（相当于本专利的“第二隔层电介质组介层”）、包含银的第三红外反射膜区域300（相当于本专利的“第三Ag层”）、包含钛的第三隔离膜区域305（相当于本专利的“第三阻挡层”）和第四透明介电膜区域80，该膜区域80包括在包含氧化锌锡的层（相当于本专利的“第一上层电介质组合层”）上包含氮化硅的最外层（相当于本专利的“第二上层电介质组合层”）。
通过以上对比可知，权利要求1的技术方案与证据2的区别特征在于：“其中所述基层电介质组合层、第一隔层电介质组合层、第二隔层电介质组合层、第一上层电介质组合层、第二上层电介质组合层是选自Ta2O5、A1203、ZnAl2O4、AZO中的至少一种。”
电介质组合层的材料一般为金属或非金属的氧化物或氮化物，Ta2O5、A1203、ZnAl2O4、AZO等与证据1中公开的氧化锌锡等均是常用的电介质组合层材料，在证据2公开了使用氧化锌锡作为对应于本专利基层电介质组合层、第一隔层电介质组合层、第二隔层电介质组合层、第一上层电介质组合层等各电介质组合层的材料，和使用氮化硅作为对应于本专利第二上层电介质组合层的材料的前提下，本领域技术人员容易想到使用Ta2O5、A1203、ZnAl2O4、AZO中的至少一种作为上述各层的材料，因此，在证据2的基础上结合本领域公知常识得到本专利权利要求1的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求1的技术方案不具备突出的实质性特点，不符合原专利法第22条第3款关于创造性的规定。
专利权人认为：本专利修改之前的改进点在于膜层特殊的结构，现基于请求人提供的证据，对权利要求书进行修改，修改后本专利的改进点在于膜层材料的选择。修改后的四种材料用于三银低辐射膜不是公知，现有技术中没有技术启示，其解决的技术问题是：Ta2O5和A12O3是耐磨损材料，有助于提高膜层机械强度；ZnAl2O4可以将Ag层展平，提高Ag层实际效用，对可见光吸收小，可提高对可见光的透过率，降低辐射率；AZO导电性和吸氧能力强，可提高低辐射性能以及对Ag层的保护性能，且可将Ag层展平，提高Ag层实际效用；当为Ta2O5和A1203组合时，折射率一高一低形成减反膜，可增加Ag的使用率，提高性能；上述技术问题虽然在本专利中没有文字记载，但该四种材料的上述特性都是本领域技术人员通过常规手段检测可以确认的。因此，本专利权利要求1具备创造性。
对此，合议组认为：首先，根据本专利说明书的记载（参见本专利说明书第[0006]、[0007]、[0030]段），本专利解决的技术问题是为了使低辐射膜玻璃具有较好的U值和选择系数需增加银层厚度，从而导致可见光透射率降低、外观颜色呈现干扰色、颜色选择范围受限制，无法达到理想的综合指标，采用的技术手段是使用具有独特膜层配置的三银低辐射膜，其中的电介质组合层可以选自TiO2、ZnSnOx、ZnO、Si02、Ta2O5、BiO2、A1203、ZnAl2O4、Nb2O5、Si3N4、AZO中的至少一种，所实现的技术效果是所得到的低辐射膜玻璃具有低辐射率、良好的选择系数、室内外颜色接近中性且无干扰色、具有良好的光学稳定性、耐候性等，且说明书中并未记载任何数据以表明某种电介质组合层材料具有更优的性能；根据上述记载可知，Ta2O5、A1203、ZnAl2O4、AZO与TiO2、ZnSnOx、ZnO、Si02、BiO2、Nb2O5、Si3N4在获得本专利独特膜层配置的三银低辐射膜时的作用是等效的。其次，在三银低辐射膜玻璃中，电介质组合层的主要作用是保护Ag层免受划伤或磨损以及在空气中的腐蚀，并且通过设计不同电介质组合层的折射率和厚度使膜面减反射，增强可见光的透射和红外线的反射，由此可知只要物质具有一定硬度且与Ag是非反应性的就可为Ag层提供保护功能，其对可见光的透射和红外线的反射只需根据物质的折射率调整其厚度即可实现，本领域技术人员公知电介质组合层常用的材料TiO2、ZnSnOx、ZnO、Si02、BiO2、Nb2O5、Si3N4的折射率一般在1.7-2.3的范围内，而Ta2O5、A1203、ZnAl2O4、AZO的折射率也均在此范围之内，据此本领域技术人员可知采用上述四种物质在可接受的厚度范围内也能通过调节厚度来实现其对可见光的透射和红外线的反射的增强，因此，本领域技术人员容易想到采用Ta2O5、A1203、ZnAl2O4、AZO代替TiO2、ZnSnOx、ZnO、Si02、BiO2、Nb2O5、Si3N4作为电介质组合层材料。再次，不同的物质其性质必然有差别，用于同样的场合其所表现出来的性能略有差异也是本领域技术人员可以预料的，专利权人在意见陈述书中认为采用Ta2O5、A1203、ZnAl2O4、AZO所能解决的技术问题以及产生的技术效果均是基于个体特性的差异，而这些个体特性的差异是本领域技术人员知晓且通过常规手段可以具体确定的，且基于此导致的性能差异也是本领域技术人员可以预料的。因此，专利权人认为权利要求1相对于证据2与本领域公知常识的结合具备创造性的理由不能成立。
（2）权利要求2-6的创造性
权利要求2-6引用权利要求1，进一步限定了权利要求1中各膜层的厚度以及阻挡层的材料。
证据2进一步公开涂层中各层厚度（参见证据2说明书第14页表1和表2），已经公开了权利要求2-6中限定的厚度特征，例如表1中由上至下公开的厚度单位换算后，Zn O的厚度为15.9nm（公开了权利要求2的“基层电介质组合层厚度为10-30nm”）、Ag的厚度为12.2nm（公开了权利要求5的“第一Ag层的厚度为8-35nm”）、Ti的厚度为2nm（公开了权利要求6的“第一阻挡层的层厚1-10nm”）、Zn O的厚度为56.2nm（公开了权利要求3的“第一隔层电介质组合层厚度为38-90nm”）、Ag的厚度为14.9nm（公开了权利要求5的“第二Ag层的厚度为8-35nm”）、Ti的厚度为2nm（公开了权利要求6的“第二阻挡层的层厚1-10nm”）、Zn O的厚度为65.5nm（公开了权利要求3的“第二隔层电介质组合层厚度为30-110nm”）、Ag的厚度为20.6nm（公开了权利要求5的“第三Ag层的厚度为8-35nm”）、Ti的厚度为2nm（公开了权利要求6的“第三阻挡层的层厚1-10nm”）、Zn O的厚度为23.6nm（公开了权利要求4的“第一上层电介质组合层厚度为10-35nm”）和Si3N4的厚度为10.1nm（公开了权利要求4的“第二上层电介质组合层厚度为10-30nm”）。证据2在说明书第10页2-3行记载了隔离层可以使用其他原料，例如镍-铬，并在说明书第10页7-9行记载了隔离膜区域以非金属形式沉积（例如选自氧化物、氮化物和氧氮化物），基于证据2的记载，本领域技术人员易于想到用氧化镍铬或氮化镍铬作为隔离膜区域（也即本专利相应的各阻挡层）的材料。综上可见，权利要求2-5的附加技术特征均被证据2公开，权利要求6的附加技术特征部分被证据2公开，部分是在证据2的基础上容易想到的，在其引用的权利要求1不具有创造性的基础上，从属权利要求2-6的技术方案也不具备突出的实质性特点，不符合原专利法第22条第3款关于创造性的规定。
专利权人认为：证据2并未记载隔离膜区域可以采用氧化镍铬或氮化镍铬，且证据2中公开的镍-铬以及氧化物、氮化物之间没有结合的技术启示。
对此，合议组认为：证据2中说明书第10页2-3行和7-9行记载的内容限定了涂层中隔离膜区域的材料可为镍、铬、镍-铬等，并且还公开了所述隔离膜区域以非金属形式沉积，如氧化物、氮化物和氧氮化物，本领域技术人员有动机将两部分内容结合起来从而获得材料是氧化镍铬或氮化镍铬的隔离膜区域，这无需付出创造性劳动，且技术效果也是可以预料的。因此，专利权人的主张不能成立。
（3）权利要求7的创造性
权利要求7保护一种如权利要求1-6所述玻璃的生产工艺。
证据2作为最接近的现有技术，公开了带有涂层7的玻璃（参见评述本专利权利要求1-6时述及的证据2的相关出处），并进一步公开了玻璃上涂覆涂层7的方法（参见证据2说明书第7页第3段，第15页第1段，第16页第3段-第19页第3段），具体公开基底12可为玻璃（参见说明书第7页12行），提供具有表面18的基底12，表面18可以通过适当的洗涤或化学制备来制成（参见说明书第15页3-4行）（公开了本专利权利要求7的“清洗干净”），将基底12传送至涂覆区进行溅射，所有涂覆区内压力为4×10-3mbar（参见说明书第16页17-18和25-26行，第17页10和25行，第18页7和21行，第19页18行）(公开了本专利权利要求7的“真空溅射”），透明介电膜区域的溅射每个隔间采用两个圆柱形溅射靶（参见说明书第16页15行，第17页8行，第18页4行，第19页2和19行）(公开了本专利权利要求7的“双旋转阴极”），红外反射膜和隔离膜区域的溅射采用平面靶（参见说明书第16页27行，第17页26行，第18页22行）(公开了本专利权利要求7的“平面阴极”）。
权利要求7与证据2的区别技术特征除包含权利要求1-6的玻璃产品与证据2的区别技术特征外，还包括在多个步骤中使用中频反应磁控溅射沉积、直流或直流加脉冲磁控溅射沉积相应的层。
合议组认为：证据2中未公开的中频反应磁控溅射沉积、直流或直流加脉冲磁控溅射沉积均是本领域常用的沉积方法，对此，专利权人亦表示认可，同时，结合对权利要求1-6的相关评述可见，在证据2的基础上结合本领域公知常识得到权利要求7的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求7的技术方案不具备突出的实质性特点，不符合原专利法第22条第3款关于创造性的规定。
（4）权利要求8-9的创造性
权利要求8和9分别引用权利要求7，进一步限定了溅射的氛围、功率和电源频率。
证据2进一步公开采用两个圆柱形靶（即权利要求8中“双旋转阴极”）溅射的气氛可为氩气和氧气（参见说明书第16页18-19行，第17页10-11行，第18页7-8行）或者氮气和氩气（参见说明书第19页17-18行），对应第一、二、三透明介电膜区域以及第四透明介电膜区域最外部（分别相当于本专利的“基层电介质组合层”、“第一隔层电介质组合层层”、“第二隔层电介质组合层层”和“第二上层电介质组合层”）的功率例如可为36.7kw、50.2kw、50.3kw、31.9kw（参见说明书第16页19行，第17页12行，第18页9行以及第19页20行），此外，第一上层电介质组合层的溅射功率本领域技术人员根据实际所需膜厚可以进行适应性调节，而中频电源频率为30-50kHz是本领域常用的频率范围。
证据2还公开了平面靶（即权利要求9中“平面阴极”）溅射的气氛为氩气（参见说明书第16页26-29行，第17页1和25行，第18页21行），第一红外反射膜区域和第一隔离膜区域（分别相当于本专利的“第一Ag层”和“第一阻挡层”）的功率分别为7.1kw和7.8kw，其余红外反射膜区域和隔离膜区域的溅射功率是本领域技术人员根据实际所需膜厚可以进行适应性调节的，而氩氧气氛或氩气气氛都是本领域技术人员能够视实际需要而选择的常用的气氛。
综上可见，在其引用的权利要求7不具备创造性的基础上，权利要求8和9也不具备创造性。
专利权人认为：权利要求9撰写错误，根据说明书[0053]段记载，权利要求9实际保护的技术方案是Ag层在氩气气氛下溅射，而阻挡层在氩氧气氛下溅射；公知常识没有举证。
对此，合议组认为：首先，权利要求9的撰写表述清楚，意思明确，无须引入说明书进行解释，权利要求9的保护范围以权利要求的记载为准；即使如专利权人所述，权利要求9的技术方案中Ag在氩气氛围下溅射，其已经被证据2公开，仍然不具备创造性。其次，溅射频率主要影响膜层厚度，证据2已经公开了本专利权利要求所限定的膜层厚度，基于所需的膜层厚度从而调节溅射频率是本领域技术人员的常规手段；30-50kHz的电源频率是中频电源的常规参数；溅射气氛是根据所需膜层材料所选择的，如果需要金属氧化物膜，则通常气体中需含氧，如果需要金属膜，则通常需要惰性气体，基于本专利的膜层材料已被证据2已经公开或是本领域技术人员易于选择的，故本领域技术人员能够容易地根据所选膜层材料确定适宜的溅射气氛。因此，专利权人的主张不能成立。
4、关于其他的无效理由
由于本专利全部权利要求1-9均不具备创造性，应被宣告无效，因此，针对权利要求1-9的其他无效宣告理由在此不再予以评述。
根据如上事实和理由，合议组依法作出如下审查决定。
三、决定
宣告第200910105851.1号发明专利权全部无效。
当事人对本决定不服的，可以根据专利法第46条第2款的规定，自收到本决定之日起三个月内向北京市第一中级人民法院起诉。根据该款的规定，一方当事人起诉后，另一方当事人作为第三人参加诉讼。
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