发明创造名称：发射射线的半导体芯片及包含该半导体芯片的装置
外观设计名称：
决定号：19280
决定日：2012-09-03
委内编号：4W101015
优先权日：
申请（专利）号：200510091728.0
申请日：1997-06-26
复审请求人：
无效请求人：乐金电子(中国)有限公司
授权公告日：2009-12-02
审定公告日：
专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主审员：范胜祥
合议组组长：樊晓东
参审员：孙学锋
国际分类号：H01L33/00,H01S5/00
外观设计分类号：
法律依据：专利法第33条
决定要点：对权利要求的修改不超出原说明书和权利要求书记载的范围，是指修改后的权利要求的技术方案在原说明书和权利要求书中有记载。如果申请日以后将记载在原说明书和权利要求书中记载的特征重新组合形成了原始申请文件中未记载的新的技术方案，而且该技术方案也无法由本领域技术人员直接、毫无疑义地确定，则对该权利要求的修改超出了原说明书和权利要求书记载的范围。
全文：
本无效宣告请求涉及专利号为ZL200510091728.0、名称为“发射射线的半导体芯片及包含该半导体芯片的装置”的发明专利（下称本专利），专利权人原为奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司，后变更为奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司。本专利是申请号为97197402.0的发明专利申请的分案申请，其优先权日为1996年06月26日和1996年09月20日，申请日为1997年06月26日，授权公告日为2009年12月02日。本专利授权公告的权利要求书内容如下：
“1. 发射射线的半导体芯片，具有
一个半导体多层结构，其适合于从紫外、蓝和/或绿色的光谱范围中发射第一波长段的电磁射线；
一个含有至少一种无机发光材料的发光变换层，该无机发光材料与包封它的物质具有相互不同的折射指数，所述的发光变换层将第一波长段的射线变换成与第一波长段不同的第二波长段的射线，从而使该半导体芯片发射出包括来自于所述半导体多层结构并穿过所述发光变换层的第一波长段射线和来自于所述发光材料的第二波长段射线的多色射线。
2. 如权利要求1的半导体芯片，其特征在于，所述的发光变换层被安排成与所述的半导体多层结构直接接触。
3. 如权利要求1-2之一的半导体芯片，其特征在于，所述的发光变换层将所述的第一波长段射线变换成由不同光谱子区组成的多个第二波长段的射线，从而使该半导体芯片发射出包括第一波长段的射线和多个第二波长段的射线的多色射线。
4. 如权利要求3的半导体芯片，其特征在于，由所述半导体多层结构发射的第一波长段和所述的第二波长段形成叠加三色光，使得在该半导体芯片工作时发射白光。
5. 如权利要求1-2之一的半导体芯片，其特征在于，所述的第二波长段包括至少一部分波长大于第一波长段的波长。
6. 如权利要求1-2之一的半导体芯片，其特征在于，所述半导体多层结构适合于在工作中发射紫外线，并且所述发光变换层将该紫外线的至少一部分变换成可见光。
7. 如权利要求1-2之一的半导体芯片，其特征在于，多色射线中的第一波长段和第二波长段至少有一部分位于互补色光谱区域中，并且第一和第二波长段的射线的混合产生白光。
8. 如权利要求1-2之一的半导体芯片，其特征在于，所述的发光变换层包括具有不同波长变换特性的多个层。
9. 如权利要求1-2之一的半导体芯片，其特征在于，该发光材料是一种平均粒度为10μm的无机发光材料。
10. 如权利要求1-2之一的半导体芯片，其特征在于，该发光材 料是从一个组中选择，该组具有掺杂稀土的石榴石、掺有稀土的硫代镓酸盐、掺有稀土的铝酸盐以及掺有稀土的正硅酸盐。
11. 如权利要求10的半导体芯片，其特征在于，该发光材料是用Ce掺杂的石榴石。
12. 如权利要求11的半导体芯片，其特征在于，该发光材料是YAG:Ce。
13. 如权利要求10的半导体芯片，其特征在于，该无机发光材料是被直接涂在半导体主体上的基于掺有Ce的石榴石、硫代镓酸盐、碱土金属-硫化物和铝酸盐。
14. 如权利要求1-2之一的半导体芯片，其特征在于，该发光变换层中含有从由有机和无机发光材料组成的组中选择的多种互不相同的材料。
15. 如权利要求1-2的半导体芯片，其特征在于，所述发光变换层含有从由部分具有以及部分不具有波长变换作用的有机和无机染料分子组成的组中选择的染料分子。
16. 如权利要求1-2的发光半导体器件，其特征在于，所述发光变换层含有一种发蓝光的发光材料。
17. 如权利要求1-2的半导体芯片，其特征在于，所述半导体多层结构发射的射线在波长λ≤520nm时具有发光强度最大值。
18. 如权利要求17的半导体芯片，其特征在于，由所述半导体多层结构发射的射线在420nm和460nm之间的波长处具有发光强度最大值。
19. 如权利要求1-2的半导体芯片，其特征在于，由所述半导体多层结构发射的射线在波长λ≤520nm时具有相对强度最大值，并且光谱上可由所述发光变换材料选择吸收的波长段位于此强度最大值之外。
20. 如权利要求1-2之一的半导体芯片，其特征在于，所述的半导体多层结构是一种发蓝光的半导体多层结构，而且由该半导体多层结构发射的蓝光谱区域射线的一部分被该发光变换层变换成黄光谱区域。
21. 如权利要求1-2之一的半导体芯片，其特征在于，所述的无机发光材料被掺在热塑性树脂或热固性材料的基体中。
22. 如权利要求1-2之一的半导体芯片，其特征在于，所述的无机发光材料被掺在环氧树脂或丙烯酸酯树脂的基体中。
23. 如权利要求1-2之一的半导体芯片，其特征在于，该无机发光材料被掺在一种低熔点无机玻璃的基体中。
24. 如权利要求1-2之一的半导体芯片，其特征在于，该无机发光材料被掺在硅树脂材料的基体中。
25. 如权利要求1-2之一的半导体芯片，其特征在于，该发光材料的颗粒有助于第一波长段射线的方向特性的减弱，使得来自于半导体主体并穿过所述发光变换元件的该第一波长段射线与来自于所述发光材料的该第二波长段射线混合，以便产生空间上均匀的色觉。
26. 飞机舱内部照明，包括多个如权利要求1-25之一所述的发射射线的半导体芯片。
27. 显示装置，包括多个如权利要求1-25之一所述的半导体芯片，所述的半导体芯片被安排用来照明该显示装置的显示。
28. 如权利要求27的显示装置，其特征在于，该显示装置包括液晶显示。
29. 全色LED显示装置，包括多个如权利要求1-25之一所述的发射射线的半导体芯片。”
针对上述专利权，乐金电子（中国）有限公司（下称请求人）于2011年06月24日向国家知识产权局专利复审委员会提出了无效宣告请求，其理由是本专利权利要求1-29不符合专利法第22条第3款的规定，请求宣告本专利权利要求1-29无效，同时提交了如下附件作为证据：
附件1（下称证据1）：公开号为JP特开平8-100173A的日本专利公开特许公报复印件共7页，其上记载的公开日为1996年04月16日；
附件2（下称证据2）：公告号为10-0291911的韩国专利说明书复印件共10页，其上记载的公开日为1996年02月23日；
附件3（下称证据3）：公开号为JP平1-260707A的日本专利公开特许公报复印件共11页，其上记载的公开日为1909年10月18日；
附件4（下称证据4）：公告号为US5118985A的美国专利说明书复印件共7页，其上记载的公开日为1992年06月02日；
附件5（下称证据5）：公开号为JP特开平7-176794A的日本专利公开特许公报复印件共4页，其上记载的公开日为1995年07月14日；
附件6（下称证据6）：公开号为JP特开平5-327028A的日本专利公开特许公报复印件共4页，其上记载的公开日为1993年12月10日；
附件7（下称证据7）：公开号为JP特开昭48-20539A的日本专利公开特许公报复印件共6页，其上记载的公开日为1973年03月14日；
附件8：本专利的授权公告文本的复印件共24页。
请求人认为：（1）权利要求1相对于证据1和证据2不具备创造性；（2）权利要求2、5-7、10、17-18、20-23的附加技术特征被证据1所公开，权利要求9、16、27-29的附加技术特征被证据2所公开，权利要求3-4、8的附加技术特征被证据3所公开，权利要求11-12的附加技术特征被证据4所公开，权利要求15、25的附加技术特征被证据5所公开，权利要求13的附加技术特征被证据7和证据4所公开，权利要求14的附加技术特征被证据1或证据2所公开，权利要求19的附加技术特征被证据1结合证据2所公开，权利要求24的附加技术特征被证据1和证据6所公开，权利要求26的附加技术特征属于本领域的公知常识，因此权利要求2-29也不具备创造性。
经形式审查合格，专利复审委员会于2011年06月24日受理了上述无效宣告请求并将无效宣告请求书及证据副本转给了专利权人，同时要求专利权人在指定期限内答复。
请求人于2011年07月22日提交无效程序中意见陈述书并补充提交下述附件作为证据：
附件1’：证据1的中文译文共12页；
附件2’：证据2的公开文本复印件共19页，公开号为KR1996-0005735A，公开日为1996年02月23日，以及其中文译文共14页；
附件3’：证据3的中文译文共9页；
附件4’：证据4的中文译文共5页；
附件5’：证据5的中文译文共7页；
附件6’：证据6的中文译文共8页；
附件7’：证据7的中文译文共11页；
附件8’(下称证据8)：公开号为GB1332462的英国专利说明书复印件共4页，其上记载的公开日为1973年10月03日,及其中文译文共4页；
附件9’(下称证据9)：发表于“Diamond and related materials 5 (1996)”的题为“III-V nitride-based light-emitting diodes”的论文复印件共5页，公开日1996年04月，检索过程证明复印件共8页，及其中文译文共8页；
附件10’(下称证据10)：公开号为JP特开平5-152-609A的日本公开特许公报复印件共3页，其上记载的公开日期为1993年06月18日，及其中文译文5页；
附件11’(下称证据11)：请求人声称发表于《日经产业新闻》的题为“白色LED灯（制造成本减半的更有效发光的白色LED等）”的文章复印件共3页，公开日为1996年09月13日，宫腰亚生出具的陈述书复印件1页、平成23年登记第0797号认证书复印件共2页，及其中文译文共3页；
附件12’(下称证据12)：公开号为JP实开昭49-105065的日本公开实用新案公报复印件共12页，其上记载的公开日为1974年09月09日，及其中文译文共5页；
附件13’(下称证据13)：公开号为JP实开昭49-15860的日本公开实用新案公报复印件共13页，其上记载的公开日为1974年02月09日，及其中文译文共6页。
同时，请求人补充了如下无效理由：
（1）本专利权利要求1-29保护范围不清楚，不符合专利法实施细则第20条第1款的规定。
（2）权利要求1-29的技术方案得不到说明书的支持，不符合专利法第26条第4款的规定。
（3）权利要求1-29的技术方案超出原申请记载的范围，不符合专利法实施细则第43条第1款的规定，具体内容如下：
（3-1）权利要求1概括的技术方案中包括以下情况：发射出的电磁射线是紫外线，且发光变换层仅包含一种发光材料。然而，紫外光是不可见光，所以即使当将紫外光变换成一种可见光，甚至即使仅将紫外光的一部分变换成了一种可见光，均无法混合出多色射线。因此，权利要求1中包含了原申请未记载的技术方案，超出原申请记载的范围，不符合专利法实施细则第43条第1款的规定。
（3-2）权利要求2-3和5-8直接或间接引用权利要求1，但是权利要求2-3和5-8的附加技术特征没有克服权利要求1超出原申请的记载的缺陷，故权利要求2-3和5-8也不符合专利法实施细则第43条第1款的规定。
（3-3）权利要求4的附加技术特征“由所述半导体多层结构发射的第一波长段和所述的第二波长段形成叠加三色光，使得在该半导体芯片工作时发射白光”，包含了第一波长段和第二波长段无法形成叠加三色光的技术方案。然而，叠加三色光是指叠加蓝色射线、红色射线和绿色射线。例如，当第一波长段为蓝色射线，第二波长段为绿色射线时，就无法叠加三色光。特别是，当第一波长段为紫外射线时，第一波长段的光和第二波长段的光无法形成白光。因此权利要求4超出了原申请记载的范围，不符合专利法实施细则第43条第1款的规定。
（3-4）权利要求9-29直接或间接引用权利要求1，但是权利要求9-29的附加技术特征没有克服权利要求1超出原申请的记载的缺陷，故权利要求9-29也不符合专利法实施细则第43条第1款的规定。
（4）权利要求1-29不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
专利复审委员会依法成立合议组对本案进行审理。
2011年08月08日，专利复审委员会向专利权人发出转送文件通知书，将请求人于2011年07月22日提交的复审、无效程序中意见陈述书及其所附附件转送给专利权人。
2011年08月09日，专利权人针对上述无效宣告请求受理通知书提交了无效程序中意见陈述书，陈述了如下意见：请求人在提出无效宣告请求时未提交证据2的公开文本，且未提交相关外文证据的中文译文，其主张的本专利缺乏专利法22条3款规定的创造性的无效宣告请求理由由于缺乏必要的证据支持因而不能够成立。
2011年08月10日，专利复审委员会向双方当事人发出了口头审理通知书，定于2011年10月11日举行口头审理。
2011年09月01日，专利复审委员会向请求人发出转送文件通知书，将专利权人于2011年08月09日提交的无效程序中意见陈述书及其所附附件转送给请求人。
2011年09月23日，专利权人针对专利复审委员会2011年08月08日发出的转送文件通知书，提交了无效程序中意见陈述书和权利要求书的修改替换页。其中，修改涉及：删除权利要求1中的并列方案“紫外和/或绿色光谱范围”；删除权利要求10中关于“发光材料是从掺杂稀土的石榴石、掺有稀土的硫代镓酸盐中选择”的并列方案，仅保留“掺有稀土的正硅酸盐”的发光材料方案；然后，将修改后的权利要求10、原权利要求24合并成新独立权利要求1，删除权利要求5、6、9、11、12、14、21-23，其余权利要求重新进行编号。修改后的权利要求书内容如下：
“1. 发射射线的半导体芯片，具有
一个半导体多层结构，其适合于从蓝光谱范围中发射第一波长段的电磁射线；
一个含有至少一种无机发光材料的发光变换层，该无机发光材料与包封它的物质具有相互不同的折射指数，所述的发光变换层将第一波长段的射线变换成与第一波长段不同的第二波长段的射线，从而使该半导体芯片发射出包括来自于所述半导体多层结构并穿过所述发光变换层的第一波长段射线和来自于所述发光材料的第二波长段射线的多色射线，
该发光材料是选自于掺有稀土的正硅酸盐，并被掺在硅树脂材料的基体中.
2. 如权利要求1的半导体芯片，其特征在于，所述的发光变换层被安排成与所述的半导体多层结构直接接触.
3. 如权利要求1-2之一的半导体芯片，其特征在于，所述的发光变换层将所述的第一波长段射线变换成由不同光谱子区组成的多个第二波长段的射线，从而使该半导体芯片发射出包括第一波长段的射线和多个第二波长段的射线的多色射线.
4. 如权利要求3的半导体芯片，其特征在于，由所述半导体多层结构发射的第一波长段和所述的第二波长段形成叠加三色光，使得在该半导体芯片工作时发射白光.
5. 如权利要求1-2之一的半导体芯片，其特征在于，所述的第二波长段包括至少一部分波长大于第一波长段的波长.
6. 如权利要求1-2之一的半导体芯片，其特征在于，多色射线中的第一波长段和第二波长段至少有一部分位于互补色光谱区域中，并且第一和第二波长段的射线的混合产生白光.
7. 如权利要求1-2之一的半导体芯片，其特征在于，所述的发光变换层包括具有不同波长变换特性的多个层.
8. 如权利要求1的半导体芯片，其特征在于，该无机发光材料是被直接涂在半导体主体上的基于掺有Ce的石榴石、硫代镓酸盐、碱土金属-硫化物和铝酸盐.
9. 如权利要求1-2的半导体芯片，其特征在于，所述发光变换 层含有从由部分具有以及部分不具有波长变换作用的有机和无机染料分子组成的组中选择的染料分子.
10. 如权利要求1-2的发光半导体器件，其特征在于，所述发光变换层含有一种发蓝光的发光材料.
11. 如权利要求1-2的半导体芯片，其特征在于，所述半导体多层结构发射的射线在波长λ≤520nm时具有发光强度最大值.
12. 如权利要求11的半导体芯片，其特征在于，由所述半导体多层结构发射的射线在420nm和460nm之间的波长处具有发光强度最大值.
13. 如权利要求1-2的半导体芯片，其特征在于，由所述半导体多层结构发射的射线在波长λ≤520nm时具有相对强度最大值，并且光谱上可由所述发光变换材料选择吸收的波长段位于此强度最大值之外.
14. 如权利要求1-2之一的半导体芯片，其特征在于，所述的半导体多层结构是一种发蓝光的半导体多层结构，而且由该半导体多层结构发射的蓝光谱区域射线的一部分被该发光变换层变换成黄光谱区域.
15. 如权利要求1-2之一的半导体芯片，其特征在于，该发光材料的颗粒有助于第一波长段射线的方向特性的减弱，使得来自于半导体主体并穿过所述发光变换元件的该第一波长段射线与来自于所述发光材料的该第二波长段射线混合，以便产生空间上均匀的色觉.
16. 飞机舱内部照明，包括多个如权利要求1-15之一所述的发射射线的半导体芯片.
17. 显示装置，包括多个如权利要求1-15之一所述的半导体芯片，所述的半导体芯片被安排用来照明该显示装置的显示.
18. 如权利要求17的显示装置，其特征在于，该显示装置包括液晶显示.
19. 全色LED显示装置，包括多个如权利要求1-15之一所述的发射射线的半导体芯片。”
此外，专利权人提交了如下反证证明本专利符合专利法第33条和专利法第26条第4款的规定。
反证1：专利权人声称为本专利母案PCT申请公开文本的说明书和权利要求书复印件，共37页
反证2：本专利母案申请的说明书和权利要求书中文译文；
反证3：关于本专利的专利权人名称变更的手续合格通知书；
专利权人陈述了如下意见：关于证据，证据2是域外形成的证据，没有经过符合法律手续的公证认证，不符合专利审查指南的相关规定，专利权人认为其不能作为证据使用；证据11非常不清楚，不能作为证据使用。关于请求人提出的无效理由，陈述如下意见：（A）修改后的权利要求1-19保护范围清楚，同时能够得到说明书的支持，因此符合专利法第26条第4款的规定；（B）关于权利要求是否符合专利法实施细则第43条第1款的规定：（1）紫外光已经从权利要求1中删除，请求人指出的相关问题已不存在；（2）关于权利要求2-3、5-8、9-29：由于权利要求1符合专利法实施细则第43条第1款的规定，权利要求2-3、5-8同样符合专利法实施细则第43条第1款的规定；（3）关于权利要求4，权利要求4所记载的“所述的第二波长段”即为权利要求3所说的多个第二波长段。例如，根据本专利母案申请的说明书和权利要求书的中文译文第5页倒数第3段的记载(见附件4)【对应于本专利母案申请的说明书和权利要求书的原始PCT公开文本第9页倒数第2段(见附件3)】，由蓝光的第一波长段与作为红光及绿光的两个第二波长段来组成叠加三色光。在该情况下，基于叠加三色光在本领域中的固定含义，而且由于权利要求1已明确指出第一波长段为蓝光，因此权利要求3所说的多个第二波长段即为红光和绿光这两个波长段。因此，通过结合原始说明书的公开和考虑权利要求4与3的引用关系，能够得知，权利要求4所记载的“所述的第二波长段”即为红、绿光，而这是被明确记载在原始说明书中的。因此，权利要求4符合专利法实施细则第43条第1款的规定；（C）关于创造性：权利要求1-19均具备创造性。
2011年09月28日，专利复审委员会向双方当事人发出了口头审理通知书，定于2011年12月01日举行口头审理，取消原定于2011年10月11日针对本案进行的口头审理。
2011年10月14日，专利复审委员会向请求人发出转送文件通知书，将专利权人于2011年09月23日提交的无效程序中意见陈述书及其所附附件转送给请求人，并要求请求人在指定期限内答复。
2011年10月17日，针对专利复审委员会2011年09月01日发出的转送文件通知书，请求人提交了无效程序中意见陈述书，其认为：请求人已于2011年07月22日已经补充提交了证据2的公开文本和相关外文证据的中文译文。
2011年11月25日，专利复审委员会向双方当事人发出了口头审理通知书，定于2011年12月22日举行口头审理，取消原定于2011年12月01日针对本案进行的口头审理。
2011年11月29日，针对专利复审委员会2011年10月14日发出的转送文件通知书，请求人提交了无效程序中意见陈述书，并补充了如下附件作为证据使用：
附件15（下称证据14）：公开号为EP0680244A2的欧洲专利申请复印件14页，及其中文译文7页，其上记载的公开日为1995年11月02日；
附件16（下称证据15）：公开号为JP特开平8-7614A的日本公开特许公报复印件4页，及其中文译文8页，其上记载的公开日为1996年01月12日；
附件17（下称证据16）：公开号为JP特开平8-64860A的日本公开特许公报复印件4页，及其中文译文8页，其上记载的公开日为1996年03月08日。
同时，请求人补充了如下意见：
（I）权利要求1-19的保护范围不清楚，不符合专利法实施细则第20条第1款的规定。
（II）权利要求1-19的技术方案得不到说明书的支持，不符合专利法第26条第4款的规定。
（III）权利要求1-19的技术方案超出了原申请记载的范围，不符合专利法实施细则第43条第1款的规定，。具体理由如下：
（III-1）权利要求1超出原申请记载的范围，不符合专利法实施细则第43条第1款的规定。：
（III-1-1）在原说明书和权利要求书中仅记载了：掺有稀土元素的正硅酸盐M2SiO5:Ce3 (M:Sc，Y，Sc)，例如Y2SiO5Ce3 (参见原说明书第6页第二段)。也就是说，说明书中仅公开了所掺有的稀土为Ce，且金属为Y或Sc的正硅酸盐。然而，技术特征“掺有稀土元素的正硅酸盐”概括了掺有Ce以外的稀土，且金属为Y或Sc以外的金属的掺有稀土元素的正硅酸盐。并且，在原申请中，没有关于“硅树脂材料的基体”的记载。也就是说，技术特征“该发光材料是选自于掺有稀土的正硅酸盐，并被掺在硅树脂材料的基体中”超出说明书记载的范围。
（III-1-2）当专利权人将技术特征“一个含有至少一种无机发光材料的发光变换层……该发光材料是选自于掺有稀土的正硅酸盐”解释为：权利要求1的无机发光材料是部分选自于掺有稀土的正硅酸盐时，上述技术特征记载了权利要求1的其它无机发光材料的种类任选的技术方案。说明书仅记载了下述无机发光材料的种类：YAG:Ce，掺有稀土元素的石榴石以及掺有稀土元素的碱土金属的硫化物，掺有稀土元素的硫代镓酸盐、掺有稀土元素的正硅酸盐M2SiO5:Ce3 (M:Sc，Y，Sc)和掺有稀土元素的铝酸盐。也就是说，说明书仅记载了上述种类的无机发光材料，并没有记载任何种类的无机发光材料均能够实现本发明。同时，原权利要求书也没有相关的记载。
（III-1-3）技术特征“所述的发光变换层将第一波长段的射线变换成与第一波长段不同的第二波长段的射线”概括了第二波长段的波长比第一波长段的波长短的情况，但该种情况未记载在原申请中，超出原申请记载的范围。
（III-2）权利要求3超出原申请记载的范围，不符合专利法实施细则第43条第1款的规定。：
权利要求3的附加技术特征为：所述的发光变换层将所述的第一波长段射线变换成由不同光谱子区组成的多个第二波长段的射线”。原说明书并没有记载“所述的发光变换层将所述的第一波长段射线变换成由不同光谱子区组成的多个第二波长段的射线”。根据原权利要求2，也仅是记载了：……变换成由多种各不相同的光谱段组成的第二波长段的射线，这并不能直接、毫无疑义地确定权利要求3的上述附加技术特征。同时，在原申请中，也没有关于“光谱子区”的记载。另外，当无机发光材料为一种时，该发光变换层不可能将第一波长段的射线转换成多个第二波长段的射线。因此，权利要求3的技术方案包括一个原申请没有记载的技术方案。因此，争议专利的权利要求3也超出原申请记载的范围，不符合专利法实施细则第43条第1款的规定。
（III-3）权利要求4超出原申请记载的范围，不符合专利法实施细则第43条第1款的规定：
权利要求4的附加技术特征为“由所述半导体多层结构发射的第一波长段和所述的第二波长段形成叠加三色光，使得在该半导体芯片工作时发射白光”，所以权利要求4包括了：无机发光材料为选自掺有稀土的正硅酸盐并被掺入硅树脂的基体中，由第一波长段和所述的第二波长段形成叠加三色光，而发射白光的技术方案。基于上述分析已知：技术特征“无机发光材料为选自掺有稀土的正硅酸盐”超出原申请记载的范围。由选自掺有稀土的正硅酸盐的发光材料来形成叠加三色光而发射白光的技术方案也没有记载在原申请中。当所述的第二波长段理解为三个或以上的波长段时，也无法与第一波长段(蓝光)形成叠加三色光，从而发射白光，也超出原申请记载的范围。另外，当无机发光材料为一种时，该发光变换层不可能将第一波长段的射线转换成多个第二波长段的射线，也就无法与第一波长段(蓝光)形成叠加三色光，从而发射白光。因此，权利要求4的技术方案包括一个说明书没有记载的技术方案。因此，权利要求4既未明确地记载在原申请中，也不能由原申请记载的内容直接地、毫无疑义地确定，即权利要求4超出原申请记载的范围，不符合专利法实施细则第43条第1款的规定。
（IV）权利要求1-19不符合专利法第22条第3款的规定。
2011年12月16日，专利复审委员会向专利权人发出转送文件通知书，将请求人于2011年11月29日提交的意见陈述书及其所附附件转送给专利权人，并要求专利权人在指定期限内答复。
2011年12月23日，口头审理如期举行，双方当事人均委托代理人出席了本次口头审理。在本次口头审理中，明确了以下事项：
（1）双方当事人对合议组成员及书记员无回避请求，对对方出庭人员的身份无异议；
（2）请求人对专利权人2011年09月23日提交的权利要求书替换页中对权利要求所作的修改无异议，经合议组审查，本次修改符合专利审查指南关于专利无效程序专利文件修改的规定，因此合议组当庭确定本案的审查的权利要求书为2011年09月23日提交的权利要求1-19；
（3）合议组当庭将请求人2011年11月29日提交的意见陈述书及所附附件转送给专利权人；
（4）专利权人当庭表示针对请求人2011年10月17日提交的意见陈述书，不需要进行答辩；
（5）在当庭核实证据11的公证认证原件后，专利权人对证据11的真实性没有异议，但对于证据11的公开日期有异议，专利权人主张证据11首页上记载其公开日是1996年10月25日发行、10月20日印刷，对于证据11的译文准确性，鉴于转送文件打印不清楚，合议组告知专利权人可以自本次口头审理结束之日起一个月内陈述意见；专利权人对证据9的公开日期有异议，合议组当庭告知请求人，自本次口头审理结束之日起7日之内补充完善其能从国内公共渠道获得的证明；除证据9及请求人于2011年11月29日新提交的证据14-16外，专利权人对于其他证据的真实性和译文准确性无异议；
（6）对于专利权人2011年9月23日提交的本专利母案国际阶段公开文本的中文译文，请求人坚持认为其译文应当以本专利母案在中国国家阶段的公开文本即公开号为CN1228873A的中国发明专利申请公开说明书的内容为准，专利权人坚持认为其中文译文应当以专利权人2011年9月23日提交译文的为准。鉴于双方当事人无法就此达成一致，且双方当事人愿意由合议组指定翻译机构进行翻译，在此基础上合议组指定由北京国知中意翻译有限公司对本专利母案国际阶段公开文本进行翻译。
（7）合议组当庭告知双方当事人，关于权利要求不清楚以及权利要求的修改超范围的无效理由，根据《施行修改后的专利法的过渡办法》和《施行修改后的专利法实施细则的过渡办法》的规定，应适用2001年7月1日起施行的专利法实施细则第20条第1款以及2000年8月25日第二次修正的专利法第33条的规定，双方当事人对此无异议。
（8）关于具体无效理由，请求人主张以2011年11月29日提交的意见陈述书中陈述的为准，专利权人表示将在书面意见中给予答复。
2011年12月29日，请求人提交无效程序中意见陈述书，其中提交了1份附件用于证明证据9的公开日：国家图书馆科技查新中心出具的证明编号为2011-NLC-GCZM-600的文献复制证明复印件，共8页。
2012年01月16日，请求人提交了无效程序中意见陈述书，其中提交了1份附件用于完善证据2：证据2的申请文本KR10-1994-0018091的公证认证文件及其中文译文的复印件，共70页。
2012年01月20日，专利复审委员会发出转送文件通知书，将请求人于2011年12月29日提交的无效程序中意见陈述书及所附附件转送给专利权人。
2012年01月31日，针对专利复审委员会2012年12月16日发出的转送文件通知书，专利权人提交了无效程序中意见陈述书，同时专利权人提交了权利要求书的修改替换页（共18项权利要求），对权利要求书再次进行了修改，删除了权利要求8，修改后的权利要求书内容如下：
“1. 发射射线的半导体芯片，具有
一个半导体多层结构，其适合于从蓝光谱范围中发射第一波长段的电磁射线；
一个含有至少一种无机发光材料的发光变换层，该无机发光材料与包封它的物质具有相互不同的折射指数，所述的发光变换层将第一波长段的射线变换成与第一波长段不同的第二波长段的射线，从而使该半导体芯片发射出包括来自于所述半导体多层结构并穿过所述发光变换层的第一波长段射线和来自于所述发光材料的第二波长段射线的多色射线，
该发光材料是选自于掺有稀土的正硅酸盐，并被掺在硅树脂材料的基体中.
2. 如权利要求1的半导体芯片，其特征在于，所述的发光变换层被安排成与所述的半导体多层结构直接接触.
3. 如权利要求1-2之一的半导体芯片，其特征在于，所述的发光变换层将所述的第一波长段射线变换成由不同光谱子区组成的多个第二波长段的射线，从而使该半导体芯片发射出包括第一波长段的射线和多个第二波长段的射线的多色射线.
4. 如权利要求3的半导体芯片，其特征在于，由所述半导体多层结构发射的第一波长段和所述的第二波长段形成叠加三色光，使得在该半导体芯片工作时发射白光.
5. 如权利要求1-2之一的半导体芯片，其特征在于，所述的第二波长段包括至少一部分波长大于第一波长段的波长.
6. 如权利要求1-2之一的半导体芯片，其特征在于，多色射线中的第一波长段和第二波长段至少有一部分位于互补色光谱区域中，并且第一和第二波长段的射线的混合产生白光.
7. 如权利要求1-2之一的半导体芯片，其特征在于，所述的发光变换层包括具有不同波长变换特性的多个层.
8.如权利要求1-2的半导体芯片，其特征在于，所述发光变换 层含有从由部分具有以及部分不具有波长变换作用的有机和无机染料分子组成的组中选择的染料分子.
9. 如权利要求1-2的发光半导体器件，其特征在于，所述发光变换层含有一种发蓝光的发光材料.
10. 如权利要求1-2的半导体芯片，其特征在于，所述半导体多层结构发射的射线在波长λ≤520nm时具有发光强度最大值.
11. 如权利要求11的半导体芯片，其特征在于，由所述半导体多层结构发射的射线在420nm和460nm之间的波长处具有发光强度最大值.
12. 如权利要求1-2的半导体芯片，其特征在于，由所述半导体多层结构发射的射线在波长λ≤520nm时具有相对强度最大值，并且光谱上可由所述发光变换材料选择吸收的波长段位于此强度最大值之外.
13. 如权利要求1-2之一的半导体芯片，其特征在于，所述的半导体多层结构是一种发蓝光的半导体多层结构，而且由该半导体多层结构发射的蓝光谱区域射线的一部分被该发光变换层变换成黄光谱区域.
14. 如权利要求1-2之一的半导体芯片，其特征在于，该发光材料的颗粒有助于第一波长段射线的方向特性的减弱，使得来自于半导体主体并穿过所述发光变换元件的该第一波长段射线与来自于所述发光材料的该第二波长段射线混合，以便产生空间上均匀的色觉.
15. 飞机舱内部照明，包括多个如权利要求1-14之一所述的发射射线的半导体芯片.
16. 显示装置，包括多个如权利要求1-14之一所述的半导体芯片，所述的半导体芯片被安排用来照明该显示装置的显示.
17. 如权利要求16的显示装置，其特征在于，该显示装置包括液晶显示.
18. 全色LED显示装置，包括多个如权利要求1-14之一所述的发射射线的半导体芯片。”
同时，专利权人提交了北京国知中意翻译有限公司出具的本专利母案国际阶段公开文本的中文译文和本专利母案在中国国家阶段的发明专利申请公开说明书复印件（共17页）。
专利权人在意见陈述书中陈述了如下意见：
（1）关于本专利权利要求1的主题，具有多种优点：例如所述具有发光变换层的芯片是一种基本上为点状的多色光源。例如与具有发光变换包壳的发白光的器件（其中发光材料是被均匀分布在封装的整个包壳树脂中）相比，本专利具有小得多的尺寸。无机发光材料和包封它的物质具有不同的折射系数，这样会导致半导体多层结构发出的一次射线在经过发光变换层时被散射，从而产生在观看的角度上具有非常好的颜色均匀性。另外，正硅酸盐发光材料具有非常高的发光效率，而且该发光材料具有非常窄的发射光谱带，使得其非常适用于例如显示器应用。此外，与例如环氧树脂相反，本专利采用的硅树脂在芯片发光变换层材料的固化过程中不会经历低粘度状态。因此，有利地降低了正硅酸盐发光材料在硅树脂材料的固化过程中沉淀的风险，通过这种方式，能够达到硅树脂基体中的正硅酸盐的非常均匀的分布。硅树脂和无机发光材料对于蓝和紫外光谱范围（例如该光谱范围被包含在半导体芯片的光谱或芯片所暴露于的太阳光谱中）中的高能电磁辐射也非常稳定。与有机发光材料和环氧树脂不同，本专利的无机发光材料和硅树脂基体例如不会受到这种辐射的破坏。
（2）关于证据：
证据2并非中国专利法意义上的专利出版物公开，其中关于说明书的内容部分并不属于其中的专利申请在1996年2月23日公开出版的实际内容，因此证据2中引用的说明书部分的内容不能作为评价本专利的证据使用。另外，根据韩国1995年生效的专利法第216条，公众可以要求检查和复制专利档案，但这种检查或复制不能从中国专利局或者其他国内公共渠道进行，属于域外取得，但证据2缺少相应的公证认证手续。因此，证据2不能用于评价本专利的创造性。
证据11仅仅显示，由证据制作人宫腰亚生作出一份声称在国立图书馆制作了一份日经产业新闻，再由公证人伊藤刚看到宫腰亚生在其自己准备的文书上签了自己的名字。但，公证人伊藤刚并未公证宫腰亚生在国立图书馆制作日经产业新闻的过程。其次，证据11封面记载其公布日期为1996年10月，晚于本专利最晚1996年9月20日的优先权日。因此，专利权人对证据11的真实性、合法性、关联性有异议，不能作为本案的证据使用。
（3）关于专利法第26条第4款，权利要求1-18保护范围清楚，能够得到说明书的支持，符合专利法第26条第4款的规定。
（4）关于专利法第33条：
（4-1）关于权利要求1
（4-1-1）母案译文有两处译文错误：说明书第4页第16行及权利要求14中的“硅”应为“硅树脂”；说明书第9页第30行和第10页第3行的译文“透光”应为“不透光”；
（4-1-2）根据母案译文（见母案译文说明书第6页第3-7行）此外为产生不同的混色光，……同样可以想到使用…掺有稀土的正硅酸盐如M2SiO5:Ce3 （M=Sc, Y, Sc），例如Y2SiO5:Ce3 。在所有钇化合物中原则上页可以用钪或者镧代替钇”，可知“掺有稀土的正硅酸盐”这个技术特征明确记载在说明书中；（ii）母案译文的说明书第4页第16行公开了“发光变换层……用一种为包封光电子组件使用的硅材料（经双方当事人达成一致的翻译，此处应为硅树脂材料）制造”，或者参见附件10的说明书第4页第20-21行的译文“发光变换层……例如是用一种……硅树脂……材料……制成的”，此处字面上记载了：发光变换层用一种硅树脂制造；（iii）母案译文的权利要求14公开了“发光变换元件在塑料矩阵内具有……，它们特别由硅（同样应为硅树脂）……材料组成”，此处“它们”是指“塑料矩阵”，此处明确记载了“塑料矩阵特别由硅树脂材料制成”，这里的矩阵表示用于包封无机或有机发光材料的物质。综合（i）、（ii）、（iii）可知，权利要求1中的特征“该发光材料是选自于掺有稀土的正硅酸盐，并被掺在硅树脂材料的基体中”被明确记载在原始公开的说明书和权利要求书中，符合专利法第33条的规定。
（4-1-3）本专利母案译文第3页第13-14行记载了“发光变换层…由一种提供有至少一种发光材料的透明材料例如塑料组成（例如对于优选的…发光材料后述）”（a），母案译文说明书第5页第26行记载了“发光变换元件至少部分地由透明的掺杂有无机发光材料的环氧树脂组成”，母案译文说明书第6页第20-21行记载了“为上面提到的混合的射线的目的…使用无机发光材料…”，母案译文或者母案中国公开文本的权利要求17记载了“发光变换元件具有磷族（应为磷光体系列）中的至少一种无机发光材料”，可以确定（a）中的发光材料可以是无机发光材料；母案译文说明书第6页第3-7行记载了“同样可以想到使用……掺有稀土的正硅酸盐”，因此，“一个含有至少一种无机发光材料的发光变换层……该（至少一种无机）发光材料是选自掺有稀土的正硅酸盐”明确记载在原始的说明书和权利要求书中，符合专利法第33条的规定。
（4-1-4）权利要求1中的特征“所述的发光变换层将第一波长段的射线变换成与第一波长段不同的第二波长段的射线”与原始权利要求1的相应记载（参见母案译文权利要求1最后一段）基本一致，差别仅在于本专利权利要求1中记载的是“发光变换层”，而原始权利要求记载的是“发光变换元件”，而部分透明的发光变换层是作为发光变换元件的等效概念使用，因此，本专利权利要求1的上述特征能够从原始权利要求书和说明书直接、毫无疑义地得到，符合专利法第33条的规定。
（4-2）关于权利要求3：权利要求3与母案译文权利要求2是一致的，文字表述上的差异（母案译文中的“叠加的三色线”对应于本专利的“叠加三色”）不影响两者本质相同，权利要求3符合专利法第33条的规定。
（4-3）关于权利要求4，首先，权利要求4的附加技术特征与本专利母案的权利要求9是一致的，其中虽然在文字表述上有细微差异，但不影响两者本质上相同。另外，权利要求4与母案译文的权利要求9的唯一差别在于母案译文权利要求9中没有明确限定发光材料是掺有稀土的正硅酸盐。但是，母案译文中的发光材料显然包括所有发光材料，包括掺有稀土的正硅酸盐。其次，母案译文第5页第10-13行明确公开了“选择发光材料来实现叠加三色光”，第6页第3-7行中的“混色光”也包括“叠加三色白光”，由此可见，母案译文中披露了“利用掺有稀土的正硅酸盐来产生叠加三色白光”，权利要求4符合专利法第33条的规定。
（4-4）关于权利要求5-18，基于权利要求1符合专利法第33条的规定，权利要求5-18也符合专利法第33条的规定。
（5）权利要求1-18具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2012年02月22日，专利复审委员会向双方当事人发出转送文件通知书，将委托北京国知中意翻译有限公司翻译的本专利母案译文转送给双方当事人。
2012年02月22日，专利复审委员会向请求人发出转送文件通知书，将专利权人2012年01月31日提交的意见陈述书及其所附附件转送给请求人。
2012年02月22日，专利复审委员会向专利权人发出转送文件通知书，将请求人2012年01月16日提交的意见陈述书及其所附附件转送给专利权人。
2012年02月24日，专利复审委员会向双方当事人发出口头审理通知书，定于2012年04月18日对本案再次进行口头审理。
2012年02月29日，针对专利复审委员会2012年02月22日向专利权人发出的两份转送文件通知书，专利权人分别提交了两份意见陈述书：
针对请求人2012年01月16提交的意见陈述书，专利权人陈述了如下意见：（1）用于完善证据2法定形式的公证文书、原件的提交时间晚于本案口头审理的时间，因此不应被接受；（2）请求人提交仅仅是LG电子株式会社副主席兼首席执行官BON JOON KOO的个人声明，不能用来证明证据2是从韩国专利局获得的；（3）公证文件公证的事实仅为：请求人的声明人BON JOON KOO的授权代理人KIM YOON SUN认可BON JOON KOO在其声明上签字，与证据2的真实性合法性无关，公证文件并未起到公证证据2是从韩国专利局正常取得的事实；（4）公证书文件第7/74页记载了：在韩国伪证罪刑罚的规定下，LG电子株式会社声明以上陈述真实、准确，然而，韩国法律在中国并不能使用，此类声明在中国仅能作为证人证言，需要其他证据佐证才能有证明力，因此该声明在无效程序中不具有法律效力；（5）请求人的公证机构在请求人提供的中文译文上的盖章说明它认为这些中文译文也是从韩国专利局取得的东西，专利权人对公证机构的公证性表示怀疑。
针对请求人提交的北京国知中意翻译有限公司提供的本专利母案译文，专利权人认为其中存在明显错误，这些错误已在2012年01月31日专利权人提交的意见陈述书中指出。
2012年03月01日，针对专利复审委员会2012年01月20日向专利权人发出的转送文件通知书，专利权人提交了意见陈述书，认为：用于完善证据9的法定形式的公证文书、原件的提交时间晚于本案口头审理的时间，因此不应被接受。
2012年03月12日，专利复审委员会向请求人发出转送文件通知书，将专利权人2012年02月22日提交的两份意见陈述书、2012年03月01日提交的意见陈述书一并转送给了请求人。
2012年04月09日，针对专利复审委员2012年02月22日向请求人发出的两份转送文件通知书和2012年03月12日发出的转送文件通知书，请求人提交了意见陈述书，在意见陈述书中，请求人明确其无效理由和范围：
（1）权利要求1-18不符合专利法第26条第4款（原专利法实施细则第20条第1款和原专利法第26条第4款的规定）；
（2）权利要求1-18不符合专利法第33条的规定；
（3）权利要求1-18不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
同时，请求人提交了两份附件：
附件A：纳米Y2SiO5:Ce3 的制备及光致发光，中国科学技术大学学报，Vol. 27, No. 3，复印件共5页1997年9月；
附件B：Sol-gel法合成Y2SiO5:Ce荧光粉及其发光特性，2010年论文合集。
2012年04月18日，针对本案的第二次口头审理如期举行。在本次口头审理中，双方当事人明确了以下事项：
（1）双方当事人对合议组成员及书记员无回避请求，对对方出庭人员的身份无异议；
（2）专利权人对证据6、7的真实性合法性无异议，对证据6、7的中文译文的准确性无异议；
（3）专利权人认为北京国知中意翻译有限公司出具的本专利母案译文说明书第4页第16行和权利要求14中的“硅材料”应为“硅树脂”，说明书第9页第30行的“透光”应为“不透光”，请求人对此无异议。
（4）请求人对于专利权人2012年01月31日提交的权利要求书的修改替换页中对权利要求所作的修改方式无异议；
（5）合议组当庭告知双方当事人，对于请求人2012年04月09日请求人提交的意见陈述书中的无效理由和意见，超出期限的，合议组将不予考虑，对专利权人意见的答复，合议组予以考虑。在此基础上，对请求人2012年04月09日提交的意见陈述书及其所附附件，合议组不再转送给专利权人，双方当事人对此予以认可。
请求人分别于2012年06月15日和2012年06月29日提交了复审无效程序中意见陈述书，因超出指定的答复期限，合议组不予考虑。
在此基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1.审查基础
在本案中，专利权人先后于2011年09月23日和2012年01月31日分别提交了对授权公告的权利要求书进行修改的权利要求书修改替换页（以下分别称为文本1和文本2，其中2011年09月23日提交的权利要求书为文本1，2012年01月31日提交的为文本2）。
文本1相对于授权公告的权利要求书，删除了权利要求1中的“从紫外、和/或绿色的光谱范围中发射第一波长段的电磁辐射”的技术方案，删除权利要求10中关于“发光材料是从掺杂稀土的石榴石、掺有稀土的硫代镓酸盐中选择”的并列方案，仅保留“掺有稀土的正硅酸盐”的发光材料方案，在此基础上将并列从属于权利要求1-2中之一的权利要求10和权利要求24合并到权利要求1中，并删除了权利要求6、9、11、12、14、21-23，修改后的权利要求书共19项权利要求。
文本2相对于文本1所作的修改为删除文本1中的权利要求8，修改后的权利要求书共18项权利要求。
经合议组审查，文本1涉及的修改方式为权利要求中部分技术方案的删除以及权利要求的合并式修改，文本2涉及的修改方式为权利要求的删除，两次修改均符合专利审查指南的相关规定，因此，本案的审查基础为专利权人2012年01月31日提交的权利要求第1-18项、授权公告的说明书第1-14页、说明书附图第1-6页、说明书摘要和摘要附图。
2.证据认定
根据审查指南的规定，判断本专利是否符合专利法第33条的规定的依据为本专利母案原始提交的国际申请的说明书、权利要求书和附图。北京国知中意翻译有限公司出具的本专利母案国际公布文本的译文（下称本专利母案译文）及第二次口头审理中双方当事人认可的对错误译文修改的本专利国际申请的中文译文，是双方当事人均认可的本专利母案国际阶段的公开文本的中文译文，可以用于评价本专利是否符合专利法第33条的规定。
3．专利法第33条
专利法第33条规定：申请人可以对其专利申请文件进行修改，但是，对发明和实用新型专利申请文件的修改不得超出原说明书和权利要求书记载的范围。
对权利要求的修改不超出原说明书和权利要求书记载的范围，是指修改后的权利要求的技术方案在原说明书和权利要求书中有记载。如果申请日以后将记载在原说明书和权利要求书中记载的特征重新组合形成了原始申请文件中未记载的新的技术方案，而且该技术方案也无法由本领域技术人员直接、毫无疑义地确定，则对该权利要求的修改超出了原说明书和权利要求书记载的范围。
权利要求1请求保护一种发射射线的半导体芯片，具有一个半导体多层结构，其适合于从蓝光谱范围中发射第一波长段的电磁射线；一个含有至少一种无机发光材料的发光变换层，该无机发光材料与包封它的物质具有相互不同的折射指数，所述的发光变换层将第一波长段的射线变换成与第一波长段不同的第二波长段的射线，从而使该半导体芯片发射出包括来自于所述半导体多层结构并穿过所述发光变换层的第一波长段射线和来自于所述发光材料的第二波长段射线的多色射线，该发光材料是选自于掺有稀土的正硅酸盐，并被掺在硅树脂材料的基体中。
请求人主张权利要求1中的技术特征“该发光材料是选自于掺有稀土的正硅酸盐，并被掺在硅树脂材料的基体中”超出了说明书记载的范围，不符合专利法第33条的规定。
专利权人认为：
（1）：（i）根据本专利母案申请的说明书中文译文（见本专利母案译文说明书第6页第3-7行）“此外为产生不同的混色光，……同样可以想到使用…掺有稀土的正硅酸盐如M2SiO5:Ce3 （M=Sc, Y, Sc），例如Y2SiO5:Ce3 。在所有钇化合物中原则上页可以用钪或者镧代替钇”，可知“掺有稀土的正硅酸盐”这个技术特征明确记载在说明书中；（ii）本专利母案译文的说明书第4页第16行公开了“发光变换层……用一种为包封光电子组件使用的硅材料（经双方当事人达成一致的翻译，此处应为硅树脂材料）制造”，或者参见附件10的说明书第4页第20-21行的译文“发光变换层……例如是用一种……硅树脂……材料……制成的”，此处字面上记载了：发光变换层用一种硅树脂制造；（iii）本专利母案译文的权利要求14公开了“发光变换元件在塑料矩阵内具有……，它们特别由硅（同样应为硅树脂）……材料组成”，此处“它们”是指“塑料矩阵”，此处明确记载了“塑料矩阵特别由硅树脂材料制成”，这里的矩阵表示用于包封无机或有机发光材料的物质。综合（i）、（ii）、（iii）可知，权利要求1中的特征“该发光材料是选自于掺有稀土的正硅酸盐，并被掺在硅树脂材料的基体中”被明确记载在原始公开的说明书和权利要求书中；
（2）另外，本专利母案译文第3页第13-14行记载了“发光变换层…由一种提供有至少一种发光材料的透明材料例如塑料组成（例如对于优选的…发光材料后述）”（a），母案译文说明书第5页第26行记载了“发光变换元件至少部分地由透明的掺杂有无机发光材料的环氧树脂组成”，母案译文说明书第6页第20-21行记载了“为上面提到的混合的射线的目的…使用无机发光材料…”，母案译文或者母案中国公开文本的权利要求17记载了“发光变换缓建具有磷族（应为磷光体系列）中的至少一种无机发光材料”，可以确定（a）中的发光材料可以是无机发光材料；母案译文说明书第6页第3-7行记载了“同样可以想到使用……掺有稀土的正硅酸盐”，因此，“一个含有至少一种无机发光材料的发光变换层……该（至少一种无机）发光材料是选自掺有稀土的正硅酸盐”明确记载在原始的说明书和权利要求书中，
因此，权利要求1符合专利法第33条的规定。
对此，合议组认为：
（1）判断本专利权利要求1的修改是否符合专利法第33条规定的依据为本专利母案国际阶段原始提交的国际申请的说明书、权利要求书和附图。母案的译文为双方当事人共同认可的其在国际阶段的原始提交的说明书、权利要求书的中文译文，其具体内容以本专利母案译文并结合口头审理中双方共同确定的译文为准。专利权人2012年01月31日提交的附件10为本专利母案进入中国国家阶段的发明专利申请公开说明书，不能作为判断本专利是否符合专利法第33条规定的基础，因此合议组对于专利权人所指出的技术特征在附件10中的依据不予考虑。
（2）权利要求1的技术方案并未记载在本专利母案的说明书及权利要求书中，理由如下：
本专利母案中记载了“图12表示本发明的一个发白光的半导体组件，给其提供一个发出按图7的发射光谱的半导体本体，并且其中作为发光材料使用YAG:Ce。从由该半导体本体发出的按照图7的射线仅一部分被变换为长波的波长范围，使得作为混色产生白光，……，其中发光变换元件，在该场合是用环氧树脂制的发光变换包壳”（参见本专利母案译文第12页倒数第1段），“在本发明的半导体组件的一种优选的结构中，……，此外，该无机发光材料和包封它的材料具有彼此不同的折射系数”（参见本专利母案译文第6页倒数第2段）。
由此可见，尽管权利要求1中的大部分技术特征在本专利母案中均有记载，但权利要求1中的技术特征“该发光材料是选自于掺有稀土的正硅酸盐，并被掺在硅树脂材料的基体中”并未记载在本专利母案中。
根据本专利母案的记载，本专利涉及无机发光材料的实施例包括：“在本发明的半导体组件的一种特别有利的实施方式中发光变换元件至少部分地由透明的掺杂有无机发光材料的环氧树脂组成。也就是说无机发光材料能够以有利的简单方式掺入环氧树脂中。用于制造本发明的发白光的半导体组件的一种特别优选的无机发光材料是磷YAG:Ce（Y3Al5O12: Ce3 ）……，此外作为发光材料还可以想到掺杂有稀土的石榴石，……，此外为产生不同的混色光，……同样可以想到使用…掺有稀土的正硅酸盐如M2SiO5:Ce3 （M=Sc, Y, Sc），例如Y2SiO5:Ce3 。在所有钇化合物中原则上页可以用钪或者镧代替钇”（参见本专利母案译文第5页第25行至第6页第7行），由此可见，实施例中存在掺有稀土的正硅酸盐作为替代YAG:Ce的发光材料掺杂到环氧树脂中（非硅树脂）的情形。
关于发光变换层材料，尽管本专利母案实施例中的记载了：“在本发明的半导体组件的一种特别有利的实施方式中发光变换元件至少部分地由透明的掺杂有无机发光材料的环氧树脂组成。也就是说无机发光材料能够有利地以简单的方式掺入环氧树脂中。用于制造本发明的发白光的半导体组件的一种特别优选的无机发光材料是磷YAG:Ce（Y3Al5O12: Ce3 ）”（参见本专利母案译文第5页倒数第1段），“本发明的发白光的半导体组件能够特别有利地如下实现：给用于制造发光变换包封或者发光变换层使用的环氧树脂混合无机发光材料YAG:Ce（Y3Al5O12: Ce3 ）”（参见本专利母案译文第6页倒数第1段）、“此外无机发光材料YAG:Ce具有特别的优点……”（参见本专利母案译文第7页第1段）、“本发明的其中作为发光变换颜料特别使用YAG:Ce的发白光的半导体组件的一个特别有点在于……”（参见本专利母案译文第7页倒数第3段），在本专利图1的实施例中，“该发光变换包壳优选用一种可为透明的发光二极管包封使用的透明的塑料（优选环氧树脂或者聚甲基丙烯酸甲酯）组成，其为发白光的组件优选Y3Al5O12: Ce3 （YAG:Ce）掺入发光材料6，优选无机发光材料”（参见本专利母案译文第9页第4段），图2中“该透明的包封15……例如用一种在发光二极管技术中常规使用的环氧树脂、硅树脂或者丙烯酸盐树脂组成”，图4、6、14的实施例中“例如由环氧树脂或者有机玻璃组成”（参见本专利母案译文第10页倒数第2段，第11页第4-5段）、图12中的实施例“其中发光变换元件，在该场合是用环氧树脂制的发光变换包封”。根据以上记载，本领域技术人员可以确定，在本专利母案说明书的所有实施例中，涉及无机发光材料和包封材料的特别优选的实施例为环氧树脂中掺杂Y3Al5O12: Ce3 （YAG:Ce），并未记载掺有稀土的正硅酸盐掺杂在硅树脂中的具体实施的技术方案。
（3）本领域技术人员根据本专利母案的说明书和权利要求书记载的技术方案以及其他技术特征，无法直接、毫无疑义地确定权利要求1的技术方案。
根据前述部分内容可知，本专利说明书实施例中仅记载了掺有稀土的正硅酸盐作为替代YAG:Ce的发光材料掺杂到环氧树脂中（非硅树脂）的情形，但是，并没有记载按照权利要求1中的方式用硅树脂替代环氧树脂的内容。理由如下：
本专利母案中涉及硅树脂的相关内容包括“在本发明的另一个特别优选的扩展和它的实施方式中发光变换包封或者发光变换层用漆或者塑料制造，例如用一种包封光电子组件使用的硅材料（应为硅树脂，合议组注）、热塑性或者热固性材料（环氧树脂、丙烯酸盐树脂）制造”（本专利母案译文第4页第15-17行）、“该透明的包封15……例如用一种在发光二极管技术中常规使用的环氧树脂、硅树脂或者丙烯酸盐树脂组成”（本专利母案译文第9页第15-17行）、“发光变换元件在塑料矩阵内具有有机颜料分子，它们特别由硅（实际为硅树脂，合议组注）、热塑性或者热固性材料组成”（本专利母案译文权利要求14），“发光变换元件在环氧树脂矩阵内具有有机颜料分子”（本专利母案译文权利要求15，引用权利要求14），“发光变换元件在聚甲基丙烯酸甲酯矩阵内具有有机颜料分子”（本专利母案译文权利要求16，引用权利要求14），结合上述内容可以看出，本专利母案中记载的硅树脂与环氧树脂都是并列地作为本领域常规的材料选择使用的。而修改后的本专利权利要求1中掺杂有稀土的正硅酸盐掺入到硅树脂中这一技术方案，硅树脂并非为与环氧树脂能够并列地常规选择使用的包封材料，理由如下：
（I）参见专利权人在2012年01月31日在意见陈述书中的内容“此外，与例如环氧树脂相反，本专利采用的硅树脂在芯片发光变换层材料的固化过程中不会经历低粘度状态。因此，有利地降低了正硅酸盐发光材料在硅树脂材料的固化过程中沉淀的风险。通过这种方式，能够达到硅树脂基体中的正硅酸盐的非常均匀的分布”（参见专利权人2012年01月31日提交的意见陈述书第4页）。由此可以看出，正硅酸盐掺杂在硅树脂中相对于掺杂在环氧树脂中具有完全不同的技术效果（与环氧树脂相反），这样的技术效果是本领域技术人员根据本专利母案说明书及权利要求书记载的内容将环氧树脂和硅树脂并列地、常规地进行技术选择时无法预期到的，因此在本专利权利要求1的技术方案中，硅树脂并非是与环氧树脂并列的常规技术选择。
（II）参见专利权人2012年01月31日提交的意见陈述书中指出“请求人还声称证据12或证据16教导了本专利的硅树脂基体。但是证据12涉及从红外光变成可见光的上变换，证据12中的硅树脂不具有本专利的相同技术作用，也即不具有与无机荧光材料形成不同折射系数从而散射一次射线以形成均匀混合的多色射线（多种可见光混合射线），因此不能被结合得到本专利权利要求1的方案。具体说，证据12中的硅树脂仅仅被用于容纳将红外光变成可见光的材料。但是，在本专利中，硅树脂除了用作容纳掺有稀土的正硅酸盐的基体外，还由于与该正硅酸盐无机荧光材料形成相互不同的折射系数而导致未被变换的蓝光散射，从而有助于产生均匀的混合光。……。理由是，证据12中，环氧树脂和硅树脂是作为相同地位的替代方案出现的，……，而证据12公开的硅树脂相较于环氧树脂不具有任何优点，因为在上变换的红外线二极管的环境中，硅树脂材料实际上并不具有特别优点（因为不存在像本专利一样的因散射而产生的光线均衡混合），因此证据12没有教导与本专利具有相同作用的硅树脂” （参见专利权人2012年01月31日提交的意见陈述书第27页最后一段），而证据12译文第2页中记载了如下内容“接着，在GaAs：Si发光元件的周围将红外－可视转换荧光体利用环氧树脂或硅系树脂等涂布成1mm的球状并使其加热硬化，形成红外－可视转换荧光体层24”，其中的荧光体材料为含有Yb-Er等（为无机荧光体，参见证据12译文第1页2段）。由此可见看出，证据12中的硅树脂与环氧树脂是并列的技术选择，结合本领域技术人员对证据12的理解，硅树脂和环氧树脂在证据12应属于常规的可以相互替换的包封材料。而专利权人强调本专利中的情况与证据12的情况并不相同，即本专利中虽然硅树脂与环氧树脂也是并列出现的，但是当运用到权利要求1中的发蓝光的场合时，硅树脂无法由环氧树脂替代。
结合（I）和（II）可以看出，首先，尽管本专利的母案的不同部分记载了硅树脂、环氧树脂、掺有稀土的正硅酸盐等技术特征，但权利要求1的技术方案在本专利母案的实施例中并没有明确记载，该技术方案是在申请日之后通过重新组合的技术特征而获得的新技术方案，其次，本专利权利要求1中的硅树脂并非与环氧树脂并列的常规技术选择，，本专利所要解决的技术问题之一就是“按照本发明的基本任务是：给出一种按照开头所述方式的半导体芯片，能够均匀发射混合光，……”（参见本专利说明书第2页）。而本专利权利要求1的技术方案中由于具有特征“该发光材料是选自于掺有稀土的正硅酸盐，并被掺在硅树脂材料的基体中”，从而获得的技术效果是“此外，与例如环氧树脂相反，本专利采用的硅树脂在芯片发光变换层材料的固化过程中不会经历低粘度状态。因此，有利地降低了正硅酸盐发光材料在硅树脂材料的固化过程中沉淀的风险。通过这种方式，能够达到硅树脂基体中的正硅酸盐的非常均匀的分布”（参见专利权人2012年01月31日提交的意见陈述书第4页），即本专利权利要求1的技术方案相对于本专利原始母案中的特别优选的实施例，对于解决本专利要解决的技术问题而言有实质性的改变。然而，这种改变得到的技术方案既未在文字上记载在本专利原始母案国际申请的权利要求书及说明书中，也无法由本专利原始母案国际申请的权利要求书及说明书的内容直接、毫无疑义地确定。
（4）关于专利权人指出的本专利权利要求1的修改依据。根据专利权人的意见陈述，该特征“该发光材料是选自于掺有稀土的正硅酸盐，并被掺在硅树脂材料的基体中”在本专利母案中的依据主要在于：（i）“此外为产生不同的混色光，……同样可以想到使用…掺有稀土的正硅酸盐如M2SiO5:Ce3 （M=Sc, Y, Sc），例如Y2SiO5:Ce3 。在所有钇化合物中原则上页可以用钪或者镧代替钇” （见本专利母案译文说明书第6页第3-7行）；（ii）“发光变换层……用一种为包封光电子组件使用的硅材料（经双方当事人达成一致的翻译，此处应为硅树脂材料）制造（见本专利母案译文的说明书第4页第16行）；（iii）发光变换元件在塑料矩阵内具有……，它们特别由硅（同样应为硅树脂）……材料组成（见本专利母案译文的权利要求14）。
根据专利权人陈述的第（i）点，掺有稀土的正硅酸盐涉及的实施例的整体内容在本专利母案译文第5页第25行至第6页第7行，具体内容为“在本发明的半导体组件的一种特别有利的实施方式中发光变换元件至少部分地由透明的掺杂有无机发光材料的环氧树脂组成。也就是说无机发光材料能够以有利的简单方式掺入环氧树脂中。用于制造本发明的发白光的半导体组件的一种特别优选的无机发光材料是磷YAG:Ce（Y3Al5O12: Ce3 ）……，此外作为发光材料还可以想到掺杂有稀土的石榴石，……，此外为产生不同的混色光，……同样可以想到使用…掺有稀土的正硅酸盐如M2SiO5:Ce3 （M=Sc, Y, Sc），例如Y2SiO5:Ce3 。在所有钇化合物中原则上页可以用钪或者镧代替钇”，由此可见，本实施例中掺有稀土的正硅酸盐作为替代YAG:Ce的发光材料掺杂到环氧树脂中（非硅树脂）的情形。
结合专利权人陈述的第（ii），“发光变换层可以用一种为包封光电子组件使用的硅树脂材料、热塑性或者热固性材料（环氧树脂、丙烯酸盐树脂制造）”（参见本专利母案译文第4页第15-17行）。这里，虽然本专利母案公开了包封的材料可以为硅树脂，从形式上看，此处公开的硅树脂材料可以替代环氧树脂，但是在说明书中并未对硅树脂和环氧树脂的特性差异进行说明的情况下，结合母案译文说明书第10页倒数第2段的记载“该透明的包封15……例如用一种在发光二极管技术中常规使用的环氧树脂、硅树脂或者丙烯酸盐树脂组成”以及权利要求14-16的相关内容，本领域技术人员对于此处公开的硅树脂应理解为与环氧树脂并列的常规的技术选择。但是，结合本专利母案说明书的内容以及专利权人在意见陈述书中对该特征的解释，在本专利权利要求1的技术方案中，“该发光材料是选自于掺有稀土的正硅酸盐，并被掺在硅树脂材料的基体中”里面的硅树脂并非与环氧树脂并列的常规的技术选择（参见前述（I）和（II）），所以专利权人主张的第（i）、（iii）点不能构成权利要求1中技术特征“该发光材料是选自于掺有稀土的正硅酸盐，并被掺在硅树脂材料的基体中”的修改依据。
对于专利权人主张的第（iii）点，本专利母案的权利要求14中限定的技术方案是“发光变换元件在塑料矩阵内具有有机颜料分子，它们特别由硅（实际为硅树脂，合议组注）、热塑性或者热固性材料组成”，记载的是有机颜料分子掺杂在硅树脂中，而本专利权利要求1中是无机发光材料掺有稀土的正硅酸盐掺杂在硅树脂中，如同专利权人在2012年01月31日的意见陈述书第2页所指出的“硅树脂和无机发光材料对于蓝和紫外光谱范围（例如该光谱范围被包含在半导体芯片的光谱或芯片所暴露于的太阳光谱中）中的高能电磁辐射也非常稳定。与有机发光材料和环氧树脂不同，本专利的无机发光材料和硅树脂基体例如不会受到这种辐射的破坏”，有机分子掺杂在硅树脂中与无机发光材料掺有稀土的正硅酸盐掺杂在硅树脂中两者涉及的技术方案实质上不同，因此本专利母案的权利要求14也不能构成本专利权利要求1中技术特征“该发光材料是选自于掺有稀土的正硅酸盐，并被掺在硅树脂材料的基体中”的修改依据。
因此，专利权人主张的技术特征“该发光材料是选自于掺有稀土的正硅酸盐，并被掺在硅树脂材料的基体中”在说明书中的第（i）－（iii）点修改依据实质上不能成立。
综上所述，权利要求1的技术方案超出了本专利原始母案记载的范围，不符合专利法第33条的规定。权利要求2-18直接或间接引用权利要求1，其中同样限定了特征“该发光材料是选自于掺有稀土的正硅酸盐，并被掺在硅树脂材料的基体中”，基于同样的理由，权利要求2-18的技术方案也超出了本专利原始母案记载的范围，不符合专利法第33条的规定。
鉴于权利要求1-18不符合专利法第33条的规定，本专利应予无效。在此基础上，本决定对于请求人提出的其他无效的无效理由和证据不再予以评述。
三、决定
宣告第200510091728.0号发明专利权全部无效。
当事人对本决定不服的，可以根据专利法第46条第2款的规定，可以自收到本决定之日起三个月内向北京市第一中级人民法院起诉。根据该款的规定，一方当事人起诉后，另一方当事人作为第三人参加诉讼。
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