发明创造名称：集成电路的电感衬底隔离结构
外观设计名称：
决定号：40014
决定日：2019-04-25
委内编号：5W115882
优先权日：
申请（专利）号：201420353516.X
申请日：2014-06-26
复审请求人：
无效请求人：罗水江
授权公告日：2014-11-26
审定公告日：
专利权人：珠海市杰理科技股份有限公司
主审员：孙学锋
合议组组长：唐向阳
参审员：熊洁
国际分类号：H01L23/522
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：权利要求所要求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件公开的内容相比存在多个区别特征，但是该些区别特征既未被其他对比文件公开，也没有证据表明该些区别技术特征为本领域的公知常识，且该些区别技术特征还具有有益的技术效果，则该权利要求的技术方案相对于该些对比文件和公知常识的结合不是显而易见的，该权利要求具备创造性。
全文：
本专利授权公告的权利要求书如下：
“1. 一种集成电路的电感衬底隔离结构，其特征在于，包括：
p型衬底；
在所述p型衬底中形成的n型阱区，所述n型阱区包括多个n阱；
在所述多个n阱中注入形成的多个p型有源区；其中，所述n型阱区为矩形，所述n型阱区的对角线将所述n型阱区划分为四个三角形区域，多个所述p型有源区之间等间距平行分布在每个三角形区域上；相对的两个三角形区域上的p型有源区的排列方向相同，相邻的两个三角形区域上的p型有源区的排列方向相互垂直；
覆盖在所述n型阱区上的多晶硅屏蔽层，所述多晶硅屏蔽层包括多条n型多晶硅，每条n型多晶硅覆盖在相邻两个n阱之间，并通过所述p型有源区间隔开；
覆盖在所述多晶硅屏蔽层上的金属层，所述金属层为X型金属结构，所述X型金属结构设置在所述n型阱区的对角线位置；
覆盖在所述金属层上的电感，所述电感的中心点与所述X型金属结构的中心点重合。
2. 根据权利要求1所述的集成电路的电感衬底隔离结构，其特征在于，所述p型衬底连接至集成电路的低电位点，所述n阱连接到集成电路的高电位点，所述p型有源区和所述n型多晶硅连接到集成电路的低电位点。
3. 根据权利要求1所述的集成电路的电感衬底隔离结构，其特征在于，所述金属层还包括一金属条，所述金属条的一端连接所述X型金属结构的中心点，另一端连接到集成电路的低电位点。
4. 根据权利要求1所述的集成电路的电感衬底隔离结构，其特征在于，所述多晶硅屏蔽层通过其中一条所述n型多晶硅连接到所述集成电路的高电位点。
5. 根据权利要求1所述的集成电路的电感衬底隔离结构，其特征在于，所述n型阱区的中心点通过电导体介质连接到集成电路的高电位点。
6. 根据权利要求1所述的集成电路的电感衬底隔离结构，其特征在于，还包括在所述p型衬底上注入形成的在所述电感外围的第一隔离环，以及在所述p型衬底上注入n型掺杂形成的在所述第一隔离环外围的第二隔离环；所述第一 隔离环连接到集成电路的低电位点；所述第二隔离环连接到集成电路的高电位点。
7. 根据权利要求6所述的集成电路的电感衬底隔离结构，其特征在于，所述第一隔离环具有一切断开口。
8. 根据权利要求6所述的集成电路的电感衬底隔离结构，其特征在于，所述第二隔离环具有一切断开口。”
针对本专利权，请求人于2018年09月21日向国家知识产权局提出无效宣告请求，并提交了如下证据：
对比文件1：授权公告号为CN1290127C的中国发明专利授权公告文本；
对比文件2：授权公告号为CN100341133C的中国发明专利授权公告文本；
对比文件3：公开号为CN101131998A的中国发明专利公开文本；
对比文件4：公开号为CN102301471A的中国发明专利公开文本。
请求人提出的无效理由为：权利要求1-8不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2018年10月09日，国家知识产权局向双方当事人发出无效宣告请求受理通知书，并将上述请求人提交的所有相关文件及证据转送给专利权人。
2018年10月22日，请求人提交了补充意见陈述书。请求人在补充意见陈述书中认为：（1）权利要求1相对于对比文件1、对比文件2、对比文件3和公知常识的结合不具备创造性。（2）从属权利要求2、6的附加技术特征被对比文件1结合公知常识公开；从属权利要求3、4的附加技术特征为公知常识；从属权利要求5的附加技术特征被对比文件1结合公知常识公开，或为公知常识；从属权利要求7、8的附加技术特征被对比文件4结合公知常识公开。
2018年10月26日，国家知识产权局向专利权人发出了转文通知书，将请求人于2018年10月22日提交的意见陈述书转给请求人。
2019年03月04日，国家知识产权局向双方当事人发出无效宣告请求口头审理通知书，定于2019年04月09日进行口头审理。
口头审理如期进行。在口头审理中：
1、双方当事人对对方出庭人员身份和资格无异议，对合议组成员及书记员无回避请求。
2、专利权人对请求人提交的对比文件1-4的真实性、公开日期没有异议。
3、请求人当庭放弃2018年09月21日提交的无效请求理由，以2018年10月22日提交的意见陈述书中的无效理由为准。
4、请求人当庭明确无效理由为：（1）权利要求1相对于对比文件1、对比文件2、对比文件3和公知常识的结合不具备创造性。（2）从属权利要求2、6的附加技术特征被对比文件1结合公知常识公开；从属权利要求3、4的附加技术特征为公知常识；从属权利要求5的附加技术特征被对比文件4结合公知常识公开，或为公知常识；从属权利要求7、8的附加技术特征被对比文件4结合公知常识公开。
5、双方当事人均在当庭充分陈述了意见。
至此，合议组认为本案的事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本
专利权人在本专利的无效宣告请求审查阶段未对本专利进行修改，因此，本决定所依据的审查文本为本专利授权公告文本。
2、证据的认定
请求人提交的对比文件1-4均为中国专利文献，其公开日期均早于本专利的申请日，专利权人对对比文件1-4的真实性、合法性、公开日期无异议；合议组经审查未发现影响其真实性的瑕疵，因此对比文件1-4可以作为评价本专利权利要求创造性的现有技术。
3、专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
权利要求所要求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件公开的内容相比存在多个区别特征，但是该些区别特征既未被其他对比文件公开，也没有证据表明该些区别技术特征为本领域的公知常识，且该些区别技术特征还具有有益的技术效果，则该权利要求的技术方案相对于该些对比文件和公知常识的结合不是显而易见的，该权利要求具备创造性。
3.1.关于权利要求1的创造性
请求人认为，权利要求1相对于对比文件1、对比文件2、对比文件3和公知常识的结合不具备创造性。
对此，合议组认为，权利要求1请求保护一种集成电路的电感衬底隔离结构。对比文件1公开了一种低衬底损耗电感，并具体公开了以下内容（参见说明书第5页倒数第2行至第6页第21行，附图10-11），包括：图10为本发明另一低衬底损耗电感结构33（相当于权利要求1中的集成电路的电感衬底隔离结构）的示意图，于P型衬底10（相当于权利要求1中的p型衬底）表面，先以低浓度n型掺杂剂形成n型阱32（相当于权利要求1中的n型阱区）。然后在n型阱32区域内，使用高浓度的n型及p型两种掺杂剂所形成的n 掺杂区20及p 掺杂区22来实现图案型接地防护层，其中n 掺杂区20中含有多个n 条状导线（相当于权利要求1中n型阱），而P 掺杂区22中亦含有多个P 条导线（相当于权利要求1中的P型有源区）。并且由图10所示可以明确看出n型阱32呈矩形，其对角线将所述n型阱32分为四个三角形区域，多个P 条导线之间等间距平行分布在每个三角形区域上；相对的两个三角形区域上的P 条导线的排列方向相同，相邻的两个三角形区域上的P 条导线的排列方向相互垂直（相当于权利要求1中的所述n型阱区为矩形，所述n型阱区的对角线将所述n型阱区划分为四个三角形区域，多个所述p型有源区之间等间距平行分布在每个三角形区域上；相对的两个三角形区域上的p型有源区的排列方向相同，相邻的两个三角形区域上的p型有源区的排列方向相互垂直）。同样参见图10，X型金属线28（相当于权利要求1中的X型金属结构）沿所述n型阱区的对角线设置，电感的中心电与所述X型金属线28的中心电重合。
权利要求1相对于对比文件1的区别技术特征为：（1）在所述多个n阱中注入形成的多个p型有源区；（2）覆盖在所述n型阱区上的多晶硅屏蔽层，所述多晶硅屏蔽层包括多条n型多晶硅，每条n型多晶硅覆盖在相邻两个n阱之间，并通过所述p型有源区间隔开。
基于上述区别技术特征，确定独立权利要求1所要解决的技术问题是：如何在P型衬底上形成PN结以消除电感对衬底的涡流效应，以屏蔽电感的磁场以提高电感的品质因数。
对于区别技术特征（1），对比文件2公开公开了以下内容（参见说明书第4页倒数第6行-倒数第1行）：“图2为单阱工艺的纵向PN接串联结构。衬底21，与衬底21相反的离子扩散或者注入形成的阱23，这样衬底21和阱23之间就会形成PN结27。在23上扩散或者注入与其相反极性的离子25，这样25和23之间就会形成PN结28”，“例如，P型衬底上扩散N阱，在N阱上面进行P 注入，这样P 和N阱之间以及N阱和P衬底之间形成两个串联的PN结（P NP）”。
请求人认为：对比文件2已经公开了双PN结构，即已经公开了上述区别技术特征（1）。
对此，合议组认为：对比文件2公开的是PNP结构，是而权利要求1所要求保护的技术方案中，是在P型衬底中形成多个N型阱，然而在多个n阱中注入离子形成的多个p型有源区。在P衬底中有多个N型阱，而对比文件2中是单阱工艺的纵向PN结串联结构，为单个阱。因此，对比文件2并没有公开上述区别技术特征（1）。
对于区别技术特征（2），对比文件3公开了以下内容，包括：请参照图2A，这种双层的导体屏蔽图案是先用十字型的导体材料作为主干200。参照图2B，可以选择分隔开的另一种导体材料作为辐射支干210（参见说明书第2页第10-13行）。上述导体层302的材料为例如多晶硅或金属，例如铜、金、镍、铝、钨等。导体层302位于基底310上，而扩散区304则位于基底310内，其中导体层302与扩散区304均为开放端（free end）。另外，本实施例的导体屏蔽图案300还可以包括多条金属导线306，分别位于导体层302和扩散区304上并分别连接每一条导体层302和每一条扩散区304（参见说明书第4页第22-29行）。 如对比文件3的图2A所示，主干200为十字型导体材料。
请求人认为：对比文件3的图2A和图2B的所述的导体屏蔽图案（即主干200和支干210）与本专利中多晶硅屏蔽层和金属层具体形状结构相同。在对比文件3公开的另一种形状的导体屏蔽图案300中揭示了导体层302的材料为例如多晶硅或金属，例如铜、金、镍、铝、钨等。并且进一步揭示了导体屏蔽图案300还可以包括多条金属导线306，分别位于导体层302和扩散区304上并分别连接每一条导体层302和每一条扩散区304。扩散区304和P型有源区13仅仅是在行业中的两种习惯性称呼，两者实质相同。由此可知，导体屏蔽图案300与每一条导体层302和每一条扩散区304连接。显然此种连接方式也适用于图2A所示的导体屏蔽图案（即，主干200和支干210）。主干200的作用是将支干210和扩散区连接起来，从而形成连接作用。X型金属结构15就可将所有p型有源区13和所有n型多晶硅14连接起来，从而形成连接作用。”两者作用相同，对比文件3中主干200相当于权利要求1中X型金属结构。
对此，合议组认为：对比文件3中的导体层302是形成在扩散区304上的，并没有公开扩散区304为n型或p型，且也没有公开扩散区304中有P型有源区，而权利要求1中的多晶硅屏蔽层是覆盖在n型阱上方的，所述多晶硅屏蔽层包括多条n型多晶硅，每条n型多晶硅覆盖在相邻两个n阱之间，并通过所述p型有源区间隔开。因此，对比文件3并没有公开上述区别技术特征（2）。
综上所述，对比文件2、3均未公开上述区别技术特征（1）、（2），且也没有证据表明上述区别技术特征为本领域的公知常识，且上述区别技术特征还具有以下有益的技术效果：形成反偏pn结的屏蔽架构，有效阻断电感对衬底的涡流作用；将电流点汇聚到电感中心点并拉倒低电位点，可有效减小电感对于连接金属的涡流作用；大大减小电感电磁作用对衬底的涡流效应，显著提高隔离效果，提高电感品质因数，稳定电感的工作频率，从而有效发挥集成电路的性能。
因此，权利要求1所要求保护的技术方案相对于对比文件1、2、3和公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3.2．关于权利要求2-8的创造性
从属权利要求2-8直接或间接引用独立权利要求1。针对权利要求5、7、8，请求人提出使用对比文件4评述相应的附加技术特征，但请求人并未使用对比文件4评述上述权利要求1与对比文件1之间的区别技术特征，因此，如上所述，由于请求人提出的本专利权利要求1相对于请求人所提出的上述对比文件的组合方式不具备创造性的理由不成立，请求人提出的引用权利要求1的从属权利要求2-8不具备创造性的理由也均不成立。
综上所述，请求人提出无效理由全部不成立。
根据上述事实和理由，本案合议组依法作出以下决定。
三、决定
维持201420353516.X号实用新型专利权有效。
当事人对本决定不服的，可以根据专利法第46条第2款的规定，自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。根据该款的规定，一方当事人起诉后，另一方当事人作为第三人参加诉讼。
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