发明创造名称：硅通孔芯片的二次封装体
外观设计名称：
决定号：41678
决定日：2019-09-10
委内编号：5W116096
优先权日：2017-02-13
申请（专利）号：201720925097.6
申请日：2017-07-27
复审请求人：
无效请求人：上海思立微电子科技有限公司
授权公告日：2018-02-23
审定公告日：
专利权人：深圳市汇顶科技股份有限公司
主审员：沈丽
合议组组长：孙学锋
参审员：熊洁
国际分类号：
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：如果一项权利要求与最接近的对比文件的一部分区别技术特征是本领域的公知常识，另一部分区别技术特征被另一篇对比文件所公开，且现有技术给出了将所述对比文件和本领域的公知常识结合以得到该权利要求所要求保护的技术方案的技术启示，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本专利授权公告的权利要求书如下：
“1. 一种硅通孔芯片的二次封装体，其特征在于，包括：硅通孔芯片与塑封胶；
所述硅通孔芯片具有正向表面、反向表面以及多个侧向表面；所述硅通孔芯片的反向表面设置有焊锡球；
所述塑封胶包覆所述硅通孔芯片的反向表面与多个侧向表面，所述焊锡球外露于所述塑封胶的表面。
2. 根据权利要求1所述的硅通孔芯片的二次封装体，其特征在于，所述焊锡球包括焊球阵列封装BGA锡球；
所述BGA锡球外露于所述塑封胶的表面，且所述BGA锡球的外露面与所述塑封胶的表面齐平。
3. 根据权利要求2所述的硅通孔芯片的二次封装体，其特征在于，所述BGA锡球的外露面为圆形，所述BGA锡球的外露面与所述硅通孔芯片的反向表面的距离等于所述圆形的半径。
4. 根据权利要求1所述的硅通孔芯片的二次封装体，其特征在于，所述硅通孔芯片的二次封装体包括BGA锡球与辅助锡球，所述BGA锡球连接于所述硅通孔芯片的反向表面，所述辅助锡球连接于所述BGA锡球；
所述辅助锡球外露于所述塑封胶的表面，且所述辅助锡球的外露面高于或者齐平于所述塑封胶的表面。
5. 根据权利要求4所述的硅通孔芯片的二次封装体，其特征在于，当所述辅助锡球的外露面高于所述塑封胶的表面时，所述辅助锡球的外露面高出所述塑封胶的表面的距离是50um至300um之间。
6. 根据权利要求1至5中任一项所述的硅通孔芯片的二次封装体，其 特征在于，所述硅通孔芯片为指纹识别芯片，所述硅通孔芯片的正向表面包括指纹识别感应区。
7. 根据权利要求6所述的硅通孔芯片的二次封装体，其特征在于，所述硅通孔芯片的正向表面设置有保护层，且所述保护层覆盖所述指纹识别感应区。
8. 根据权利要求7所述的硅通孔芯片的二次封装体，其特征在于，所述保护层的厚度大于或等于5微米且小于或等于50微米。”
无效程序往来文件如下：
针对上述专利权，请求人于2018年10月29日向国家知识产权局提出了无效宣告请求，认为权利要求1-8不符合专利法第26条第4款的规定，权利要求1、2、4、6-7不具备专利法第22条第2款规定的新颖性，权利要求1-8不具备专利法第22条第3款规定的创造性，请求宣告本专利权全部无效，同时提交了如下证据作为对比文件：
对比文件1：CN104495741A，公开日2015年4月8日；
对比文件2：CN106098717A，公开日2016年11月9日；
对比文件3：US5,923,954A，公开日期1999年7月13日；
对比文件4：《电子制造装备技术》，高宏伟、张大兴、王卫东、何西平编著，西安电子科技大学出版社，2015年9月第一版，封面、首页、版权页、前言、目录、46-54页；
对比文件5：US2013/0113098A1，公开日2013年5月9日；
对比文件6：CN104659005A，公开日2015年5月27日；
对比文件7：CN103208430A，公开日2013年7月17日；
对比文件8：CN204011397U，公开日2014年12月10日。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年11月06日受理了上述无效宣告请求，并将上述无效宣告请求书及其附件副本转送给专利权人，随后成立合议组对本案进行审理。
2018年11月29日，请求人提交了意见陈述书，并补充提交了无效理由和证据以及所有外文证据的中文译文，其中补充提交的证据如下：
对比文件9：CN104538373A，公开日2015年4月22日；
对比文件10：US2017140202A1及其部分中文译文，公开日2017年5月18日；
对比文件11：KR20150121759A及其部分中文译文，公开日2015年10月30日；
对比文件12：US9,437,566B2及其部分中文译文，公开日2016年9月6日；
对比文件13：US9,524,906B1及其部分中文译文，公开日2016年12月20日。
请求人认为：（1）权利要求1-8得不到说明书的支持，权利要求4-8的保护范围不清楚，不符合专利法第26条第4款的规定；（2）权利要求1-8不符合专利法实施细则第20条第2款的规定；（3）权利要求1、2、4、6-7不具备专利法第22条第2款规定的新颖性；（4）权利要求1-8不具备专利法第22条第3款规定的创造性，请求宣告本专利权全部无效。
2018年12月07日，合议组将请求人于2018年11月29日提交的上述意见陈述书及其附件转送给专利权人。
2018年12月05日，专利权人针对请求人的请求书提交了意见陈述书，认为请求人的无效理由均不成立。
2019年01月21日，专利权人再次提交意见陈述书、修改后的权利要求1-11的替换页、权利要求1-11的修改对照页以及对对比文件3、5和10的原文及译文异议。专利权人认为修改后的权利要求书应当维持有效。
修改后的权利要求1-11如下：
“1．一种硅通孔芯片的二次封装体，其特征在于，包括：硅通孔芯片与塑封胶；
所述硅通孔芯片具有正向表面、反向表面以及多个侧向表面；所述硅通孔芯片的反向表面设置有焊锡球；
所述塑封胶包覆所述硅通孔芯片的反向表面与多个侧向表面，所述焊锡球外露于所述塑封胶的表面；
所述硅通孔芯片为指纹识别芯片，所述硅通孔芯片的正向表面包括指纹识别感应区；
所述焊锡球包括焊球阵列封装BGA锡球；
所述BGA锡球外露于所述塑封胶的表面，所述BGA锡球的外露面为圆形，且所述BGA锡球的外露面与所述塑封胶的表面齐平。
2．根据权利要求1所述的硅通孔芯片的二次封装体，其特征在于，所述BGA锡球的外露面与所述硅通孔芯片的反向表面的距离等于所述圆形的半径。
3. 根据权利要求1或2所述的硅通孔芯片的二次封装体，其特征在于，所述硅通孔芯片的正向表面设置有保护层，且所述保护层覆盖所述指纹识别感应区。
4．根据权利要求3所述的硅通孔芯片的二次封装体，其特征在于，所述保护层的厚度大于或等于5微米且小于或等于50微米。
5. 一种硅通孔芯片的二次封装体，其特征在于，包括：硅通孔芯片与塑封胶；
所述硅通孔芯片具有正向表面、反向表面以及多个侧向表面：所述硅通孔芯片的反向表面设置有焊锡球；
所述塑封胶包覆所述硅通孔芯片的反向表面与多个侧向表面，所述焊锡球外露于所述塑封胶的表面；
所述硅通孔芯片为指纹识别芯片，所述硅通孔芯片的正向表面包括指纹识别感应区：所述砖通孔芯片的二次封装体包括BGA锡球与辅助锡球，所述BGA锡球连接于所述硅通孔芯片的反向表面，所述辅助锡球连接于所述BGA锡球：
所述辅助锡球外露于所述塑封胶的表面，且所述辅助锡球的外露面高于所述塑封胶的表面。
6. 根据权利要求5所述的硅通孔芯片的二次封装体，其特征在于，当所述辅助锡球的外露面高于所述塑封胶的表面时，所述辅助锡球的外露面高出所述塑封胶的表面的距离是50um至300um之间。
7. 根据权利要求5或6所述的硅通孔芯片的二次封装体，其特征在于，所述硅通孔芯片的正向表面设置有保护层，且所述保护层覆盖所述指纹识别感应区。
8. 根据权利要求7所述的硅通孔芯片的二次封装体，其特征在于，所述保护层的厚度大于或等于5微米且小于或等于50微米。
9. 一种硅通孔芯片的二次封装体，其特征在于，包括：硅通孔芯片与塑封胶；
所述硅通孔芯片具有正向表面、反向表面以及多个侧向表面：所述硅通孔芯片的反向表面设置有焊锡球；
所述塑封胶包覆所述硅通孔芯片的反向表面与多个侧向表面，所述焊锡球外露于所述塑封胶的表面；
所述硅通孔芯片为指纹识别芯片，所述硅通孔芯片的正向表面包括指纹识别感应区；
所述硅通孔芯片的二次封装体包括BGA锡球与辅助锡球，所述BGA锡球连接于所述硅通孔芯片的反向表面，所述辅助锡球连接于所述BGA锡球；
所述辅助锡球外露于所述塑封胶的表面，且所述辅助锡球的外露面齐平于所述塑封胶的表面。
10. 根据权利要求9所述的硅通孔芯片的二次封装体，其特征在于，所述硅通孔芯片的正向表面设置有保护层，且所述保护层覆盖所述指纹识别感应区。
11. 根据权利要求10所述的硅通孔芯片的二次封装体，其特征在于，所述保护层的厚度大于或等于5微米且小于或等于50微米。”
2019年01月30日，合议组将专利权人的上述意见陈述书转给请求人。同日合议组向双方当事人发出了口头审理通知书，定于2019年04月19日举行口头审理。
口头审理情况如下：
口头审理如期举行，双方当事人均出席了本次口头审理。口头审理当庭明确了如下事项：
1. 关于出庭人员的身份
双方当事人对对方出庭人员身份和资格无异议，对合议组成员和书记员没有回避请求；
2. 关于审查基础
专利权人当庭放弃修改后的权利要求5-11，仅保留修改后的权利要求1-4。
请求人对修改后的权利要求1-4没有异议。
合议组当庭宣布修改后的权利要求1-4符合《专利审查指南》关于无效程序中对权利要求修改的相关规定，修改后的权利要求1-4为本案的审理基础。
3. 关于证据
专利权人对对比文件1-13的真实性和公开日期没有异议，对对比文件3、5、10的中文译文有异议并提交了上述对比文件的中文译文，对其他外文专利文献的中文译文无异议。
请求人对专利权人提交的对比文件3、5、10的中文译文无异议。
合议组当庭宣布：关于外文专利文献的中文译文，专利权人没有异议的部分以请求人提交的为准，专利权人有异议的对比文件3、5、10的中文译文，以专利权人提交的对比文件3、5、10的中文译文为准。
4. 关于无效理由
由于专利权人仅保留修改后的权利要求1-4，请求人当庭放弃保护范围不清楚的无效理由，放弃对比文件3和9分别作为最接近现有技术评价创造性的无效理由，并基于已提交的书面文件中的无效理由进行适应性调整。
调整后的无效理由如下：
（一）专利法实施细则第20条第2款
权利要求1-4的缺少必要技术特征，不符合专利法实施细则第20条第2款的规定；
（二）专利法第26条第4款
权利要求1-4得不到说明书的支持，不符合专利法第26条第4款的规定；
（三）专利法第22条第2款
权利要求1相对于对比文件2不具备专利法第22条第2款规定的新颖性。
（四）专利法第22条第3款
权利要求1-4不符合专利法第22条第3款规定的创造性。
（1）权利要求1不具备创造性
基于请求人2018年10月29日和11月29日提交的书面意见，以及专利权人修改权利要求1的方式，请求人评价修改后的权利要求1的证据组合方式如下：
修改后的权利要求1的创造性的评述，请求人明确如下：分别以对比文件1或2作为最接近的现有技术，放弃以对比文件3或9作为最接近的现有技术的评述方式。具体证据结合方式以书面意见为基础针对权利要求1的修改做适应性调整”。
请求人当庭具体陈述了以对比文件2作为最接近的现有技术结合对比文件5评述权利要求1的创造性的理由。专利权人认为该评述方式属于新增的组合方式。
（2）权利要求2的附加技术特征属于本领域的公知常识，且被对比文件5公开；
（3）权利要求3的附加技术特征属于本领域的公知常识，且被对比文件1、2、8、9或10公开。
（4）权利要求4的附加技术特征属于本领域的公知常识，且被对比文件8或10公开。
至此，合议组认为本案事实已经清楚，可以做出审查决定。
二、决定的理由
1. 审查基础
专利权人于2019年01月21日对授权公告的权利要求1-8进行了修改，提交了修改后的权利要求1-11的替换页和修改对照页。专利权人口审当庭明确表示仅保留2019年1月21日提交的权利要求1-4，放弃权利要求5-11。请求人当庭表示对修改后的权利要求1-4没有异议。
合议组认为，2017年4月1日起实施的《专利审查指南》（下称审查指南）第四部分第三章第4.6.2节规定：“权利要求的进一步限定，是指在权利要求中补入其他权利要求中记载的一个或者多个技术特征，以缩小保护范围”。
关于修改后的独立权利要求1
专利权人2019年1月21日提交的权利要求1-4中，将授权公告的原权利要求2的附加技术特征、原权利要求3的技术特征“所述BGA锡球的外露面为圆形”、原权利要求6的附加技术特征补入原权利要求1中，形成了新的独立权利要求1。
上述修改属于将其他权利要求中记载的一个或者多个技术特征补入原权利要求1，缩小了原权利要求1的保护范围，属于对原权利要求1的进一步限定。
关于修改后的从属权利要求2-4
修改后的从属权利要求2的附加技术特征为删除技术特征“所述BGA锡球的外露面为圆形”后的原权利要求3的附加技术特征。
修改后的从属权利要求3和4的附加技术特征分别为原权利要求7和8的附加技术特征。
修改后的从属权利要求2-4适应性地修改了引用编号。
综上，上述修改后的权利要求1-4符合审查指南中有关无效程序中权利要求修改的相关规定，合议组予以接受。
2. 关于证据
请求人提交的对比文件1、2、5、8是专利文件，其中对比文件5是外文专利文献。请求人提交了上述对比文件的中文译文。
专利权人对对比文件1、2、5、8的真实性和公开日期没有异议。
专利权人对对比文件5的中文译文有异议并提交了对比文件5的中文译文。
请求人对专利权人提交的对比文件5的中文译文无异议。
合议组经核实，对对比文件1、2、5、8真实性予以认可，对比文件1、2、5、8的公开日期早于本专利的优先权日，可以作为本专利的现有技术。
关于外文专利文献的中文译文的准确性，专利权人没有异议的部分以请求人提交的为准，专利权人有异议的对比文件5的中文译文，以专利权人提交的对比文件5的中文译文为准。
3．专利法第22条第3款
专利法第22条第3款：创造性，是指同现有技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型有实质性特点和进步。
如果一项权利要求与最接近的对比文件的一部分区别技术特征是本领域的公知常识，另一部分区别技术特征被另一篇对比文件所公开，且现有技术给出了将所述对比文件和本领域的公知常识结合以得到该权利要求所要求保护的技术方案的技术启示，则该权利要求不具备创造性。
3.1 独立权利要求1不具备创造性
请求人口头审理中明确：修改后的各特征的评述，与其在2018年11月29日提交的书面意见（下称：书面意见）中的评述方式相同。基于此，以对比文件2为最接近的现有技术时，独立权利要求1与对比文件2相比，区别技术特征在于：（1）“塑封层”和“焊锡球”属于本领域的公知常识，且被对比文件3和4分别公开（书面意见36页）；（2）技术特征“BGA锡球的外露面为圆形”属于本领域的公知常识，且被对比文件5公开（书面意见39页）；（3）技术特征“焊锡球包括焊球阵列封装BGA锡球，所述BGA锡球外露于所述塑封胶的表面”属于本领域的公知常识，且被对比文件3和4公开（书面意见39页）；（4）技术特征“所述BGA锡球的外露面与所述塑封胶的表面齐平”属于本领域的公知常识，且被对比文件1和2分别公开（书面意见39页）；（5）技术特征“所述硅通孔芯片为指纹识别芯片，所述指纹识别芯片的正向表面包括指纹识别感应区”属于本领域的公知常识，被对比文件1、8和9分别公开（书面意见42-43页）。独立权利要求1中除上述之外的其他技术特征，请求人认为都已在对比文件2中公开。
3.1.1独立权利要求1的技术方案
一种硅通孔芯片的二次封装体，其特征在于，包括：硅通孔芯片与塑封胶；
所述硅通孔芯片具有正向表面、反向表面以及多个侧向表面；所述硅通孔芯片的反向表面设置有焊锡球；
所述塑封胶包覆所述硅通孔芯片的反向表面与多个侧向表面，所述焊锡球外露于所述塑封胶的表面；
所述硅通孔芯片为指纹识别芯片，所述硅通孔芯片的正向表面包括指纹识别感应区；
所述焊锡球包括焊球阵列封装BGA锡球；
所述BGA锡球外露于所述塑封胶的表面，所述BGA锡球的外露面为圆形，且所述BGA锡球的外露面与所述塑封胶的表面齐平。
3.1.2对比文件2公开的技术方案
对比文件2公开了一种高可靠芯片封装方法及结构，要解决的技术问题是进一步增强芯片的可靠性和耐用性，提升芯片的抗干扰能力（参见对比文件2说明书0004段）。并具体公开了以下内容：
采用晶圆级TSV技术对芯片进行与封装以及塑封多个单颗预封装芯片的方法，都是先进行整体封装，再切割成单颗芯片（参见对比文件2说明书0020段）。参见图2，提供一具有若干芯片的晶圆，采用晶圆级TSV技术，将晶圆每个芯片正面焊垫的电性通过金属布线层引到背面，并在金属布线层上预设位置制作焊料凸点后，将晶圆切割成单颗芯片，完成对芯片的预封装（参见对比文件2说明书0044段）。相当于权利要求1的硅通孔芯片的二次封装体。
如图7所示，为本发明制作的一种高可靠性影像传感器结构，包括影像传感芯片100；影像传感芯片具有正面极与其相对的背面（相当于硅通孔芯片具有正向表面、反向表面以及多个侧向表面），还包括开口、金属布线层130、若干焊料凸点140和塑封层150（相当于硅通孔芯片和塑封胶）；焊料凸点位于影像传感芯片背面上，且与金属布线层电性连接；塑封层包覆住影像传感器结构除保护盖正面以外的部分（相当于塑封胶包覆硅通孔芯片的反向表面与多个侧向表面），即影像传感芯片背面、四个侧面及保护盖及支撑围堰层的四个侧面，其暴露出焊料凸点（相当于焊球外露于塑封胶的表面）（参见对比文件2说明书0063段）。
对比文件2中在晶圆的每个芯片的背面上制作有焊料凸点，每个芯片的背面上的焊料凸点为阵列封装BGA是不言而喻的。在口头审理期间，专利权人认可对比文件2公开了焊料凸点为阵列封装BGA的技术特征。
由此可见，对比文件2公开了权利要求1的如下技术特征：硅通孔芯片的二次封装体，包括硅通孔芯片与塑封胶，所述硅通孔芯片具有正向表面、反向表面以及多个侧向表面；所述硅通孔芯片的反向表面设置有焊球；所述塑封胶包覆所述硅通孔芯片的反向表面与多个侧向表面，所述焊球外露于所述塑封胶的表面；所述焊球包括焊球阵列封装BGA。
请求人认为，对比文件2的影像传感芯片是指纹识别芯片，在感应区部分是透明的窗口，是为了识别指纹的图像，是隐含公开。
专利权人认为对比文件2没有公开指纹识别芯片，公开的是影像传感芯片，是摄像头之类的产品。
合议组认为，对比文件2的说明书0045段记载了：芯片可以是有源元件或无源元件、数字电路或模拟电路等集成电路的电子元件、微机电系统、微流体系统、或利用热、光线及压力等物理量变化来测量的物理感测器、表面声波元件、压力感测器，但不以此为限。对比文件2说明书0046段记载了：作为一种优选实施例，利用光线变化来测量的感测器，并具体介绍了影像传感器的预封装具体制作过程。
在对比文件2公开的上述内容中，并没有明确记载指纹识别芯片，且指纹识别芯片与影像传感器并不相同。
3.1.3权利要求1与对比文件2的区别
权利要求1的技术方案与对比文件2公开内容相比，区别特征在于：（1）权利要求1的硅通孔芯片为指纹识别芯片，指纹识别芯片的正向表面包括指纹识别感应区，对比文件2的芯片是影像传感器；（2）权利要求1的BGA焊球的外露面是圆形且与塑封胶的表面齐平，而对比文件2的塑封层低于芯片背面的球形焊料凸点；（3）权利要求1中的焊球为锡焊球，而对比文件2中仅记载了焊料凸点，没有明确焊料凸点的材料。
相对于对比文件2，权利要求1实际要解决的技术问题是：提高指纹识别芯片与外界电气连接的接触面积和可靠性，使用低熔点焊料便于芯片与外部的焊接。
3.1.3.1关于区别特征1
请求人认为，对比文件1公开了与本专利具有类似结构的指纹识别芯片。
对此，合议组认为，对比文件1是与对比文件2相同申请人且技术方案类似的现有技术，对比文件1具体公开了一种表面传感芯片结构，如指纹识别表面传感芯片、触摸型表面传感芯片（参见对比文件1的说明书0002段），要解决的技术问题是降低封装厚度，满足表面传感芯片小型化发展的要求（参见对比文件1的说明书0004段）。
对比文件1所采用的技术方案是（参见对比文件1的说明书0053段）：具有相对的第一表面101和第二表面102的表面传感芯片，第一表面101具有感应区103，第一表面101上形成有暴露感应区103的第一塑封层2，第二表面102和第一开口3的内壁上形成有暴露出焊垫104的绝缘层4，绝缘层4上形成有电连接焊垫104暴露部分的金属布线层5，金属布线5外形成有第二塑封层7；第二表面102上的金属布线层5上形成有穿出第二塑封层7用于连接外部器件的焊料凸点10，用以连接外部电路。
对比文件1获得的技术效果是通过焊料凸点与焊盘的倒装焊工艺，能够达到缩小表面传感芯片的封装体积，满足表面传感芯片小型化发展要求的目的（参见对比文件1的说明书0025段）。
将对比文件1与对比文件2相比较可以发现，两者的申请人相同，技术方案类似：都是采用硅通孔TSV技术，将芯片第一表面焊垫的电性引到芯片的第二表面，对芯片的外围进行塑封，增加了芯片的可靠性，形成了硅通孔芯片的二次封装体，缩小了封装体积。
对比文件1中采用的是指纹识别的表面传感芯片，在对比文件2的基础上，将影像传感器具体设置为对比文件1中的指纹识别芯片，对本领域技术人员来说是容易想到、容易实现、显而易见的。由此可见，对比文件1已经公开了区别特征1，且要解决的技术问题与本专利要解决的技术问题相同，都是为了降低封装体厚度有利于电子产品的薄型化和小型化设计。
3.1.3.2关于区别特征2
区别特征2：权利要求1的BGA焊球的外露面是圆形且与塑封胶的表面齐平，而对比文件2的塑封层低于芯片背面的球形焊料凸点；
请求人认为，上述区别特征2属于本领域的公知常识，此外，对比文件2说明书第0067段公开了区别特征2。
专利权人认为，本专利先形成具有焊锡球的硅通孔芯片，再用塑封胶包覆，最后通过研磨工艺使焊锡球阵列的外露平面与塑封胶表面齐平，使芯片背面的塑封胶厚度和锡球的高度大大减薄，降低了二次封装体的厚度。
合议组认为，首先，关于如何实现降低二次封装体的厚度：
本专利的说明书第0024段中记载了采用无基板形式的二次封装体，在保证硅通孔芯片具有较高机械结构强度的基础上，相较于基板封装形式降低了硅通孔芯片二次封装体的厚度，有助于电子产品的薄型化和小型化设计。
从对比文件2的说明书第0020段中的记载可以看出，对比文件2的封装体同样是硅通孔二次封装体，塑封层提高了封装体的机械结构强度。由此可见，对比文件2同样采用了一体塑封的方式提高了封装体的机械结构强度，在无基板的情况下的实现了硅通孔芯片的二次封装，降低了封装体体的厚度。
其次，关于BGA焊球外露于塑封胶表面且与塑封胶的表面齐平的作用：
从本专利的说明书第0023段、0025段、0027段、0028段以及0030段中可以看出，将BGA焊球外露于封装体表面是为了便于实现与外界电气连接。为了尽量提高BGA焊球与外界电气连接时的可靠性，使焊球露出的面积尽量大。磨掉BGA焊球一半露出的面积最大。为了提高BGA焊球与外界电气连接的可靠性，也可以借助辅助锡球形成BGA焊球表面上，以增加BGA锡球与外界的接触面积，以提供电气连接的可靠性。
由此可见，本专利将BGA焊球外露于塑封胶表面且与塑封胶的表面齐平，目的是增加BGA焊球与外界的接触面积，提高电气连接时的可靠性，便于进一步形成辅助锡球电连接，进一步提高与外界的电气连接时的可靠性。
本专利说明书第0023段中还记载了：在有些情况下，也可以仅去除塑封胶4，并不去除BGA锡球2，只需使BGA锡球2外露即可。由此可见，本专利的BGA锡球2外露面可以与塑封胶4齐平，也可以不与塑封胶4齐平。
本专利说明书第0027段中记载了如果研磨时研磨去除BGA锡球2的部分过多或者不足导致BGA锡球2外露面积不足时，或者虽然BGA锡球2外露面面积已经最大化了，但是依然无法满足电子产品的实际设计需要（即BGA锡球2外露面面积依然不够大）时，可以采用丝网印刷工艺在BGA锡球2设置辅助锡球5，辅助锡球5高于二次封装体的表面，相当于增加了BGA锡球2的外露面面积，进一步提高了BGA锡球2与外界电气连接时的可靠性。从本专利的图4和5中可以看出，辅助锡球5高于塑封胶4，从图5可以看出BGA锡球2并没有与塑封胶5齐平。
由此可见，本专利关注的重点不是BGA锡球2外露面是否与塑封胶4齐平，关注的是硅通孔芯片的二次封装体如何提高与外界电气连接时的可靠性。采用的技术手段是增大BGA锡球2的外露面的面积。然而当BGA锡球2的外露面积已经最大化了，但是依然无法满足电子产品的实际设计时，需要借助辅助锡球5进一步提高BGA锡球2与外界电气连接时的可靠性。因此，BGA锡球2可以与塑封胶齐平，也可以比塑封胶的位置高，也可以比塑封胶的位置低。
在本领域中，焊球必须要露出塑封胶，芯片才能借助焊球实现与外部的电气连接。对于本领域技术人员来说，增大焊球与外界的接触面积，使焊球的外露面与塑封胶齐平以提高电气连接时的可靠性，属于本领域的公知常识。
对比文件2的说明书第0067段中指出：优选的，以焊料凸点露出方向为上，影像传感芯片背面上的塑封层高度低于焊料凸点的最高点，当然，影像传感芯片背面上的塑封层也可以与焊垫凸点平齐，为了便于影像信号处理之后信号的传输，优选实施方式为塑封层高度低于焊料凸点的最高点，更优的，塑封层的高度与焊料凸点的中心平面平齐。
可以看出，对比文件2中塑封层的最高点要低于焊料凸点的最高点，最低点可以与焊垫凸点平齐，优选与焊料凸点的中心平面平齐。对比文件2露出焊料凸点以便芯片与外部的信号传输。为了实现与外部更好的信号传输，容易想到增加焊料凸点外露面的面积，进而使焊料凸点外露面与塑封层齐平。
综上可知，本领域技术人员在对比文件2公开的内容的基础上，可以在需要时将焊锡球与塑封胶的表面设置为平齐，这对本领域技术人员来说是显而易见的，没有给权利要求1带来实质性特点和进步。
专利权人强调本专利同时研磨塑封层和焊锡球，使BGA锡球2可以与塑封胶齐平，而在对比文件2中的基础上直接研磨将会磨掉焊料凸点，或者在对比文件2的基础上增加一层塑封层再研磨。
合议组认为，本专利是实用新型专利，实用新型专利不保护制备方法，目前的权利要求1要求保护的是产品权利要求，并没有限定其制备方法。专利权人的上述理由不成立。
3.1.3.3关于区别特征3
区别特征3：权利要求1中的焊球为锡焊球，而对比文件2中仅记载了焊料凸点，没有明确焊料凸点的材料。
本领域的技术人员都了解，焊锡材料的焊接融化点低，是集成电路芯片生产中制备BGA和CSP的重要辅料，是非常常用的焊接材料，采用焊锡材料作为焊料凸点的材料属于本领域的公知常识。
综上所述，在对比文件2的基础上，结合对比文件1和本领域的公知常识，容易得到权利要求1的技术方案，权利要求1的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3.2从属权利要求2
从属权利要求2的附加技术特征为：所述BGA锡球的外露面与所述硅通孔芯片的反向表面的距离等于所述圆形的半径。
对比文件5公开了一种集成电路封装，并具体公开了以下内容（0041段，图1G）：在一个实施例中，通过在研磨过程中研磨模制化合物52和焊料球50来部分地移除模制化合物52和焊料球50。在研磨过程中每一焊料球50的约一半被研磨掉。这暴露焊料球50的最大表面区域。
由此可见，对比文件5公开了从属权利要求2的附加技术特征，且上述技术特征在对比文件5与在本专利中所起的作用相同，都是为了露出焊料球的最大面积。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，从属权利要求2的技术方案同样不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3.2从属权利要求3和4
从属权利要求3的附加技术特征是：所述BGA锡球的外露面为圆形，所述硅通孔芯片的正向表面设置有保护层，且所述保护层覆盖所述指纹识别感应区。
从属权利要求4的附加技术特征是：所述保护层的厚度大于或等于5微米且小于或等于50微米。
对比文件8公开了一种电容式的指纹传感器封装结构，并具体公开了以下内容（0047段、0048段、0077段，图1A）：指纹传感器结构包括保护层206，其设置在指纹传感器感应元件202的上方，保护层206的厚度为10微米至30微米。
由此可见，对比文件8已经公开了从属权利要求3和4的附加技术特征，且从属权利要求3和4的附加技术特征所起的作用与其在对比文件8中所起的作用相同，都是对指纹识别感应区进行保护。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，从属权利要求3和4的技术方案同样不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
综上所述，本专利的权利要求1-4不具备专利法第22条第3款规定的创造性，请求人的相应无效理由成立，合议组依法作出以下决定。
三、决定
宣告201720925097.6号实用新型专利权无效。
当事人对本决定不服的，可以根据专利法第46条第2款的规定，自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。根据该款的规定，一方当事人起诉后，另一方当事人作为第三人参加诉讼。
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