发明创造名称：发光装置及显示装置
外观设计名称：
决定号：19310
决定日：2012-08-20
委内编号：4W101093
优先权日：1996-07-29
申请（专利）号：03159595.2
申请日：1997-07-29
复审请求人：
无效请求人：亿光电子工业股份有限公司
授权公告日：2006-02-01
审定公告日：
专利权人：日亚化学工业株式会社
主审员：陶应磊
合议组组长：张度
参审员：孙学锋
国际分类号：H01L33/00，C09K11/08，G09F9/33
外观设计分类号：
法律依据：专利法第26条第4款及第22条第3款，专利法实施细则第21条2款及第20条第1款
决定要点：在说明书记载足够数量的实施例情形下，本领域技术人员基于稀土元素具有类似性质的常识，能够合理预测以权利要求中以一般式表示的组分能够实现发明目的、达到相应的技术效果，则权利要求得到说明书的支持。
全文：
本无效宣告请求涉及国家知识产权局于2006年2月1日授权公告的第03159595.2号发明专利权（下称本专利），其名称为“发光装置及显示装置”，本专利为97196762.8号专利申请的分案，原案申请日为1997年07月29日，优先权日为1996年7月29日、1996年9月17日、1996年9月18日、1996年12月27日、1997年3月31日，授权公告日为2006年02月01日。专利权人为日亚化学工业株式会社。
本专利授权公告的权利要求书的内容如下：
“1．一种发光装置，包括发光元件和光致发光荧光体，发光元件的发光层为半导体，光致发光荧光体吸收所述发光元件所发出光的一部分，而发出波长与所吸收的光波长不同的光，其特征在于：
所述发光元件的发光层由氮化物系列化合物半导体组成，且该发光元件的发光光谱的波峰位于420nm至490nm处，所述光致发光荧光体包括含有从Y、Lu、Sc、La、Gd与Sm一组中所选出的至少一种元素与自Al、Ga与In一组中所选出的至少一种元素且吸收所述发光元件所发出光的一部分并发出波峰位于530nm至570nm处的光的、以铈活化的石榴石系列荧光体。
2．如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述光致发光荧光体包含有含Y与Al的钇铝石榴石系荧光体。
3．如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述光致发光荧光体含有一般式以 (Re1-rSmr)3(Al1-sGas)5O12:Ce表示的荧光体，其中，0≤r＜1，0≤s≤1，Re是从Y、Gd中选出的至少一种。
4．如权利要求3所述的发光装置，其特征在于，所述光致发光荧光体是一般式以(Y1-p-q-rGdpCeqSmr)3(Al1-sGas)5O12表示的荧光体，其中，0≤p≤0.8、0.003≤q≤0.02、0.003≤r≤0.08、0≤s≤1。
5．如权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述光致发光荧光体包含其中Y与Al组成分别不同的二个或二个以上以铈活化的钇铝石榴石系荧光体。
6．如权利要求3所述的发光装置，其特征在于，所述光致发光荧光体包含以一般式(Re1-rSmr)3(Al1-sGas)5O12:Ce所表示的组成分别不同的二个或二个以上荧光体，其中，0≤r＜1，0≤s≤1，Re是从Y、Gd中选出的至少一种。
7．如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述光致发光荧光体包含一般式以Y3（Al1-sGas）5O12：Ce来表示的第1荧光体与一般式以Re3Al5O12：Ce来表示的第2荧光体，其中，0≤s≤1，而Re则是从Y、Gd、La中所选出的至少一种。
8． 如权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述光致发光荧光体在钇铝石榴石系列荧光体中，包含将钇的一部分为钆所置换的第1钇铝石榴石系列荧光体和第2钇铝石榴石系列荧光体，该第1与第2荧光体的钇石榴石系列荧光体中钆的置换量互不相同。
9．如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述发光元件的发光光谱的峰值是在400nm至530nm的范围，且所述光致发光荧光体的主要发光的波长比所述发光元件的主峰值长。
10．如权利要求9所述的发光装置，其特征在于，在所述发光元件中，所述发光元件的发光层包含有含In的氮化镓系半导体，而所述光致发光荧光体则包含其中的Al的一部分由Ga以Ga：Al=1：1至4：6范围内的比率予以置换，且Y的一部分由Gd以Y：Gd＝4：1至2：3范围内的比率予以置换的钇铝石榴石系荧光体。
11．如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，进一步包括一大体上呈矩形的导光板，其一侧面通过使所述光致发光荧光体介于其中来设置所述发光元件，以反射元件覆盖该导光板除一主表面以外的表面，使所述发光元件所发出的光经所述光致发光荧光体与导光板而成为面状，从所述导光板的所述一主表面输出。
12．如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，进一步包括一大体上呈矩形的导光板，其一侧面设置所述发光元件，而其一主表面则设置所述光致发光荧光体，且以反射元件覆盖该一主表面以外的表面，使所述发光元件所发出的光经所述光致发光荧光体与导光板而成为面状，从所述导光板的所述一主表面输出。
13．如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述发光元件的发光光谱的主峰值设定于400nm至530nm的范围内，借助于所述光致发光荧光体的主发光波长设定成较所述发光元件的主峰值长，使其能发白色光。
14．一种发光二极管显示装置，其特征在于，具有将权利要求1至10中任一项的发光装置配置成矩阵状的发光二极管显示器，以及根据显示数据驱动发光二极管显示器的驱动电路。
15．一种发光二极管，包括：
具有帽部与引线部的安装引线；
配置在所述安装引线的帽部内，且其一侧的电极电气连接于安装引线的发光二极管芯片：
电气连接于所述发光二极管芯片的另一侧电极的内引线；
为了覆盖所述发光二极管芯片的方式充填在所述帽部内的透光性涂覆构件；以及
模构件，该模构件包含覆盖所述安装引线的帽部、所述内引线与连接于所述发光二极管芯片的另一侧电极的连接部分，并且盖住用所述涂覆构件所覆盖的LED芯片；
其特征在于，
所述发光二极管芯片的发光层为氮化物系列化合物半导体，且所述涂覆构件含有光致发光荧光体，该LED芯片的发光光谱的波峰位于420nm至490nm处，该光致发光荧光体为含有从Y、Lu、Sc、La、Gd与Sm一组中所选出的至少一种元素与从Al、Ga与In一组中所选出的至少一种元素且吸收所述LED芯片所发出光的一部分并发出波峰位于530nm至570nm处的光的、以铈活化的石榴石系列荧光体组成的光致发光荧光体。
16．如权利要求15所述的发光二极管，其特征在于，包含有Y与Al的钇铝石榴石系荧光体。
17．如权利要求15所述的发光二极管，其特征在于，所述光致发光荧光体含有一般式以 (Re1-rSmr)3(Al1-sGas)5O12:Ce表示的荧光体，其中，0≤r＜1，0≤s≤1，Re是从Y、Gd中选出的至少一种。
18． 如权利要求15所述的发光二极管，其特征在于，所述光致发光荧光体是一般式以(Y1-p-q-rGdpCeqSmr)3(Al1-sGas)5O12来表示的荧光体，其中，0≤p≤0.8、0.003≤q≤0.02、0.0003≤r≤0.08、0≤s≤1。
19． 如权利要求16所述的发光二极管，其特征在于，所述光致发光荧光体包含其中Y与Al组成分别不同的二个或二个以上以铈活化的钇铝石榴石系荧光体。
20．如权利要求17所述的发光二极管，其特征在于，所述光致发光荧光体包含以一般式(Re1-rSmr)3(Al1-sGas)5O12:Ce所表示的组成分别不同的二个或二个以上荧光体，其中，0≤r＜1，0≤s≤1，而Re则是从Y、Gd中所选出的至少一种。
21．如权利要求15所述的发光二极管，其特征在于，所述光致发光荧光体包含一般式以Y3（Al1-sGas）5O12：Ce来表示的第1荧光体与一般式以Re3Al5O12：Ce来表示的第2荧光体，其中，0≤s≤1，而Re则是从Y、Gd、La中所选出的至少一种。
22．如权利要求19所述的二极管，其特征在于，所述光致发光荧光体，包含将钇的一部分为钆所置换的第1钇铝石榴石系荧光体和第2钇铝石榴石系荧光体，该第1与第2钇铝石榴石系荧光体中钆的置换量互不相同。
23．如权利要求15所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管芯片的发光光谱其主峰值在400nm至530nm范围内，且光致发光荧光体的主发光波长较所述发光二极管芯片的主峰值长。”
针对上述专利权，亿光电子工业股份有限公司（下称请求人）于2011年7月26日向专利复审委员会提出了无效宣告请求，认为本专利不符合专利法第26条第4款、第22条第3款及第4款，专利法实施细则第21条2款及第20条第1款的规定，同时提交了如下附件作为证据：
证据1：公开号为JP特开平5-152609A的日本专利文献，公开日为1993年6月18日，共3页；
证据2：公开号为JP昭49-1221A的日本专利文献，公告日为1974年1月12日，共10页；
证据3：公开号为JP特开平6-139973A的日本专利文献，公开日为1994年5月20日，共5页；
证据4：公开号为JP特开平6-21511A的日本专利文献，公开日为1994年1月28日，共6页；
证据5：公开号为JP特开平8-7614A的日本专利文献，公开日为1996年1月12日，共4页；
证据6：公告号为CN87204926U的中国实用新型专利申请说明书，公开日为1988年4月13日，共13页；
证据7：公开号为JP特开平7-99345的日本专利文献，公开日为1995年4月11日，共4页；
证据8：“氮化镓发光二极管蓝光转移材料的合成和发光性质”，物理化学学报，2003年第19卷第3期，封面、中文目次页、英文目次页、第226-229页，复印件，共8页。
证据9：本专利的授权公告文本，共63页。
请求人认为：
（一）权利要求1、3、4、10、15、17和18不符合专利法第26条第4款的规定
1．权利要求1中的光致发光荧光体可选自多种组分不同的化合物中的任一种，说明书共记载了两个实施形态和十二个实施例用于支持权利要求1，其中有实验数据支持的只有8种组分，对于除此之外的其它组分的光致发光荧光体，在说明书中没有实验数据的支持，本领域技术人员无法预测能否实现应有的功能。对于说明书中实施形态2记载的组成为(Re1-rSmr)3(Al1-sGas)5O12:Ce的光致发光荧光体，说明书记载的是将发光光谱的峰值设定于510nm或600nm附近，由于510m和600nm均位于530nm至570nm之外，而且实施形态2也未指明该光致发光荧光体各组分的具体含量，组成为(Re1-rSmr)3(Al1-sGas)5O12:Ce的光致发光荧光体中至少有一部分组成形式不能解决本专利所要解决的技术问题，并达到“发出波峰位于530nm至570nm的光”的技术效果。
2. 权利要求3中进一步限定以(Re1-rSmr)3(Al1-sGas)5O12:Ce表示的荧光体，其中，0≤r＜1，0≤s≤1，Re是从Y、Gd中选出的至少一种。说明书的实施形态2记载了对于以这种一般式表示的荧光体，将发光光谱的峰值设定于510nm或600nm附近。但是，随着荧光体具体组分和/或含量的变化，发光光谱的峰值将会发生三种情况，即：①发光光谱的峰值相对于510nm发生蓝移，②发光光谱的峰值相对于600nm发生红移，③发光光谱的峰值落入510nm-600nm范围内。这时，对于情况①、②，荧光体发出的光与发光元件发出的蓝光混合后得不到白光，对于情况③，至少在510nm-520nm以及580-600nm的范围内，荧光体发出的光与发光元件发出的光混光效果较差。因此，本领域技术人员难以确定在0≤r＜1，0≤s≤1的范围内，该荧光体都能发出波峰位于530nm-570nm的光，达到较好的混光效果。
3. 权利要求4中进一步限定以(Y1-p-q-rGdpCeqSmr)3(Al1-sGas)5O12，其中，0≤p≤0.8、0.003≤q≤0.2、0.003≤r≤0.08、0≤s≤1。与上述第2点理由相同，本领域技术人员难以确定在0≤p≤0.8，0.003≤q≤0.2，0.003≤r≤0.08,0≤s≤1的范围内，该荧光体都能发出波峰位于530nm-570nm的光，达到较好的混光的效果。
4.权利要求10其进一步限定“所述发光元件的发光层包含有含In的氮化镓系半导体，而所述光致发光荧光体则包含其中Al的一部分由Ga以Ga：Al＝l：1至4：6范围内的比率予以置换，且Y的一部分由Gd以Y：Gd＝4：1至2：3范围内的比率予以置换的钇铝石榴石系列荧光体”。但说明书仅有部分实验数据，难以确定在Ga：Al＝l：1至4：6且Y：Gd＝4：1至2：3的范围内，该荧光体都能发出波峰位于530nm-570nm的光，达到较好的混光效果。
5. 关于权利要求15、17、18的无效理由分别与以上第1-3点理由类似。
（二）权利要求1、15不符合专利法实施细则第21条第2款的规定
1. 独立权利要求1不符合专利法实施细则第21条第2款的规定
本专利解决“由于现有的由混色发出白色光系的发光二极管中存在发光二极管有随着荧光体劣化而色调偏差，或荧光体发黑光的外部取出效率低下的情形等问题”， 因此，该专利的发明目的在于“提供一种发光装置以解决上述课题，使在较高亮度、长时间使用环境下，发光光度与发光光率的降低和色偏差极小”。但①说明书中有实验数据支持的只有8种组分的荧光体，只有特定组分以及各组分之间维持特定含量的荧光体才能够实现上述发明目的；②对于组成为(Re1-rSmr)3(Al1-sGas)5O12:Ce的光致发光荧光体，说明书实施例2记载的发光光谱的峰值在510nm或600nm附近，当各组分的含量变化时，发光光谱的峰值相对于510nm发生蓝移或相对于600nm发生红移，与发光元件发出的蓝光混合后不能得到白光，从而无法实现本专利的发明目的。
2. 独立权利要求15不符合专利法实施细则第21条第2款的规定
关于权利要求15的理由与独立权利要求1的理由类似。
（三）权利要求9、11、13、23不符合专利法第20条第1款的规定
1.权利要求9中的“主要发光的波长”以及权利要求13、23中的“主发光波长”含义不清楚，本领域技术人员不清楚“主发光波长”是指荧光体发出的光谱中几个峰的主要的一个峰，还是指荧光体发出的光谱中的一个峰的主要部分；权利要求11中的“其一侧面通过使所述光致发光荧光体介于其中来设置所述发光元件”不清楚，第一个“其”和第二个“其”指代的应该是“导光板”，“其一侧面通过使所述光致发光荧光体介于其中”的意思是使“光致发光荧光体”介于“导光板”中，而如何通过使“光致发光荧光体”介于“导光板”中来设置“发光元件”是不清楚的，导致权利要求11的保护范围不清楚。
2.权利要求9、13、23表述不简要
根据权利要求1的技术特征必然可以导致权利要求9的技术特征“所述光致发光荧光体的主要发光的波长比所述发光元件的主峰值长”，权利要求9的表述不简要。权利要求13和23存在相似的问题。
（四）权利要求1-3、5-17、19-23不符合专利法第22条第3款的规定
1.权利要求1相对于证据1、2与公知常识的结合不具备创造性
证据1公开了一种发光二极管，权利要求1与证据1相比，其区别技术特征为“光致发光荧光体包括含有从Y、Lu、Sc、La、Gd与Sm一组中所选出的至少一种元素与自Al、Ga与In一组中所选出的至少一种元素且吸收所述发光元件所发出光的一部分并发出波峰位于530nm至570nm处的光的、以铈活化的石榴石系列荧光体。”
证据2公开了“以铈活化的荧光物质大约以5500?为中心，在广阔的波长范围内发光”、“其中一个结构是使用含有铈的钇铝石榴石”、“可以用镓置换一部分或者全部的铝，以及／或者用钆置换钇来在改变原型的组成Y3A15O12”、“还可以是其他的置换。例如，可以用镥或者镧置换钇，可以用铟或者钪置换一部分的铝”。
另外，对于构成为A3B5O12的石榴石，A元素选自Sc和Sm的情形，用同族元素替代原化合物中的元素从而得到类似性质的化合物是本领域的惯用手段，因此，本领域技术人员很容易想到用同为稀土元素的Sc、Sm置换Y从而得到类似性质的化合物，权利要求1相对于证据1、2及公知常识的结合不具备创造性。
2.权利要求2相对于证据1、2的结合不具备创造性
权利要求2的附加技术特征被证据2公开，在权利要求1不具备创造性的基础上，权利要求2也不具备创造性。
3.权利要求3相对于证据1、2以及公知常识的结合不具备创造性
对于权利要求3的附加技术特征，证据2公开了当r=0时的荧光体组成，当r≠0时，本领域技术人员容易想到用Sm置换Y从而得到类似性质的化合物。因此，权利要求3不具备创造性。
4.权利要求5、6相对于证据1、2、3的结合不具备创造性
权利要求5、6的附加技术特征被证据3公开，并且其在证据3及权利要求5、6中所起作用相同，因此证据3给出了将上述附加技术特征应用于证据1和2以得到权利要求5、6的技术方案的启示，权利要求5、6不具备创造性。
5.权利要求7、8相对于证据1、2、3的结合不具备创造性
权利要求7与证据1、2结合的区别技术特征为：荧光体包含第1荧光体与第2荧光体的混合；权利要求8与证据1、2结合的区别技术特征为：荧光体包含两种荧光体的混合，上述区别技术特征被证据3公开，并且其在证据3及权利要求7、8中所起作用相同，因此权利要求7、8不具备创造性。
6.权利要求9相对于证据1、2以及公知常识的结合不具备创造性
权利要求9的保护范围大于权利要求1的保护范围，在权利要求1不具备创造性的情况下，权利要求9也不具备创造性。
7.权利要求10相对于证据1、2、4的结合不具备创造性
证据4公开了一种发光素子，使用含有In1-x-yGaxAlyN的半导体层作为发光层。证据2给出了用Ga置换Al和/或用Gd置换Y从而调整发光波长和亮度的技术启示，本领域技术人员通过有限次的实验即可得到优化的Ga：Al或Y：Gd的比率范围，无需创造性劳动，权利要求10不具备创造性。
8.权利要求11、12相对于证据1、2、5的结合不具备创造性
权利要求11的附加技术特征与证据5的区别在于荧光体和发光元件的设置方式不同，这种设置方式为本领域的惯用手段，因此，权利要求11不具备创造性。权利要求12的附加技术特征被证据5公开，权利要求12也不具备创造性。
9.权利要求13相对于证据1、2以及公知常识的结合不具备创造性
与权利要求9的理由类似，权利要求13不具备创造性。
10.权利要求14相对于证据1、2及公知常识的结合不具备创造性
将发光装置配置成矩阵状，以及根据显示数据驱动发光二极管显示器的驱动电路属于本领域的惯用手段，因此在权利要求1-3、5-10不具备创造性的基础上，引用权利要求1-3、5-10的权利要求14也不具备创造性。
11.权利要求14相对于证据1、2以及证据6的结合不具备创造性
证据6公开了一种LED电子显示屏的控制系统和组件结构，其中LED被配置成矩阵状，并且其在证据6及权利要求14中所起作用相同。因此，权利要求14相对于证据1、2、6的结合不具备创造性。
12.权利要求15相对于证据2、7以及公知常识的结合不具备创造性
权利要求15与证据7的区别技术特征在于：（1）LED芯片一侧的电极电气连接于安装引线，另一侧的电极电气连接于内引线；（2）该LED芯片的发光光谱的波峰位于420nm至490nm处，该光致发光荧光体为含有从Y、Lu、Sc、La、Gd与Sm一组中所选出的至少一种元素与从Al、Ga与In一组中所选出的至少一种元素且吸收所述LED芯片所发出光的一部分并发出波峰位于530nm至570nm处的光的、以铈活化的石榴石系列荧光体组成的光致发光荧光体。区别技术特征（1）为本领域技术人员所熟知的；区别技术特征（2）中荧光体的大部分为证据2所公开，对于证据2未公开的对于构成为A3B5O12的石榴石，A元素选自Sc和Sm的情形，用同族元素替代原化合物中的元素从而得到类似性质的化合物是本领域的惯用手段，因此，本领域技术人员很容易想到用同为稀土元素的Sc、Sm置换Y从而得到类似性质的化合物，因此权利要求1相对于证据2、7及公知常识的结合不具备创造性。
13.权利要求16、17、19-23不具备创造性
权利要求16、17、19-23的附加技术特征分别与权利要求2、3、5-9的附加技术特征相同，基于类似的理由，这些权利要求也不具备创造性。
（五）权利要求1、15不符合专利法第22条第4款的规定
证据8是一份关于铈掺杂的稀土石榴石结构荧光体的制备和发光性质研究的学术文献。该文献2．1节的最后部分记载了：“部分Gd取代（x＜0．95）可以形成立方石榴石结构， 当Gd全部取代Y后，石榴石晶格发生塌陷，引起发光性质突变”。 因此，根据证据8的描述可知，权利要求1、15的技术方案中的至少一种光致发光荧光体的组成形式不能够在产业中制造，因此不具备实用性。
对于上述无效宣告请求，专利复审委员会经形式审查合格，于2011年8月10日受理了上述无效宣告请求，并将请求书及附件清单所列附件副本转给专利权人，同时成立合议组对本案进行审查。
请求人于2011年8月19日补充提交无效程序意见陈述书，补充无效宣告理由及证据如下：
证据10：声称为Wustlich Mikro/Opto-Elektronik GmbH 公司关于其销售制造的白色发光二极管的data sheet，声称公开日为1995年02月，复印件共2页；
证据11：声称为Wustlich Elektronik公司的产品目录1994/1995，复印件3页；
证据12：声称为Leuchtstoff L175的datasheet，复印件1页；
证据13：声称为Ramlow electronic GmbH公司的Ramlow于1995年06月02日写给Wustlich Mikro/Opto-Elektronik GmbH 公司的Wustlich的信，复印件1页；
证据14：声称为Ramlow electronic GmbH公司的Ramlow于1995年06月12日写给Wustlich Mikro/Opto-Elektronik GmbH 公司的Wustlich的信，复印件1页；
证据15：声称为Wustlich Mikro/Opto-Elektronik GmbH 公司的Wustlich于1995年09月22日写给Menden Buchstaben公司的Menden的信，复印件2页；
证据16：声称为Vossloh Wustlich Opto GmbH公司员工Dirk Bahr 于2001年05月18日做出的宣誓书，复印件1页；
证据17：公开号为CN1228873A的中国发明专利申请的公开文本，申请日为1997年06月26日，优先权日为1996年06月26日；
证据18：公开号为WO98/05078A1的PCT专利国际公布文本，公开日为1998年2月5日，共84页；
以及证据1-5、7、10-16、18的中文译文。
请求人补充的无效理由为：
（一）权利要求1-3、15-17不符合专利法第22条第2款的规定
1.权利要求1相对于证据10或证据17不具备新颖性
证据12至16证明Wustlich Mikro/Opto-Elektronik GmbH 公司已经于1995年开始制造和销售由蓝光发光GaN芯片和Y3Al5O12：Ce荧光材料制成的白色LED，根据商业/销售习惯，公司在进行销售行为时，必然会将相应产品的产品介绍一同提供给客户，因此，证据10示出的datasheet必然于1995年2月随同该公司销售白色LED的行为而提供给客户，也即提供给不特定第三人。因此，证据10的公开日可推定为1995年2月，早于本专利的优先权日，可用于评价该专利的新颖性。
权利要求1中“发光装置包括发光元件和光致发光荧光体，发光元件的发光层为半导体层，光致发光荧光体吸收所述发光元件所发出光的一部分，而发出波长与所吸收的光波长不同的光，发光元件的发光层由氮化物系列化合物半导体组成，且该发光元件的发光光谱的波峰位于420nm至490nm处，光致发光荧光体包括含有Y元素和含有Al元素的且吸收发光元件所发出的光的一部分并发出波峰位于530nm至570nm处的光的，以铈活化的石榴石系列荧光体”这一技术方案已被证据10所公开。因此，权利要求1相对于证据10不具备新颖性。
权利要求1中“发光装置包括发光元件和光致发光荧光体，发光元件的发光层为半导体层，光致发光荧光体吸收所述发光元件所发出光的一部分，而发出波长与所吸收的光波长不同的光，发光元件的发光层由氮化物系列化合物半导体组成，且该发光元件的发光光谱的波峰位于420nm至490nm处，光致发光荧光体包括含有Y、La元素的至少一种元素和含有Al、Ga元素的至少一种元素且吸收发光元件所发出的光的一部分并发出波峰位于530nm至570nm处的光的，以铈活化的石榴石系列荧光体”这几种技术方案已被证据17所公开。因此，权利要求1相对于证据17不具备新颖性。
2.权利要求2相对于证据10或证据17不具备新颖性
权利要求2的附加技术特征被证据10或证据17公开，因此权利要求2也不具备新颖性。
3.权利要求3相对于证据10或证据17不具备新颖性
证据10公开了r=0、s=0、Re为Y时的荧光体组分，证据17公开了r=0、Re为Y时的荧光体组分。因此，权利要求3的附加技术特征被证据10或证据17公开，权利要求3也不具备新颖性。
4.权利要求15相对于证据10或证据17不具备新颖性
权利要求15中的“一种发光二极管，包括……其特征在于，所述发光二极管的发光层为氮化物系列化合物半导体，且所述涂覆构件含有光致发光荧光体，该LED芯片的发光光谱的波峰位于420nm至490nm处，该光致发光荧光体为含有Y元素和含有Al元素的且吸收所述发光元件所发出光的一部分并发出波峰位于530nm至570nm处的光的、以铈活化的石榴石系列荧光体”的技术方案被证据10公开，权利要求15相对于证据10不具备新颖性。
权利要求15中的“一种发光二极管，包括……其特征在于，所述发光二极管的发光层为氮化物系列化合物半导体，且所述涂覆构件含有光致发光荧光体，该LED芯片的发光光谱的波峰位于420nm至490nm处，该光致发光荧光体为含有Y、La元素的至少一种元素和含有Al、Ga元素的至少一种元素且吸收所述发光元件所发出光的一部分并发出波峰位于530nm至570nm处的光的、以铈活化的石榴石系列荧光体”的技术方案被证据17公开，权利要求15相对于证据17不具备新颖性。
5.权利要求16相对于证据10或证据17不具备新颖性
权利要求16的附加技术特征被证据10或证据17公开，因此权利要求16也不具备新颖性。
6.权利要求17相对于证据10或证据17不具备新颖性
证据10公开了r=0、s=0、Re为Y时的荧光体组分，证据17公开了r=0、Re为Y时的荧光体组分。因此，权利要求17的附加技术特征被证据10或证据17公开，权利要求17也不具备新颖性。
（二）权利要求1-23不符合专利法第22条第3款的规定
1.权利要求1相对于证据10、2以及公知常识的结合不具备创造性
权利要求1中含有Y元素和Al元素的，以铈活化的石榴石系荧光体已经被证据10公开，权利要求1与证据10相比的区别特征在于：除了由Y和Al组成的，以铈活化的石榴石系荧光体之外的其他光致发光荧光体的组分。证据2公开了“可以用镓置换一部分或者全部的铝，以及／或者用钆置换钇来在改变原型的组成Y3A15O12”、“还可以是其他的置换。例如，可以用镥或者镧置换钇，可以用铟或者钪置换一部分的铝”，因此，证据2公开了光致发光荧光体的大部分组成，并给出了将这些组成的荧光体应用于证据10以得到权利要求1的技术方案的启示。
另外，对于构成为A3B5O12的石榴石，A元素选自Sc和Sm的情形，用同族元素替代原化合物中的元素从而得到类似性质的化合物是本领域的惯用手段，因此，本领域技术人员很容易想到用同为稀土元素的Sc、Sm置换Y从而得到类似性质的化合物，因此权利要求1相对于证据10、2及公知常识的结合不具备创造性。
2.权利要求3不具备创造性
对于权利要求3的附加技术特征，当r=0时，权利要求3含有以一般式Re3(Al1-sGas)5O12:Ce，证据10公开了以该一般式表示荧光体，因此，在权利要求1不具备创造性的基础上，权利要求3相对于证据10、2的结合不具备创造性。
当r≠0时，权利要求3与证据10和2的结合的区别技术特征在于：还可以用Sm置换Y。但是，用同族元素替代原化合物中的元素从而得到类似性质的化合物是本领域的惯用手段，因此，本领域技术人员很容易想到用同为稀土元素的Sm置换Y从而得到类似性质的化合物。因此，权利要求3相对于证据10、2及公知常识的结合不具备创造性。
3.权利要求4相对于证据10、2以及公知常识的结合不具备创造性
权利要求4相对于证据10、证据2结合的区别技术特征为：还可以用Sm置换Y，但是，用同族元素替代原化合物中的元素从而得到类似性质的化合物是本领域的惯用手段，因此，本领域技术人员很容易想到用同为稀土元素的Sm置换Y从而得到类似性质的化合物。因此，权利要求4相对于证据10、2及公知常识的结合不具备创造性。
4.权利要求5-9不具备创造性
权利要求5、6的附加技术特征被证据3公开，权利要求5相对于证据10、3的结合不具备创造性，权利要求6相对于证据10、2、3的结合不具备创造性。权利要求7、8对于证据10和证据2结合的区别技术特征被证据3公开，权利要求7、8相对于证据10、2、3的结合不具备创造性。权利要求9的保护范围大于权利要求1的保护范围，在权利要求1不具备创造性的情况下，权利要求9相对于证据10、2以及公知常识的结合不具备创造性。
5.权利要求10相对于证据10、2、4的结合不具备创造性
证据4公开了一种发光素子，使用含有In1-x-yGaxAlyN的半导体层作为发光层。证据2给出了用Ga置换Al或用Gd置换Y从而调整发光波长和亮度的技术启示，本领域技术人员通过有限次的实验即可得到优化的Ga：Al或Y：Gd的比率范围，无需创造性劳动，权利要求10不具备创造性。
6.权利要求11、12相对于证据10、2、5的结合不具备创造性
权利要求11的附加技术特征与证据5的区别在于荧光体和发光元件的设置方式不同，这种设置方式为本领域的惯用手段，因此，权利要求11不具备创造性。权利要求12的附加技术特征被证据5公开，权利要求12也不具备创造性。
7.权利要求13相对于证据10、2以及公知常识的结合不具备创造性
与权利要求9的理由类似，权利要求13不具备创造性。
10.权利要求15相对于证据10、2以及公知常识的结合不具备创造性
权利要求15中涉及含有Y元素和Al元素、以铈活化的石榴石系荧光体已经被证据10所公开。权利要求15与证据10相比的区别特征在于：除了由Y和Al组成的，以铈活化的石榴石系荧光体之外的其他光致发光荧光体的组分。证据2公开了“可以用镓置换一部分或者全部的铝，以及／或者用钆置换钇来在改变原型的组成Y3A15O12”、“还可以是其他的置换。例如，可以用镥或者镧置换钇，可以用铟或者钪置换一部分的铝”，因此，证据2公开了光致发光荧光体的大部分组成，并给出了将这些组成的荧光体应用于证据10以得到权利要求1的技术方案的启示。
另外，对于构成为A3B5O12的石榴石，A元素选自Sc和Sm的情形，用同族元素替代原化合物中的元素从而得到类似性质的化合物是本领域的惯用手段，因此，本领域技术人员很容易想到用同为稀土元素的Sc、Sm置换Y从而得到类似性质的化合物，权利要求15相对于证据10、2及公知常识的结合不具备创造性。
11.权利要求16-23不具备创造性
权利要求16-23的附加技术特征分别与权利要求2-9的附加技术特征基本相同，基于类似的理由，这些权利要求也不具备创造性。
（三）权利要求5-7、19-21不符合专利法第33条规定
权利要求5中进一步限定“所述光致发光荧光体包含其中Y与Al组成分别不同的二个或二个以上以铈活化的钇铝石榴石系荧光体”，而在证据18的国际公布文本中权利要求5及相应的说明书部分限定的技术特征为“所述光致发光荧光体包含其中Y与Al组成分别不同的二个以上以铈活化的钇铝石榴石系荧光体”，证据18并未记载所述光致发光荧光体包含其中Y与Al组成分别不同的二个以上以铈活化的钇铝石榴石系荧光体的技术方案，权利要求5的修改超出了原说明书和权利要求书记载的范围。
权利要求6中进一步限定“所述光致发光荧光体包含以一般式(Re1-rSmr)3(Al1-sGas)5O12:Ce所表示的组成分别不同的二个或二个以上荧光体”，而在证据18的国际公布文本中权利要求6及相应的说明书部分限定的技术特征为“所述光致发光荧光体包含以一般式(Re1-rSmr)3(Al1-sGas)5O12:Ce所表示的组成分别不同的二个以上荧光体”，证据18并未记载所述光致发光荧光体包含一般式(Re1-rSmr)3(Al1-sGas)5O12:Ce所表示的组成分别不同的二个荧光体的技术方案，权利要求6的修改超出了原说明书和权利要求书记载的范围。
权利要求7进一步限定“Re则是从Y、Gd、La中所选出的至少一种”，而在证据18的国际公布文本权利要求7及相应的说明书部分限定的技术特征为“Re则是从Y、Ga、La中所选出的至少一种”，权利要求7的修改超出了原说明书和权利要求书记载的范围。
关于权利要求19-21的理由分别与权利要求5-7类似，权利要求19-21的修改超出了原说明书和权利要求书记载的范围。
针对请求人于2011年7月26日提交的无效宣告请求书，专利权人于2011年9月23日提交了无效宣告程序意见陈述书，并提交了权利要求书的全文修改替换页（共包括20项权利要求）以及以下附件作为反证。
反证1：公开号为JP平5-14000B2的日本专利文献及其部分中文译文，公开日为1993年2月23日，共7页。
专利权人将权利要求9、13和23删除，修改后的权利要求书内容如下：
“1．一种发光装置，包括发光元件和光致发光荧光体，发光元件的发光层为半导体，光致发光荧光体吸收所述发光元件所发出光的一部分，而发出波长与所吸收的光波长不同的光，其特征在于：
所述发光元件的发光层由氮化物系列化合物半导体组成，且该发光元件的发光光谱的波峰位于420nm至490nm处，所述光致发光荧光体包括含有从Y、Lu、Sc、La、Gd与Sm一组中所选出的至少一种元素与自Al、Ga与In一组中所选出的至少一种元素且吸收所述发光元件所发出光的一部分并发出波峰位于530nm至570nm处的光的、以铈活化的石榴石系列荧光体。
2．如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述光致发光荧光体包含有含Y与Al的钇铝石榴石系荧光体。
3．如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述光致发光荧光体含有一般式以 (Re1-rSmr)3(Al1-sGas)5O12:Ce表示的荧光体，其中，0≤r＜1，0≤s≤1，Re是从Y、Gd中选出的至少一种。
4．如权利要求3所述的发光装置，其特征在于，所述光致发光荧光体是一般式以(Y1-p-q-rGdpCeqSmr)3(Al1-sGas)5O12，其中，0≤p≤0.8、0.003≤q≤0.2、0.003≤r≤0.08、0≤s≤1。
5．如权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述光致发光荧光体包含其中Y与Al组成分别不同的二个或二个以上以铈活化的钇铝石榴石系列荧光体。
6．如权利要求3所述的发光装置，其特征在于，所述光致发光荧光体包含以一般式(Re1-rSmr)3(Al1-sGas)5O12:Ce所表示的组成分别不同的二个或二个以上荧光体，其中，0≤r＜1，0≤s≤1，Re是从Y、Gd中选出的至少一种。
7．如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述光致发光荧光体包含一般式以Y3（Al1-sGas）5O12：Ce来表示的第1荧光体与一般式以Re3Al5O12：Ce来表示的第2荧光体，其中，0≤s≤1，而Re则是从Y、Gd、La中所选出的至少一种。
8． 如权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述光致发光荧光体在钇铝石榴石系列荧光体中，包含将钇的一部分为钆所置换的第1钇铝石榴石系荧光体和第2钇铝石榴石系列荧光体，该第1与第2荧光体的钇石榴石系荧光体中钆的置换量互不相同。
9．如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，在所述发光元件中，所述发光元件的发光层包含有含In的氮化镓系半导体，而所述光致发光荧光体则包含其中的Al的一部分由Ga以Ga：Al=1：1至4：6范围内的比率予以置换，且Y的一部分由Gd以Y：Gd＝4：1至2：3范围内的比率予以置换的钇铝石榴石系列荧光体。
10．如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，进一步包括一大体上呈矩形的导光板，其一侧面通过使所述光致发光荧光体介于其中来设置所述发光元件，以反射元件覆盖该导光板除一主表面以外的表面，使所述发光元件所发出的光经所述光致发光荧光体与导光板而成为面状，从所述导光板的所述一主表面输出。
11．如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，进一步包括一大体上呈矩形的导光板，其一侧面设置所述发光元件，而其一主表面则设置所述光致发光荧光体，且以反射元件覆盖该一主表面以外的表面，使所述发光元件所发出的光经所述光致发光荧光体与导光板而成为面状，从所述导光板的所述一主表面输出。
12．一种发光二极管显示装置，其特征在于，具有将权利要求1至9中任一项的发光装置配置成矩阵状的发光二极管显示器，以及根据显示数据驱动发光二极管显示器的驱动电路。
13．一种发光二极管，包括：
具有帽部与引线部的安装引线；
配置在所述安装引线的帽部内，且其一侧的电极电气连接于安装引线的发光二极管芯片：
电气连接于所述发光二极管芯片的另一侧电极的内引线；
为了覆盖所述发光二极管芯片而充填在所述帽部内的透光性涂覆构件；以及
模构件，该模构件包含覆盖所述安装引线的帽部、所述内引线与连接于所述发光二极管芯片的另一侧电极的连接部分，并且盖住用所述涂覆构件所覆盖的LED芯片；
其特征在于，
所述发光二极管芯片的发光层为氮化物系列化合物半导体，且所述涂覆构件含有光致发光荧光体，该LED芯片的发光光谱的波峰位于420nm至490nm处，该光致发光荧光体为含有从Y、Lu、Sc、La、Gd与Sm一组中所选出的至少一种元素与从Al、Ga与In一组中所选出的至少一种元素且吸收所述LED芯片所发出光的一部分并发出波峰位于530nm至570nm处的光的、以铈活化的石榴石系列荧光体组成的光致发光荧光体。
14．如权利要求13所述的发光二极管，其特征在于，包含有Y与Al的钇铝石榴石系列荧光体。
15．如权利要求13所述的发光二极管，其特征在于，所述光致发光荧光体含有一般式以 (Re1-rSmr)3(Al1-sGas)5O12:Ce表示的荧光体，其中，0≤r＜1，0≤s≤1，Re是从Y、Gd中选出的至少一种。
16．如权利要求13所述的发光二极管，其特征在于，所述光致发光荧光体是一般式以(Y1-p-q-rGdpCeqSmr)3(Al1-sGas)5O12来表示的荧光体，其中，0≤p≤0.8、0.003≤q≤0.2、0.0003≤r≤0.08、0≤s≤1。
17．如权利要求14所述的发光二极管，其特征在于，所述光致发光荧光体包含其中Y与Al组成分别不同的二个或二个以上以铈活化的钇铝石榴石系列荧光体。
18．如权利要求15所述的发光二极管，其特征在于，所述光致发光荧光体包含以一般式(Re1-rSmr)3(Al1-sGas)5O12:Ce所表示的组成分别不同的二个或二个以上荧光体，其中，0≤r＜1，0≤s≤1，而Re则是从Y、Gd中所选出的至少一种。
19．如权利要求13所述的发光二极管，其特征在于，所述光致发光荧光体包含一般式以Y3（Al1-sGas）5O12：Ce来表示的第1荧光体与一般式以Re3Al5O12：Ce来表示的第2荧光体，其中，0≤s≤1，而Re则是从Y、Gd、La中所选出的至少一种。
20．如权利要求17所述的二极管，其特征在于，所述光致发光荧光体，包含将钇的一部分为钆所置换的第1钇铝石榴石系列荧光体和第2钇铝石榴石系列荧光体，该第1与第2钇铝石榴石系列荧光体中钆的置换量互不相同。”
专利权人对请求人提交的证据1、2的译文准确性不予认可，对无效理由的具体答复意见如下：
（一）原权利要求1、3、4、10、15、17、18符合专利法第26条第4款的规定
1.权利要求1符合专利法第26条第4款的规定
对于权利要求1中的石榴石系列荧光体，说明书的具体实施方式部分列出了大量的实施例进行说明：表1以一般式(Y1-aGda)3(Al1-bGab)5O12：Ce表示的YAG系列荧光体以及实施例1-3、5-11中的荧光体，在这些实施例中以Y为例，其克分子比为：0.8、0.6、0.4、0.39、0.2、及0。对本领域技术人员而言，稀土元素的物理化学性质相像，在Y含量可为上述1~0的各种组成时，可以预测，稀土元素Sc、Lu、Gd、Sm中所选出的至少一种元素都能实现本发明的目的并得到本发明的技术效果。因此，权利要求1的技术方案能够得到说明书的支持。
2.权利要求3、4符合专利法第26条第4款的规定
说明书实施例记载了r=0以及r=0.01时的各种荧光体的组成，说明书实施形态1部分记载了不同含量的Gd、Sm、Ce的荧光体。因此，权利要求3、4限定的荧光体的组成能够得到说明书的支持。
3.权利要求10符合专利法第26条第4款的规定。
本专利说明书表1记载了一般式（Y1-aGda）3（Al1-bGab）5O12：Ce表示的YAG系列荧光体的组成及其发光特性。其中，当a＝0，荧光体用表示时Y3（Al1-bGab）5O12：Ce 表示时，Ga：Al=1：l～4：6；当b＝0，荧光体用（Y1-aGda）3Al5O12：Ce表示时，Y：Gd设定为4：1～2：3范围时更好。在化学领域，本领域技术人员对两种变量进行考察时，往往采用固定一种变量，而改变另一种变量研究。权利要求10的技术特征体现的是同族元素之间的变化对荧光体的发光物理性质产生的细微影响，本领域技术人员根据表1的结果能够得到权利要求10的技术方案。因此，权利要求10得到说明书的支持。
4.权利要求15、17、18符合专利法第26条第4款的规定。
基于与权利要求1、3、4类似的理由，权利要求15、17、18也得到说明书的支持。
（二）原权利要求1、15符合专利法实施细则第21条第2款的规定
根据说明书的记载可知，权利要求1荧光体不仅可以选择Sc、Y、La、Sm、Gd或Lu中的至少一种，并且可以为1~0中的原子系数，本领域技术人员能够了解和实施权利要求1的技术方案，并获得本发明的技术效果。因此，权利要求1记载了实现本发明目的的全部技术方案。基于相似的理由，权利要求14也不缺少必要技术特征。
（三）原权利要求9、11、13、23的附加技术特征含义清楚，符合专利法实施细则第20条第1款的规定。
（四）原权利要求1-3、5-8、10-12、14-17、19-22符合专利法第22条第3款的规定
1.权利要求1具备创造性
本领域技术人员没有动机将证据2与证据1结合，也不能想到与公知常识结合获得权利要求1的技术方案，权利要求1相对于证据1、2及公知常识是非显而易见的，具备创造性。
2.权利要求2-3、5-8、10-12具备创造性
基于与权利要求1相同的理由，权利要求2-3具备创造性。
证据3没有给出将权利要求5的附加技术特征应用于证据1、2来得到权利要求5的技术方案的启示，本领域技术人员没有动机将证据1、2、3结合，权利要求5相对于证据1、2、3是非显而易见的，具备创造性。基于相同的理由，权利要求6-8也具备创造性。
证据2及证据4没有给出得到权利要求10的附加技术特征的依据，权利要求10相对于证据1、2、4是非显而易见的，具备创造性。
证据5没有公开权利要求11-12的部分附加技术特征，证据2也没有给出与证据1结合的启示，权利要求11-12相对于证据1、2、5具备创造性。
3.权利要求14具备创造性
证据2没有给出与证据1结合的启示，权利要求14相对于证据1、2及公知常识或相对于证据1、2及证据6均具备创造性。
4.权利要求15具备创造性（原权利要求15即修改后的权利要求13）
根据证据7的图1不能确定其公开了权利要求15的相应技术特征，证据2也没有公开相应的技术特征，并且证据2也没有给出与证据7结合的启示，权利要求15相对于证据2、7及公知常识具备创造性。
5.权利要求16、17、19-22具备创造性
基于与权利要求2、3、5-8相似的理由，权利要求14、15、17-20分别具备创造性。
6.权利要求9、13和23已经删除，不存在专利法第22条第3款的问题。
（五）原权利要求1、15符合专利法第22条第4款的规定
本领域技术人员不能用证据8的特定条件下的推测分析作为证据证明“Gd全部取代Y后，石榴石晶格发生塌陷，引起发光性质突变”，本专利说明书记载了不含Y的Gd3(Al0.5Ga0.5)5O12:Ce荧光体，能够实现本发明的目的，专利权人提交的反证1也可以制备出组成为Gd3Al5O12:Ce荧光体。因此，权利要求1具有实用性。基于同样的理由，权利要求15也具备实用性。
合议组于2011年10月14日发出转文通知书，将请求人于2011年8月19的提交的意见陈述书转送给专利权人，将专利权人于2011年9月23日提交的意见陈述书转送给请求人。
针对专利权人于2011年9月23日提交的意见陈述书，请求人于2011年11月29提交了答复意见，其主要补充理由为：（1）根据说明书记载的内容“增加Gd含量是光致发光的发光色具有红色而组成的荧光体具有温度特性劣化，故使其含有Sm而有效改善温度特性”，因此，对于不含Sm元素、Gd元素含量较多的荧光体，无法达到专利权人声称的技术效果，原权利要求1和15得不到说明书的支持；（2）对于不含Sm元素、Gd元素含量较多的荧光体无法达到耐久性好、发光效率高的技术效果，即对于含有Gd元素的荧光体，需要有Sm元素才能改善温度特性，原权利要求1和15缺少必要技术特征。
针对请求人于2011年8月19日的提交的意见陈述书，专利权人于2011年11月29日提交了意见陈述书，同时提交以下附件作为反证：
反证1：公开号为JP平5-14000B2的日本专利文献及其部分中文译文，公开日为1993年2月23日，共7页；
反证2：宫原醇二、佐久间等人的文章及其部分中文译文，复印件，共15页；
反证3：WO00/21061A2及相应部分的中文翻译，复印件，共14页；
反证4：乌斯特里希欧洲专利局异议状及其相关部分中文翻译，复印件，共13页；
反证5：Cree公司和美国证券交易委员会的网站内容及THEFREEL LIBRARY网站内容及相关中文翻译，复印件，共36页；
反证6：亿光电子公司的网站内容及相关中文翻译，复印件，共10页；
反证7：亿光电子公司申请号为088103362的台湾专利，复印件，共25页；
反证8：刘如熹博士编著的书《白光发光二极体制作技术》，复印件，共15页；
反证9：欧洲专利局的判决书及相应部分的中文翻译，复印件，共20页；
反证10:DE19625622.4号德国专利说明书及其中文译文，公开时间为1998年01月02日，共27页。
专利权人的主要陈述意见为：
1.关于本专利符合专利法第26条第4款、第22条第4款、专利法实施细则第21条第2款、第20条第1款规定，以及本专利相对于证据1-7及公知常识具备创造性的理由与之前提交的陈述意见相同。
2.证据10-16的真实性不能确定，证据10不构成本专利的现有技术，本专利相对于证据10具备新颖性。反证10为请求人提交的证据17的优先权文本，其中没有公开有关YAG：Ce的内容，因此，证据17不能用于评述本专利的新颖性。
3.证据10的真实性不能确定，不构成本专利的现有技术，与证据10相关的本专利不符合专利法第22条第3款规定的理由不能成立。
4.“二个以上”包括“二个或二个以上”的含义，“Re则是从Y、Ga、La中所选出的至少一种”中的“Ga”为明显打字错误，将其修改为“Gd”是唯一的选择，因此，本专利权利要求的修改符合专利法第33条的规定。
合议组于2011年12月9日向双方当事人发出口头审理通知书，定于2012年2月15日举行口头审理；并于2011年12月15日发出转文通知书，将请求人于2011年11月29日提交的意见陈述书转送给专利权人，将专利权人于2011年11月29日提交的意见陈述书转送给请求人。
针对请求人于2011年11月29日提交的意见陈述书，专利权人于2012年1月29日提交了意见陈述书，具体理由与在先提交的两次意见陈述书中的理由相同。
针对专利权人于2011年11月29日提交的意见陈述书，请求人于2012年1月30日提交了意见陈述书以及如下证据：
证据19：Wustlich向欧洲专利局提交的异议诉状，复印件，共10页；
证据20：公告号为US5210051A的美国专利文献，公告日为1993年5月11日，共14页；
证据21：公告号为US5393993A的美国专利文献，公告日为1995年2月28日，共14页；
证据22：《The Blue Laser Diode》，中村修二，复印件，共2页；
证据23：公告号为US5739554A的美国专利文献，公告日为1998年4月14日，共16页；
证据24：公告号为US5724062A的美国专利文献，公告日为1998年5月3日，共13页；
证据25：公告号为US5631190A的美国专利文献，公告日为1997年5月20日，共7页；
证据26：公告号为US5592501A的美国专利文献，公告日为1997年1月7日，共11页；
证据27：公告号为US5523589A的美国专利文献，公告日为1996年6月4日，共13页；
证据28：Wustlich于2011年10月24日作出的“声明2”及其附件A-E，复印件，共24页；
证据29：Wustlich于2011年10月24日作出的“声明1”及其附件A-B，复印件，共12页；
证据30：从日本特许电子图书馆获得的证据1的分案信息，复印件，1页；
证据31：日亚网站上发布的新闻稿，复印件，1页；
证据32：日亚网站上发布的新闻稿，复印件，1页；
以及证据19-32的中文译文。
请求人的主要意见为：
1.关于本专利不符合专利法第26条第4款、第22条第4款、专利法实施细则第21条第2款、第20条第1款规定，以及本专利相对于证据1-7及公知常识不具备创造性的理由与无效请求书及在先意见陈述书中理由相同。
2.权利要求1相对于证据28的附件C、E不具备新颖性。证据10、证据28、29、证据11、证据12是彼此关联、互相印证的，能够形成完整的证据链，证据28的附件C、E与证据10第1页、第2页公开的技术内容大致相同。因此，证据28证明权利要求1的技术方案也已经在申请日之前以出版物形式公开，权利要求1不具备专利法第22条第2款规定的新颖性。
口头审理如期举行，双方当事人均出席了口头审理。口头审理中：
1.双方当事人对对方出庭人员的身份和资格没有异议，对合议组成员变更没有异议，对合议组成员没有回避请求。
2.专利权人当庭提交了权利要求书全文的修改文本，合议组当庭转送给请求人。专利权人对权利要求书的修改内容为：在2011年9月23日提交的权利要求书修改文本基础上，删除权利要求原1、15中的元素Lu、Sc、La、Gd、Sm以及In，保留了Y和Gd；删除原从属权利要求3、4、9、13、17、18、23；将原权利要求6、20中元素Sm的含量r限定为r=0；删除原权利要求7、21中的元素La，并修改了相应的序号和引用关系。请求人对此无异议。
3.请求人放弃使用证据8、16-18。专利权人对证据1-7、19-21、23-27的真实性没有异议，对证据10-15、22、30-32的真实性有异议，认为证据28、29已经超过了举证期限，对所有证据中文译文的准确性没有异议。
4.请求人放弃本专利不符合专利法第33条、专利法第22条第4款的无效理由。
5.合议组当庭告知请求人，证据28、29已经超过举证期限，对于权利要求1相对于证据28不具备新颖性的无效理由不予审理。
6.专利权人明确其提交的反证仅供合议组参考。
专利权人当庭提交的权利要求书内容如下：
“1．一种发光装置，包括发光元件和光致发光荧光体，发光元件的发光层为半导体，光致发光荧光体吸收所述发光元件所发出光的一部分，而发出波长与所吸收的光波长不同的光，其特征在于：
所述发光元件的发光层由氮化物系列化合物半导体组成，且该发光元件的发光光谱的波峰位于420nm至490nm处，所述光致发光荧光体包括含有从Y、Gd组中所选出的至少一种元素与自Al、Ga一组中所选出的至少一种元素且吸收所述发光元件所发出光的一部分并发出波峰位于530nm至570nm处的光的、以铈活化的石榴石系列荧光体。
2．如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述光致发光荧光体包含有含Y与Al的钇铝石榴石系列荧光体。
3．如权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述光致发光荧光体包含其中Y与Al组成分别不同的二个或二个以上以铈活化的钇铝石榴石系列荧光体。
4.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述光致发光荧光体包含以一般式(Re1-rSmr)3(Al1-sGas)5O12:Ce所表示的组成分别不同的二个或二个以上荧光体，其中，r=0，0≤s≤1，Re是从Y、Gd中选出的至少一种。
5．如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述光致发光荧光体包含一般式以Y3（Al1-sGas）5O12：Ce来表示的第1荧光体与一般式以Re3Al5O12：Ce来表示的第2荧光体，其中，0≤s≤1，而Re则是从Y、Gd中所选出的至少一种。
6．如权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述光致发光荧光体在钇铝石榴石系列荧光体中，包含将钇的部分为钆所置换的第1钇铝石榴石系列荧光体和第2钇铝石榴石系列荧光体，该第1与第2荧光体的钇石榴石系列荧光体中钆的置换量互不相同。
7．如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，在所述发光元件中，所述发光元件的发光层包含有含In的氮化镓系半导体，而所述光致发光荧光体则包含其中的Al的一部分由Ga以Ga：Al=1：1至4：6范围内的比率予以置换，且Y的一部分由Gd以Y：Gd＝4：1至2：3范围内的比率予以置换的钇铝石榴石系列荧光体。
8．如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，进一步包括一大体上呈矩形的导光板，其一侧面通过使所述光致发光荧光体介于其中来设置所述发光元件，以反射元件覆盖该导光板除一主表面以外的表面，使所述发光元件所发出的光经所述光致发光荧光体与导光板而成为面状，从所述导光板的所述一主表面输出。
9．如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，进一步包括一大体上呈矩形的导光板，其一侧面设置所述发光元件，而其一主表面则设置所述光致发光荧光体，且以反射元件覆盖该一主表面以外的表面，使所述发光元件所发出的光经所述光致发光荧光体与导光板而成为面状，从所述导光板的所述一主表面输出。
10．一种发光二极管显示装置，其特征在于，具有将权利要求1至7中任一项的发光装置配置成矩阵状的发光二极管显示器，以及根据显示数据驱动发光二极管显示器的驱动电路。
11．一种发光二极管，包括：
具有帽部与引线部的安装引线；
配置在所述安装引线的帽部内，且其一侧的电极电气连接于安装引线的发光二极管芯片：
电气连接于所述发光二极管芯片的另一侧电极的内引线；
为了覆盖所述发光二极管芯片而充填在所述帽部内的透光性涂覆构件；以及
模构件，该模构件包含覆盖所述安装引线的帽部、所述内引线与连接于所述发光二极管芯片的另一侧电极的连接部分，并且盖住用所述涂覆构件所覆盖的LED芯片；
其特征在于，
所述发光元件的发光层为氮化物系列化合物半导体，且所述涂覆构件含有光致发光荧光体，该LED芯片的发光光谱的波峰位于420nm至490nm处，该光致发光荧光体为含有从Y、Gd组中所选出的至少一种元素与从Al、Ga一组中所选出的至少一种元素且吸收所述LED芯片所发出光的一部分并发出波峰位于530nm至570nm处的光的、以铈活化的石榴石系列荧光体组成的光致发光荧光体。
12．如权利要求11所述的发光二极管，其特征在于，包含有Y与Al的钇铝石榴石系列荧光体。
13．如权利要求12所述的发光二极管，其特征在于，所述光致发光荧光体包含其中Y与Al组成分别不同的二个或二个以上以铈活化的钇铝石榴石系列荧光体。
14．如权利要求11所述的发光二极管，其特征在于，所述光致发光荧光体包含以一般式(Re1-rSmr)3(Al1-sGas)5O12:Ce所表示的组成分别不同的二个或二个以上荧光体，其中，r=0，0≤s≤1，而Re则是从Y、Gd中所选出的至少一种。
15．如权利要求11所述的发光二极管，其特征在于，所述光致发光荧光体包含一般式以Y3（Al1-sGas）5O12：Ce来表示的第1荧光体与一般式以Re3Al5O12：Ce来表示的第2荧光体，其中，0≤s≤1，而Re则是从Y、Gd中所选出的至少一种。
16．如权利要求13所述的二极管，其特征在于，所述光致发光荧光体，包含将钇的一部分为钆所置换的第1钇铝石榴石系列荧光体和第2钇铝石榴石系列荧光体，该第1与第2钇铝石榴石系列荧光体中钆的置换量互不相同。”
至此，合议组认为本案事实清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1．关于审查基础
专利权人当庭提交了权利要求书的全文修改替换文本，其对权利要求的修改方式为删除式，符合专利法及审查指南的相关规定，因此，本决定所依据的文本为：2012年2月15日提交的权利要求第1-16项；授权公告的说明书第1-39页、附图第1-19页、说明书摘要及摘要附图。
2.关于证据
专利权人对证据1-7、19-21、23-27的真实性没有异议，对其中中文译文的准确性没有异议，合议组经核实未发现存在影响其真实性的明显瑕疵，对证据1-7、19-21、23-27予以接受。
请求人当庭放弃使用证据8、16-18，证据28、29的提交日期已经超过举证期限，合议组在本决定中对这些证据不予考虑。
请求人未提交证据22、30-32的原件，专利权人对其真实性有异议，不能确认证据22、30-32的真实性，合议组对其不予接受。
关于证据10-15，合议组认为：首先，根据审查指南第四部分第八章第2.2.2节的规定，域外证据需要办理证明手续。证据10-15属于域外证据，但请求人未办理相关证明手续，无法确定其真实性。其次，证据10为孤立的印刷品，并非专利法意义上的公开出版物，没有证据表明其形成的来源、获取的来源等信息，虽然请求人声称证据10为证据13、14中白色LED的产品说明书，但是，本领域技术人员皆知，产品说明书应当记载相应的产品型号、参数等相关信息，而证据10没有记载这些信息，无法唯一地证明其为证据13、14所指白色LED的产品说明书，也没有其它证据佐证这一待证事实，无法证明证据10与证据13、14的关联性。另外，证据10没有表明其公开发表或出版的时间，仅凭其记载的“02/1995”信息不足以认定已于1995年2月公开，也没有其他证据证明这一公开时间。因此，证据10不能被认定为专利法意义上的公开出版物，不能作为证据使用，合议组对与证据10－15相关的专利法第22条第2款的无效理由不予考虑。
3.关于审查范围
请求人当庭放弃关于本专利不符合专利法第33条、第22条第4款的无效理由，专利权人删除了原权利要求3、4、9、13、17、18、23，与这些权利要求相关的无效理由的基础已经不存在。
请求人放弃使用证据8、16-18,对与其相关的专利法第22条第2款、第22条第4款及第33条的无效理由不予审理。
证据10的真实性不能确认，不构成本专利的现有技术，对与其相关的专利法第22条第2款的无效理由不予审理。
证据28、29的提交日期已经超过举证期限，对权利要求1相对于证据28的附件C、E不具备新颖性的无效理由不予审理。
综上，本决定的审查范围为：修改后的权利要求1、7、11不符合专利法第26条第4款的规定；权利要求1、11不符合专利法实施细则第21条第2款的规定；权利要求8不符合专利法实施细则第20条第1款的规定；权利要求1-2相对于证据1、2的结合，权利要求3-6相对于证据1、2、3的结合，权利要求7相对于证据1、2、4的结合，权利要求8-9相对于证据1、2、5的结合，权利要求10相对于证据1、2及公知常识的结合或证据1、2、6的结合，权利要求11、12相对于证据7、2的结合，权利要求13-16相对于证据7、2、3的结合，分别不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4．关于专利法第26条第4款
专利法第26条第4款规定：权利要求书应当以说明书为依据，说明要求专利保护的范围。
在说明书记载足够数量的实施例情形下，本领域技术人员基于稀土元素具有类似性质的常识，能够合理预测以权利要求中以一般式表示的组分能够实现发明目的、达到相应的技术效果，则权利要求得到说明书的支持。
（1）关于权利要求1和11
请求人主张，权利要求1和11中，①光致发光荧光体没有足够的实验数据支持，不能确定所有组分的荧光体都能实现应有的功能；②根据说明书“增加Gd含量是光致发光的发光色具有红色而组成的荧光体具有温度特性劣化，故使其含有Sm而有效改善温度特性”，因此，对于不含Sm元素、Gd元素含量较多、并且发光波峰位于520nm至570nm处的方式无法达到本专利的技术效果；③对于组成为(Re1-rSmr)3(Al1-sGas)5O12:Ce的光致发光荧光体，说明书实施例2记载的发光光谱的峰值在510nm或600nm附近，因此，该组成中的至少一部分荧光体不能达到“发出波峰位于530nm至570nm的光”的技术效果，不能解决本专利所要解决的技术问题。
合议组认为：
首先，针对上述第①点，本专利所要解决的技术问题为“已往的发光二极管有随着荧光体劣化而色调偏差，或荧光体外发黑光的外部取出效率低下的情形”等问题，因此，本专利权利要求1的技术方案提出采用“包括含有从Y、Gd组中所选出的至少一种元素与自Al、Ga一组中所选出的至少一种元素且吸收所述发光元件所发出光的一部分并发出波峰位于530nm至570nm处的光的、以铈活化的石榴石系列荧光体”。并在说明书中给出了以一般式(Y1-aGda)3（Al1-bGab）5O12：Ce表示的YAG系列荧光体的组成及其发光特征（参见第17页表1），同时，在实施例1-2、5-11中给出了组成分别为(Y0.8Gd0.2)3Al5O12：Ce、(Y0.6Gd0.4)3Al5O12：Ce、(Y0.2Gd0.8)3Al5O12：Ce、Y3Al5O12：Ce、Y3（Al0.5Ga0.5）5O12：Ce、Gd3（Al0.5Ga0.5）5O12：Ce、Y3（Al0.6Ga0.4）5O12：Ce、(Y0.4Gd0.6)3Al5O12：Ce的多种荧光体，且上述组成的荧光体都能解决本专利所要解决的技术问题，达到发光元件耐候性好、不易劣化的技术效果。
本领域技术人员皆熟知，Y与Gd同为稀土元素，具有相似的物理化学性质，在说明书中已经给出了Y、Gd含量不同的各种荧光体实施例，并且这些荧光体均能够解决其技术问题的情形下，本领域技术人员能够合理预测说明书中实施例以外的、以一般式(Y1-aGda)3（Al1-bGab）5O12：Ce表示的其它组分的YAG系列荧光体也能够解决本专利所要解决的技术问题。
其次，针对第②点，根据说明书第19页第1-2段的记载：随着Gd含量的增加，发光峰值波长向长波侧移动，荧光体的温度特性降低，而借助于Sm可改善高温下荧光体的劣化。即，在Gd含量较多的情形下，在荧光体中添加Sm元素可以改善其温度特性，但这仅表明无Sm元素、Gd含量较多的荧光体不是本专利的最佳实施例，不能取得最优的技术效果，并不意味着其相对于现有技术性能劣化、不能解决本专利的技术问题。事实上，在说明书实施例8中（说明书第35页第2段）明确记载Gd3（Al0.5Ga0.5）5O12：Ce表示的荧光体具有极佳的耐候性，能够解决本专利所要解决的技术问题。请求人也无证据证明其关于无Sm元素、Gd含量较多的荧光体相对于现有技术劣化的主张。
针对第③点，修改后的权利要求1、11已经将Sm元素删除，请求人主张的基础已经不存在。
因此，本领域技术人员能够从说明书充分公开的内容概括得出权利要求1和11的技术方案，权利要求1和11得到说明书的支持，符合专利法第26条第4款的规定。
（2）关于权利要求7
请求人主张，说明书没有记载Y为Gd所置换且Al为Ga所置换情况下的实验数据及描述，难以预测在Ga：Al=1：1至4：6且Y：Gd＝4：1至2：3范围内，荧光体都能够实现本发明的目的。
合议组认为，在化学领域，考察含有两个变量的一般式表示的物质性能时，通常采用的方法是固定一种变量，改变另一种变量研究其性能；再固定另一种变量，改变前一种变量研究其性能。对于本专利中的以一般式(Y1-aGda)3（Al1-bGab）5O12：Ce表示的YAG荧光体，(Y1-aGda)与（Al1-bGab）是相互独立的变量，由于Y、Gd同属于性质相似的稀土元素，Al、Ga同属于性质相似的IIIA族元素，a和b含量的变化会对YAG荧光体的物理化学性能产生影响，但是这种影响必然是有规律的，因此，通过固定a含量、改变b含量以及固定b含量、改变a的方法能够考察YAG荧光体的发光性能。结合说明书中的记载（参见第17页第1行至第18页第9行、表1）：对于以一般式(Y1-aGda)3（Al1-bGab）5O12：Ce表示的YAG系列荧光体，在用Ga置换Al时，最好将比率设定于Ga：Al=1：1至4：6之间（即表1中的a=0，b=0.4或0.5）；在用Gd置换Y时，将比率设定于Y:Gd=4：1至2：3（即表1中的b=0，a=0.2或0.6）范围内更好。因此，通过分别固定a、b的含量，本领域技术人员可以合理预测到在a、b分别固定时得到的Ga：Al以及Y:Gd的较佳置换比率结合在一起时，由于a、b含量变化对荧光体物理化学性质影响的规律性，能够使YAG荧光体起到较佳的发光效果，可以解决本专利所要解决的技术问题，达到相应的技术效果。并且，请求人也没有提供证据证明在Ga：Al=1：1至4：6且Y：Gd＝4：1至2：3的范围内，存在不能实现本发明目的的荧光体。
因此，本领域技术人员能够从说明书充分公开的内容概括得出权利要求7的技术方案，权利要求7得到说明书的支持，符合专利法第26条第4款的规定。
5. 关于专利法实施细则第21条第2款
专利法第21条第2款规定：独立权利要求应当从整体上反映发明或者实用新型的技术方案，记载解决技术问题的必要技术特征。
关于权利要求1和11，请求人主张，本专利的发明目的在于“提供一种在较高亮度、长时间使用环境下，发光光度与发光光率的降低和色偏差极小”的发明目的，但是， ①说明书中有实验数据支持的只有8种组分的荧光体，只有特定组分以及各组分之间维持特定含量的荧光体才能够实现上述发明目的；光致发光荧光体没有足够的实验数据支持，不能确定所有组分的荧光体都能实现应有的功能；②根据说明书“增加Gd含量是光致发光的发光色具有红色而组成的荧光体具有温度特性劣化，故使其含有Sm而有效改善温度特性”，因此，对于含有Gd元素的荧光体，无法达到耐久性好、发光效率高，需要含有Sm元素才能够改善温度特性；③对于组成为(Re1-rSmr)3(Al1-sGas)5O12:Ce的光致发光荧光体，说明书实施例2记载的发光光谱的峰值在510nm或600nm附近，当各组分的含量变化时，发光光谱的峰值相对于510nm发生蓝移或相对于600nm发生红移，与发光元件发出的蓝光混合后不能得到白光，从而无法实现本专利的发明目的。
合议组认为：
首先，针对上述第①点，本专利所要解决的技术问题为“已往的发光二极管有随着荧光体劣化而色调偏差，或荧光体外发黑光的外部取出效率低下的情形”等问题，并达到“在较高亮度、长时间使用环境下，发光光度与发光光率的降低和色偏差较小”的目的。因此，本专利权利要求1的技术方案提出采用“包括含有从Y、Gd组中所选出的至少一种元素与自Al、Ga一组中所选出的至少一种元素且吸收所述发光元件所发出光的一部分并发出波峰位于530nm至570nm处的光的、以铈活化的石榴石系列荧光体”。并在说明书中给出了以一般式(Y1-aGda)3（Al1-bGab）5O12：Ce表示的YAG系列荧光体的组成及其发光特征（参见第17页表1），同时，在实施例1-2、5-11中给出了组成分别为(Y0.8Gd0.2)3Al5O12：Ce、(Y0.6Gd0.4)3Al5O12：Ce、(Y0.2Gd0.8)3Al5O12：Ce、Y3Al5O12：Ce、Y3（Al0.5Ga0.5）5O12：Ce、Gd3（Al0.5Ga0.5）5O12：Ce、Y3（Al0.6Ga0.4）5O12：Ce、(Y0.4Gd0.6)3Al5O12：Ce的多种荧光体的实验数据，上述组成的荧光体都能解决本专利所要解决的技术问题，达到发光元件耐候性好、不易劣化的技术效果。
本领域技术人员皆熟知，Y与Gd同为稀土元素，具有相似的物理化学性质，在说明书中已经给出了Y、Gd含量不同的各种荧光体实施例，并且这些荧光体均能够解决其技术问题的情形下，本领域技术人员能够合理预测权利要求1通过采用“包括含有从Y、Gd组中所选出的至少一种元素与自Al、Ga一组中所选出的至少一种元素且吸收所述发光元件所发出光的一部分并发出波峰位于530nm至570nm处的光的、以铈活化的石榴石系列荧光体”，能够解决本专利所要解决的技术问题。
其次，针对第②点，根据说明书第19页第1-2段的记载：随着Gd含量的增加，发光峰值波长向长波侧移动，荧光体的温度特性降低，而借助于Sm可改善高温下荧光体的劣化。即，在Gd含量较多的情形下，在荧光体中添加Sm元素可以改善其温度特性，但这仅表明含有Sm的荧光体只是在Gd含量较多时的较佳实施例，能够取得较佳的技术效果；但并不意味着不含Sm的荧光体相对于现有技术性能劣化、不能达到本专利的目的。事实上，在说明书实施例8中（说明书第35页第2段）明确记载Gd3（Al0.5Ga0.5）5O12：Ce表示的荧光体具有极佳的耐候性，能够解决本专利所要解决的技术问题。因此，荧光体中含有Sm不是解决本专利所要解决的技术问题所必须采用的技术特征,即不构成必要技术特征。请求人也无证据证明其关于无Sm元素、Gd含量较多的荧光体相对于现有技术劣化的主张。
针对第③点，修改后的权利要求1已经将Sm元素删除，请求人主张的基础已经不存在。
因此，权利要求1和11已经记载了解决本专利所要解决技术问题的必要技术特征，符合专利法实施细则第21条第2款的规定。
6.关于专利法实施细则第20条第1款
专利法实施细则第20第1款规定：权利要求书应当说明发明或者实用新型的技术特征，清楚、简要地表述请求保护的范围。
请求人主张，权利要求8中“其一侧面通过使所述光致发光荧光体介于其中来设置所述发光元件”的“其”指代导光板，但如何使“光致发光荧光体”介于“其中”来设置“发光元件”是不清楚的。专利权人则主张，该技术特征的含义为通过将“光致发光荧光体”固定在导光板的侧面来设置发光元件。
合议组认为：对上述技术特征理解的关键在于“其中”所表达的含义，根据审查指南第二部分第二章第3.2.2节的规定，在特定情况下，如果说明书指明了某词具有特定的含义，并且使用了该词的权利要求的保护范围由于说明书中对该词的说明而被限定的足够清楚，这种情况也是允许的。说明书第27页第8行-第21行、附图7有如下记载：发光元件固定于金属基板703内，荧光体与环氧树脂混合充填于金属基板703内部，如此使得702以环氧树脂等固定在导光板704一侧端面。因此，结合说明书可以清楚地确定，权利要求8中的“其中”是指导光板的侧面，“其一侧面通过使所述光致发光荧光体介于其中来设置所述发光元件”是指通过使光致发光荧光体位于导光板的侧面上来设置发光元件。而且，本领域技术人员皆知，对于本专利所涉及的发光二极管而言，荧光体是覆盖于发光元件的表面以实现波长转换而发出特定波长的光，导光板的作用在于将转换后的光引导至光通路中，因此，荧光体只能位于导光板的侧面上，而不是位于导光板中。即，本领域技术人员结合权利要求8及说明书中的相应记载可以清楚地了解上述技术特征的含义，权利要求8的保护范围是清楚的，符合专利法实施细则第20条第1款的规定。
7.关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指同申请日以前已有的技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型有实质性特点和进步。
作为现有技术的一篇对比文件与涉案专利所属的技术领域、解决的技术问题、采用的技术手段以及达到的技术效果均明显不同，本领域技术人员无法从中得到启示将现有技术结合以得到权利要求的技术方案，则该权利要求相对于现有技术的结合具备创造性。
（1）关于权利要求1
请求人主张，权利要求1相对于证据1和证据2的结合不具备创造性。
合议组认为：权利要求1保护一种发光装置，证据1公开了一种发光二极管，并公开了以下技术特征：由在阴极杆上有发光元件，并用树脂模包围它们而构成，上述发光元件由一般式GaxAl1-xN（但是0≤x≤1）表示的氮化镓系化合物半导体作出，并且在上述树脂模中，添加利用上述氮化镓系化合物半导体发出的光被激发从而发出荧光的荧光染料（参见证据1译文第2段、请求项1）；在树脂模4中添加能通过被420-440nm附近的波长（相当于权利要求1中发光元件的发光光谱）激发而发出具有480nm发光峰值的波长光的荧光染料5（参见证据1译文第0008段）；本设计……特别是关于一种发光元件能发出多种光、并且高亮度的波长变换发光二极管（参见证据1译文第0001段，相当于权利要求1中光致发光荧光体系数所述发光元件所发出光的一部分并发出光）。
权利要求1保护的技术方案与证据1公开的技术内容相比，其区别在于：所述光致发光荧光体包括含有从Y、Gd组中所选出的至少一种元素与自Al、Ga一组中所选出的至少一种元素且吸收所述发光元件所发出光的一部分并发出波峰位于530nm至570nm处的光的、以铈活化的石榴石系列荧光体。
证据2公开一种投影式显示装置，具体公开了以下技术特征（参见证据2译文第1、3页）：由使用可见或紫外范围的激光束扫描以及在可见光范围发光的荧光屏的投影法可以制作出单色显示器，可以通过荧光的结合而发出白色或所希望的颜色；使用由配置为在4880?发光的氩离子激光器提供能量的以掺铈的钇铝石榴石（YAG）涂膜的屏幕；可以通过用镓置换一部分或者全部的铝，以及/或者用钆置换钇来改变原组成Y3AL5O12。
请求人认为上述区别技术特征已经被证据2公开，并且其在证据2中所起作用与在权利要求1中所起作用相同，因此，证据2给出了将上述区别技术特征应用于证据1以得到权利要求1的技术方案的启示，权利要求1相对于证据1和证据2的结合不具备创造性。
专利权人则认为上述区别技术特征在本专利中所起的作用和证据2中所起的作用不同，证据2没有给出与证据1结合的启示。
对于双方争议的焦点，合议组认为：
首先，本专利涉及一种发光装置，证据2涉及一种投影式显示装置。该投影式显示装置主要应用于图像显示领域，而本专利为发光装置，用于半导体照明领域，两者技术领域相差较远。
其次，基于上述区别技术特征可确定，本专利所要解决的技术问题是“由于现有的由混色发出白色光系的发光二极管中存在发光二极管有随着荧光体劣化而色调偏差，或荧光体发黑光的外部取出效率低下的情形等问题”。为了解决该技术问题，本专利采用了将氮化物半导体发光元件与上述荧光体结合的技术手段来获得稳定的白色光源，避免了因荧光体劣化造成的发光效率低、色调偏差等问题。而证据2所要解决的技术问题是用可见激光直接投射来形成图像时，存在图像是一定波长的单色以及有斑点的缺陷。证据2采用了以掺铈钇铝石榴石（YAG）作为荧光物质的屏幕、用4888?氩离子激光器激发的技术手段，获得显示出没有斑点问题的黑白图像的激光显示装置。因此，证据2中荧光体所起的作用是吸收激光能量形成黑白图像、并消除图像中的斑点。
综上所述，虽然证据2公开了掺铈钇铝石榴石这种荧光物质，但证据2与本专利所属的技术领域、解决的技术问题、采用的技术手段以及达到的技术效果均明显不同。证据2并非用于半导体光源领域，本领域技术人员在面对因荧光体劣化造成半导体发光装置性能不稳定的问题时，无法将应用于激光显示装置的荧光体与证据1相结合以得到亮度、耐久性均稳定的白色光源，即不能从证据2中获得用以解决本专利技术问题的启示或教导。因此，请求人关于权利要求1相对于证据1和证据2的结合不具备创造性的主张不成立，权利要求1符合专利法第22条第3款的规定。
（2）关于权利要求2
权利要求2为权利要求1的从属权利要求，基于与上述第（1）点相同的理由，本领域技术人员不能从证据2中获得用以解决本专利技术问题的启示或教导。因此，在权利要求1相对于证据1和证据2的结合具备创造性的前提下，请求人关于从属权利要求2相对于证据1和证据2的结合不具备创造性的主张也不能成立，权利要求2符合专利法第22条第3款的规定。
（3）关于权利要求3-6
请求人认为，权利要求3-6相对于证据1、2、3的结合不具备创造性。
合议组认为，权利要求3-6直接或间接引用权利要求1，包含了权利要求1的全部技术特征。证据3公开了一种平面图像显示装置，具体公开了：混合色度坐标不同的两种荧光体，从而得到想要的色度坐标。可见，证据3也没有公开权利要求1与证据1的区别技术特征，请求人关于权利要求3-6相对于证据1、2、3的结合不具备创造性的主张不成立，权利要求3-6符合专利法第22条第3款的规定。
（4）关于权利要求7
请求人认为，权利要求7相对于证据1、2、4的结合不具备创造性。
合议组认为，权利要求7为权利要求1的从属权利要求，包含了权利要求1的全部技术特征。证据4公开了一种发光素子，具体公开了（参见说明书第1页）：使用含有In1-x-yGaxAlyN(x y<>
（5）关于权利要求8-9
请求人认为，权利要求8-9相对于证据1、2、5的结合不具备创造性。
合议组认为，权利要求8-9为权利要求1的从属权利要求，包含了权利要求1的全部技术特征。证据5公开了一种利用蓝色发光二极管的面状光源，具体公开了面状光源的结构（参见说明书第3页、图2-3）。可见，证据5也没有公开权利要求1与证据1的区别技术特征，请求人关于权利要求8-9相对于证据1、2、4的结合不具备创造性的主张不成立，权利要求8-9符合专利法第22条第3款的规定。
（6）关于权利要求10
请求人认为，权利要求10相对于证据1、2及公知常识的结合或证据1、2、6的结合不具备创造性。
关于权利要求10相对于证据1、2及公知常识的结合的创造性，合议组认为，权利要求10引用了权利要求1-7中的任一项发光装置，在权利要求1-2相对于证据1、2的结合，权利要求3-6相对于证据1、2、3的结合，权利要求7相对于证据1、2、4的结合具备创造性的前提下，请求人关于权利要求10相对于证据1、2及公知常识的结合不具备创造性的主张也不能成立。
关于权利要求10相对于证据1、2、6的结合的创造性，合议组认为，证据6公开了一种LED电子显示屏的控制系统和组件结构，其中的LED被配置成矩阵状。可见，证据6也没有公开权利要求1与证据1的区别技术特征。因此，请求人关于权利要求10相对于证据1、2、6的结合不具备创造性的主张也不能成立。
（7）关于权利要求11
请求人主张：证据7公开了权利要求11前序部分的大部分技术特征，区别仅在于：证据7未公开发光二极管芯片两侧电极的连接方式，也未公开特征部分的技术特征。但是，权利要求11前序部分的发光二极管芯片两侧电极的连接方式为本领域技术人员所熟知；对于权利要求11的特征部分，证据2公开了权利要求11特征部分的全部技术特征，并且其在证据2中所起作用与在权利要求11中所起作用相同，因此，证据2给出了将上述区别技术特征应用于证据7以得到权利要求11的技术方案的启示，权利要求11相对于证据7和证据2的结合不具备创造性。
专利权人则认为证据2没有给出与证据7结合的启示。
合议组认为，证据7公开了一种发光二极管，具体公开了以下技术特征（参见其译文第2、9-13段、附图1）：发光芯片1；具有发射碗（相当于帽部）的引线架2（相当于安装引线），发光芯片1与引线架2之间必然有引线部；发光芯片1安装于引线架2的发射碗3内（相当于发光二极管芯片配置在帽部内）；根据图1可以直接、毫无疑义地确定，引线架2左侧的引线相当于权利要求1中的内引线；第一树脂11位于发射碗3内部（相当于涂覆构件）；第二树脂12覆盖发射碗3、引线架左侧的引线、以及第一树脂11覆盖的发光芯片1，相当于权利要求1中的模构件。
可见，权利要求11与证据7的区别在于：①发光二极管芯片两侧电极的连接方式，②权利要求7特征部分的技术特征。但是，区别技术特征①的发光二极管芯片两侧电极的连接方式为本领域技术人员所熟知。对于区别技术特征②，其与权利要求1相对于证据1的区别技术特征相同，基于与关于权利要求1的评述相同的理由，本专利与证据2所属的技术领域、解决的技术问题和采用的技术手段均明显不同，证据2并非用于半导体光源领域，本领域技术人员在面对因荧光体劣化造成半导体发光装置性能不稳定的问题时，无法将应用于激光显示装置的荧光体与证据1相结合得到亮度、耐久性均稳定的白色光源，不能从证据2中获得用以解决本专利技术问题的启示或教导。因此，请求人关于权利要求11相对于证据7和证据2的结合不具备创造性的主张不成立，权利要求11符合专利法第22条第3款的规定。
（8）关于权利要求12
权利要求12为权利要求11的从属权利要求，基于与上述第（7）点相同的理由，本领域技术人员不能从证据2中获得用以解决本专利技术问题的启示或教导。因此，在权利要求11相对于证据7和证据2的结合具备创造性的前提下，请求人关于从属权利要求12相对于证据7和证据2的结合不具备创造性的主张也不能成立，权利要求12符合专利法第22条第3款的规定。
（9）关于权利要求13-16
请求人认为，权利要求13-16相对于证据7、2、3的结合不具备创造性。
合议组认为，权利要求13-16直接或间接引用权利要求11，包含了权利要求11的全部技术特征。证据3公开了一种平面图像显示装置，具体公开了：混合色度坐标不同的两种荧光体，从而得到想要的色度坐标。可见，证据3也没有公开权利要求11与证据7的区别技术特征②，请求人关于权利要求13-16相对于证据7、2、3的结合不具备创造性的主张不成立，权利要求13-16符合专利法第22条第3款的规定。
综上所述，请求人针对本专利提出的全部无效宣告理由均不成立，合议组作出如下决定。
三、决定
宣告第03159595.2号发明专利权部分无效，在专利权人于2012年2月15日提交的权利要求1-16的基础上维持专利权有效。
当事人对本决定不服的，可以根据专利法第46条第2款的规定，自收到本决定之日起三个月内向北京市第一中级人民法院起诉。根据该款的规定，一方当事人起诉后，另一方当事人作为第三人参加诉讼。
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